JPH02122691A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH02122691A JPH02122691A JP27688788A JP27688788A JPH02122691A JP H02122691 A JPH02122691 A JP H02122691A JP 27688788 A JP27688788 A JP 27688788A JP 27688788 A JP27688788 A JP 27688788A JP H02122691 A JPH02122691 A JP H02122691A
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- Japan
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- circuit pattern
- copper
- copper plating
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は回路基板の製造方法に関する。
（従来の技術）
Ｔ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）用テープキャリア、プリント基板等のように
、基体上に回路パターンを有する回路基板は、基体上に
銅箔を接着したのち、この銅箔を表面側からエツチング
加工して所定の回路パターンに形成するようにしている
。
ｄｉｎｇ）用テープキャリア、プリント基板等のように
、基体上に回路パターンを有する回路基板は、基体上に
銅箔を接着したのち、この銅箔を表面側からエツチング
加工して所定の回路パターンに形成するようにしている
。
（発明が解決しようとする課題）
上記の回路基板は銅箔をエツチング加工して回路パター
ンに形成するので、微細な回路パターンを形成すること
が可能となる。
ンに形成するので、微細な回路パターンを形成すること
が可能となる。
しかしながら、銅箔が基体上に接着されているため、銅
箔のエツチング加工は表面側、すなわち片面側からしか
行えず、そのため回路パターンの断面形状は第３図に示
すように、基部側が広いほぼ台形状の断面形状になって
しまう問題点がある。
箔のエツチング加工は表面側、すなわち片面側からしか
行えず、そのため回路パターンの断面形状は第３図に示
すように、基部側が広いほぼ台形状の断面形状になって
しまう問題点がある。
一般にエツチングファクターは、（基体側の幅−表面の
幅）／銅箔厚Ｘ ２ ＝Ｗ／Ｔで示されるが、片面エツ
チングでは、このエツチングファクターは０．３３程度
が限界で、これより小さい値になるように加工すること
は困難である。因みに、厚さが３５μｍの銅箔を用いて
片面エツチングを行った場合には、片側に約１２μｍの
裾野を引くことを意味し、パターン幅や、パターン間が
狭くなるに従い無視できないものとなり、回路パターン
の微細化を阻害する。
幅）／銅箔厚Ｘ ２ ＝Ｗ／Ｔで示されるが、片面エツ
チングでは、このエツチングファクターは０．３３程度
が限界で、これより小さい値になるように加工すること
は困難である。因みに、厚さが３５μｍの銅箔を用いて
片面エツチングを行った場合には、片側に約１２μｍの
裾野を引くことを意味し、パターン幅や、パターン間が
狭くなるに従い無視できないものとなり、回路パターン
の微細化を阻害する。
特に銅箔は樹脂製の基体との接着強度を高めるため、片
面を粗面に形成して、この粗面側を接着剤により基体上
に接着するようにしているので、粗面の凸部が接着剤層
中にくい込んでいる。この銅箔を表面側からエツチング
する際、最後に残る、接着剤層中にくい込んでいる凸部
の溶解に時間がかかり、これによりサイドエツチングが
進んで上記のようにエツチングファクターが大きくなる
と考えられる。
面を粗面に形成して、この粗面側を接着剤により基体上
に接着するようにしているので、粗面の凸部が接着剤層
中にくい込んでいる。この銅箔を表面側からエツチング
する際、最後に残る、接着剤層中にくい込んでいる凸部
の溶解に時間がかかり、これによりサイドエツチングが
進んで上記のようにエツチングファクターが大きくなる
と考えられる。
本発明は上記問題点を解消すべくなされたものであり、
その目的とするところは、より微細な回路パターンを精
