JPH02124473A - 電界効果トランジスタの直列抵抗測定法 - Google Patents
電界効果トランジスタの直列抵抗測定法Info
- Publication number
- JPH02124473A JPH02124473A JP14500488A JP14500488A JPH02124473A JP H02124473 A JPH02124473 A JP H02124473A JP 14500488 A JP14500488 A JP 14500488A JP 14500488 A JP14500488 A JP 14500488A JP H02124473 A JPH02124473 A JP H02124473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- resistance
- electrode
- current
- current flowing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（（）産業上の利用分野
本発明は低雑音ＭＥ、５ＦＥＴ等の電界効果トランジス
タにおいて、低雑音化を図るためには小さくすることが
望ましいソース抵抗Ｒ８と呼ばれるゲート・ソース電極
間抵抗及びドレイン抵抗Ｒ０と呼ばれるゲート・ドレイ
ン電極間抵抗の測定方法に関する。
タにおいて、低雑音化を図るためには小さくすることが
望ましいソース抵抗Ｒ８と呼ばれるゲート・ソース電極
間抵抗及びドレイン抵抗Ｒ０と呼ばれるゲート・ドレイ
ン電極間抵抗の測定方法に関する。
（ロ）従来の技術
電界効果トランジスタは２つのオーミック電極と、この
両電極の間に金属−半導体接触あるいは金属−絶縁体一
半導体接触からなるゲート電極を有し、ソース抵抗ＲＳ
はゲート電極と１つのオーミック電極の直列抵抗をさし
、ドレイン抵抗ＲＤはゲート電極ともう１つのオーミッ
ク電極の直列抵抗をさす。
両電極の間に金属−半導体接触あるいは金属−絶縁体一
半導体接触からなるゲート電極を有し、ソース抵抗ＲＳ
はゲート電極と１つのオーミック電極の直列抵抗をさし
、ドレイン抵抗ＲＤはゲート電極ともう１つのオーミッ
ク電極の直列抵抗をさす。
ソース抵抗Ｒ８とドレイン抵抗Ｒ８の測定方法は基本的
に同じなので以降はソース抵抗ＲＤの測定方法のみにつ
いて述べる。
に同じなので以降はソース抵抗ＲＤの測定方法のみにつ
いて述べる。
従来のソース抵抗ＲＳの測定方法は２通りあり、その１
つは第３図（ａ）に示すようにソース電極（３１）を電
流計（３４）を介して接地し、ゲート電極（３３）に順
方向電流が流れるように電圧を印加する。
つは第３図（ａ）に示すようにソース電極（３１）を電
流計（３４）を介して接地し、ゲート電極（３３）に順
方向電流が流れるように電圧を印加する。
そして、ゲート・ソース間電圧Ｖとゲート・ソース間電
流Ｉを測定する。ゲート・ソース間電流Ｉが小さいとき
には、ソース抵抗Ｆｔｓにかかる電圧■５はＶ ｓ ＝
ＲＳ Ｉとなり、ゲート・ソース間電圧Ｖに比べ非常に
小さいので無視できる。しかし、ゲート・ソース間電流
夏が大きくなると■８が無流！を流すために必要なゲー
ト・ソース間電圧■る。即ちグラフ上よりΔＶ及びゲー
ト・ソース間電流■を読みとることによりソース抵抗Ｆ
Ｌｔｘがか決定される。
流Ｉを測定する。ゲート・ソース間電流Ｉが小さいとき
には、ソース抵抗Ｆｔｓにかかる電圧■５はＶ ｓ ＝
ＲＳ Ｉとなり、ゲート・ソース間電圧Ｖに比べ非常に
小さいので無視できる。しかし、ゲート・ソース間電流
夏が大きくなると■８が無流！を流すために必要なゲー
ト・ソース間電圧■る。即ちグラフ上よりΔＶ及びゲー
ト・ソース間電流■を読みとることによりソース抵抗Ｆ
Ｌｔｘがか決定される。
しかし、この方法ではゲート電極（３３）及びソース電
極（３１）と測定針との接触抵抗やゲート金属抵抗が測
