JPH02122402A

JPH02122402A - ロータリートランス

Info

Publication number: JPH02122402A
Application number: JP27514288A
Authority: JP
Inventors: Keitaro Yamashita; 山下　啓太郎
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1988-10-31
Filing date: 1988-10-31
Publication date: 1990-05-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、例えば回転ドラム式ＶＴＲに適用されるロ
ータリートランスに関する。

〔発明の概要〕

この発明は、ロータリートランスに於いて、第１のコイ
ルと、第１のコイルの一端を折り返して形成された第２
のコイルとからなり、第１のコイルと第２のコイルを、
両コイル間で信号電流が逆方向になるように配したこと
により、不要輻射が及ぼす影響を大幅に低減できるよう
にしたものである。

〔従来の技術］最近、ＶＴＲの記録帯域の広がりに伴って記録再生アン
プ系の帯域、いわゆるＲＦ帯域も広がりつつある０例え
ば、従来のＮＴＳＣ方式のＶＴＲに於けるＲＦ帯域は、
家庭用で〜７乃至１０ＭＨ２、業務用で〜１５ＭＨｚ程
度であったが、ＨＤＴＶ　（Ｈｉｇｈ　Ｄｅｆｉｎｉｔ
ｉｏｎ　ＴＶ）用のＶＴＲに於けるＲＦ帯域は、より広
帯域化され、２０〜４０ＭＨ２へ広がっている。

このような広帯域化により、従・来、ＶＴＲのＲＦ伝送
系が有していたローパスフィルタ特性を期待できなくな
り、ロータリートランスに対し、ＶＴＲ外部から、また
ＶＴＲ内部にて不要輻射の影響が生ずるようになってき
た。

ＶＴＲ外部からの不要輻射の例としては、例えば、８０
ＭＨｚ付近のＦＭ放送、アマチュア無線（ＣＢは２７Ｍ
Ｈｚ）等がある。

一方、ＶＴＲ内部の不要輻射の例としては、例えば、Ｍ
ＵＳＥ信号のようなサンプリングアナログ信号を扱うＶ
ＴＲでは、サンプリング周波数〔或いは、オーバーサン
プリング周波数〕、また、デジタル信号を扱うＶＴＲで
は、クロック周波数（４ｆ　ｓｃ’＝１４．３ＭＨｚ　
〜７４．２５　ＭＨｚ　（ＨＤ）　）等がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような状況では、不要輻射がロータリートランスを
通じて信号に対して悪影響を及ぼすのみならず、特に平
面対向形のロータリートランスにおいて不要輻射による
影響がチャンネル間で差を持つ問題があった。

以下、第４図に示す従来例に於いて、上述の問題につい
て説明する。

第４図では、Ａチャンネル用のコイル２１の外側に、Ｂ
チャンネル用のコイル２２が配されている。

各コイル２１．２２の半径を夫々ｒ１、ｒ２とする（ｒ
２＞ｒｌ）。尚、２３．２４は、夫々コイル２１．２２
に接続されている端子である。

外部からの磁束密度をＢ（ｔ）とすると、コイル２１．
２２と鎖交する磁束Φ１、Φ２は、夫々第（２１）、（
２２）式のようになる。

Φｌ＝π・ｒｌ２・Ｂ（ｔ）・・・（２１）Φ２＝π・
ｒ２ｔ−Ｂ（ｔ）・・・（２２）この電磁誘導によって
生ずる１ターン当たりの誘導電圧Ｅは、以下の式で表さ
れる。

そして、その絶対値は次式のようになる。

Ｅ２＞Ｅｌ・・・・・（２５）従って、巻数が一定であれば必ず外側のコイル２２が不
要輻射の影響を大きく被ることになる。

不要輻射の影響による実際の出力は、コイル２１の巻数
をＮ１、コイル２２の巻数をＮ２とすれば、以下の式で
表される。

従って、次の（２８）式を満たすように、巻数Ｎ１、Ｎ
２を選択すれば、チャンネル間における不要輻射による
影響のレベル差を解消する事ができる。

Ｎ１・ｒ１２＝Ｎ２・ｒ２２・・・（２８）上述した技
術によれば、チャンネル間における不要輻射による影響
のレベル差を解消する事はできるものの、ロータリート
ランスとしての各チャンネルのコイルのインダクタンス
Ｌを等しクシ難く、ヘッド、録再アンプ等、信号の記録
再生のためのマツチング条件を損なってしまうという問
題点があった。つまり、チャンネル間における不要輻射
による影響のレベル差は解消し得るものの、不要輻射に
よる影響そのものを低減することかできないという問題
点があった。

従ってこの発明の目的は、不要輻射による影響を受は難
くしたロータリートランスを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

