JPS60220507A - 透明導電膜およびその形成方法 - Google Patents
透明導電膜およびその形成方法Info
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- JPS60220507A JPS60220507A JP59076067A JP7606784A JPS60220507A JP S60220507 A JPS60220507 A JP S60220507A JP 59076067 A JP59076067 A JP 59076067A JP 7606784 A JP7606784 A JP 7606784A JP S60220507 A JPS60220507 A JP S60220507A
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- indium
- tin
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主としてエレクトロニクス産業において利用で
きる透明導電膜およびその形成方法に関するものである
。
きる透明導電膜およびその形成方法に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
透明導電膜は、各種表示素子、太陽電池、入力装置など
の重要な構成材料として、近年、その需要が増大してい
る。
の重要な構成材料として、近年、その需要が増大してい
る。
このものの材ｆｌとしては、インジウム、スズ２カドミ
ウムなどの酸化物が従来から用いられており、良好な電
導性と可視光透過率を有している。
ウムなどの酸化物が従来から用いられており、良好な電
導性と可視光透過率を有している。
特に、スズを不純物としてドープした酸化インジウム薄
膜は、高い電導性、可視光透過率を持ち、透明導電膜の
１：、流を占めるものである〇この製造方法としては、
真空蒸着法、ＣＶＤ法。
膜は、高い電導性、可視光透過率を持ち、透明導電膜の
１：、流を占めるものである〇この製造方法としては、
真空蒸着法、ＣＶＤ法。
スプレー法、塗布法が知られているが、量産性を考慮す
ると、この中でも特に塗布法が有利である。
ると、この中でも特に塗布法が有利である。
更に塗布法は、透明導電膜のパターン状印１１１］形成
を可能にするという期待もあり、将来的に有望な形成方
法であると思われる。
を可能にするという期待もあり、将来的に有望な形成方
法であると思われる。
従来、透明電極膜形成用塗布液としては、硝酸インジウ
ムと、ハロゲン化スズ、硝酸スズなどを水、カルボ漕、
多価アルコールに溶解したものや、ナフテン酸インジウ
ムとオクチル酸スズをトルエンに溶解したもの、更には
塩化インジウムをアルコールに溶解したもの、インジウ
ムのアルコキシドと、スズのアルコキシドをアルコール
＆？［解したもの、インジウムアセチルアセトネートを
アセチルアセトンおよびアセトンに溶解したものなど、
多くのものが使用され、これらを基体」二に塗布、焼成
することによって透明導電膜を得ている。
ムと、ハロゲン化スズ、硝酸スズなどを水、カルボ漕、
多価アルコールに溶解したものや、ナフテン酸インジウ
ムとオクチル酸スズをトルエンに溶解したもの、更には
塩化インジウムをアルコールに溶解したもの、インジウ
ムのアルコキシドと、スズのアルコキシドをアルコール
＆？［解したもの、インジウムアセチルアセトネートを
アセチルアセトンおよびアセトンに溶解したものなど、
多くのものが使用され、これらを基体」二に塗布、焼成
することによって透明導電膜を得ている。
通常、透明導電膜形成用の基体として最も安価で多用さ
れるものは、ソーダ石灰ガラス板である。
れるものは、ソーダ石灰ガラス板である。
このものは、約５５０°Ｃ〜７００°Ｃに軟化点を持ち
、従って塗布−法における焼成温度としては６６０°Ｃ
以下であることが望ましいのであるが、上記の塗布液で
は、この温度範囲での焼成によって得られた透明導電膜
は、比抵抗が高く、丑だ膜強度が弱く、更に抵抗値の変
動が太きいなどの欠点があった。
、従って塗布−法における焼成温度としては６６０°Ｃ
以下であることが望ましいのであるが、上記の塗布液で
は、この温度範囲での焼成によって得られた透明導電膜
は、比抵抗が高く、丑だ膜強度が弱く、更に抵抗値の変
動が太きいなどの欠点があった。
発明の目的
本発明者は、酸化インジウム薄膜などの多結晶半導体に
おいては、その焼結の程度、物質の緻密さが電気伝導度
や機械的強度を決める要因であるといりことと、通常難
焼結性の多結晶セラミックを低温で焼結させるために焼
結助剤が使用されているということに着目し、従来の透
明濾膜形成用塗布液でＦｉ得られないような高い導電性
と機械的強度を持ち、電導度の変動が小さい透明導電膜
を提供することを目的としている。
おいては、その焼結の程度、物質の緻密さが電気伝導度
