JPH02120680A - ホールセンサの不平衡電圧補正装置 - Google Patents

ホールセンサの不平衡電圧補正装置

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JPH02120680A
JPH02120680A JP63273242A JP27324288A JPH02120680A JP H02120680 A JPH02120680 A JP H02120680A JP 63273242 A JP63273242 A JP 63273242A JP 27324288 A JP27324288 A JP 27324288A JP H02120680 A JPH02120680 A JP H02120680A
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Japan
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voltage
hall sensor
resistor
variable resistor
equilibrium
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Nagami Satou
佐藤 長未
Yasuhiko Tahara
太原 雍彦
Tsugutake Ishii
石井 嗣剛
Takujirou Nishino
西野 拓史郎
Hirofumi Tsuruoka
鶴岡 浩文
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National Space Development Agency of Japan
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Tokyo Koku Keiki KK
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National Space Development Agency of Japan
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Tokyo Koku Keiki KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホールセンサを用いるアナログ、またはデジタ
ル磁束計器等の不平衡電圧補正装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、ホールセンサの持つ第3図のa −g曲線で示す
ような温度依存性の不平衡電圧に対してはi5!’I 
?a抵抗体、ツェナーダイオード等の素子をその極性あ
るいは温度係数などの特性に基づき選択し、これを用い
た補正回路を構成することにより補正していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
第3図に示すようにホールセンサは零磁界に対して温度
に依存する不平衡電圧が存在する。不平衡電圧はホール
センサの素子構造の非対称、素子導電層の不均一性に起
因する。従って不平衡電圧の極性と温度係数は各素子固
有の値を持ち、−4に第3図の曲線a−,−gのいずれ
かにより代表される。従来、これを補正するには、(1
)曲線の選択、(2)極性の選択、を行いそれに応した
特性の測温抵抗体、ツェナーダイオード等を選び補正回
路を作っていた。しかし補正回路は複雑となり実用的に
満足なものはなかった。
本発明は、この補正を比較的容易に行なう装置を提供す
るものである。
〔課題を解決するための手段] 本発明は上記課題を解決するため次の手段を講する。
すなわち、ホールセンサの不平衡電圧補正装置として、
出ノjのオフセット調節器付のアンプと、出力端子の一
方を接地し他方を同アンプに人力するホールセンサと、
同ホールセンサの電流端子間に接続されかつ分圧端子を
持つ可変抵抗とを設け、上記分圧端子よりホールセンサ
の不平衡電圧を相殺する電圧を取り出し上記アンプに加
算入力するようにした。
〔作用] 上記手段により、可変抵抗の分圧端子よりはホールセン
サの電流端子間の素子抵抗の特性で決まる電圧が正また
は負の極性で分圧され取り出せる。
一方ホールセンサの不平衡電圧は上記素子抵抗の温度特
性と相関が大きいので、可変抵抗を所定の値に設定する
ことによって、不平衡電圧を相殺する電圧が取り出され
る。この電圧をホールセンサの出力と加算してアンプに
人力することによって不平&i雷電圧相殺され、不平衡
電圧が補正される。
このようにして、ホールセンサ毎に異なる不平衡電圧に
対して、可変抵抗を1!節するだけで容易に補正が行わ
れるようになる。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図、ならびに第3図ないし第6
図により説明する。第1図において、ガリウムヒ素等を
用いたホールセンサ1の電流端子! m間には定電流源
2がつながれるとともにさらに第1分圧抵抗10、可変
抵抗5、および第2分圧抵抗11が順次つながれれる。
さらに出力端子の一端子qは接地、他端子pは第1抵抗
4を介してオペアンプ3の負入力端子につながれる。ま
たオペアンプ3の負入力端子には可変抵抗5の分圧端子
りから第2抵抗6を経て入力される。さらに出力のオフ
セット調節器として、分圧抵抗8を持つ平衡電源の分圧
端から第3抵抗7を経て負入力端子に接続される。また
同負入力端子と出力間は第4抵抗12でつながれる。
以上の構成において、ホールセンサ1の不平衡電圧の特