度よく形成することができる回路基板の製造方法を提供
するにある。
その目的とするところは、より微細な回路パターンを精
度よく形成することができる回路基板の製造方法を提供
するにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的による本発明では、銅めっきが可能な支持体上
にフォトレジスト層を形成する工程と、フォトレジスト
層をフォトエツチングしてレジストパターンを形成する
工程と、レジストが除去されて露出した支持体表面上に
銅めっき層を形成する工程と、該銅めっき層表面を粗化
する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、
前記支持体に形成された銅めっき層を粗化面を基体側に
向けて基体上に接着剤により接着固定し、支持体を銅め
っき層から除去して銅めっき層による回路パターンを支
持体上に転写する工程を含むことを特徴としている。
にフォトレジスト層を形成する工程と、フォトレジスト
層をフォトエツチングしてレジストパターンを形成する
工程と、レジストが除去されて露出した支持体表面上に
銅めっき層を形成する工程と、該銅めっき層表面を粗化
する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、
前記支持体に形成された銅めっき層を粗化面を基体側に
向けて基体上に接着剤により接着固定し、支持体を銅め
っき層から除去して銅めっき層による回路パターンを支
持体上に転写する工程を含むことを特徴としている。
フォトレジスト層を形成するレジスト材としてはネガタ
イプのフォトレジストを用いるのが好適である。
イプのフォトレジストを用いるのが好適である。
転写工程で銅めっき層上から支持体を除去するには、剥
離してもよいし、あるいは溶解して除去してもよい。
離してもよいし、あるいは溶解して除去してもよい。
また支持体には樹脂テープも用いることができ、この場
合この樹脂テープ上に銅めっき層を形成するには、無電
解めっき、あるいは蒸着により一旦銅層を薄く形成して
のち、この銅層上に電解めっきにより所望の厚さに銅め
っき層を形成するとよい。
合この樹脂テープ上に銅めっき層を形成するには、無電
解めっき、あるいは蒸着により一旦銅層を薄く形成して
のち、この銅層上に電解めっきにより所望の厚さに銅め
っき層を形成するとよい。
（作用）
フォトレジスト層をフォトエツチングによりレジストパ
ターンに形成し、フォトレジスト除去部にめっきにより
銅層を形成すると、銅箔を直接エツチングする場合に比
してサイドエツチングが少なく、したがってレジストパ
ターンのエツチング溝の側壁面が支持体表面に対してほ
ぼ垂直に形成される。したがって、エツチング溝内に形
成される銅めっき層の側壁面がほぼ垂直に立ち上がり、
微細な回路パターンに形成することが可能となる。
ターンに形成し、フォトレジスト除去部にめっきにより
銅層を形成すると、銅箔を直接エツチングする場合に比
してサイドエツチングが少なく、したがってレジストパ
ターンのエツチング溝の側壁面が支持体表面に対してほ
ぼ垂直に形成される。したがって、エツチング溝内に形
成される銅めっき層の側壁面がほぼ垂直に立ち上がり、
微細な回路パターンに形成することが可能となる。
なお、フォトレジスト層を形成するレジス１−材として
ネガタイプのものを用いれば、形成されるエツチング溝
はむしろ底部側が広がったものとなり、したがって、基
体上に転写された回路パターンはその断面が逆台形状の
ものになり、広いボンディングエリアが確保でき好都合
であると共に、従来の同じボンディングエリアを確保す
る場合に比してそれだけ回路パターンの微細化が可能と
なる。
ネガタイプのものを用いれば、形成されるエツチング溝
はむしろ底部側が広がったものとなり、したがって、基
体上に転写された回路パターンはその断面が逆台形状の
ものになり、広いボンディングエリアが確保でき好都合
であると共に、従来の同じボンディングエリアを確保す
る場合に比してそれだけ回路パターンの微細化が可能と
なる。
また、転写工程で支持体を溶解して除去するようにすれ
ば、回路パターンにテンションがかからず、回路パター
ンの変形が防止できる。
ば、回路パターンにテンションがかからず、回路パター
ンの変形が防止できる。
（実施例）