や機械的強度を決める要因であるといりことと、通常難
焼結性の多結晶セラミックを低温で焼結させるために焼
結助剤が使用されているということに着目し、従来の透
明濾膜形成用塗布液でＦｉ得られないような高い導電性
と機械的強度を持ち、電導度の変動が小さい透明導電膜
を提供することを目的としている。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の透明電極膜は、イン
ジウム化合物とスス化合物とを溶媒に溶解してなる液に
、酸化インジウムおよび酸化スズの微粉末のうちの少な
くとも１種を分散させてなる塗布液を用いたものであり
、捷たその形成方法は、塗布液を基体、にに塗布し、こ
れを焼成するものである。
ジウム化合物とスス化合物とを溶媒に溶解してなる液に
、酸化インジウムおよび酸化スズの微粉末のうちの少な
くとも１種を分散させてなる塗布液を用いたものであり
、捷たその形成方法は、塗布液を基体、にに塗布し、こ
れを焼成するものである。
実施例の説明
以下に実施例をあげて本発明を説明する。
（実施例１）
下記のような組成Ａに配合した溶液１００ｇに対し、粒
径１ｐｍ以下に粉砕した酸化インジウムをｏ、ｏ１９添
加し分散させる。
径１ｐｍ以下に粉砕した酸化インジウムをｏ、ｏ１９添
加し分散させる。
この液を回転塗布機により、ソーダ石灰ガラス板に塗布
する。この時、塗膜は、点状のムラを有していたが、こ
れを大気中で５００°Ｃ、６０分間保持することにより
、均一々透明導電膜がｆｌＪられた。この透明導電膜の
抵抗率は、９．５〜１０．５Ｘ１ｏ−３Ω口であった。
する。この時、塗膜は、点状のムラを有していたが、こ
れを大気中で５００°Ｃ、６０分間保持することにより
、均一々透明導電膜がｆｌＪられた。この透明導電膜の
抵抗率は、９．５〜１０．５Ｘ１ｏ−３Ω口であった。
これに対し、荷重５０ｇをかけたダイヤモンドチップで
膜を摩擦し、膜が切断される才での回数で強度を評価す
るという方法を適用したところ、１８〜２７回で膜に、
切断した。
膜を摩擦し、膜が切断される才での回数で強度を評価す
るという方法を適用したところ、１８〜２７回で膜に、
切断した。
（実施例２）
実施例１と同じ組成人の溶液１００ｇに対し、粒径１／
１ｍ以下に粉砕した酸化第二スズを０．０１９添加して
分散させる。これを回転塗（１１機に」：リソーダ石灰
ガラス板に塗布し、大気中、５００°Ｃにて６０分間保
持して、透明導電膜をｒ１１／こ。このものの抵抗率は
、１〜１．６Ｘ１０−２Ω鍋で、実施例１と同じ方法で
強度を評価したところ２１〜２６回で膜は切断した。
１ｍ以下に粉砕した酸化第二スズを０．０１９添加して
分散させる。これを回転塗（１１機に」：リソーダ石灰
ガラス板に塗布し、大気中、５００°Ｃにて６０分間保
持して、透明導電膜をｒ１１／こ。このものの抵抗率は
、１〜１．６Ｘ１０−２Ω鍋で、実施例１と同じ方法で
強度を評価したところ２１〜２６回で膜は切断した。
（実施例３）
下記の組成りに配合した溶液１００ｇに対し、粒径１／
１ＭＬ以下に粉砕した酸化インジウムを０．００７ｇ添
加し、分散させる。
１ＭＬ以下に粉砕した酸化インジウムを０．００７ｇ添
加し、分散させる。
この液を回転塗布機により、ソーダ石灰ガラス板に塗布
する。これを、大気中５００°Ｃにて６０分間保持し、
透明導電膜を得た。このものの抵抗率は、９〜１０．２
Ｘ １０−３Ω鑞であり、実施例１と同じ方法で膜強
度を評価すると、２５〜３２回で膜は切断した。
する。これを、大気中５００°Ｃにて６０分間保持し、
透明導電膜を得た。このものの抵抗率は、９〜１０．２
Ｘ １０−３Ω鑞であり、実施例１と同じ方法で膜強
度を評価すると、２５〜３２回で膜は切断した。
（実施例４）
実施例３と同じ組成りの溶液１００９に、粒径１７１ｍ
以下に粉砕した酸化インジウムを０．００４ｇと、同様
な酸化第二スズをＯ，ｏ Ｏ３ｇ７７、ｇ、加し、分散
させる。この′ｅを回転塗布機によりノーダ百族ガラス
に塗布する。これを、大気中で５００°Ｃにて６０分間
保持して透明導電膜を得た。これの抵抗率は９．２〜１
０．Ｉ Ｘ １０ Ω儒であった。壕だ実施例１と同じ
強度評価を台うと、２４〜２９回で膜は切断した。
以下に粉砕した酸化インジウムを０．００４ｇと、同様
な酸化第二スズをＯ，ｏ Ｏ３ｇ７７、ｇ、加し、分散
させる。この′ｅを回転塗布機によりノーダ百族ガラス
に塗布する。これを、大気中で５００°Ｃにて６０分間
保持して透明導電膜を得た。これの抵抗率は９．２〜１
０．Ｉ Ｘ １０ Ω儒であった。壕だ実施例１と同じ
強度評価を台うと、２４〜２９回で膜は切断した。
（比較例）
実施例中の組成Ａおよび組成りの液を、回転塗布機によ
りソーダ石灰ガラス板に塗布し、実施例と同様な方法で
透明導電膜を得た。これらの抵抗率は、１．７〜２．６
Ｘ１０−２Ω工であシ、実施例１と同じ強度評価を行え
ば１０〜１４回で膜が切断した。