定値に入り、信頼性の乏しい値しか得られない、またゲ
ート・ソース間に大きな電流を流すことは、ゲート電極
（３３）の性能劣化にもつながる。
極（３１）と測定針との接触抵抗やゲート金属抵抗が測
定値に入り、信頼性の乏しい値しか得られない、またゲ
ート・ソース間に大きな電流を流すことは、ゲート電極
（３３）の性能劣化にもつながる。
２つめの方法（例えば特開昭６１−２１５９６９号公報
参照。）は第４［１（ａ）に示すように、・ドレイン間
電圧■を測定する。この時の抵抗に関する等価回路は第
４図（ｂ）のようになる、電流はゲート電ＦＭ（４３１
からソース電極（４１）にしか流れないため接触抵抗Ｒ
ｔ”やドレイン抵抗Ｒｏ、接触抵抗Ｒｏ ’には電流は
流れず、ドレイン電極（４２）とソース電極（４１）の
間の電位差を測定すればソース抵抗ＦｔｓはＲＳ＝Ｖ／
″ｌで決定される。なお、Ｒｇ″はゲート金属抵抗と接
触抵抗の和であり、ＲＳ”は接触抵抗である。
参照。）は第４［１（ａ）に示すように、・ドレイン間
電圧■を測定する。この時の抵抗に関する等価回路は第
４図（ｂ）のようになる、電流はゲート電ＦＭ（４３１
からソース電極（４１）にしか流れないため接触抵抗Ｒ
ｔ”やドレイン抵抗Ｒｏ、接触抵抗Ｒｏ ’には電流は
流れず、ドレイン電極（４２）とソース電極（４１）の
間の電位差を測定すればソース抵抗ＦｔｓはＲＳ＝Ｖ／
″ｌで決定される。なお、Ｒｇ″はゲート金属抵抗と接
触抵抗の和であり、ＲＳ”は接触抵抗である。
この測定方法では順方向電流Ｉを１恵与えれば良いとい
う利点を持つものの、接触抵抗が完全に除けたかどうか
の確認ができない。また、電界効果トランジスタの動作
条件でのソース抵抗ＲＤを測定するには順方向電流■を
１０ｍＡ程度流す必要があり１ｍいゲート電極では性能
が劣化する。
う利点を持つものの、接触抵抗が完全に除けたかどうか
の確認ができない。また、電界効果トランジスタの動作
条件でのソース抵抗ＲＤを測定するには順方向電流■を
１０ｍＡ程度流す必要があり１ｍいゲート電極では性能
が劣化する。
（拘 発明が解決しようとする課題
ソース抵抗Ｆｔｍはソース電極を流れる電流に依存する
可能性があるため、低雑音の電界効果トランジスタでは
特に動作条件におけるソース抵抗ＲＳを測定する必要が
ある。この動作条件ではソース電極を流れる電流が１０
ｍＡ以上にもなる為、従来の測定方法によるとゲート電
極にも同じだけの電流を流す必要がある。従ってゲート
長がサブミクロンにもなるとゲート金属を破壊し、性能
を劣化させてしまうという問題がある。
可能性があるため、低雑音の電界効果トランジスタでは
特に動作条件におけるソース抵抗ＲＳを測定する必要が
ある。この動作条件ではソース電極を流れる電流が１０
ｍＡ以上にもなる為、従来の測定方法によるとゲート電
極にも同じだけの電流を流す必要がある。従ってゲート
長がサブミクロンにもなるとゲート金属を破壊し、性能
を劣化させてしまうという問題がある。
本発明は上述の事情に鑑み為されたものであり、ゲート
電極に流す電流を大きくする必要がなく、しかも測定値
に接触抵抗や測定器の内部抵抗等の寄生抵抗の入いるこ
とのない電界効果トランジスタの直列抵抗測定法を提供
しようとするものである。
電極に流す電流を大きくする必要がなく、しかも測定値
に接触抵抗や測定器の内部抵抗等の寄生抵抗の入いるこ
とのない電界効果トランジスタの直列抵抗測定法を提供
しようとするものである。
（：）課題を解決するための手段
本発明は、２つのオーミック電極と１両電極の間に金属
−半導体接触あるいは金属−絶縁体一半導体接触からな
るゲート電極とを有した電界効果トランジスタのソース
抵抗Ｒ８またはドレイン抵抗ＲＤを求める直列抵抗測定
分法において、前記オーミック電極の一方と前記ゲート
電極との間に微小の順方向電流を流し、かつ前記オーミ
ック電極の他方よりバイアスを変化させて印加すること
により、前記ゲート電極と前記オーミック電極の一方の
