JPH02122613A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPH02122613A JPH02122613A JP63277840A JP27784088A JPH02122613A JP H02122613 A JPH02122613 A JP H02122613A JP 63277840 A JP63277840 A JP 63277840A JP 27784088 A JP27784088 A JP 27784088A JP H02122613 A JPH02122613 A JP H02122613A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus position
- reference value
- difference
- storage unit
- exposure area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程で使用される縮小投影型
露光装置に関する。
露光装置に関する。
従来、縮小投影型露光装置における自動焦点機構として
は、エアーマイクロメーターによる圧力検知方式、容量
センサ一方式、光センサーによる反射結像方式等があり
、いずれも半導体ウェーハ（以下単にウェーハという）
の露光領域毎に露光を行う前に焦点を決定するものであ
る。
は、エアーマイクロメーターによる圧力検知方式、容量
センサ一方式、光センサーによる反射結像方式等があり
、いずれも半導体ウェーハ（以下単にウェーハという）
の露光領域毎に露光を行う前に焦点を決定するものであ
る。
上述した従来の自動焦点合せ機構を有する縮小投影型露
光装置においては、ウェーハの下にごみ等異物があれば
その露光領域のみウェーハ表面上の平坦度がくずれて段
差が大きくなる為、焦点ずれとなり、目合せ露光処理し
たウェーハ上の同一露光領域において連続してパターン
形成不良が発生するという欠点がある。
光装置においては、ウェーハの下にごみ等異物があれば
その露光領域のみウェーハ表面上の平坦度がくずれて段
差が大きくなる為、焦点ずれとなり、目合せ露光処理し
たウェーハ上の同一露光領域において連続してパターン
形成不良が発生するという欠点がある。
本発明の縮小投影型露光装置は、焦点位置の差の基準値
を記憶する基準値記憶部と、半導体装置−への各露光領
域ごとに自動焦点合せ機構が検出した焦点位置を記憶す
る焦点位置記憶部と、前記焦点位置記憶部から対象とす
る露光領域の焦点位置データと隣接する露光領域の焦点
位置データとを取り出しその差を検出する焦点位置の差
検出部と、前記基準値記憶部からの基準値と前記焦点位
置の差検出部からの差の値とを比較する比較部と、前記
比較部からの信号を入力し比較結果を表示する表示部と
を含んで構成される。
を記憶する基準値記憶部と、半導体装置−への各露光領
域ごとに自動焦点合せ機構が検出した焦点位置を記憶す
る焦点位置記憶部と、前記焦点位置記憶部から対象とす
る露光領域の焦点位置データと隣接する露光領域の焦点
位置データとを取り出しその差を検出する焦点位置の差
検出部と、前記基準値記憶部からの基準値と前記焦点位
置の差検出部からの差の値とを比較する比較部と、前記
比較部からの信号を入力し比較結果を表示する表示部と
を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
である。
である。
第１図において、基準値記憶部１はメモリー等からなり
、焦点位置の差の基準値ｚｏが記憶されている０発光素
子及び受光素子等からなる自動焦点合せ機構２により検
出されたウェーハ１０の各露光領域ごとの焦点位置はメ
モリー等からなる焦点位置記憶部３に記憶される。焦点
位置の差検出部４は演算回路等から構成されており、焦
点位置記憶部３から対象とする露光領域の焦点位置デー
タとその隣接する露光領域の焦点位置データとを収り出
し、その差Ｚｘを検出して比較部５に送る。
、焦点位置の差の基準値ｚｏが記憶されている０発光素
子及び受光素子等からなる自動焦点合せ機構２により検
出されたウェーハ１０の各露光領域ごとの焦点位置はメ
モリー等からなる焦点位置記憶部３に記憶される。焦点
位置の差検出部４は演算回路等から構成されており、焦
点位置記憶部３から対象とする露光領域の焦点位置デー
タとその隣接する露光領域の焦点位置データとを収り出
し、その差Ｚｘを検出して比較部５に送る。
比較回路等からなる比較部５は、焦点位置の差検出部４
から送られたきた差ＺＸと基準値記憶部１からの基準値
Ｚ。とを比較し、その結果を表示部６に送出する。液晶
やＬＥＤ等からなる表示・部６は、比較部５の信号によ
りその結果を表示する。
から送られたきた差ＺＸと基準値記憶部１からの基準値
Ｚ。とを比較し、その結果を表示部６に送出する。液晶
やＬＥＤ等からなる表示・部６は、比較部５の信号によ
りその結果を表示する。
すなわち、対象とする露光領域と隣接する露光領域の焦
点位置データの差Ｚｘが基準値２゜と比較した場合、そ
の差が許容値以内であるか否かを表示する。
点位置データの差Ｚｘが基準値２゜と比較した場合、そ
の差が許容値以内であるか否かを表示する。
次に第２図に示したウェーハの平面図及び第３図に示し
た縮小投影レンズ近傍の断面図を用いて更に説明する。
た縮小投影レンズ近傍の断面図を用いて更に説明する。
第２図に示した様に、複数のウェーハの目合ぜ露光処理
中に枚目のウェーハ１０のｉ行ｊ列目の露光領域の最適
焦点位置をｋＺｉ、ｊとし、ｋ枚目のウェーハの全露光
領域の焦点位置を焦点位置記憶部３で記憶する０次にに
＋１枚目のウェーハについても同様に最適焦点位置を記
憶する。そして焦点位置の差検出部４においてｉ行ｊ列
目の最適焦点位置と隣接する８つの露光領域の最適焦点
位置との差Ｚ１〜Ｚ８を計算し、これかに枚め、ｋ＋１
枚めとも基準値記憶部１に記憶させである隣接する最適
焦点位置間の差の基準値Ｚ。を越えているとｉ行ｊ列め
において半導体基板下に異物があり、焦点ずれを起こし
ていると判断できる。
中に枚目のウェーハ１０のｉ行ｊ列目の露光領域の最適
