JPH02125647A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH02125647A JPH02125647A JP63279735A JP27973588A JPH02125647A JP H02125647 A JPH02125647 A JP H02125647A JP 63279735 A JP63279735 A JP 63279735A JP 27973588 A JP27973588 A JP 27973588A JP H02125647 A JPH02125647 A JP H02125647A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flip chip
- board
- gap
- solder
- flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、混成集積回路の製造方法に関し、特にフリッ
プチップを搭載した基板とクリップ端子とをレーザー照
射により半田付けする混成集積回路の製造方法に関する
。
プチップを搭載した基板とクリップ端子とをレーザー照
射により半田付けする混成集積回路の製造方法に関する
。
従来、混成集積回路基板にリード端子を接続する場合、
以下の様に行っていた。先ず、基板上に各種部品を搭載
し、配線接続を行なう、また、ペアペレットは樹脂によ
り保護する。次にクリップ端子で基板を挟み、溶融した
半田槽に浸す（半田デイツプ法）か又は半田ペーストを
端子に塗布加熱して溶融する（リフロー法）方法で端子
接続を行っている。リフロー法には、赤外線リフロー炉
、気相法等の素子全体を加熱する一括加熱法と、レーザ
ー法、光ビーム法、ホットラム法、熱風等の素子の一部
を加熱する部分加熱法がある。
以下の様に行っていた。先ず、基板上に各種部品を搭載
し、配線接続を行なう、また、ペアペレットは樹脂によ
り保護する。次にクリップ端子で基板を挟み、溶融した
半田槽に浸す（半田デイツプ法）か又は半田ペーストを
端子に塗布加熱して溶融する（リフロー法）方法で端子
接続を行っている。リフロー法には、赤外線リフロー炉
、気相法等の素子全体を加熱する一括加熱法と、レーザ
ー法、光ビーム法、ホットラム法、熱風等の素子の一部
を加熱する部分加熱法がある。
半田デイツプ法、リフロー法（−括加熱法１部分加熱法
）の各方法のうち半田デイツプ法は、基板や部品への熱
ストレスが大きいのでリフロ一方法への置き換えが進ん
でいる。またリフロー法の中でも高密度実装型の製品で
は、必要部分のみを加熱する部分加熱法が注目を集めて
いる。レーザー加熱法はこの中で加熱面積が小さいこと
、及び加熱時間が短いことが特徴であり、ペアペレット
を搭載した高密度実装型基板への適用が進められている
。特に、半田バンプを有するフリップチップを搭載した
基板に端子を接続する場合、端子部分のみを局所的に加
熱する必要がある。
）の各方法のうち半田デイツプ法は、基板や部品への熱
ストレスが大きいのでリフロ一方法への置き換えが進ん
でいる。またリフロー法の中でも高密度実装型の製品で
は、必要部分のみを加熱する部分加熱法が注目を集めて
いる。レーザー加熱法はこの中で加熱面積が小さいこと
、及び加熱時間が短いことが特徴であり、ペアペレット
を搭載した高密度実装型基板への適用が進められている
。特に、半田バンプを有するフリップチップを搭載した
基板に端子を接続する場合、端子部分のみを局所的に加
熱する必要がある。
ところで、上述した従来のレーザ半田付法は、以下の様
な欠点を有する。半田ペーストに照射されたレーザー光
は半田を溶融するとともにフラックスを突沸させるので
半田ボール及びフラックスを飛散させる。このために基
板上に飛散したフラックスや半田ボールを有機溶剤に浸
漬し、超音波を印加する等して除去する必要がある。と
ころでフリップチップを搭載した基板は、フリップチッ
プとの間に半田バンプの高さとほぼ同じ数１０ ／ｌ
ｍ〜１００μｍ前後の間隙を有する。レーザー照射によ
り飛散して半田ボールは、この間隙に突入し、隣接する
半田バンプを短絡させることがあった。レーザー半田付
は前に、フリップチップ自身を樹脂により被覆する方法
があるが、フリップチップとクリップ端子の間隔が狭い
場合、クリップ端子を露出させたままフリップチップの
みを被覆することは困難となる。従って、フリップチッ
プの特徴を生かした高密度実装素子を製造する場合、被
覆されないフリップチップの搭載された基板の端子ず田
付けを行った後、素子全体の被覆を行なう必要がある。
な欠点を有する。半田ペーストに照射されたレーザー光
は半田を溶融するとともにフラックスを突沸させるので
半田ボール及びフラックスを飛散させる。このために基
板上に飛散したフラックスや半田ボールを有機溶剤に浸
漬し、超音波を印加する等して除去する必要がある。と
ころでフリップチップを搭載した基板は、フリップチッ
プとの間に半田バンプの高さとほぼ同じ数１０ ／ｌ
ｍ〜１００μｍ前後の間隙を有する。レーザー照射によ
り飛散して半田ボールは、この間隙に突入し、隣接する