りソーダ石灰ガラス板に塗布し、実施例と同様な方法で
透明導電膜を得た。これらの抵抗率は、１．７〜２．６
Ｘ１０−２Ω工であシ、実施例１と同じ強度評価を行え
ば１０〜１４回で膜が切断した。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明の透明導電膜およ
びその形成方法は、酸化インジウムおよび酸化スズの微
粉末を含有することにより、電導度がより高く、強度の
大きい透明導電膜を得ることができる。
びその形成方法は、酸化インジウムおよび酸化スズの微
粉末を含有することにより、電導度がより高く、強度の
大きい透明導電膜を得ることができる。
Claims (2)
- （１）インジウム化合物とスズ化合物とを溶媒に溶解し
てなる液に、酸化インジウムおよび酸化スズの微粉末の
うちの少なくとも１種を分散させてなる塗布液を用いた
ことを特徴とする透明導電膜。 - （２）インジウム化合物とスズ化合物とを溶媒に溶解し
て々る液に、酸化インジウムおよび酸化スズの微粉末の
うちの少なくとも１種を分散させて塗布液を構成し、こ
の塗布液を基体上に塗布した後、焼成することを特徴と
する透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076067A JPS60220507A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076067A JPS60220507A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220507A true JPS60220507A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13594428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59076067A Pending JPS60220507A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220507A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143418A (en) * | 1996-06-11 | 2000-11-07 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Transparent conductive film, low-reflectivity transparent conductive film, and display device |
| US7648537B2 (en) | 2004-10-01 | 2010-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rechargeable battery and method for fabricating the same |
| JP2011216319A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59076067A patent/JPS60220507A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143418A (en) * | 1996-06-11 | 2000-11-07 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Transparent conductive film, low-reflectivity transparent conductive film, and display device |
| US7648537B2 (en) | 2004-10-01 | 2010-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rechargeable battery and method for fabricating the same |
| US7901468B2 (en) | 2004-10-01 | 2011-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rechargeable battery and method for fabricating the same |
| JP2011216319A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Teijin Ltd | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
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