以下では本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図はＴＡＢ用テープキャリアの製造工程を示す。
（１）フォトレジスト層形成工程
まず、同図（ａ）に示すように、支持体であるステンレ
ス製、モリブデン製等の支持テープＩＯ（厚さ約０．１
ｍｍ）の両面にフォトレジスＩ−ＪＥｉ１２を形成す
る。このフォトレジスト層１２を形成するレジスト材は
、後のめっき工程でめっき液に侵されないものを用いる
。
ス製、モリブデン製等の支持テープＩＯ（厚さ約０．１
ｍｍ）の両面にフォトレジスＩ−ＪＥｉ１２を形成す
る。このフォトレジスト層１２を形成するレジスト材は
、後のめっき工程でめっき液に侵されないものを用いる
。
レジスト材としては、好ましくはネガタイプのフォトレ
ジストを用いる。例えば３２μｍ程度の厚さのドライレ
ジストが公知であり〔例えば、商品名ダイセルドライフ
ィルムレジストＡ （Ｎｌ１２５３１） ）このドライ
レジストを支持テープ１０表面に貼着することでフォト
レジスト層１２を形成する。
ジストを用いる。例えば３２μｍ程度の厚さのドライレ
ジストが公知であり〔例えば、商品名ダイセルドライフ
ィルムレジストＡ （Ｎｌ１２５３１） ）このドライ
レジストを支持テープ１０表面に貼着することでフォト
レジスト層１２を形成する。
なお形成する回路パターンが微細であって、上記の３２
μｍ程度の比較的厚いフォトレジスト層を形成すると、
後のめっきによる回路パターン形成が充分行えない場合
には、レジスト材としてネガタイプの液状レジスト（例
えば、商品名へキストオザテ・ツクＴ６００シリーズ）
を用い、この液状レジストをロールコータ−等により支
持テープ１０上に厚さ約１０μｍ程度に塗布し、乾燥し
てフォトレジスト層１２を形成する。この場合には、フ
ォトレジスト層形成、後述のパターンコング、めっき工
程を数回繰り返して所望厚さの回路パターンを形成する
ようにする。この点については後で再度説明する。
μｍ程度の比較的厚いフォトレジスト層を形成すると、
後のめっきによる回路パターン形成が充分行えない場合
には、レジスト材としてネガタイプの液状レジスト（例
えば、商品名へキストオザテ・ツクＴ６００シリーズ）
を用い、この液状レジストをロールコータ−等により支
持テープ１０上に厚さ約１０μｍ程度に塗布し、乾燥し
てフォトレジスト層１２を形成する。この場合には、フ
ォトレジスト層形成、後述のパターンコング、めっき工
程を数回繰り返して所望厚さの回路パターンを形成する
ようにする。この点については後で再度説明する。
（２）パターンコング
支持テープ１００片面側のフォトレジスト層１２を所定
のパターンに従って露光し、現像して、回路パターンと
なるべき部位のフォトレジストを除去するパターンコン
グを行う（同図（ｂ））。この工程は公知のフォトエツ
チングで行うことができるので詳細な説明は省略する。
のパターンに従って露光し、現像して、回路パターンと
なるべき部位のフォトレジストを除去するパターンコン
グを行う（同図（ｂ））。この工程は公知のフォトエツ
チングで行うことができるので詳細な説明は省略する。
フォトレジストが除去されて形成されたエツチング溝の
側壁面は支持テープに対して略垂直となる。なお、前記
したようにレジスト材としてネガタイプの感光性レジス
トを用いることにより、エツチング溝の側壁面が支持テ
ープ１０表面に対して、若干鋭角に立ち、ヒがる（第２
図（ａ）参照）。すなわち、エツチング溝は底部側が広
くなるよう形成される。
側壁面は支持テープに対して略垂直となる。なお、前記
したようにレジスト材としてネガタイプの感光性レジス
トを用いることにより、エツチング溝の側壁面が支持テ
ープ１０表面に対して、若干鋭角に立ち、ヒがる（第２
図（ａ）参照）。すなわち、エツチング溝は底部側が広
くなるよう形成される。
（３）めっき工程
次にフォトレジストＮを除去して露出した支持テープ１
０表面上にリール、゛ンー、リール方式により銅めっき
を施し、銅めっき層１４を形成する。
０表面上にリール、゛ンー、リール方式により銅めっき
を施し、銅めっき層１４を形成する。
したがってこの銅めっき層１４はエツチング溝の側壁面
に規制されてエツチング溝内に形成されるので、その側
壁は支持テープ１０表面にほぼ垂直となる。また、レジ
スト材としてネガタイプのものを使用した場合には、エ