半田バンプを短絡させることがあった。レーザー半田付
は前に、フリップチップ自身を樹脂により被覆する方法
があるが、フリップチップとクリップ端子の間隔が狭い
場合、クリップ端子を露出させたままフリップチップの
みを被覆することは困難となる。従って、フリップチッ
プの特徴を生かした高密度実装素子を製造する場合、被
覆されないフリップチップの搭載された基板の端子ず田
付けを行った後、素子全体の被覆を行なう必要がある。
本発明は、フリップチップを搭載した基板１−に、クリ
ップ端子を装着し半田ペーストを塗布してレーザー光に
より半田付けする混成集積回路の製造方法において、前
記半田ペーストをクリップ端子に塗布する工程と、前記
フリップチップと前記基板との間隙を有機溶剤で溶解す
る物質で遮へいする工程と、前記半田ペーストのフラッ
クス及び前記基板とフリップチップとの間隙を遮へいす
る物質を一括して除去する工程とを含むことを特６７と
する。
ップ端子を装着し半田ペーストを塗布してレーザー光に
より半田付けする混成集積回路の製造方法において、前
記半田ペーストをクリップ端子に塗布する工程と、前記
フリップチップと前記基板との間隙を有機溶剤で溶解す
る物質で遮へいする工程と、前記半田ペーストのフラッ
クス及び前記基板とフリップチップとの間隙を遮へいす
る物質を一括して除去する工程とを含むことを特６７と
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明の第１の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。第１図（ａ）に示すように、回路基板１上にフリッ
プチップ２を搭載する。次に第１図（ｂ）のようにクリ
ップ端子５を挿入して、高粘度に調整したロジン系フラ
ックス４を広がりを考慮して基板上に数点塗布した。フ
ラックス４は基板上に広がり表面張力で基板とフリップ
チップ２の間隙を遮へいした。これを】００°Ｃで予備
乾燥して、第１図（Ｃ）のようにクリップ端子５上にデ
イスペンサーで半田ペースト６を塗布した。そして、半
田ペースト６にＹＡＧレーザー光を照射する。半田ペー
ストは溶解して各クリップ端子に引き寄せられるととも
に、大量のフラックスと半田ボールを飛散させるが、あ
らかじめ塗布されたフラックスによってフリップチップ
２の間隙は遮へいされており、フリップチップ２に半田
ボールが衝突したり、間隙に突入することが無い。これ
を基板ごと有機溶剤に浸漬してフラックスや半田ボール
を除去する。そして第１図（ｄ ）のようにフリップチ
ップ２を被覆用樹脂８で被覆した後、外装樹脂９で全体
を被覆すると混成集積回路が得られる。
は、本発明の第１の実施例の製造工程を示す断面図であ
る。第１図（ａ）に示すように、回路基板１上にフリッ
プチップ２を搭載する。次に第１図（ｂ）のようにクリ
ップ端子５を挿入して、高粘度に調整したロジン系フラ
ックス４を広がりを考慮して基板上に数点塗布した。フ
ラックス４は基板上に広がり表面張力で基板とフリップ
チップ２の間隙を遮へいした。これを】００°Ｃで予備
乾燥して、第１図（Ｃ）のようにクリップ端子５上にデ
イスペンサーで半田ペースト６を塗布した。そして、半
田ペースト６にＹＡＧレーザー光を照射する。半田ペー
ストは溶解して各クリップ端子に引き寄せられるととも
に、大量のフラックスと半田ボールを飛散させるが、あ
らかじめ塗布されたフラックスによってフリップチップ
２の間隙は遮へいされており、フリップチップ２に半田
ボールが衝突したり、間隙に突入することが無い。これ
を基板ごと有機溶剤に浸漬してフラックスや半田ボール
を除去する。そして第１図（ｄ ）のようにフリップチ
ップ２を被覆用樹脂８で被覆した後、外装樹脂９で全体
を被覆すると混成集積回路が得られる。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の製造工
程の一部を示す断面図である。本実施例では、間隙の遮
へい用物質としてクリップ端−看に塗布する半田ペース
トを使用した。第２［４（ａ）、（ｂ）に示すように基
板１にクリップ端子５を挿入して、クリップ端子５及び
基板１と一２リップチップ２との間隙部に半田ペースト
６を＜・ノτ布した。それから、ＹＡＧレーザー光でク
リップ端子５の半田付けを行ない、有機溶剤でフラック
スと半田ペーストの除去を行った。そして第１の実施例
と同様に樹脂被覆を行ってフリップチップを搭載した混
成集積回路を得た。
程の一部を示す断面図である。本実施例では、間隙の遮
へい用物質としてクリップ端−看に塗布する半田ペース
トを使用した。第２［４（ａ）、（ｂ）に示すように基
板１にクリップ端子５を挿入して、クリップ端子５及び
基板１と一２リップチップ２との間隙部に半田ペースト
６を＜・ノτ布した。それから、ＹＡＧレーザー光でク
リップ端子５の半田付けを行ない、有機溶剤でフラック
スと半田ペーストの除去を行った。そして第１の実施例
と同様に樹脂被覆を行ってフリップチップを搭載した混
成集積回路を得た。
この実施例では、半田付は用に半田ペーストをそのまま
