JPH02125401A - バリスタ - Google Patents
バリスタInfo
- Publication number
- JPH02125401A JPH02125401A JP63138115A JP13811588A JPH02125401A JP H02125401 A JPH02125401 A JP H02125401A JP 63138115 A JP63138115 A JP 63138115A JP 13811588 A JP13811588 A JP 13811588A JP H02125401 A JPH02125401 A JP H02125401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- forming
- faces
- sintering
- surge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Crz03 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、素体構成を改良したバリスタにlする。
(従来の技術)
従来、−膜化しているバリスタは、例えば酸化曲鉛を主
成分とし、これに数種類の金属酸化部を添加混合したセ
ラミック粉末を円板状に成形し、しかるのち、焼結して
得たバ□′リスタ素体の表裏両面に電極を形成し、この
電極から引出端子を導出し、この引出端子の先端部を露
出して樹脂などの外装を施した構成からなっている。
成分とし、これに数種類の金属酸化部を添加混合したセ
ラミック粉末を円板状に成形し、しかるのち、焼結して
得たバ□′リスタ素体の表裏両面に電極を形成し、この
電極から引出端子を導出し、この引出端子の先端部を露
出して樹脂などの外装を施した構成からなっている。
上記バリスタを構成する前記バリスタ素体は、一般に第
6図に示すようにプレス金型31を用い、このプレス金
型31の上バンチ32.下パンチ33Iilにセラミッ
ク粉末34を挾み、前記上パンチ32と下パンチ33m
でセラミック粉末34を押圧して成形するわけであるが
、上バンチ32と下パンチ33それぞれのプレス面35
.36は平面状であるため、第7図に示ずように成形さ
れたバリスタ素体37は表裏両面が平らな、例えば円板
状からなるものとなる。
6図に示すようにプレス金型31を用い、このプレス金
型31の上バンチ32.下パンチ33Iilにセラミッ
ク粉末34を挾み、前記上パンチ32と下パンチ33m
でセラミック粉末34を押圧して成形するわけであるが
、上バンチ32と下パンチ33それぞれのプレス面35
.36は平面状であるため、第7図に示ずように成形さ
れたバリスタ素体37は表裏両面が平らな、例えば円板
状からなるものとなる。
しかして、このようにして成形されたバリスタ素体35
の成形密度はどの部分も同じであるが、焼結の際の熱収
縮過程で外周部の収縮による引張り応力が他の部分と比
較して大きいため、外周部に収縮歪みが残留する結果と
なっている。
の成形密度はどの部分も同じであるが、焼結の際の熱収
縮過程で外周部の収縮による引張り応力が他の部分と比
較して大きいため、外周部に収縮歪みが残留する結果と
なっている。
そのため、製品化され各種msに組み込んで使用する過
程でのサージ印加時、外周部にマイクロクラック(結晶
粒界がはなれる現象)が発生する問題をかかえていた。
程でのサージ印加時、外周部にマイクロクラック(結晶
粒界がはなれる現象)が発生する問題をかかえていた。
したがって、その後のサージ印加によってマイクロクラ
ンク部に放電現象をおこし、バリス夕素体を構成する酸
化物がイオン化し、抵抗値が減少しショート破壊となり
、バリスタとしての機能を喪失してしまう危険性があっ
た。
ンク部に放電現象をおこし、バリス夕素体を構成する酸
化物がイオン化し、抵抗値が減少しショート破壊となり
、バリスタとしての機能を喪失してしまう危険性があっ
た。
(発明が解決しようとする課題)
以上のように従来のバリスタは、バリスタ素体の焼結時
、外周部に収縮歪みが残留する結果、サージ印加時、マ
イクロクラックの発生によるサージ耐量の劣化となるバ
リスタとして致命的な欠点を誘発するものとなっていた
。
、外周部に収縮歪みが残留する結果、サージ印加時、マ
イクロクラックの発生によるサージ耐量の劣化となるバ
リスタとして致命的な欠点を誘発するものとなっていた
。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたちので、バリスタ
素体の焼結時における素体外周部の収縮歪みを減少させ
、サージ耐量の優れに□バリスタを提供することを目的
とするもめである。
素体の焼結時における素体外周部の収縮歪みを減少させ
、サージ耐量の優れに□バリスタを提供することを目的
とするもめである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明によるバリスタは、バリスタ素体構成として、こ
のバリスタ素体外周部を高成形密度層としたことを特徴
とするものである。
のバリスタ素体外周部を高成形密度層としたことを特徴
とするものである。
(作 用)
以上の構成からなるバリスタによれば、バリスタ素体の
外周部の成形密度が他の部分と比較して高密度化されて
いるため、焼結時この部分の収縮を小さくでき、収縮歪
みの残留を減少することが可能となる。
外周部の成形密度が他の部分と比較して高密度化されて
いるため、焼結時この部分の収縮を小さくでき、収縮歪
みの残留を減少することが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例につき説明する。
すなわち、例えば酸化亜鉛を主成分とし、これにMGO
,N io、MnO,coo、cuo。
,N io、MnO,coo、cuo。
Cab、sro、AQo、81203,5b203
、TiO2、Crz 03 、 Fe203
。
、TiO2、Crz 03 、 Fe203
。
AfI203 、 S io2. SnO2,ZrO2
などの金属酸化物を適宜添加したセラミック粉末を用い
、第1図に示すように、表裏両面の外周縁が傾斜状から