電位差の変化量と前記オーミック電極の一方に流れる電
流の変化量を求め、前記電位差の変化量を前記電流の変
化量で割ることにより、前記オーミック電極の一方と前
記ゲート電極の直列抵抗を求めることを特徴とする電界
効果トランジスタの直列抵抗の測定法である。
−半導体接触あるいは金属−絶縁体一半導体接触からな
るゲート電極とを有した電界効果トランジスタのソース
抵抗Ｒ８またはドレイン抵抗ＲＤを求める直列抵抗測定
分法において、前記オーミック電極の一方と前記ゲート
電極との間に微小の順方向電流を流し、かつ前記オーミ
ック電極の他方よりバイアスを変化させて印加すること
により、前記ゲート電極と前記オーミック電極の一方の
電位差の変化量と前記オーミック電極の一方に流れる電
流の変化量を求め、前記電位差の変化量を前記電流の変
化量で割ることにより、前記オーミック電極の一方と前
記ゲート電極の直列抵抗を求めることを特徴とする電界
効果トランジスタの直列抵抗の測定法である。
（１作 用
ゲート電極に例えば１００μＡ′ｐｉ度の微小な定電流
を流し、ドレイン電極側から電圧を除々に印加すると、
ソース抵抗ＲＳを流れる電流とソース抵抗Ｒ８の両端に
かかる電位差を変化させることができる。
を流し、ドレイン電極側から電圧を除々に印加すると、
ソース抵抗ＲＳを流れる電流とソース抵抗Ｒ８の両端に
かかる電位差を変化させることができる。
そして、ソース抵抗ＲＳはドレイン電圧を変化させた時
のゲート・ソース間の電位差の変化量とソース電極を流
れる電流の変化量とで決定される。
のゲート・ソース間の電位差の変化量とソース電極を流
れる電流の変化量とで決定される。
また寄生抵抗はゲート電極及びソース電極の電位をそれ
ぞれ測定針を別に立てて測定することにより取り除くこ
とができる。
ぞれ測定針を別に立てて測定することにより取り除くこ
とができる。
つまり、ゲート電極には定電流を流し、ソース抵抗ＲＳ
の両端にかかる電位差及びソース抵抗ＲＳを流れる電流
をモニタしている為、ゲート電極に過大電流が流れず、
従って、ゲート電極の性能劣化をひきおこすことなくソ
ース抵抗ＲＳのみを測定することが可能となる。
の両端にかかる電位差及びソース抵抗ＲＳを流れる電流
をモニタしている為、ゲート電極に過大電流が流れず、
従って、ゲート電極の性能劣化をひきおこすことなくソ
ース抵抗ＲＳのみを測定することが可能となる。
なお、ドレイン抵抗Ｒ０を求める場合も上述と同様であ
る。
る。
（へ）実施例
以下に本発明の詳細な説明する。
第１図はＦＥＴのソース抵抗Ｒ８を測定するための構成
図である。ソース電極（１）を電流計（１２）を介して
接地し、かつ、電圧計（１１）を介して接地する。ドレ
イン電極（２）を電圧源（■。Ｄ）に接続する。前記電
圧源は電流源であっても構わない、ゲート電極（３）を
定電流源（１３）に接続し、ショットキ接合に順方向電
流（例えば１００μＡ）を流し、かつ、電圧計（１４）
を介して接地する。
図である。ソース電極（１）を電流計（１２）を介して
接地し、かつ、電圧計（１１）を介して接地する。ドレ
イン電極（２）を電圧源（■。Ｄ）に接続する。前記電
圧源は電流源であっても構わない、ゲート電極（３）を
定電流源（１３）に接続し、ショットキ接合に順方向電
流（例えば１００μＡ）を流し、かつ、電圧計（１４）
を介して接地する。
ドレイン電極（２）側に正に電圧を印加した時のＦＥＴ
の等価回路を第２図に示す。測定系にはＦＥＴが有する
ソース抵抗Ｒ８、ドレイン抵抗Ｒ０、ゲート金属抵抗Ｒ
ｇの他に各電極と測定針との接触抵抗Ｒ８°、ＲＤ’、
ＲＤ１及び計器がもつ内部抵抗が含まれている。
の等価回路を第２図に示す。測定系にはＦＥＴが有する
ソース抵抗Ｒ８、ドレイン抵抗Ｒ０、ゲート金属抵抗Ｒ
ｇの他に各電極と測定針との接触抵抗Ｒ８°、ＲＤ’、
ＲＤ１及び計器がもつ内部抵抗が含まれている。
ソース抵抗ＲＳを流れる電流値及びソース抵抗Ｒ５にか
かる電圧値は次のように求めることができる。即ち、ソ