性が例えば第3図の曲線aを持ちかつ、電流端子間の素
子抵抗が例えば第4図に示す温度特性を持つとすると、
定電流駆動されたホールセンサlの電流端子間の制御電
圧Vcは第5図に示すように周囲温度にほぼ比例した曲
線を示す。従って第1分圧抵抗10、第2分圧抵抗11
および可変紙(冗5の値を所定の値にし可変抵抗5の分
圧端子りの適当な位置から電圧を取り出すことにより、
第6図に示すように正の曲線Aから負の曲線Bにわたる
所定の温度勾配を持つ補正電圧、すなわち分圧電圧を取
り出すことができる。
電流端子2側を流入端子とすると、曲線A型および曲線
B型の補正電圧は可変抵抗5の値rによってそれぞれ(
1)式および(2)弐の条件のときえられる。
r < r o   −・−(1) r>ro   −・−−−−−(2) ここでroは分圧電圧が0となる値。
従って可変抵抗5を所定値に設定し、分圧端子りよりホ
ールセンサ1の不平衡電圧(第3図曲線a)を相殺する
曲線B型の補正電圧を取り出せる。
(イ)ホールセンサlの不平衡電圧は電流端子間の素子
抵抗の特性と相関関係が強い。
(ロ)ホールセンサlの磁界を受けての出力電圧は、素
子抵抗の特性に影響を与えない。
(ハ)補正電圧は電流端子間の電圧を分圧して取り出す
ことのため、可変抵抗5を所定の値に設定することによ
って、温度の広い範囲にわたって不平衡電圧を相殺する
電圧が取り出される。この電圧をホールセンサ1の出力
と加算してオペアンプ3に人力することによって容易に
不平衡電圧補正された出力(反転)かえられる。補正電
圧の加算により生じた出力のオフセット7fl圧は分圧
抵抗の分圧端を調整して補正される。
以上のようにして、第3図に示したホールセンサ1の不
平衡電圧曲線a −e型のものに対して可変抵抗5を調
節するだけで容易に不平衡電圧が補正される。
本発明の他の実施例を第2図、第3図および第7図によ
り説明する。なお冗長さをさけるため前記実施例で説明
したところは説明を省略する。
ホールセンサ1の電流端子間に第1分圧抵抗10、可変
抵抗5′の再固定端子、および第2分圧抵抗11が直列
につながれる。また可変抵抗5′の一方の分圧端子tは
第2抵抗6を経てオペアンプ3に入力される。さらに可
変抵抗5′の摺動端子と上記分圧端子を間にダイオード
4がつながれる。
以上の構成により、ダイオード4の抵抗特性、(温度と
電圧に対する)、第2分圧抵抗11第2分圧抵抗11、
可変抵抗5′の値を所定の値にし、可変抵抗5′の摺動
端子位置を所定の値におくと第7図に一例を示すような
所定周囲温度より高い温度で曲率の大きい曲線の補正電
圧かえられる。
このようにして第3図の曲線[1gに示すような高い周
囲温度のところで曲率の大きいホールセンサ1の不平i
ii電圧の補正が容易に行われる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば次の効果を奏する。
(イ)ホールセンサ自身を補正電圧の形成と取出しの一
素子として使用しているので、温度検出用の新しい素子
を必要としない。
(ロ)ホールセンサの素子抵抗の変動と不平衡電圧の変
動は、比例関係にあるので補正が容易である。
(ハ)可変抵抗を用いることにより、温度勾配を連続し
て設定できるので細かな調整が各ホールセンサ毎に可能
となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は他の実施
例の回路図、第3図は上記同一実施例および他の実施例
のホールセンサの不平iii電圧説明図、第4図は同一
実施例の素子抵抗の説明図、第5図は同一実施例の制御
電圧の説明図、第6図は同一実施例の補正電圧の説明図
、第7図は上記他の実施例の補正電圧の説明図である。 1 ホールセンサ、    2一定電流源、3−センサ
のオペアンプ、4 第1抵抗、5.5’−一可変抵抗、
    6−第2抵抗、7−第3抵抗、     8−
可変抵抗、l〇−第1分圧抵抗、   11−第2分圧
抵抗、12−第4抵抗、     13−ダイオード、
!1m−電流端子、 L−分圧端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 出力のオフセット調節器付のアンプと、出力端子の一方
    を接地し他方を同アンプに入力するホールセンサと、同
    ホールセンサの電流端子間に接続されかつ分圧端子を持
    つ可変抵抗とを設け、上記分圧端子よりホールセンサの
    不平衡電圧を相殺する電圧を取り出し上記アンプに加算
    入力することを特徴とするホールセンサの不平衡電圧補
    正装置。
JP63273242A 1988-10-31 1988-10-31 ホールセンサの不平衡電圧補正装置 Expired - Fee Related JPH06103341B2 (ja)

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JPH02120680A true JPH02120680A (ja) 1990-05-08
JPH06103341B2 JPH06103341B2 (ja) 1994-12-14

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7855554B2 (en) 2006-06-02 2010-12-21 Denso Corporation Semiconductor device, magnetic sensor, and physical quantity sensor

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