ツチング溝が台形状に形成され、したがって銅めっき屓
１４は断面が台形状に形成される（第２図（ｂ））。
に規制されてエツチング溝内に形成されるので、その側
壁は支持テープ１０表面にほぼ垂直となる。また、レジ
スト材としてネガタイプのものを使用した場合には、エ
ツチング溝が台形状に形成され、したがって銅めっき屓
１４は断面が台形状に形成される（第２図（ｂ））。
なお、前記したように、形成すべき回路パターンが微細
であって、３２μｍ程度の厚手のフォトレジストＮ１２
を形成するとエツチング溝内に銅めっき層１４を良好に
形成できないときは、液状レジストを塗布、乾燥して、
フォトレジスト層１２を１０μｍ程度に形成し、レジス
トパターン形成後エツチング溝内に銅めっき層を形成し
その上にまた１０μｍ程度のフォトレジストを形成して
、再度パターンコングして、下層の銅めっき層の上にま
ためっきにより銅めっき層を積み上げる。この工程を数
回繰り返して所望厚さの銅層を形成するようにするとよ
い。
であって、３２μｍ程度の厚手のフォトレジストＮ１２
を形成するとエツチング溝内に銅めっき層１４を良好に
形成できないときは、液状レジストを塗布、乾燥して、
フォトレジスト層１２を１０μｍ程度に形成し、レジス
トパターン形成後エツチング溝内に銅めっき層を形成し
その上にまた１０μｍ程度のフォトレジストを形成して
、再度パターンコングして、下層の銅めっき層の上にま
ためっきにより銅めっき層を積み上げる。この工程を数
回繰り返して所望厚さの銅層を形成するようにするとよ
い。
支持テープ１０の裏面側にもフォトレジスト１２を形成
したのは、支持テープ１０の裏面に銅めっき膜が形成さ
れないようにするためである。したがって、支持テープ
１０の裏面側は適宜なマスクでマスキングすれば、あえ
てフォトレジスト層を形成しなくともよい。
したのは、支持テープ１０の裏面に銅めっき膜が形成さ
れないようにするためである。したがって、支持テープ
１０の裏面側は適宜なマスクでマスキングすれば、あえ
てフォトレジスト層を形成しなくともよい。
（４）表面粗化工程
次に同図（ｄ）に示すように、銅めっき層１４の表面を
粗化する。
粗化する。
この粗化処理の方法は特に限定されるものではないが、
例えば、通常の電解銅箔の表面粗化処理と同じように、
銅および酸化銅から成る微細粒子を銅めっき屓１４表面
に電着させることで粗化する。
例えば、通常の電解銅箔の表面粗化処理と同じように、
銅および酸化銅から成る微細粒子を銅めっき屓１４表面
に電着させることで粗化する。
あるいは、亜塩素ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸
ナトリウム、オルソリン酸ナトリウムを含有する黒化処
理用酸化剤中に浸漬して、表面に黒化処理を施すことに
よって銅めっき層１４表面を粗化することもできる。
ナトリウム、オルソリン酸ナトリウムを含有する黒化処
理用酸化剤中に浸漬して、表面に黒化処理を施すことに
よって銅めっき層１４表面を粗化することもできる。
（５）フォトレジスト層除去工程
次に溶剤によりフォトレジスト層１４を溶解して除去す
る（同図（ｅ））。
る（同図（ｅ））。
（６）転写工程
次に同図（ｆ）に示すように、基体たるベースフィルム
１６上に接着剤１８を用いて銅めっき層１４をその粗化
面がベースフィルム１６側を向くように加熱圧着して接
着固化する。
１６上に接着剤１８を用いて銅めっき層１４をその粗化
面がベースフィルム１６側を向くように加熱圧着して接
着固化する。
接着剤１８としては、ポリアミド系、エポキシ系が好適
である。またベースフィルム１６は耐溶剤性、耐熱性を
有するポリイミドが好適である。
である。またベースフィルム１６は耐溶剤性、耐熱性を
有するポリイミドが好適である。
なおベースフィルム１６には、図示しないが、デバイス
ホール、スプロケットホール等の必要な透孔があらかじ
めプレス加工等によって形成されている。
ホール、スプロケットホール等の必要な透孔があらかじ
めプレス加工等によって形成されている。
これら透孔（スプロケットホールは除く）内には溶剤に
よって除去可能なレジストを裏当てとして充填し、この
透孔に対応する銅めっき層１４がレジスト上に固着され
るようにする。
よって除去可能なレジストを裏当てとして充填し、この
透孔に対応する銅めっき層１４がレジスト上に固着され
るようにする。