ース抵抗ＲＳを流れる電流はゲート電極（３）側から流
れる１００μＡの電流とドレイン電極（２）側から流れ
る電流の和となる。なお。
かる電圧値は次のように求めることができる。即ち、ソ
ース抵抗ＲＳを流れる電流はゲート電極（３）側から流
れる１００μＡの電流とドレイン電極（２）側から流れ
る電流の和となる。なお。
電圧計（１４）の内部抵抗は通常ＩＭΩ程度あるため、
ゲート電極（３）のショットキ障壁が仮に１■としても
電圧計（１４）には１μＡの電流しか流れずこの電流は
無闇できる９また、ソース抵抗ＲＳにかかる電圧は電圧
計（１４）の読みとり値■、から電圧計（１１）の読み
とり値■２を引いた値となる。
ゲート電極（３）のショットキ障壁が仮に１■としても
電圧計（１４）には１μＡの電流しか流れずこの電流は
無闇できる９また、ソース抵抗ＲＳにかかる電圧は電圧
計（１４）の読みとり値■、から電圧計（１１）の読み
とり値■２を引いた値となる。
上記の測定系では厳密にいえばソース抵抗ＲＢにかかる
電圧は接触抵抗Ｒ１°、ゲート金属抵抗Ｒ１の電圧降下
を考慮していないため正しくない、しかしドレイン電極
（２）の電位を変化させてソース抵抗ＲＳを流れる電流
及びかかる電圧を変化させてもトレイン電極（２）側か
ら流れる電流はゲート環１（３１に流れないので接触抵
抗ＲＤ°、ゲート金属抵抗Ｒ１に流れる電流及びかかる
電圧は変わらない。従って、ソース抵抗ＲＳはソース抵
抗ＲＳにかかる電圧の変化量をその時にソース抵抗Ｒ８
を流れる電流の変化量で割ることにより求めることがで
きる。
電圧は接触抵抗Ｒ１°、ゲート金属抵抗Ｒ１の電圧降下
を考慮していないため正しくない、しかしドレイン電極
（２）の電位を変化させてソース抵抗ＲＳを流れる電流
及びかかる電圧を変化させてもトレイン電極（２）側か
ら流れる電流はゲート環１（３１に流れないので接触抵
抗ＲＤ°、ゲート金属抵抗Ｒ１に流れる電流及びかかる
電圧は変わらない。従って、ソース抵抗ＲＳはソース抵
抗ＲＳにかかる電圧の変化量をその時にソース抵抗Ｒ８
を流れる電流の変化量で割ることにより求めることがで
きる。
第５図はゲート・ソース問電圧とソース電極（１）を流
れる電流の関係を示す図である。ソース電極（１）を流
れる電流によりゲート電極（３）にかかる電圧が異って
くるためゲート環４ｆ＋（１）［下の空乏層の広がりも
異なり、従ってソース抵抗ＲＳもソース電流とともに変
化する。低雑音ＦＥＴの雑音特性を知る上でソース抵抗
ＲＳは重要なパラメータであり、このソース抵抗ＲＳを
ＦＥＴの動作条件のもとで測定する必要がある。
れる電流の関係を示す図である。ソース電極（１）を流
れる電流によりゲート電極（３）にかかる電圧が異って
くるためゲート環４ｆ＋（１）［下の空乏層の広がりも
異なり、従ってソース抵抗ＲＳもソース電流とともに変
化する。低雑音ＦＥＴの雑音特性を知る上でソース抵抗
ＲＳは重要なパラメータであり、このソース抵抗ＲＳを
ＦＥＴの動作条件のもとで測定する必要がある。
例えば、動作条件のソース電流が１０ｍＡであるならば
、第５図に示す如くソース電流が１０ｍＡの時における
曲線の接線の傾きよりソース抵抗ゲート・ソース間の電
圧とソース電流特性は厳密にいうと曲線ではなく折れ線
（所定のステップでドレイン電極（２）の電位を変化さ
せている。）であり、ソース電流が丁度１０ｍＡとなる
測定点は存在しないことがある。この場合には、１０ｍ
Ａをはさむ前後２点の測定点の測定値からΔ■／Δ■を
計算することによりソース抵抗ＲＳを決定また１ ０
ｍ Ａｕｔさむ前後ｌ１点ないしは６点から最小二乗法
で求めた直線の傾きからソース抵抗ＲＳを決定すること
により、更に測定精度は良くなる。
、第５図に示す如くソース電流が１０ｍＡの時における
曲線の接線の傾きよりソース抵抗ゲート・ソース間の電
圧とソース電流特性は厳密にいうと曲線ではなく折れ線
（所定のステップでドレイン電極（２）の電位を変化さ