なる殺がれ部1とし、この殺がれ部1の厚み方向となる
外周部を高成形密度層2とした円板状のバリスタ素体3
#li成とし、焼結後このバリスタ素体3衷裏両面に電
極4を形成してなるものである。
などの金属酸化物を適宜添加したセラミック粉末を用い
、第1図に示すように、表裏両面の外周縁が傾斜状から
なる殺がれ部1とし、この殺がれ部1の厚み方向となる
外周部を高成形密度層2とした円板状のバリスタ素体3
#li成とし、焼結後このバリスタ素体3衷裏両面に電
極4を形成してなるものである。
なお、上記構成になる表裏両面の外周縁が傾斜状からな
る殺がれ部1の厚み方向となる外周部を高成形!t11
!2としたバリスタ素体3形成手段としては、第2図に
示すように成形プレス金型5を構成する上バンチ6及び
下バンチそれぞれのプレス面8.9の外周縁を内面から
傾斜した突起状10.11としたものを用い、セラミッ
ク粉末12を前記プレス面8,9で押圧するものである
。
る殺がれ部1の厚み方向となる外周部を高成形!t11
!2としたバリスタ素体3形成手段としては、第2図に
示すように成形プレス金型5を構成する上バンチ6及び
下バンチそれぞれのプレス面8.9の外周縁を内面から
傾斜した突起状10.11としたものを用い、セラミッ
ク粉末12を前記プレス面8,9で押圧するものである
。
しかして、上記構成になるバリスタ素体3は電極4部よ
り引出端子を引出し、単板構造として使用するか、又は
必要に応じ複数個積み重ねて使用する。
り引出端子を引出し、単板構造として使用するか、又は
必要に応じ複数個積み重ねて使用する。
以上のようなバリスタ素体3構成を有するバリスタによ
れば、バリスタ索体3の外周部を高成形密度172とし
ているため、焼結時の熱収縮による引張り応力による外
周部の歪み残留を大幅に減らすことができる。
れば、バリスタ索体3の外周部を高成形密度172とし
ているため、焼結時の熱収縮による引張り応力による外
周部の歪み残留を大幅に減らすことができる。
したがって、使用中のサージ印加時、外周部のマイクロ
クラックの発生を防止できる。
クラックの発生を防止できる。
よって、バリスタにおけるサージ耐i特性が大幅に向上
できる。
できる。
次に、ff11図に示すバリスタ索体構成からなる本発
明(A)と第7図に示すバリスタ索体構成からなる従来
例(B)におけるサージ耐量の比較について述べる。
明(A)と第7図に示すバリスタ索体構成からなる従来
例(B)におけるサージ耐量の比較について述べる。
すなわち、本発明(A)及び従来例(B)とも酸化伸鉛
を主成分とするもので、直径20 m 。
を主成分とするもので、直径20 m 。
厚さ1Mのバリスタ素体で、電極は銀電極で、′I5極
にリード線を取着後エポキシ樹脂外装を施したものを試
料とし、周波数8×20μsecで5000A〜100
00Aのサージをそれぞれ5回印加したときの印加サー
ジ恒に対するバリスフ破壊状況を調べた結果、下表のと
おりであった。 なお、試料は各10個である。
にリード線を取着後エポキシ樹脂外装を施したものを試
料とし、周波数8×20μsecで5000A〜100
00Aのサージをそれぞれ5回印加したときの印加サー
ジ恒に対するバリスフ破壊状況を調べた結果、下表のと
おりであった。 なお、試料は各10個である。
表
上表から明らかなように、従来例(B)はサジ印加ff
lが7000AT−3個、8000Ar811811ざ
らに9000Aで全数が破壊してしまうのに対し、本発
明(A)Ltl 0000A’T”4個の破壊に止まり
、大幅なサージ耐量特性の向上を実証した。
lが7000AT−3個、8000Ar811811ざ
らに9000Aで全数が破壊してしまうのに対し、本発
明(A)Ltl 0000A’T”4個の破壊に止まり
、大幅なサージ耐量特性の向上を実証した。
なお、上記実施例では、バリスタ素体3外周部の高成形
密度層2構成として、バリスタ索体3衷裏両面の外周縁
が傾斜状からなる殺がれ部1としたものを例示して説明
したが、第3図に示すような二重成形プレス金型13を
用い、上パンチ14及び下バンチ15の内側パンチ16
17でレラミック粉末18を一旦押圧した後、第4図に
示すように上パンチ14及び下パンチ15の外側パンチ
19.20のプレス面21゜22を前記内側パンチ16
.17それぞれのプレス面23.24まで押圧するよう
にし、第5図に示すように、表実両面が平らな外周部を
高成形密度層25とした円板状のバリスタ素体26構成
としたものでも同効である。図中27は電極である。
密度層2構成として、バリスタ索体3衷裏両面の外周縁
が傾斜状からなる殺がれ部1としたものを例示して説明
したが、第3図に示すような二重成形プレス金型13を
用い、上パンチ14及び下バンチ15の内側パンチ16
17でレラミック粉末18を一旦押圧した後、第4図に
示すように上パンチ14及び下パンチ15の外側パンチ
19.20のプレス面21゜22を前記内側パンチ16
.17それぞれのプレス面23.24まで押圧するよう
にし、第5図に示すように、表実両面が平らな外周部を
高成形密度層25とした円板状のバリスタ素体26構成
としたものでも同効である。図中27は電極である。
また、上記実施例では円板状のバリスタ素体を例示して
説明したが、角板状のバリスタ素体に適用しても同効で
ある。
説明したが、角板状のバリスタ素体に適用しても同効で
ある。
さらに、上記実施例では組成として酸化亜鉛を主成分と
したものを例示したが、例えばチタン酸ストロンチウム
、チタン酸バリウム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分と
したものに適用できることはもちろんである。
したものを例示したが、例えばチタン酸ストロンチウム
、チタン酸バリウム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分と
したものに適用できることはもちろんである。
[発明の効果]
本発明によれば、バリスタ素体外周部の収縮歪みのPU
留が少なくサージ耐量特性を大幅に向上できる実用的価
値の高いバリスタを得ることができる。
留が少なくサージ耐量特性を大幅に向上できる実用的価