次いで支持テープ１０を銅めっきＮ１４上から剥離し、
これにより銅めっき層１４がベースフィルム１６上に転
写され、所望の回路パターンが形成される。なおステン
レス製あるいはモリブデン製の支持テープ１０上への銅
めっきの密着力は低く、支持テープ１０を銅めっき層１
４から容易に剥離しうる。また、透孔に対応する銅めっ
き層１４もレジスト上に固着されているから、支持テー
プ１０剥離の際のテンションが加わっても浮き上がって
変形するなどのおそれがない。
これにより銅めっき層１４がベースフィルム１６上に転
写され、所望の回路パターンが形成される。なおステン
レス製あるいはモリブデン製の支持テープ１０上への銅
めっきの密着力は低く、支持テープ１０を銅めっき層１
４から容易に剥離しうる。また、透孔に対応する銅めっ
き層１４もレジスト上に固着されているから、支持テー
プ１０剥離の際のテンションが加わっても浮き上がって
変形するなどのおそれがない。
最後に透孔内のレジストを溶解除去することによって所
望のＴＡＢ用テープキャリアが完成する。
望のＴＡＢ用テープキャリアが完成する。
なお剥離した支持テープ１０は再使用が可能である。
本実施例では、支持テープ１０上にフォトレジスｌ−ｆ
ｆ１１２を形成し、このフォトレジスト層１２にフォト
エツチングによって回路パターンに沿つエッチング溝を
形成し、このエツチング溝内にめっきにより銅めっき層
を成長させて回路パターンを形成するものであるため、
回路パターンの断面形状はフォトレジスト層のエツチン
グ溝の断面形状と同一のものとなる。したがってエツチ
ング溝の側壁が支持テープ１０に垂直に形成できれば、
良好な断面形状の回路パターンが形成できる。フォトレ
ジスト層１２のフォトエツチングは、金属（銅箔など）
のフォトエツチングよりも精度よく行えるので、支持テ
ープ１０に垂直な溝形成が容易に行える。特にネガタイ
プのフォトレジストを用いることにより、側壁が支持テ
ープに対して若干鋭角となる溝を形成することができ、
したがって、ベースフィルム１６上に転写された回路パ
ターンの形状は断面が逆台形状となり、広いボンディン
グエリアが確保されるので好都合である。これにより、
より微細な回路パターンに形成することが可能となる。
ｆ１１２を形成し、このフォトレジスト層１２にフォト
エツチングによって回路パターンに沿つエッチング溝を
形成し、このエツチング溝内にめっきにより銅めっき層
を成長させて回路パターンを形成するものであるため、
回路パターンの断面形状はフォトレジスト層のエツチン
グ溝の断面形状と同一のものとなる。したがってエツチ
ング溝の側壁が支持テープ１０に垂直に形成できれば、
良好な断面形状の回路パターンが形成できる。フォトレ
ジスト層１２のフォトエツチングは、金属（銅箔など）
のフォトエツチングよりも精度よく行えるので、支持テ
ープ１０に垂直な溝形成が容易に行える。特にネガタイ
プのフォトレジストを用いることにより、側壁が支持テ
ープに対して若干鋭角となる溝を形成することができ、
したがって、ベースフィルム１６上に転写された回路パ
ターンの形状は断面が逆台形状となり、広いボンディン
グエリアが確保されるので好都合である。これにより、
より微細な回路パターンに形成することが可能となる。
次に他の実施例を示す。
本実施例では、支持テープ１０にアルミニウムテープな
どのように酸等によって容易に溶解除去しうるちのを用
いる。このような支持テープを用いることによって、転
写工程で支持テープ１０を銅めっき層１４上から剥離さ
せる代りに溶解して除去することができる。したがって
、銅めっき層１４に剥離の際のテンションが加わらない
ので、回路パターンの変形を完全に防止できる。したが
ってまた、ベースフィルム１６に形成した透孔を銅めっ
き層の裏当としてレジストで充填する工程も不要となる
。
どのように酸等によって容易に溶解除去しうるちのを用
いる。このような支持テープを用いることによって、転
写工程で支持テープ１０を銅めっき層１４上から剥離さ
せる代りに溶解して除去することができる。したがって
、銅めっき層１４に剥離の際のテンションが加わらない
ので、回路パターンの変形を完全に防止できる。したが
ってまた、ベースフィルム１６に形成した透孔を銅めっ
き層の裏当としてレジストで充填する工程も不要となる
。
さらに他の実施例として、支持テープ１０にめっき可能
な樹脂を使用することもできる。
