JPH02117015A - 透明電極の製造方法 - Google Patents
透明電極の製造方法Info
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- JPH02117015A JPH02117015A JP63270403A JP27040388A JPH02117015A JP H02117015 A JPH02117015 A JP H02117015A JP 63270403 A JP63270403 A JP 63270403A JP 27040388 A JP27040388 A JP 27040388A JP H02117015 A JPH02117015 A JP H02117015A
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- Japan
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- conductive filler
- resin
- transparent electrode
- membrane
- transparent electrodes
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶表示装置、太陽電池、透明タブレット、
液晶調光ガラス、防曇ガラス等に使用される透明電極の
製造方法に関するものである。
液晶調光ガラス、防曇ガラス等に使用される透明電極の
製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、透明電極の製造方法としては酸化錫等の薄膜を加
水分解を利用するスプレー法や塗布法、熱分解反応を利
用する化学的気相蒸着法（以下ＦＣＶＤ法」と略称する
。）等の化学的成膜法、または、酸化インジウム、酸化
錫などの半導体薄膜や金５ 銀、銅、パラジウム、ロジ
ウム、アルミニウム等の金属薄膜を物理的気相体積法（
以下ｒＰＶＤ法Ｊと略称する。 ）で形成していた。
水分解を利用するスプレー法や塗布法、熱分解反応を利
用する化学的気相蒸着法（以下ＦＣＶＤ法」と略称する
。）等の化学的成膜法、または、酸化インジウム、酸化
錫などの半導体薄膜や金５ 銀、銅、パラジウム、ロジ
ウム、アルミニウム等の金属薄膜を物理的気相体積法（
以下ｒＰＶＤ法Ｊと略称する。 ）で形成していた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
スプレー法や塗布法は一般的に処理温度が高く、基板温
度が４００ ’Ｃ〜６００ ’Ｃになることが多かった
。このため、染料及び有機顔料を発色材料としているカ
ラーフィルタを有するガラス基板に透明電極を設ける場
合は該染料及び有機顔料が退色してしまうという欠点が
あった。
度が４００ ’Ｃ〜６００ ’Ｃになることが多かった
。このため、染料及び有機顔料を発色材料としているカ
ラーフィルタを有するガラス基板に透明電極を設ける場
合は該染料及び有機顔料が退色してしまうという欠点が
あった。
ＣｖＯ法は酸化錫で数多く試みられているが、原料とし
ては気化しやすい液体や固体しか用いることが出来ない
ので、原料の選択範囲が限られてしまうという欠点があ
った。
ては気化しやすい液体や固体しか用いることが出来ない
ので、原料の選択範囲が限られてしまうという欠点があ
った。
ＰＶＤ法には真空蒸着法、イオンブレーティング法、ス
パッタ蒸着法、分子線結晶成長法などが含まれるが、い
ずれも真空状態での成膜処理であるためにバッチ処理に
ならざるを慢ず、生産時間を長くする原因の一つになっ
ていた。また、成膜処理温度が非常に高いために、基板
温度が２゜０℃以上に上昇することが多く、耐熱性の弱
い基板には利用できないという欠点があった。さらに、
透明電極を基板上に選択的に形成する場合には、ＰＶＤ
法で全面成膜した後でパターンエツチング等の処理が必
要であった。
パッタ蒸着法、分子線結晶成長法などが含まれるが、い
ずれも真空状態での成膜処理であるためにバッチ処理に
ならざるを慢ず、生産時間を長くする原因の一つになっ
ていた。また、成膜処理温度が非常に高いために、基板
温度が２゜０℃以上に上昇することが多く、耐熱性の弱
い基板には利用できないという欠点があった。さらに、
透明電極を基板上に選択的に形成する場合には、ＰＶＤ
法で全面成膜した後でパターンエツチング等の処理が必
要であった。
く問題を解決するための手段〉
重量比で樹脂］、００部に対して平均粒径が０゜４μｍ
以下の導電性フィラー１． Ｏ０部以上を該樹脂に分散
させたペーストを印刷方式により基板に塗布し、乾燥さ
せて透明電極を形成する。
以下の導電性フィラー１． Ｏ０部以上を該樹脂に分散
させたペーストを印刷方式により基板に塗布し、乾燥さ
せて透明電極を形成する。
〈発明の作用〉
本発明は、導電性フィラーの粒径を可視光の波長以下に
することにより被膜に透明性を持たせるものである。ま
た、導電性フィラーの含有量を重量比で樹脂１００部に
対して導電性フィラー１００部以上にすることにより、
乾燥後の被膜中で導電性フィラーが互いに接触するか、
あるいは近接した位置に存在することになり、極めて高
い導電性を持つ被膜を形成する。この時、導電性フィラ
ーが互いに接触せずに近接した位置に存在する場合の導
電性は、熱電子放出やトンネル効果によるものと考えら
れる。
することにより被膜に透明性を持たせるものである。ま
た、導電性フィラーの含有量を重量比で樹脂１００部に
対して導電性フィラー１００部以上にすることにより、
