JPH02126591A - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH02126591A JPH02126591A JP63277370A JP27737088A JPH02126591A JP H02126591 A JPH02126591 A JP H02126591A JP 63277370 A JP63277370 A JP 63277370A JP 27737088 A JP27737088 A JP 27737088A JP H02126591 A JPH02126591 A JP H02126591A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は薄膜ＥＬ（本明細言においてはエレクト１コ
ルミネンセンスをＥＬと記す）素子およびその製造方法
に関し、特に複数の色に発光するマルチカラーＥＬ素子
に好適な薄膜ＥＬ素子およびその製造方法に関する。
ルミネンセンスをＥＬと記す）素子およびその製造方法
に関し、特に複数の色に発光するマルチカラーＥＬ素子
に好適な薄膜ＥＬ素子およびその製造方法に関する。
（従来技術）
従来の複数色の薄膜ＥＬ素子は第２図（ａ）〜（ｃ）に
示す如きプロセスにより製造されていた。
示す如きプロセスにより製造されていた。
すなわち、基Ｆｊ、１上に透明電極層２を形成し、透明
型１Ｍ２上に第１の誘電体Ｎ３を形成する。第１の誘電
体層３上に第１の蛍光体層４（ａ）を形成し、第１の蛍
光体ｉ ４ （ａ）上にフォトレジスト１０によりパタ
ーンニングし、第１の蛍、光体層４（ａ）をケミカルエ
ツチングする（第２図（ａ））。その後にレジストパタ
ーンを残したまま第２の蛍光体層４（ｂ）を形成し、レ
ジストを洗い流す（リフト・オフ方式）（第２図（ｂ）
）。第３の蛍光体層４（ｃ） も同様にして複数の蛍光
体層４ （ａ） 、４ （ｂ）、４（ｃ）を同一平面に
形成して、蛍光体層のうえに第２の誘電体層５を形成し
、第２の誘電体層５上に背面電極６を形成している（第
２図（ｃ））。
型１Ｍ２上に第１の誘電体Ｎ３を形成する。第１の誘電
体層３上に第１の蛍光体層４（ａ）を形成し、第１の蛍
光体ｉ ４ （ａ）上にフォトレジスト１０によりパタ
ーンニングし、第１の蛍、光体層４（ａ）をケミカルエ
ツチングする（第２図（ａ））。その後にレジストパタ
ーンを残したまま第２の蛍光体層４（ｂ）を形成し、レ
ジストを洗い流す（リフト・オフ方式）（第２図（ｂ）
）。第３の蛍光体層４（ｃ） も同様にして複数の蛍光
体層４ （ａ） 、４ （ｂ）、４（ｃ）を同一平面に
形成して、蛍光体層のうえに第２の誘電体層５を形成し
、第２の誘電体層５上に背面電極６を形成している（第
２図（ｃ））。
（発明が解決しようとする課題）
上記したような従来の薄膜ＥＬ素子では、第１の蛍光体
層は蛍光体層の種類をｎとすれば（ｎ−１）回しジスト
バクーンの形成、エツチングをしなければならず、パタ
ーン形成時の水洗や、ケミカルエツチングによるエツチ
ング液やその水洗等により蛍光体が水に晒され蛍光体の
劣化、剥ゐ［を引起こす問題点があった。
層は蛍光体層の種類をｎとすれば（ｎ−１）回しジスト
バクーンの形成、エツチングをしなければならず、パタ
ーン形成時の水洗や、ケミカルエツチングによるエツチ
ング液やその水洗等により蛍光体が水に晒され蛍光体の
劣化、剥ゐ［を引起こす問題点があった。
この発明は蛍光体の劣化、剥離を引き起こさないマルチ
カラーの薄膜ＥＬ素子を提供することを目的とする。
カラーの薄膜ＥＬ素子を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
第１請求項の発明は、複数の発光色の異なる蛍光体層を
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明電導体からなるＨｍであるマルチカラー薄膜ＥＬ素子
において、第１の誘電体層上の平面内に所望のパターン
に配置された複数の蛍光体層を第３の誘電体層に埋設し
たことを特徴とするものである。
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明電導体からなるＨｍであるマルチカラー薄膜ＥＬ素子
において、第１の誘電体層上の平面内に所望のパターン
に配置された複数の蛍光体層を第３の誘電体層に埋設し
たことを特徴とするものである。
第２請求項の発明は、複数の発光色の異なる蛍光体層を
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明導電体からなる電極であるマルチカラー薄膜ＥＬ素子