用いたが、遮へい用に塗布する量が多くなる場合や塗布
時間が長くなる場合は、コスト的に不利となるので、こ
の方法は部分的な遮へいに使用する場合に適している。
用いたが、遮へい用に塗布する量が多くなる場合や塗布
時間が長くなる場合は、コスト的に不利となるので、こ
の方法は部分的な遮へいに使用する場合に適している。
本発明によれば、半田ボールがフリップチップと基板と
の間隙に突入することが無く、更に間隙に半田ボールが
突入しない用に遮へいする物質を半田ベーストのフラッ
クスと同時に除去できるので、製造歩留りが上がり、安
価なフリップチップを搭載した混成集積回路を実現でき
る効果がある。
の間隙に突入することが無く、更に間隙に半田ボールが
突入しない用に遮へいする物質を半田ベーストのフラッ
クスと同時に除去できるので、製造歩留りが上がり、安
価なフリップチップを搭載した混成集積回路を実現でき
る効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例の製造
工程を示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）は本発明の第２
の実施例の製造工程の一部を示す断面図である。 １・・・基板、２・・フリップチップ、３・・・半田バ
ンプ、４・・・フラックス、５・・・クリップ端子、６
・・・半田ペースト、７・・・半田、８・・・フリップ
チップ被覆あ 山
工程を示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）は本発明の第２
の実施例の製造工程の一部を示す断面図である。 １・・・基板、２・・フリップチップ、３・・・半田バ
ンプ、４・・・フラックス、５・・・クリップ端子、６
・・・半田ペースト、７・・・半田、８・・・フリップ
チップ被覆あ 山
Claims (1)
- フリップチップを搭載した基板上に、クリップ端子を
装着し半田ペーストを塗布してレーザー光により半田付
けする混成集積回路の製造方法において、前記半田ペー
ストをクリップ端子に塗布する工程と、前記フリップチ
ップと前記基板との間隙を有機溶剤で溶解する物質で遮
へいする工程と、前記半田ペーストのフラックス及び前
記基板とフリップチップとの間隙を遮へいする物質を一
括して除去する工程とを含むことを特徴とする混成集積
回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279735A JPH02125647A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279735A JPH02125647A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125647A true JPH02125647A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17615161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63279735A Pending JPH02125647A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125647A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04122097A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 電子機器の製造方法 |
| JPH10256713A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Samsung Electron Co Ltd | Ｉｃパッケージの実装方法 |
| JP2018163998A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 横河電機株式会社 | 防爆部品実装基板 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63279735A patent/JPH02125647A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04122097A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 電子機器の製造方法 |
| JPH10256713A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Samsung Electron Co Ltd | Ｉｃパッケージの実装方法 |
| JP2018163998A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 横河電機株式会社 | 防爆部品実装基板 |
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