この発明は、第１のコイルと、第１のコイルの一端を折
り返して形成された第２のコイルとからなり、第１のコ
イルと第２のコイルを、両コイル間で信号電流が逆方向
になるように配した構成としている。

〔作用〕

ロータリートランスでは、第１のコイルと、第２のコイ
ルとの間では信号電流が逆方向になるように構成されて
いるので、不要輻射によって電磁誘導される誘導電圧の
極性が、第１のコイルと第２のコイルとでは、相互に逆
になり、誘導電圧が相殺される。従って、不要輻射がロ
ータリートランスに及ぼす影響を大幅に低減し得る。

〔実施例〕

以下、この発明の第１実施例について第１図及び第２図
を参照して説明する。この第１実施例は平面対向型のロ
ータリートランスに対し適用したものである。

第１図には第１実施例にかかるロータリートランスのコ
イルが示され、第２図にはロータリートランスの一部の
断面図が示されている。

第１図に於いて、例えばＡチャンネル用のコイル１の外
側に、Ｂチャンネル用のコイル２が設けられている。図
示せずも、これらのコイル１及び２は、円板状のコアの
一面に形成された溝内に巻装されており、第１図と同様
のコイルを有するコアが対向して設けられている。尚、
端子３．４からは信号電流ｉｓが夫々供給される。

コイル１は、半径ｒａのコイル１ａと、このコイル１ａ
の一端を折り返して巻回方向が逆で同心円状になるよう
に形成されている半径ｒｂのコイルｌｂ　（半径ｒｂ＞
半径ｒａ）とから構成されている。そして、コイル１ｂ
の内側にコイルｌａが同心円状に配され、コイル１ｂと
コイル１ａとの間で信号電流ｉｓが相互に逆方向になる
ようにされている。尚、コイル１ａｓ１ｂの半径差（半
径ｒａ−半径ｒｂ）は、各コイル１ａ、１ｂが形成する
磁界を打消さない程度の間隔とされている。

コイル２も同様の構成とされており、半径ｒｅのコイル
２ｃと、このコイル２ｃの一端を折り返して巻回方向が
逆で同心円状になるように形成されている半径ｒｄのコ
イル２ｄ　（半径ｒｄ＞半径ｒｃ）とから構成されてい
る。そして、コイル２ｄの内側にコイル２ｃが同心円状
に配され、コイル２ｄとコイル２ｃとの間で信号電流ｉ
ｓが相互に逆方向になるようにされている。尚、コイル
２ｃ、２ｄの半径差（半径ｒｄ　−半径ｒｃ）は、各コ
イル２ｃ、２ｄが形成する磁界を打消さない程度の間隔
とされている。

以下、コイル１（１ａ、ｌｂ）を例に、誘導電圧の低減
について説明する。

外部からの磁束密度をＢ（ｔ）とすると、コイルｌａ、
　ｌｂと鎖交する磁束Φａ、Φｂは、夫々第（１）式、
第（２）式のように表される。

Φａ　＝π　・ｒａ２　・　Ｂ（ｔ）　・　・　・（１
）Φｂ　＝π　・ｒｂｔ　−Ｂ（ｔ）　・　・　・（２
）この電磁誘導によって生ずるｌターン当たり誘導電圧
Ｅは、以下の式で表される。

のところで、であるから誘導電圧Ｅは次式のようになる。

半径差（ｒｂ−ｒａ）が、半径ｒａ或いはｒｂより小な
るように、半径ｒａ、　ｒｂを選べば（即ち、ｒｂ　−
ｒａ≠０）、以下の式が成立する。

且つ、この結果、不要輻射により誘起される電圧を大幅に低減
させることができ、不要輻射による影響を受は難いロー
タリートランスを構成することができる。また、広帯域
のＲＦ伝送系におけるＳ／Ｎを向上させることかでき、
平面対向形のロータリートランスを広帯域のＶＴＲに対
しても使用できる。尚、コイル２　（２ｃ、　２ｄ）に
ついては詳述せぬものの、コイル１と同様に不要輻射に
よる影響を大幅に低減させることができる。

第２図に示すように、回転ドラム５のロータ６とステー
タ７との間にはギャップｇがあり、ロータ６側のＡヘッ
ド用のコイルｌａ、　ｌｂに対して、ステータ７側のＡ
ヘッド用のコイル８ａ、　８ｂが対応している。この場
合、半径差（ｒｂ−ｒａ）が余りに小さいと、２本のコ
イル１ａ及び１ｂにより夫々形成される磁界が打ち消し
合う問題がある。従って、上述のギャップｇと、半径差
（ｒｂ　　ｒａ）の間に、半径差（ｒｂ−ｒａ）≧ギヤ
ツブｇなる関係を満たすことが好ましい。