値の高いバリスタを得ることができる。
第1図及び第2図は本発明の一実施例に係り、第1図は
バリスタ素体を示す正面図、第2図は第1図に示すバリ
スタ素体の成形手段を示す説明図、第3図〜第5図は本
発明の他の実施例に係り、第3図及び第4図はバリスタ
素体の成形手段を示す説明図、第5図はバリスタ素体を
示す正面図、第6図及び第7図は従来例に係り、第6図
はバリスタ索体の成形手段を示ず説明図、第7図はバリ
スタ素体を示す1F面図である。 2・・・高成形密度層 3・・・バリスタ索体 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 第 図 第 図
バリスタ素体を示す正面図、第2図は第1図に示すバリ
スタ素体の成形手段を示す説明図、第3図〜第5図は本
発明の他の実施例に係り、第3図及び第4図はバリスタ
素体の成形手段を示す説明図、第5図はバリスタ素体を
示す正面図、第6図及び第7図は従来例に係り、第6図
はバリスタ索体の成形手段を示ず説明図、第7図はバリ
スタ素体を示す1F面図である。 2・・・高成形密度層 3・・・バリスタ索体 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 第 図 第 図
Claims (1)
- 外周部を高成形密度層としたバリスタ素体を用いたこ
とを特徴とするバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63138115A JPH02125401A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63138115A JPH02125401A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125401A true JPH02125401A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=15214310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63138115A Pending JPH02125401A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125401A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141702A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP63138115A patent/JPH02125401A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141702A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0133080B1 (ko) | 비직선 저항체 및 그의 제조방법 | |
| KR940005542B1 (ko) | 세라믹 조성물 및 이를 이용한 전자부품 | |
| JPH1070012A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| US5350551A (en) | Method of firing ceramic moldings containing a diffusible metallic oxide | |
| JPH02125401A (ja) | バリスタ | |
| JP2560891B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2985527B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JP2536128B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JP2864731B2 (ja) | 正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH0551264A (ja) | 板状セラミツクの製造方法 | |
| JPS5832764B2 (ja) | 電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JP2666401B2 (ja) | 還元再酸化型半導体磁器素子の製造方法 | |
| JP3240689B2 (ja) | 積層型半導体磁器組成物 | |
| JP3223462B2 (ja) | 還元再酸化型バリスタの製造方法 | |
| JPS6130001A (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JPH06181101A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 | |
| JPS6077402A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPH10289807A (ja) | 機能性セラミックス素子 | |
| JPH04299803A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH02158004A (ja) | 環元再酸化型半導体磁器素子の製造方法 | |
| JPH05144606A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH02116665A (ja) | 還元再酸化型半導体磁器素子の製造方法 | |
| JPS5914602A (ja) | 電圧非直線抵抗器とその製造方法 | |
| DE19860000A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Keramik und Anwendung des Verfahrens | |
| JPH0374005B2 (ja) |