乾燥後の被膜中で導電性フィラーが互いに接触するか、
あるいは近接した位置に存在することになり、極めて高
い導電性を持つ被膜を形成する。この時、導電性フィラ
ーが互いに接触せずに近接した位置に存在する場合の導
電性は、熱電子放出やトンネル効果によるものと考えら
れる。
〈実施例〉
重量比で、アクリル系樹脂（商品名アルマテックスＤ１
５１ 溶剤分３０％ 三井東圧化学（株）製造）１００
部に対して、ＩＴＯ微粉末（粒径０．０２〜０．０８μ
ｍ）２００部の割合で混ぜ合わせ、ペースト状の導電性
インキを作成した。
５１ 溶剤分３０％ 三井東圧化学（株）製造）１００
部に対して、ＩＴＯ微粉末（粒径０．０２〜０．０８μ
ｍ）２００部の割合で混ぜ合わせ、ペースト状の導電性
インキを作成した。
このインキを用いてガラス基板上にオフセット印刷法で
ストライプ状パターンを印刷した。その後、１５０℃の
オーブン中で３０分間乾燥させた。このようにして出来
たストライプパターン状の透明電極は表面抵抗値が４０
００Ω／口、光透過率が８５％であった。
ストライプ状パターンを印刷した。その後、１５０℃の
オーブン中で３０分間乾燥させた。このようにして出来
たストライプパターン状の透明電極は表面抵抗値が４０
００Ω／口、光透過率が８５％であった。
〈発明の効果〉
本発明によれば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等
全ての印刷方式が利用できるために簡単な工程でパター
ンニングされた透明電極を短時間で量産することが出来
る。また、処理温度が低いために耐熱性の弱い基板にも
透明電極を形成することが出来る。さらに、原料の導電
性フィラーの選択範囲も広いために用途に応じた原料を
用０ることか出来る。
全ての印刷方式が利用できるために簡単な工程でパター
ンニングされた透明電極を短時間で量産することが出来
る。また、処理温度が低いために耐熱性の弱い基板にも
透明電極を形成することが出来る。さらに、原料の導電
性フィラーの選択範囲も広いために用途に応じた原料を
用０ることか出来る。
特許出願人 三浦印刷株式会社
Claims (2)
- （１）平均粒径が０．４μｍ以下の導電性フィラーを樹
脂に分散させたペーストを印刷方式により基板に塗布す
る工程と、該塗布膜を乾燥させる工程とを含むことを特
徴とする透明電極の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の透明電極の製造方法
において、ペーストの導電性フィラーの含有量を、重量
比で樹脂１００部に対して導電性フィラー１００部以上
にすることを特徴とする透明電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270403A JPH02117015A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 透明電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270403A JPH02117015A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 透明電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02117015A true JPH02117015A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17485775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270403A Pending JPH02117015A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 透明電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02117015A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000002891A (ja) * | 1998-04-17 | 2000-01-07 | Seiko Instruments Inc | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2009509353A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | ｐ−ｎ接合半導体素子の埋込み接触電極の形成方法及びこれを用いた光電子半導体素子 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63270403A patent/JPH02117015A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000002891A (ja) * | 1998-04-17 | 2000-01-07 | Seiko Instruments Inc | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2009509353A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | ｐ−ｎ接合半導体素子の埋込み接触電極の形成方法及びこれを用いた光電子半導体素子 |
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