JPH02118068A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH02118068A JPH02118068A JP26946588A JP26946588A JPH02118068A JP H02118068 A JPH02118068 A JP H02118068A JP 26946588 A JP26946588 A JP 26946588A JP 26946588 A JP26946588 A JP 26946588A JP H02118068 A JPH02118068 A JP H02118068A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- gas
- sputtering
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタリング装置に関するものである。
（従来の技術）
スパッタリング装置は、第４図に示したように。
真空容器１内を排気した後、スパッタ（放電）ガスを導
入し、プラズマを発生させ、スパッタ（放電）ガスイオ
ン５をターゲット２の表面に衝突させ、ターゲットを構
成するスパッタ原子６をたたき出し、基板ホルダー３上
に設置した基板４の上に膜を堆積するというものである
。前記スパッタ原子６以外にも、スパッタ（放電）ガス
イオン５がターゲット表面に入射した際に放出される二
次電子７やプラズマ中のスパッタ（放電）ガスイオン５
が直接基板に到達するが、そのエネルギーは小さいので
それ程影響はない。しかし、平担なターゲット表面で跳
反されたスパッタ（放電）ガスイオン５は、基板に高エ
ネルギーで到達して膜中に取り込まれ、膜特性に種々の
影響をおよぼす。
入し、プラズマを発生させ、スパッタ（放電）ガスイオ
ン５をターゲット２の表面に衝突させ、ターゲットを構
成するスパッタ原子６をたたき出し、基板ホルダー３上
に設置した基板４の上に膜を堆積するというものである
。前記スパッタ原子６以外にも、スパッタ（放電）ガス
イオン５がターゲット表面に入射した際に放出される二
次電子７やプラズマ中のスパッタ（放電）ガスイオン５
が直接基板に到達するが、そのエネルギーは小さいので
それ程影響はない。しかし、平担なターゲット表面で跳
反されたスパッタ（放電）ガスイオン５は、基板に高エ
ネルギーで到達して膜中に取り込まれ、膜特性に種々の
影響をおよぼす。
（発明が解決しようとする課題）
このように、スパッタにおいては、スパッタ（放電）ガ
スイオンが平担なターゲット表面に入射した際、ターゲ
ット表面で跳反され、高エネルギーで基板に到達し、膜
中に不純物として取り込まれろ。このことによって膜に
応力が発生したり。
スイオンが平担なターゲット表面に入射した際、ターゲ
ット表面で跳反され、高エネルギーで基板に到達し、膜
中に不純物として取り込まれろ。このことによって膜に
応力が発生したり。
膜の電気抵抗率が高くなるほど膜特性に種々の影響を与
えるという問題があった。
えるという問題があった。
（１１１！題を解決するための手段）
この問題点を解決するために１本発明は１表面に複数の
凹みを穿設したターゲットを備えたものである。
凹みを穿設したターゲットを備えたものである。
（作 用）
本発明によれば、ターゲット表面で跳反されるスパッタ
（放電）ガスイオンのエネルギーを低減することができ
、膜中に混入するスパッタ（放電）ガス粒子を減少させ
ることが可能となる。
（放電）ガスイオンのエネルギーを低減することができ
、膜中に混入するスパッタ（放電）ガス粒子を減少させ
ることが可能となる。
（実施例）
第１図は１本発明の一実施例のスパッタリング装置の構
成を模式的に示したものであり、第４図と同一符号のも
のは同一のものを示し、また、８は−その表面に複数の
凹み８ａを穿設したターゲットである。
成を模式的に示したものであり、第４図と同一符号のも
のは同一のものを示し、また、８は−その表面に複数の
凹み８ａを穿設したターゲットである。
次に１本実施例の動作を説明する。ターゲット８に入射
、衝突したスパッタ（放電）ガスイオン５は、ターゲッ
トを構成するスパッタ原子６．二次電子７をたたき出す
、また、スパッタ（放電）ガスイオン自身もターゲット
８の表面で跳反し、基板４に到達する。そこで、第４図
のように平担なターゲット表面に入射し跳反されたガス
粒子は、高エネルギーで基板に到達するが、本発明のタ
ーゲット８のように、穿設した凹み８ａに入射したスパ
ッタ（放電）ガスイオン５は、凹み内で散乱され、エネ
ルギーを失う。
、衝突したスパッタ（放電）ガスイオン５は、ターゲッ
トを構成するスパッタ原子６．二次電子７をたたき出す
、また、スパッタ（放電）ガスイオン自身もターゲット
８の表面で跳反し、基板４に到達する。そこで、第４図
のように平担なターゲット表面に入射し跳反されたガス
粒子は、高エネルギーで基板に到達するが、本発明のタ
ーゲット８のように、穿設した凹み８ａに入射したスパ
ッタ（放電）ガスイオン５は、凹み内で散乱され、エネ
ルギーを失う。
例えば、スパッタ（放電）ガスとしてアルゴン（Ａｒ）
を用い、Ａｒガス圧力を変化させてタングステン（Ｗ）
膜を形成した時の膜中へのＡｒ混入量と膜応力をそれぞ
れ第２図及び第３図に示す０図中、破線は本発明の凹み
を穿設したターゲットを用いた場合、実線は通常の平担
なターゲットを用いた場合を表わしている。
を用い、Ａｒガス圧力を変化させてタングステン（Ｗ）
膜を形成した時の膜中へのＡｒ混入量と膜応力をそれぞ
れ第２図及び第３図に示す０図中、破線は本発明の凹み
を穿設したターゲットを用いた場合、実線は通常の平担
なターゲットを用いた場合を表わしている。
第２図で見られるように、低いＡｒガス圧力では膜中へ
のＡｒ混入量が多く、Ａｒガス圧力が高くなるにつれて
、 ＩＩ’Ｊ中のＡ ｒ Ｑ入量は少なくなる。
のＡｒ混入量が多く、Ａｒガス圧力が高くなるにつれて
、 ＩＩ’Ｊ中のＡ ｒ Ｑ入量は少なくなる。
これは低いガス圧力程、プラズマ中の粒子が少なく、タ
ーゲットで跳反されたスパッタ（放？１りガスイオンが
プラズマ中であまり散乱されずに、大きなエネルギーを
持って基板に到達するためであると考えられる。膜中に
混入したＡｒは、膜の格子を拡げ、膜に圧縮応力を発生
させる。したがって。
ーゲットで跳反されたスパッタ（放？１りガスイオンが
