JPH03183976A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH03183976A JPH03183976A JP1324310A JP32431089A JPH03183976A JP H03183976 A JPH03183976 A JP H03183976A JP 1324310 A JP1324310 A JP 1324310A JP 32431089 A JP32431089 A JP 32431089A JP H03183976 A JPH03183976 A JP H03183976A
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- Japan
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- sensitivity
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- magnetic sensor
- silicon substrate
- sensor
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Links
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Landscapes
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はモータ等の位置検出や回転速度制御等に用い
られる磁気センサに関する。
られる磁気センサに関する。
「従来の技術」
従来の磁気センサの内、強磁性金属の磁気抵抗効果を利
用したものは、ガラス基板上に真空蒸着等によってニッ
ケルー鉄（Ｎ ｉ −Ｆ ｅ）やコバルト鉄（Ｃｏ−Ｆ
ｅ）等の強磁性金属の合金薄膜を形成した後、フォトリ
ゾグラフィ・プロセス等によって所定のパターンを形成
して作製していた。
用したものは、ガラス基板上に真空蒸着等によってニッ
ケルー鉄（Ｎ ｉ −Ｆ ｅ）やコバルト鉄（Ｃｏ−Ｆ
ｅ）等の強磁性金属の合金薄膜を形成した後、フォトリ
ゾグラフィ・プロセス等によって所定のパターンを形成
して作製していた。
「発明が解決しようとする課題−１
ところで、上述した従来の磁気センサにおいては、感度
の温度特性が悪く（約−４，０００ｐｐｍ／℃）、周囲
の温度が上昇するにつれて磁気センサとしての感度が低
下するという欠点があった。
の温度特性が悪く（約−４，０００ｐｐｍ／℃）、周囲
の温度が上昇するにつれて磁気センサとしての感度が低
下するという欠点があった。
従って、温度変化の大きい場所でのモータ等の位置検出
や回転速度制御等が正確に行えないという問題があった
。
や回転速度制御等が正確に行えないという問題があった
。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、感度
の温度特性が上く、周囲の温度が上昇しても感度が低下
しない磁気センサを提供することを目的としている。
の温度特性が上く、周囲の温度が上昇しても感度が低下
しない磁気センサを提供することを目的としている。
「課題を解決するための手段」
この発明による磁気センサは、シリコン基板上に強磁性
合金薄膜によって構成される磁気抵抗効果素子を形成す
ると共に、前記シリコン基板上に前記磁気抵抗効果素子
に一定電流を供給する定電流回路を形成することを特徴
としている。
合金薄膜によって構成される磁気抵抗効果素子を形成す
ると共に、前記シリコン基板上に前記磁気抵抗効果素子
に一定電流を供給する定電流回路を形成することを特徴
としている。
「作用」
この発明によれば、周囲温度が変化しても、磁気抵抗効
果素子には一定電流が流れているので、この磁気センサ
の感度の温度特性はよく、感度が悪くなることはない。
果素子には一定電流が流れているので、この磁気センサ
の感度の温度特性はよく、感度が悪くなることはない。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第１図はこの発明の一実施例による磁気センサの
構成を示す斜視図、第２図は第１図の回路図であり、こ
れらの図において、ｌは液体カプセル結晶引き」二げ法
や水平ブリッジマン法等によって作製されたシリコン（
Ｓ ｉ）・バルク単結晶から切り出されたシリコン基板
、２および３はそれぞれニッケルー鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）あ
るいはコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）等の強磁性合金薄膜
の磁気抵抗効果素子であり、シリコン基板ｌ上に真空蒸
着等によって形成され、フォトリゾグラフィ・プロセス
等によって所定のパターンに形成されている。
する。第１図はこの発明の一実施例による磁気センサの
構成を示す斜視図、第２図は第１図の回路図であり、こ
れらの図において、ｌは液体カプセル結晶引き」二げ法
や水平ブリッジマン法等によって作製されたシリコン（
Ｓ ｉ）・バルク単結晶から切り出されたシリコン基板
、２および３はそれぞれニッケルー鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）あ
るいはコバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ）等の強磁性合金薄膜
の磁気抵抗効果素子であり、シリコン基板ｌ上に真空蒸
着等によって形成され、フォトリゾグラフィ・プロセス
等によって所定のパターンに形成されている。
また、４はシリコン基板１上に不純物拡散法等およびフ
ォトリゾグラフィ・プロセス等によって形成された定電
流回路であり、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）５およ
び抵抗６等から構成されている。７は電源電圧ＶＤＤが
印加される電源端子、８は出力端子、９は接地端子、１
０〜１３は各回路要素２〜４および端子７〜９を電気的
に接続する導体パターンである。
ォトリゾグラフィ・プロセス等によって形成された定電
流回路であり、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）５およ
び抵抗６等から構成されている。７は電源電圧ＶＤＤが
印加される電源端子、８は出力端子、９は接地端子、１
０〜１３は各回路要素２〜４および端子７〜９を電気的
に接続する導体パターンである。
このような構成において、まず、この磁気センサをモー
タ等に取り付け、電源端子７と接地端子９との間に電源
電圧Ｖｎｏを印加して、磁気抵抗効果素子２および３に
一定電流ｆｃを流す。
タ等に取り付け、電源端子７と接地端子９との間に電源
電圧Ｖｎｏを印加して、磁気抵抗効果素子２および３に
一定電流ｆｃを流す。
これにより、モータ等が回転して磁気抵抗効果素子２お