せている。）であり、ソース電流が丁度１０ｍＡとなる
測定点は存在しないことがある。この場合には、１０ｍ
Ａをはさむ前後２点の測定点の測定値からΔ■／Δ■を
計算することによりソース抵抗ＲＳを決定また１ ０
ｍ Ａｕｔさむ前後ｌ１点ないしは６点から最小二乗法
で求めた直線の傾きからソース抵抗ＲＳを決定すること
により、更に測定精度は良くなる。
ソース抵抗Ｒ８が決定された時のソース電流を使用した
各測定点のソース電流値の平均とし、横軸にソース電流
、縦軸にソース抵抗ＲＳをとると、第６図に示す如く関
係が得られる。
各測定点のソース電流値の平均とし、横軸にソース電流
、縦軸にソース抵抗ＲＳをとると、第６図に示す如く関
係が得られる。
従って、以上の測定方法を用いると任意のソース電流に
対するソース抵抗ＲＳが直ちに求められ、また接触抵抗
やゲート金属抵抗等の寄生抵抗を排除した高精度な測定
が行える。
対するソース抵抗ＲＳが直ちに求められ、また接触抵抗
やゲート金属抵抗等の寄生抵抗を排除した高精度な測定
が行える。
以上述べた測定方法はソース抵抗ＲＳに関するものであ
るが、ドレイン抵抗Ｒ０に関しても全く同様の方法で測
定することが可能であり、第１図においてソース電極（
１）とトレイン電極（２）を入れ換えればよい。すなわ
ち、ドレイン電極（２）を電流計（１２） 、電圧計（
１１）を介して接地し、ソース電極（１）に電圧源（＋
３） （電流源でも可）を接続する。ゲート電極（３）
はソース抵抗ＲＳを測定する時の接続と全く同じである
。そして、ゲート電極（３）に１００μＡの定電極を流
しておいて、ソース電極（１）に電圧を除々に印加して
やった時のドレイン抵抗Ｒ０にががる電圧の変化量をド
レイン抵抗Ｒｏを流れる電流の変化量で割ることにより
ドレイン抵抗Ｒ１）を求めることができる。
るが、ドレイン抵抗Ｒ０に関しても全く同様の方法で測
定することが可能であり、第１図においてソース電極（
１）とトレイン電極（２）を入れ換えればよい。すなわ
ち、ドレイン電極（２）を電流計（１２） 、電圧計（
１１）を介して接地し、ソース電極（１）に電圧源（＋
３） （電流源でも可）を接続する。ゲート電極（３）
はソース抵抗ＲＳを測定する時の接続と全く同じである
。そして、ゲート電極（３）に１００μＡの定電極を流
しておいて、ソース電極（１）に電圧を除々に印加して
やった時のドレイン抵抗Ｒ０にががる電圧の変化量をド
レイン抵抗Ｒｏを流れる電流の変化量で割ることにより
ドレイン抵抗Ｒ１）を求めることができる。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかなように、電界効果トラ
ンジスタにおいてゲート電極に大きな電流を流すことな
しに、寄生抵抗を排除したソース抵抗ＲＳまたはドレイ
ン抵抗Ｒ０の高精度な測定を行うことができる。
ンジスタにおいてゲート電極に大きな電流を流すことな
しに、寄生抵抗を排除したソース抵抗ＲＳまたはドレイ
ン抵抗Ｒ０の高精度な測定を行うことができる。
第１図は本発明である電界効果トランジスタのソース抵
抗Ｒ８を測定するための構成図、第２図は第１図におけ
る電界効果トランジスタの抵抗・成分に関する念等価回
路図、第３図は（ａ）及び第４図（ｂ）は従来の電界効
果トランジスタのソース抵抗ＲＳを測定するための構成
図、第３図（ｂ）は従来方法の測定結果を示す図、第４
図（ｂ）は第４図（ａ）における電界効果トランジスタ
の抵抗成分に関する等価回路図、第５図及び第６図は本
発明実施例の測定結果を示す図である。 １・・・ソース電極、２・・・ドレイン電極、３・・・
ゲート電極、１１．１４・・・電圧計、１２・・・電流
計、１３・・・定電流源、ＲＳ・・・ソース抵抗、Ｒｏ
・・・トレイン抵抗、Ｒｇ＋ ＲＤ’、 ＲＳ’、 Ｆ
ｔ、’−・・寄生抵抗、Ｖｃ＋Ｄ ・・・電圧源
抗Ｒ８を測定するための構成図、第２図は第１図におけ
る電界効果トランジスタの抵抗・成分に関する念等価回