な樹脂を使用することもできる。
このような支持テープとしてポリビニルブチラール製樹
脂テープを用いることができる。この場合にはまずポリ
ビニルブチラール樹脂テープに所定の回路パターンに従
って無電解銅めっきあるいは蒸着により、例えば０．３
〜０．５μｍ程度の、薄い回路パターンを形成し、その
上に前記と同じようにフォトレジスト眉を形成し、フォ
トレジスト層のパターンコングを行ってのち、無電解め
っきあるいは蒸着による銅層上に電解銅めっきを所定厚
に盛り上げて回路パターンに形成するとよい。
脂テープを用いることができる。この場合にはまずポリ
ビニルブチラール樹脂テープに所定の回路パターンに従
って無電解銅めっきあるいは蒸着により、例えば０．３
〜０．５μｍ程度の、薄い回路パターンを形成し、その
上に前記と同じようにフォトレジスト眉を形成し、フォ
トレジスト層のパターンコングを行ってのち、無電解め
っきあるいは蒸着による銅層上に電解銅めっきを所定厚
に盛り上げて回路パターンに形成するとよい。
このポリビニルブチラール樹脂テープは、ポリイミド製
のベースフィルムに悪影響を与えることなく、アルコー
ル類、エステル類、ケトン類、あるいはこれらの混合溶
剤により溶解除去することができる。
のベースフィルムに悪影響を与えることなく、アルコー
ル類、エステル類、ケトン類、あるいはこれらの混合溶
剤により溶解除去することができる。
前記のポリアミド系、エポキシ系等の接着剤１８もこれ
ら溶剤には耐性を有する。
ら溶剤には耐性を有する。
なお上記実施例ではＴＡＢ用テープキャリアを例として
説明したが、プリント基板、その他の回路基板に通用し
うろことはもちろんである。
説明したが、プリント基板、その他の回路基板に通用し
うろことはもちろんである。
以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施し得るの
はもちろんのことである。
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施し得るの
はもちろんのことである。
（発明の効果）
フォＩ・レジスト層をフォトエツチングによりレジスト
パターンに形成すると、銅箔を直接エツチングする場合
に比してサイドエツチングが少なく、したがってレジス
トパターンのエツチング溝の側壁面が支持体表面に対し
てほぼ垂直に形成される。
パターンに形成すると、銅箔を直接エツチングする場合
に比してサイドエツチングが少なく、したがってレジス
トパターンのエツチング溝の側壁面が支持体表面に対し
てほぼ垂直に形成される。
したがって、エツチング溝内に形成される銅めっき層の
側壁面がほぼ垂直に立ち上がり、微細な回路パターンに
形成することが可能となる。
側壁面がほぼ垂直に立ち上がり、微細な回路パターンに
形成することが可能となる。
なお、フォトレジスト層を形成するレジスト剤としてネ
ガタイプのものを用いれば、形成されるエツチング溝は
むしろ底部側が広がったものとなり、したがって、基体
上に転写された回路パターンはその断面が逆台形状のも
のになり、広いボンディングエリアが確保でき好都合で
あると共に、従来の同じボンディングエリアを確保する
場合に比してそれだけ回路パターンの微細化が可能とな
る。
ガタイプのものを用いれば、形成されるエツチング溝は
むしろ底部側が広がったものとなり、したがって、基体
上に転写された回路パターンはその断面が逆台形状のも
のになり、広いボンディングエリアが確保でき好都合で
あると共に、従来の同じボンディングエリアを確保する
場合に比してそれだけ回路パターンの微細化が可能とな
る。
また、転写工程で支持体を溶解して除去するようにすれ
ば、回路パターンにテンションがかからず、回路パター
ンの変形が防止できる。
ば、回路パターンにテンションがかからず、回路パター
ンの変形が防止できる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は回路基板の製造工程を示す断面
図であり、（ａ）図はフォトレジスト層形成工程、（ｂ
）図はフォトエッチング工程、（Ｃ）図は銅めっき工程
、（ｄ）図は表面粗化工程、（ｅ）図はフォトレジスト
層除去工程、（ｆ）図は転写工程を示す。 第２図（ａ）はネガタイプのフォトレジストを用いた場
合のエツチング溝の断面を示す断面図、同図（ｂ）はそ