の製造方法において、第１の誘電体層の上に第３の誘電
体層を形成し、第３の誘電体層上にレジストパターンを
形成した後第３の誘電体層を垂直にエツチングし、続い
て表面に蛍光体層を形成したうえ、蛍光体層上に第４の
誘電体層を形成し、ついでレジス１４を除去することを
特徴とするものである。
第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ
第１および第２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透
明導電体からなる電極であるマルチカラー薄膜ＥＬ素子
の製造方法において、第１の誘電体層の上に第３の誘電
体層を形成し、第３の誘電体層上にレジストパターンを
形成した後第３の誘電体層を垂直にエツチングし、続い
て表面に蛍光体層を形成したうえ、蛍光体層上に第４の
誘電体層を形成し、ついでレジス１４を除去することを
特徴とするものである。
（作用）
第１請求項の発明によれば、蛍光体層は第３の誘電体層
に埋設されている。また第２請求項の発明によれば、第
３の誘電体層のエツチング後、その表面に蛍光体層が形
成され、その上に第４の誘電体層が形成されるために蛍
光体層は実質的に第３の誘電体層に埋設される。このた
め第３の誘電体層のパターン形成時の水洗や、ケミカル
エツチングによるエツチング液および水洗等により蛍光
体層が水に１洒されること巳ヨなくなる。
に埋設されている。また第２請求項の発明によれば、第
３の誘電体層のエツチング後、その表面に蛍光体層が形
成され、その上に第４の誘電体層が形成されるために蛍
光体層は実質的に第３の誘電体層に埋設される。このた
め第３の誘電体層のパターン形成時の水洗や、ケミカル
エツチングによるエツチング液および水洗等により蛍光
体層が水に１洒されること巳ヨなくなる。
したがって水洗による蛍光体層の剥離および劣化が引き
起されることはなくなる。
起されることはなくなる。
（実施例）
以下、この発明を実施例により説明する。
第１図（ｃ）はこの発明の一実施例の薄膜ＥＬ？子を示
す断面図であり、３色の発光を呈する薄膜ＥＬ素子の例
を示している。
す断面図であり、３色の発光を呈する薄膜ＥＬ素子の例
を示している。
この実施例の薄膜ＥＬ素子は、基板１上に形成された透
明電極２の上に第１の誘電体層３が形成しである。第１
の誘電体層３と第２の誘電体層５との間に発光色の異な
る複数の蛍光体［４（ａ）、４ （ｂ） 、４ （ｃ）
が形成しある。
明電極２の上に第１の誘電体層３が形成しである。第１
の誘電体層３と第２の誘電体層５との間に発光色の異な
る複数の蛍光体［４（ａ）、４ （ｂ） 、４ （ｃ）
が形成しある。
複数の蛍光体層４（ａ） 、４（ｂ） 、４（ｃ）の第
１の誘電体層３と第２の誘電体層５との間の形成は、第
１の誘電体層３上の平面内に所望パターンに配置された
蛍光体Ｆ３４ にｉ） 、４ （ｂ） 、４ （ｃ）を
、第１の誘電体層３と第２の誘電体Ｎ５との間に形成し
た第３の誘電体層７に埋設しである。
１の誘電体層３と第２の誘電体層５との間の形成は、第
１の誘電体層３上の平面内に所望パターンに配置された
蛍光体Ｆ３４ にｉ） 、４ （ｂ） 、４ （ｃ）を
、第１の誘電体層３と第２の誘電体Ｎ５との間に形成し
た第３の誘電体層７に埋設しである。
そこで、蛍光体層を所望のパターンに形成する際に、例
えばポジ型しジス１−（ＡＺ系、０ＦＦＩ？系）の現像
後の水洗、リムバー溶液、有機容剤にょろりフトオフ工
程後の水洗等による蛍光体層への客さ、すなわち膜の剥
離、劣化を完全に防げる。これは次に述べる製造方法の
実施例から理解できよつ。
えばポジ型しジス１−（ＡＺ系、０ＦＦＩ？系）の現像
後の水洗、リムバー溶液、有機容剤にょろりフトオフ工
程後の水洗等による蛍光体層への客さ、すなわち膜の剥
離、劣化を完全に防げる。これは次に述べる製造方法の
実施例から理解できよつ。
第１図（ａ）〜第１図（Ｃ）は、この発明の一実施例の
薄１模ＥＬ素子の製造プロセスを示す断面図である。
薄１模ＥＬ素子の製造プロセスを示す断面図である。
基板１上に透明電極２を所望パターンに形成した後、透
明電極２上に第１の誘電体層３を形成する。第１の誘電
体層３の形成後、蛍光体層４の厚さ（０，２〜１．ＯＩ
Ｊｍ）以上に第３の誘電体層７を第１の誘電体層３上に
形成する。第３の誘電体層７はＳ、Ｏ，、Ｓ、ＯＮＸ等
の反応性イオンエンチング（ＲＩ Ｅ）装置において、
ＣＦ、 、ＣＦ。
明電極２上に第１の誘電体層３を形成する。第１の誘電
体層３の形成後、蛍光体層４の厚さ（０，２〜１．ＯＩ
Ｊｍ）以上に第３の誘電体層７を第１の誘電体層３上に
形成する。第３の誘電体層７はＳ、Ｏ，、Ｓ、ＯＮＸ等