よび３に磁化を飽和させるのに十分な磁界がシリコン基
板Ｉの面内に作用すると、出力端子８と接地端子９との
間には、電流と磁化のなす角度θ、即ち、磁界方向によ
って変化する電圧Ｖ（θ）が発生する。
よび３に磁化を飽和させるのに十分な磁界がシリコン基
板Ｉの面内に作用すると、出力端子８と接地端子９との
間には、電流と磁化のなす角度θ、即ち、磁界方向によ
って変化する電圧Ｖ（θ）が発生する。
このような状態において、この磁気センサの周囲温度が
変化しても、磁気抵抗効果素子２および３には一定電流
ｉＣが流れているので、この磁気センサの感度の温度特
性はよく、感度が悪くなることはない。
変化しても、磁気抵抗効果素子２および３には一定電流
ｉＣが流れているので、この磁気センサの感度の温度特
性はよく、感度が悪くなることはない。
以上説明したように、磁気抵抗効果素子をシリコン基板
」二に形成し、同一基板上に定電流回路を形成して磁気
抵抗効果素子に一定電流を流すようにたので、感度の温
度特性がよくなり（−５００ｐｐｍ ／ ℃）、周囲温
度の上昇によって引き起こされる磁気センサの感度の低
下を押さえることができる。
」二に形成し、同一基板上に定電流回路を形成して磁気
抵抗効果素子に一定電流を流すようにたので、感度の温
度特性がよくなり（−５００ｐｐｍ ／ ℃）、周囲温
度の上昇によって引き起こされる磁気センサの感度の低
下を押さえることができる。
ここで、第３図にこの発明の一実施例による磁気センサ
と従来の磁気センサそれぞれの感度の温度特性を示す。
と従来の磁気センサそれぞれの感度の温度特性を示す。
この図において、曲線ａは、この発明の一実施例による
磁気センサの感度の温度特性、曲線すは、従来の磁気セ
ンサの感度の温度特性である。この図かられかるように
、従来の磁気センサに比べて温度特性が格段に改善され
ている。
磁気センサの感度の温度特性、曲線すは、従来の磁気セ
ンサの感度の温度特性である。この図かられかるように
、従来の磁気センサに比べて温度特性が格段に改善され
ている。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、シリコン基板
」二に強磁性合金薄膜によって構成される磁気抵抗効果
素子を形成すると共に、前記シリコン基板上に前記磁気
抵抗効果素子に一定電流を供給する定電流回路を形成し
たので、感度の温度特性がよいという効果がある。
」二に強磁性合金薄膜によって構成される磁気抵抗効果
素子を形成すると共に、前記シリコン基板上に前記磁気
抵抗効果素子に一定電流を供給する定電流回路を形成し
たので、感度の温度特性がよいという効果がある。
これにより、周囲の温度が上昇しても感度が低下しない
という効果がある。
という効果がある。
従って、モータ等の位置検出や回転速度制御等が正確に
行えるという効果がある。
行えるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による磁気センサの構成を
示す斜視図、第２図は第１図の回路図、第３図はこの発
明の一実施例による磁気センサと従来の磁気センサそれ
ぞれの感度の温度性外を示す図である。 ！・・・・・・シリコン基板、２．３・・・・・・磁気
抵抗効果素子、４・・・・・定電流回路、５・・・・Ｆ
ＥＴ１６・・・・・・抵抗。
示す斜視図、第２図は第１図の回路図、第３図はこの発
明の一実施例による磁気センサと従来の磁気センサそれ
ぞれの感度の温度性外を示す図である。 ！・・・・・・シリコン基板、２．３・・・・・・磁気
抵抗効果素子、４・・・・・定電流回路、５・・・・Ｆ
ＥＴ１６・・・・・・抵抗。
Claims (1)
- シリコン基板上に強磁性合金薄膜によって構成される磁
気抵抗効果素子を形成すると共に、前記シリコン基板上
に前記磁気抵抗効果素子に一定電流を供給する定電流回
路を形成することを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324310A JPH03183976A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324310A JPH03183976A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183976A true JPH03183976A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18164376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1324310A Pending JPH03183976A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107346A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体検出器 |
| JP2002189068A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-05 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体検出器 |
| EP2224587A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-01 | Hitachi, Ltd. | Induced voltage detector circuit, motor drive semiconductor device having the same, motor and air conditioner |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1324310A patent/JPH03183976A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107346A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体検出器 |
| JP2002189068A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-05 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体検出器 |
| EP2224587A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-01 | Hitachi, Ltd. | Induced voltage detector circuit, motor drive semiconductor device having the same, motor and air conditioner |
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