プラズマ中であまり散乱されずに、大きなエネルギーを
持って基板に到達するためであると考えられる。膜中に
混入したＡｒは、膜の格子を拡げ、膜に圧縮応力を発生
させる。したがって。
第３図で見られるように膜中のＡｒ混入量が多い程、膜
応力は大きな圧縮応力を示すようになる。
応力は大きな圧縮応力を示すようになる。
平担なターゲットを用いた場合よりも、凹みを穿設した
ターゲットを用いた場合の方が、膜中のＡ「混入量は少
なくなる。これは、ターゲットに入射したスパッタ（放
電）ガスイオンが、ターゲットに穿設した凹み内部で散
乱され、エネルギーを失ってから基板に到達するので、
膜中へ混入するＡｒｉが減少するためと考えられる。こ
のことにより、第３図で見られるように、ターゲットに
凹みを穿設した場合の方が膜応力は小さな値を示す上う
になる。
ターゲットを用いた場合の方が、膜中のＡ「混入量は少
なくなる。これは、ターゲットに入射したスパッタ（放
電）ガスイオンが、ターゲットに穿設した凹み内部で散
乱され、エネルギーを失ってから基板に到達するので、
膜中へ混入するＡｒｉが減少するためと考えられる。こ
のことにより、第３図で見られるように、ターゲットに
凹みを穿設した場合の方が膜応力は小さな値を示す上う
になる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、ターゲット表面
に入射し跳反されるスパッタ（放＠）ガスイオンをター
ゲットに穿設した凹み内部で散乱させることにより、そ
のエネルギーを減少させ、膜中へ混入するスパッタ（放
電）ガス粒子の麓を抑えることができ、スパッタ（放１
ｆｔ）ガス混入による膜特性への影響を低減することが
可能となる。
に入射し跳反されるスパッタ（放＠）ガスイオンをター
ゲットに穿設した凹み内部で散乱させることにより、そ
のエネルギーを減少させ、膜中へ混入するスパッタ（放
電）ガス粒子の麓を抑えることができ、スパッタ（放１
ｆｔ）ガス混入による膜特性への影響を低減することが
可能となる。
第１図は１本発明の一実施例のスパッタリング装置の構
成を示す模式図、第２図は１本発明と従来のスパッタリ
ング装置によりタングステン膜を形成した時の膜中への
Ａｒガス混入量を示す図。 第：３図は、同膜応力を示す図、第４図は、従来のスパ
ッタリング装置の構成を示す模式図である。 １ ・・・真空容器、 ３ ・・・基板ホルダー４ ・
・・基板、 ５ ・・・スパッタ（放１りガスイオン、
６ ・・・スパッタ原子、 ７・・・二次電子、 ８
・・・ターゲット、 ８ａ・・・凹み。 特許出願人 松下電子工業株式会社
成を示す模式図、第２図は１本発明と従来のスパッタリ
ング装置によりタングステン膜を形成した時の膜中への
Ａｒガス混入量を示す図。 第：３図は、同膜応力を示す図、第４図は、従来のスパ
ッタリング装置の構成を示す模式図である。 １ ・・・真空容器、 ３ ・・・基板ホルダー４ ・
・・基板、 ５ ・・・スパッタ（放１りガスイオン、
６ ・・・スパッタ原子、 ７・・・二次電子、 ８
・・・ターゲット、 ８ａ・・・凹み。 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 表面に複数の凹みを穿設したターゲットを備えたことを
特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26946588A JPH02118068A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26946588A JPH02118068A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118068A true JPH02118068A (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=17472816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26946588A Pending JPH02118068A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118068A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632869A (en) * | 1990-08-30 | 1997-05-27 | Sony Corporation | Method of pretexturing a cathode sputtering target and sputter coating an article therewith |
| US6042706A (en) * | 1997-01-14 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition |
| JP5377796B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2013-12-25 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP26946588A patent/JPH02118068A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632869A (en) * | 1990-08-30 | 1997-05-27 | Sony Corporation | Method of pretexturing a cathode sputtering target and sputter coating an article therewith |
| US6042706A (en) * | 1997-01-14 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition |
| JP5377796B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2013-12-25 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
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