以下にこの発明の第２実施例を説明する。

この第２実施例が前記第１実施例と異なる点は、各コイ
ルの巻数が相違する場合であっても、以下の条件を満足
させれば、各チャンネル毎に不要輻射の影響を解消でき
、更にチャンネル毎のコイルのインダクタンスＬのアン
バランスを解消できることである。

■コイル１　　（Ａチャンネル）のインダクタンスＬａ
についてコイル１ａの巻数をＮａ、コイル１ａの半径ｒａによっ
て形成される部分の面積をＳａとし、コイルｌｂの巻数
をＮｂ、面積をｓｂとすれば、一般にインダクタンスＬ
と巻数Ｎとは比例することから次式が成立する。

５ａ−Ｎａ＝Ｓｂ　−Ｎｂ　・・・（９）π−ｒａ”　
　・Ｎａ＝ｔｔ　−ｒｂ”−Ｎｂ・−・（１０）■コイ
ル２　（Ｂチャンネル）のインダクタンスしｂについてコイル２ｃの巻数をＮｃ、コイル２ｃの半径ｒｃによっ
て形成される部分の面積をＳｃとし、コイル２ｄの巻数
をＮｄ、面積をＳｄとすれば、−ＳにインダクタンスＬ
と巻数Ｎとは比例することから次式が成立する。

５ｃ−Ｎｃ＝Ｓｄ−Ｎｄ・・・（１１）π−ｒｃ”　　
・Ｎｃ＝ｚ　−ｒｄ”　　・Ｎｄ・・・（１２）■イン
ダクタンスＬａ　、ＬｂについてＬａζＬｂ　・・・（
１３）（２つのチャンネル間でインピーダンスを等しくできれ
ば良い。）従って、上述のような構成、条件に基づいてロータリー
トランスを形成すれば、不要輻射による影響を各チャン
ネル毎に解消することができ、また各チャンネルに於け
るインダクタンスＬａ、、Ｌｂを等しくでき、各チャン
ネル間でのインダクタンスのアンバランスを解消できる
。

その他の内容については前記第１実施例と同様につき、
重複する説明を省略する。

第３図には、この発明の第３実施例が示されている。こ
の第３実施例が前記第１実施例と異なる点は、筒型のロ
ータリートランスに対し、この発明を適用したことであ
る。

第３図の構成に於いて、例えばＡヘッド用のコイル１０
が図示のように配されている。尚、端子１１からは信号
電流ｉｓが供給される。コイル１０は、コイル１０ｅと
、このコイル１０ｅの一端を折り返して巻回方向が逆に
なるように形成されているコイル１０ｆ　とから構成さ
れており、両コイル１０ｅ、ｌｏｆは、その断面積が等
しくされていると共に、中心からの半径が夫々等しくさ
れている。そして、コイルＬＯｅとコイル１０ｆとの間
で信号電流ｉｓが逆方向になるようにされている。

この第１実施例〜第３実施例では、２チヤンネルの回転
ドラム式ＶＴＲについて説明されているが、この例に限
定されることはなく、例えば４チヤンネルの回転ドラム
式ＶＴＲについても同様に適用できる。

また、この発明は、プリント基板にコイルを形成するよ
うにしたロータリートランスに対しても同様に通用でき
る。

〔発明の効果〕

この発明にかかるロータリートランスによれば、第１の
コイルと、第１のコイルの一端を折り返すことで形成さ
れている第２のコイルとからなり、第１のコイルと、第
２のコイルとの間で信号電流が逆方向になるように構成
されているので、外部からの、或いはＶＴＲ内部の不要
輻射がロータリートランスに及ぼす影響、即ち誘導電圧
を大幅に低減できるという効果がある。上述の効果によ
り、広帯域のＲＦ伝送系におけるＳ／Ｎが向上するとい
う効果がある。

実施例によれば、不要輻射がロータリートランスに及ぼ
す影響を解消できるという効果がある。

そして、チャンネル間におけるコイルのインダクタンス
を等しくでき、インダクタンスのアンバランスを防止で
きるという効果がある。これにより、信号の記録再生の
ためのマツチング条件を損なうことを防止できるという
効果がある。更に、上述の各種の効果により、平面対向
形のロータリートランスを広帯域のＶＴＲに対しても適
用できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１実施例を示す斜視説明図、第２
図は磁界の形成を説明するための部分断面図、第３図は
第３実施例を示す斜視説明図、第４図は従来例の斜視説
明図である。図面における主要な符号の説明１．１ａ、ｌｂ、　２．２ｃ、２ｄ、２１．２２：コイ
ル、ｉｓ　：信号電流。

Claims

【特許請求の範囲】第１のコイルと、上記第１のコイルの一端を折り返して形成された第２の
コイルとからなり、上記第１のコイルと第２のコイルを、両コイル間で信号
電流が逆方向になるように配したことを特徴とするロー
タリートランス。