JPH0212621Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は感磁半導体を用いた磁気センサ装置に
関する。

従来、磁気抵抗素子を用いた磁気センサは、第
１図に示すように、永久磁石１の一方の磁極、例
えばＮ極面に、共通の磁性基盤２上に感磁本体
２，３を形成した磁気抵抗素子を貼着して構成さ
れる。通常、磁気抵抗素子は基盤２上に貼着した
InSb等のウエハをエツチングして形成する。こ
のように構成した磁気センサは、保護或は取付の
ため図示しない筐体に収納して使用される。第２
図のように、感磁本体３，４は直列に接続され、
定電圧直流電源７から電力の供給を受け、また両
感磁本体の間に出力端子８が設けられる。磁気セ
ンサは磁性体或は磁性インキ等で印刷された印刷
物等の被検出体を検出する。即ち、第３図に示す
ように、被検出体５が矢印６の方向へ移動して感
磁本体４に接近したとき感磁本体４の抵抗値が感
磁本体３より大きくなり、これらの抵抗分割によ
り検出出力が得られる。

この場合、磁石１から発生する磁束は被検出体
５を通る傾向となるため、感磁本体４を通る磁束
φ₂数が増加するのみならず感磁本体３を通る磁
束φ₁の数も増大することになる。これは、出力
感度向上の妨げとなる欠点となるものであつた。

本考案は上述の欠点を解決せんとするもので、
一対の感磁本体の間の磁性基盤に溝を設け出力感
度を向上させた磁気センサ装置を提供するもので
ある。

以下本考案の実施例を添付第４図を参照して詳
細に説明する。図において、例えば厚さ250〜
300μmの磁性基盤、例えばフエライト基盤９上に
感磁本体３，４が形成されて磁気抵抗素子を構成
する。感磁本体３，４は従来同様InSbやInAs等
のウエハをエツチングして形成してもよく、或は
これらの材料をスパツタリング等の手段を用いて
形成しても良い。また基盤９は300μmより厚くて
も良い。一対の感磁本体３，４を支持する基盤９
には、２つの感磁本体３，４を２分する如く溝１
０を形成する。この溝１０は基盤９の厚味の1/3
から2/3の深さにして実験的に良い結果が得られ
ている。また溝１０は基盤９に感磁本体３，４を
形成した後、例えばダイシングで切ることによつ
て形成される。溝１０の幅は検出対象となる被検
出体６によつて、例えば歯車の歯を検出する場合
と印刷物を検出する場合とで異なつたものとな
る。磁性基盤９は永久磁石１の磁極面、例えばＮ
極に接着剤で固定される。この場合、磁性基盤９
は他の磁性体片を介して固定することもできる。

上記構成の装置に対して被検出体５が矢印６の
方向に移動して感磁本体４に近接すると、磁石１
から発生する磁束φ₂，φ₄は第４図に示すように
感磁本体３と４に分離された形態となる。即ち、
溝１０を形成した部分とその他の部分では空間磁
路の磁気抵抗が異なるため被検出体５が感磁本体
４に接近すると溝１０を境にして感磁本体４に磁
束φ₄の集中が起り、一方感磁本体３を通る磁束
φ₃の増加は極く僅かなものとなる。従つて、感
磁本体４の抵抗値は大きく変化する反面、感磁本
体３の抵抗値は極く僅かな増加にとどまり、第２
図に示す出力端子８に現われる出力は感度の大き
なものとなる。

被検出体５が矢印６の方向に移動して溝１０の
上方に位置したときは、両感磁本体３，４には等
しい数の磁束が通り、更に移動して感磁本体３の
上方に位置したときは、上述とは逆に感磁本体３
に磁束φ₃の集中が起り、大きな抵抗値変化とな
る。一方感磁本体４の抵抗値増加は極く僅かに留
り、被検出体５が感磁本体４から離れるにつれて
顕著になる。

本考案装置は上述のような構成であるから、感
磁本体を通る磁束の集中効果を高め、出力感度を
向上させると共に、一対の感磁本体を通る磁束の
切換えが鋭くなつて出力波形が鋭利化する効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気センサの概略構成図、第２
図は従来の磁気センサで被検出体を検出する場合
の磁束の態様を示す説明図、第３図は感磁本体の
接続回路図、第４図は本考案磁気センサ装置の概
略構成図を示す。 図中の１は永久磁石、２，９は磁性基盤、３，
４は感磁本体、５は被検出体、１０は溝である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 一対の感磁本体と、該本体を支持する共通の磁
   性基盤とからなる磁気抵抗素子を備え、前記基盤
   を一方の磁極面に固定する永久磁石とを具備する
   磁気センサ装置において、前記一対の感磁本体を
   ２分する如く前記感磁本体の間の前記磁性基盤に
   溝を設けたことを特徴とする磁気センサ装置。