焦点位置をｋＺｉ、ｊとし、ｋ枚目のウェーハの全露光
領域の焦点位置を焦点位置記憶部３で記憶する０次にに
＋１枚目のウェーハについても同様に最適焦点位置を記
憶する。そして焦点位置の差検出部４においてｉ行ｊ列
目の最適焦点位置と隣接する８つの露光領域の最適焦点
位置との差Ｚ１〜Ｚ８を計算し、これかに枚め、ｋ＋１
枚めとも基準値記憶部１に記憶させである隣接する最適
焦点位置間の差の基準値Ｚ。を越えているとｉ行ｊ列め
において半導体基板下に異物があり、焦点ずれを起こし
ていると判断できる。
実際ｉ行ｊ列めの半導体基板下に異物があるとした場合
、第３図に示す様に、レチクルブラインド１２はレチク
ル内パターンの面積に合わせて絞られており、レチクル
１３下面の露光中信Ａ′点、露光最外周Ｂ’ 、Ｃ’点
に描かれたパターンはそれぞれ露光軸１４，１５．１６
を経由し、投影レンズ１７を通りＡ、Ｂ、Ｃの位置に結
像する。焦点合せ機構は発光素子１８から発した光１９
が露光中心Ａ点で焦点を結ぶ形で受光素子２０へと導か
れる様設定されている。このときＡ点近傍において半導
体基板とステージ２０の間に異物２１があればＡ点の高
さで焦点を計測する為、Ｂ点、０点においては焦点ずれ
をおこしパターン形成領域を発生させてしまう。
、第３図に示す様に、レチクルブラインド１２はレチク
ル内パターンの面積に合わせて絞られており、レチクル
１３下面の露光中信Ａ′点、露光最外周Ｂ’ 、Ｃ’点
に描かれたパターンはそれぞれ露光軸１４，１５．１６
を経由し、投影レンズ１７を通りＡ、Ｂ、Ｃの位置に結
像する。焦点合せ機構は発光素子１８から発した光１９
が露光中心Ａ点で焦点を結ぶ形で受光素子２０へと導か
れる様設定されている。このときＡ点近傍において半導
体基板とステージ２０の間に異物２１があればＡ点の高
さで焦点を計測する為、Ｂ点、０点においては焦点ずれ
をおこしパターン形成領域を発生させてしまう。
以上説明した様に本発明は、半導体ウェーハ上の各露光
領域毎の最適焦点位置を記憶し、隣接する領域間の焦点
位置差を計算し、その差を基準値と比較し、その結果を
表示する機構を有することにより、目合せ露光処理中に
おいて焦点ずれを容易に検知することができるため、半
導体装置のパターン形成不良の発生を最小限に抑えられ
るという効果がある。
領域毎の最適焦点位置を記憶し、隣接する領域間の焦点
位置差を計算し、その差を基準値と比較し、その結果を
表示する機構を有することにより、目合せ露光処理中に
おいて焦点ずれを容易に検知することができるため、半
導体装置のパターン形成不良の発生を最小限に抑えられ
るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのブロック図
、第２図及び第３図は本発明の一実施例を説明するため
のウェーハの平面図及び縮小投影レンズ近傍の断面図で
ある。 １・・・基準値記憶部、２・・・自動焦点合せ機構、３
・・・焦点位置記憶部、４・・・焦点位置の差検出部、
５・・・比較部、６・・・表示部、１０・・・ウェーハ
、１１・・・露光中心軸、１２・・・レチクルブライン
ド、１３・・・レチクル、１７・・・投影レンズ、１８
・・・発光素子、１９・・・光、２０・・・受光素子、
２１・・・異物。
、第２図及び第３図は本発明の一実施例を説明するため
のウェーハの平面図及び縮小投影レンズ近傍の断面図で
ある。 １・・・基準値記憶部、２・・・自動焦点合せ機構、３
・・・焦点位置記憶部、４・・・焦点位置の差検出部、
５・・・比較部、６・・・表示部、１０・・・ウェーハ
、１１・・・露光中心軸、１２・・・レチクルブライン
ド、１３・・・レチクル、１７・・・投影レンズ、１８
・・・発光素子、１９・・・光、２０・・・受光素子、
２１・・・異物。
Claims (1)
- 焦点位置の差の基準値を記憶する基準値記憶部と、半
導体ウェーハの各露光領域ごとに自動焦点合せ機構が検
出した焦点位置を記憶する焦点位置記憶部と、前記焦点
位置記憶部から対象とする露光領域の焦点位置データと
隣接する露光領域の焦点位置データとを取り出しその差
を検出する焦点位置の差検出部と、前記基準値記憶部か
らの基準値と前記焦点位置の差検出部からの差の値とを
比較する比較部と、前期比較部からの信号を入力し比較
結果を表示する表示部とを含むことを特徴とする縮小投
影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277840A JPH02122613A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277840A JPH02122613A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122613A true JPH02122613A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17588998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277840A Pending JPH02122613A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897949B2 (en) | 1998-10-19 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63277840A patent/JPH02122613A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897949B2 (en) | 1998-10-19 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| US7339662B2 (en) | 1998-10-19 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
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