路図、第３図は（ａ）及び第４図（ｂ）は従来の電界効
果トランジスタのソース抵抗ＲＳを測定するための構成
図、第３図（ｂ）は従来方法の測定結果を示す図、第４
図（ｂ）は第４図（ａ）における電界効果トランジスタ
の抵抗成分に関する等価回路図、第５図及び第６図は本
発明実施例の測定結果を示す図である。 １・・・ソース電極、２・・・ドレイン電極、３・・・
ゲート電極、１１．１４・・・電圧計、１２・・・電流
計、１３・・・定電流源、ＲＳ・・・ソース抵抗、Ｒｏ
・・・トレイン抵抗、Ｒｇ＋ ＲＤ’、 ＲＳ’、 Ｆ
ｔ、’−・・寄生抵抗、Ｖｃ＋Ｄ ・・・電圧源
Claims (1)
- １、２つのオーミック電極と、この両電極の間に金属−
半導体接触あるいは金属−絶縁体−半導体接触からなる
ゲート電極とを有した電界効果トランジスのソース抵抗
Ｒ＿Ｓまたはドレイン抵抗Ｒ＿Ｄを求める直列抵抗測定
法において、前記オーミック電極の一方と前記ゲート電
極との間に微小の順方向電流を流し、かつ、前記オーミ
ック電極の他方よりバイアスを変化させて印加すること
により、前記ゲート電極と前記オーミック電極の一方の
電位差の変化量と前記オーミック電極の一方に流れる電
流の変化量を求め、前記電位差の変化量を前記電流の変
化量で割ることにより、前記オーミック電極の一方と前
記ゲート電極の直列抵抗を求めることを特徴とする電界
効果トランジスタの直列抵抗測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14500488A JPH02124473A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 電界効果トランジスタの直列抵抗測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14500488A JPH02124473A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 電界効果トランジスタの直列抵抗測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02124473A true JPH02124473A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=15375226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14500488A Pending JPH02124473A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 電界効果トランジスタの直列抵抗測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02124473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106977A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Hoshizaki Electric Co Ltd | 冷却庫 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237366A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタの特性測定方法 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP14500488A