の反応性イオンエンチング（ＲＩ Ｅ）装置において、
ＣＦ、 、ＣＦ。
Ｌ Ｈ□、ＣＦ、＋Ｏ□ガスで容易にエツチングできる
材質のものがよく、第１の誘電体層３は上記のガスでエ
ツチングされないか、極端にエツチングレートの小さな
Ａ Ｌｍ Ｏ３、Ｔ−□０３等の材質のものがよい。第
３の誘電体層７の上にレジストパターン１０を形成する
（第１図ａ）。レジストパターン１０を形成後、ｒ２１
Ｂ装置により第３の誘電体層７を垂直にエツチングする
。このエツチングはフッ酸等のゲミカルエッチングでも
よい。このエツチング後、第１の蛍光体層４（ａ）を蒸
着またはスパッタ等により形成し、続いて第１の蛍光体
層４（ｄ）上に第４の誘電体層８を形成する（第１図（
ｂ））。つぎにレジスト層ｌＯを有機容剤、リムバー溶
液、プラズマ灰化等により除去する（リフ１−・オフ）
。
材質のものがよく、第１の誘電体層３は上記のガスでエ
ツチングされないか、極端にエツチングレートの小さな
Ａ Ｌｍ Ｏ３、Ｔ−□０３等の材質のものがよい。第
３の誘電体層７の上にレジストパターン１０を形成する
（第１図ａ）。レジストパターン１０を形成後、ｒ２１
Ｂ装置により第３の誘電体層７を垂直にエツチングする
。このエツチングはフッ酸等のゲミカルエッチングでも
よい。このエツチング後、第１の蛍光体層４（ａ）を蒸
着またはスパッタ等により形成し、続いて第１の蛍光体
層４（ｄ）上に第４の誘電体層８を形成する（第１図（
ｂ））。つぎにレジスト層ｌＯを有機容剤、リムバー溶
液、プラズマ灰化等により除去する（リフ１−・オフ）
。
同様に第２の蛍光体層４（ｂ）と第４°の誘電体層８“
を、第３の蛍光体層４（ｃ）と第４″の誘電体層８″を
第３の誘電体層７中に埋め込む。続いてこのうえに第２
の誘電体層５を形成し、第２の誘電体層５上に背面電極
６を形成する（第１図（Ｃ））。したがって第３の誘電
体層７に蛍光体層４（ａ） 、４（ｂ）および４（ｃ）
が埋設された状態となる。
を、第３の蛍光体層４（ｃ）と第４″の誘電体層８″を
第３の誘電体層７中に埋め込む。続いてこのうえに第２
の誘電体層５を形成し、第２の誘電体層５上に背面電極
６を形成する（第１図（Ｃ））。したがって第３の誘電
体層７に蛍光体層４（ａ） 、４（ｂ）および４（ｃ）
が埋設された状態となる。
（発明の効果）
以上説明した如くこの発明によれば、蛍光体層を所望の
パターンに形成し、その上に第４の誘電体層を形成する
ため、例えばポジ型レジスト（Ａ２′Ｘ、、０ＦＰｌ？
系）の現像後の水洗、リムパー容液、イＴ機容剤による
リフト・オフ工程後の水洗等がｒｔ？光体層へ影容を与
えることはなく、蛍光体層の膜の！、す離、劣化等は完
全に防ぐことができる。また側面は第３の誘電体で、上
面は第４の誘電体で完全に保護される。
パターンに形成し、その上に第４の誘電体層を形成する
ため、例えばポジ型レジスト（Ａ２′Ｘ、、０ＦＰｌ？
系）の現像後の水洗、リムパー容液、イＴ機容剤による
リフト・オフ工程後の水洗等がｒｔ？光体層へ影容を与
えることはなく、蛍光体層の膜の！、す離、劣化等は完
全に防ぐことができる。また側面は第３の誘電体で、上
面は第４の誘電体で完全に保護される。
したがって、薄膜ＥＬ素子製造の際における蛍光体層へ
の水の影容を完全阻止することができるため、歩留りの
向上が計れ、コストが低減できる。
の水の影容を完全阻止することができるため、歩留りの
向上が計れ、コストが低減できる。
第１図はこの発明に係る薄膜ＥＬｌ子を示す断面図であ
り、第１図（ａ）は第３の誘電体層エツチングのレジス
トパターン形成までの状態を、第１図（ｂ）は第１の蛍
光体層を形成し、第４の誘電体形成までの状態を、第１
図（ｃ）は背面電極形成までの状態を示す断面図。 第２図は従来例の薄膜ＥＬ素子を示す断面図であり、第
２図（ａ）は第１の蛍光体層をエツチングするためのレ
ジストパターン形成までの状態を、第２図（ｂ）は第２
の蛍光体層を形成までの状態を、第２図（ｃ）は背面型
１ｍ形成までの状態を示す断面図。 ■・・・基１反、２・・・透明電極、３・・・第１の誘
電体層、４ （ｄ） 、 ４ （ｂ）および４（ｃ）−
第１、第２および第３の蛍光体層、５・・・第２の誘電
体層、６・・・背面電極、７・・・第３の誘電体、８．
８°および８′′・・・第４の誘電体、１０・・・レジ
スト。
り、第１図（ａ）は第３の誘電体層エツチングのレジス
トパターン形成までの状態を、第１図（ｂ）は第１の蛍
光体層を形成し、第４の誘電体形成までの状態を、第１
図（ｃ）は背面電極形成までの状態を示す断面図。 第２図は従来例の薄膜ＥＬ素子を示す断面図であり、第
２図（ａ）は第１の蛍光体層をエツチングするためのレ