のエツチング溝に銅めっき層を形成した状態を示す断面
図、同図（Ｃ）は同めっき層をデースフィルムに転写し
た状態を示す断面図である。 第３図は銅箔をエツチング加工して形成した回路パター
ンの断面図を示す。 １０・・・支持テープ、 １２・・・フォトレジスト
層、 １４・・・銅めっき層、 １６・・、ベース
フィルム・ ■ ・接着剤。
図であり、（ａ）図はフォトレジスト層形成工程、（ｂ
）図はフォトエッチング工程、（Ｃ）図は銅めっき工程
、（ｄ）図は表面粗化工程、（ｅ）図はフォトレジスト
層除去工程、（ｆ）図は転写工程を示す。 第２図（ａ）はネガタイプのフォトレジストを用いた場
合のエツチング溝の断面を示す断面図、同図（ｂ）はそ
のエツチング溝に銅めっき層を形成した状態を示す断面
図、同図（Ｃ）は同めっき層をデースフィルムに転写し
た状態を示す断面図である。 第３図は銅箔をエツチング加工して形成した回路パター
ンの断面図を示す。 １０・・・支持テープ、 １２・・・フォトレジスト
層、 １４・・・銅めっき層、 １６・・、ベース
フィルム・ ■ ・接着剤。
Claims (5)
- １．銅めっきが可能な支持体上にフォトレジスト層を形
成する工程と、 フォトレジスト層をフォトエッチングして レジストパターンを形成する工程と、 レジストが除去されて露出した支持体表面 上に銅めっき層を形成する工程と、 該銅めっき層表面を粗化する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記支持体に形成された銅めっき層を粗化 面を基体側に向けて基体上に接着剤により接着固定し、
支持体を銅めっき層から除去して銅めっき層による回路
パターンを支持体上に転写する工程 を含むことを特徴とする回路基板の製造方 法。 - ２．フォトレジスト層を形成するレジスト材としてネガ
タイプのフォトレジストを用いることを特徴とする請求
項１記載の回路基板の製造方法。 - ３．転写工程において、支持体を銅めっき層から剥離し
て除去することを特徴とする請求項１または２記載の回
路基板の製造方法。 - ４．転写工程において、支持体を溶解して除去すること
を特徴とする請求項１または２記載の回路基板の製造方
法。 - ５．支持体に樹脂テープを用い、めっき工程において、
該樹脂テープ上に無電解めっきまたは蒸着により薄い銅
層を形成してのち、電解銅めっきにより該銅層上に銅め
っき層を形成することを特徴とする請求項１または２記
載の回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27688788A JPH02122691A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27688788A JPH02122691A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122691A true JPH02122691A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17575782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27688788A Pending JPH02122691A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113347801A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-09-03 | 深圳市宏亿时代电子有限公司 | 一种印刷电路板生产用刻蚀装置 |
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-
1988
- 1988-11-01 JP JP27688788A patent/JPH02122691A/ja active Pending
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| CN113347801B (zh) * | 2021-08-09 | 2021-10-08 | 深圳市宏亿时代电子有限公司 | 一种印刷电路板生产用刻蚀装置 |
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