patent/JPH02124473A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237366A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタの特性測定方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106977A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Hoshizaki Electric Co Ltd | 冷却庫 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bergveld | The operation of an ISFET as an electronic device | |
| JPH02233007A (ja) | Ｍｏｓトランジスタの電流を検出する装置及び方法 | |
| CN101292156A (zh) | 包括离子敏感场效应晶体管的信号处理电路以及监控流体属性的方法 | |
| JPH06258384A (ja) | 集積回路試験用電流測定装置および集積回路 | |
| JPH02124473A (ja) | 電界効果トランジスタの直列抵抗測定法 | |
| JP2858390B2 (ja) | 縦型半導体装置の特性測定方法 | |
| EP0657027B1 (de) | Anordnung zur messung von ionenkonzentrationen in lösungen | |
| US10627442B2 (en) | Method for estimating resistances of a source contact and a drain contact of a MOS transistor | |
| KR20000053559A (ko) | Ｍｏｓｆｅｔ의 오버래핑길이 및 오버래핑용량 측정방법및 그측정장치 | |
| JPH0369159A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6174407A (ja) | Ｊｆｅｔオーム性差動増幅器 | |
| JP3139418B2 (ja) | Ｆｅｔの寄生抵抗の算出方法 | |
| KR0140949B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체기판에 형성된 더미 바이폴라 트랜지스터의 전류 증폭율 측정용 장치 | |
| CN114689922A (zh) | 电流检测电路及燃气表 | |
| US5658804A (en) | Method for measuring parasitic components of a field effect transistor and a semiconductor integrated circuit | |
| KR100746823B1 (ko) | 반도체소자 및 그 반도체소자의 아날로그 채널저항측정방법 | |
| JP3117878B2 (ja) | 電界効果トランジスタの特性測定方法 | |
| JPH04258756A (ja) | イオンセンサ | |
| JP2850793B2 (ja) | 半導体装置及びその特性測定方法 | |
| WO2001065210A1 (fr) | Dispositif amplificateur pour capteurs | |
| JPS61250548A (ja) | 比較電極 | |
| Trofimenkoff et al. | Theory and application of the field-effect transistor. Part 2: High-frequency properties | |
| JPH0758171A (ja) | 素子特性パラメータ抽出用トランジスタ | |
| JP3100477B2 (ja) | 高入力インピ−ダンス電圧測定装置 | |
| JPS59119283A (ja) | 半導体素子の評価装置 |