ジストパターン形成までの状態を、第２図（ｂ）は第２
の蛍光体層を形成までの状態を、第２図（ｃ）は背面型
１ｍ形成までの状態を示す断面図。 ■・・・基１反、２・・・透明電極、３・・・第１の誘
電体層、４ （ｄ） 、 ４ （ｂ）および４（ｃ）−
第１、第２および第３の蛍光体層、５・・・第２の誘電
体層、６・・・背面電極、７・・・第３の誘電体、８．
８°および８′′・・・第４の誘電体、１０・・・レジ
スト。
Claims (2)
- （１）複数の発光色の異なる蛍光体層を第１の誘電体
層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ第１および第
２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透明電導体から
なる電極であるマルチカラー薄膜ＥＬ素子において、 第１の誘電体層上の平面内に所望のパターンに配置さ
れた複数の蛍光体層を第３の誘電体層の埋設してなるこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - （２）複数の発光色の異なる蛍光体層を第１の誘電体
層と第２の誘電体層との間に形成し、かつ第１および第
２の誘電体層の少なくとも一方の外側が透明電導体から
なる電極であるマルチカラー薄膜ＥＬ素子の製造方法に
おいて、 第１の誘電体層の上に第３の誘電体層を形成し、第３
の誘電体層上にレジストパターンを形成した後第３の誘
電体層を垂直にエッチングし、続いて表面に蛍光体層を
形成したうえ、蛍光体層上に第４の誘電体層を形成し、
ついでレジスト層を除去することを特徴とする薄ＥＬ素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277370A JPH0675433B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277370A JPH0675433B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126591A true JPH02126591A (ja) | 1990-05-15 |
| JPH0675433B2 JPH0675433B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=17582578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277370A Expired - Lifetime JPH0675433B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675433B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306580A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Nippon Soken Inc | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| US5989785A (en) * | 1994-12-22 | 1999-11-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating an electroluminescent device |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63277370A patent/JPH0675433B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306580A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Nippon Soken Inc | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| US5989785A (en) * | 1994-12-22 | 1999-11-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating an electroluminescent device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675433B2 (ja) | 1994-09-21 |
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