JPH02306580A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法Info
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- JPH02306580A JPH02306580A JP1127061A JP12706189A JPH02306580A JP H02306580 A JPH02306580 A JP H02306580A JP 1127061 A JP1127061 A JP 1127061A JP 12706189 A JP12706189 A JP 12706189A JP H02306580 A JPH02306580 A JP H02306580A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子の製
造方法に関し、特に異なる発光色を有する複数の発光層
を同一平面上に形成した薄膜ＥＬ素子の製造方法に関す
る。
造方法に関し、特に異なる発光色を有する複数の発光層
を同一平面上に形成した薄膜ＥＬ素子の製造方法に関す
る。
［従来の技術］
電圧の印加によってエレクトロルミネセンス（ＥＬ）発
光する薄膜ＥＬ素子は、平面薄型表示素子として広範な
用途を有し、例えば各種情報端末機器等の表示素子とし
て有効である。
光する薄膜ＥＬ素子は、平面薄型表示素子として広範な
用途を有し、例えば各種情報端末機器等の表示素子とし
て有効である。
現在実用化されているＥＬ素子は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）
を母材層とし、これにマンガン（Ｍｎ＞を添加したオレ
ンジ発光の発光層を有するものが主流であるが、モノカ
ラーであるため表示できる情報量に限界がある。そこて
、近年、多量の情報を表示できる多色ＥＬ素子が検討さ
れており、例えば、異なる発光色を示す複数の発光層を
同一平面上に分割・配置したＥＬ素子が知られている。
を母材層とし、これにマンガン（Ｍｎ＞を添加したオレ
ンジ発光の発光層を有するものが主流であるが、モノカ
ラーであるため表示できる情報量に限界がある。そこて
、近年、多量の情報を表示できる多色ＥＬ素子が検討さ
れており、例えば、異なる発光色を示す複数の発光層を
同一平面上に分割・配置したＥＬ素子が知られている。
このような構造のＥ Ｌ素子は、多層配線が不要である
、素子の薄型化などの利点を有するが、複数の発光層を
同一平面上に分割・配置しているため、発光層をエツチ
ングしてパターン化する際に、既に形成された他の発光
層がエツチングの影響を受け、発光層の膜厚や発光輝度
が不均一になるという欠点があった。
、素子の薄型化などの利点を有するが、複数の発光層を
同一平面上に分割・配置しているため、発光層をエツチ
ングしてパターン化する際に、既に形成された他の発光
層がエツチングの影響を受け、発光層の膜厚や発光輝度
が不均一になるという欠点があった。
これを解決する方法として、発光層をパターン化した後
、発光層をエツチングに対し安定なストッパ一層で被覆
することが提案されている。（例えば、特開昭６１−１
０７６９６号公報等〉。
、発光層をエツチングに対し安定なストッパ一層で被覆
することが提案されている。（例えば、特開昭６１−１
０７６９６号公報等〉。
第３図はこのような素子の製造工程を示す図であり、ガ
ラス基板１上に、Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ０
ｘｉｄｅ）！よりなる帯状の透明電極２１、五酸化タン
タル（Ｔａ２０５）等よりなる第１誘電体層３１を順次
積層形成し、その上に、例えばＺｎＳを母材層とし、発
光中心としてＭｎを添加した第１発光層５ａを形成する
（工程（１））。
ラス基板１上に、Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ０
ｘｉｄｅ）！よりなる帯状の透明電極２１、五酸化タン
タル（Ｔａ２０５）等よりなる第１誘電体層３１を順次
積層形成し、その上に、例えばＺｎＳを母材層とし、発
光中心としてＭｎを添加した第１発光層５ａを形成する
（工程（１））。
次に、第１発光層５ａの所定部位に塗布したフォトレジ
スト７１をマスクとしてエツチングを行ない、第１発光
層５ａを所定のパターンに加工する（工程（２））。
スト７１をマスクとしてエツチングを行ない、第１発光
層５ａを所定のパターンに加工する（工程（２））。
さらに、第１発光層５ａおよび第１誘電体層３１の表面
を５ｉ０２等よりなる膜厚１０〜３００への被膜で覆っ
てストッパ一層８１とする（工程（３））。
を５ｉ０２等よりなる膜厚１０〜３００への被膜で覆っ
てストッパ一層８１とする（工程（３））。
ストッパ一層８１上には、例えば、Ｚ ｎ、 Ｓを母材
層とし希土類フッ化物を添加した第２発光層５ｂを形成
する（工程（４））。前記第１発光層５ａと同様にして
所定部位にフォトレジスト７２を塗布し、他をエツチン
グにより除去して第２発光層５ｂを所定のパターンに加
工する。
層とし希土類フッ化物を添加した第２発光層５ｂを形成
する（工程（４））。前記第１発光層５ａと同様にして
所定部位にフォトレジスト７２を塗布し、他をエツチン
グにより除去して第２発光層５ｂを所定のパターンに加
工する。
同様にして表面にス）〜ツバ一層８２を形成した後（工
程（５））、さらに第３発光層５ｃを形成してフォトレ
ジスト７３を塗布しく工程（６））、エツチングにより
所定のパターンに加工する（工程（７））。
程（５））、さらに第３発光層５ｃを形成してフォトレ
ジスト７３を塗布しく工程（６））、エツチングにより
所定のパターンに加工する（工程（７））。
その後、全面に第２誘電体１３２を形成し、帯状の上部
電極２２を形成してＥＬ素子とする（工程（８））。
電極２２を形成してＥＬ素子とする（工程（８））。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記従来の方法では、発光層を所定のパター
ンに加工する際に、発光層の側面が露出するため、側面
がエツチング液の影響を受けなり（サイドエツチング）
、発光層中へ水分が吸湿されやすい。また、フォトレジ
ストを除去（湿式または乾式）する時にも、発光層表面
に損傷を与え、発光特性、耐久性に悪影響を及ぼすこと
がある。
ンに加工する際に、発光層の側面が露出するため、側面
がエツチング液の影響を受けなり（サイドエツチング）
、発光層中へ水分が吸湿されやすい。また、フォトレジ
ストを除去（湿式または乾式）する時にも、発光層表面
に損傷を与え、発光特性、耐久性に悪影響を及ぼすこと
がある。
また、発光層を被覆するストッパ一層は、膜厚が１０〜
３００八と薄いため（発光層は通常３０００八以上）、
発光層との段差部でストッパ一層が段切れを生じたり、
マイクロクラックが発生することがあり、信頼性が必ず
しも十分ではなかっな。
３００八と薄いため（発光層は通常３０００八以上）、
発光層との段差部でストッパ一層が段切れを生じたり、
マイクロクラックが発生することがあり、信頼性が必ず
しも十分ではなかっな。
しかして、本発明は、サイドエツチング、あるいはレジ
スト除去時の表面損傷を防止し、高い信頼性を有するＥ
Ｌ素子を得ることを目的とするものである。
スト除去時の表面損傷を防止し、高い信頼性を有するＥ
Ｌ素子を得ることを目的とするものである。
［課題を解決するための手段ｌ
上記目的を達成するために、本発明では、少なくとも一
方を透明電極とした一対の電極間に挟持せしめて、異な
る発光色を示す複数の発光層を同一平面上に配した薄膜
エレクトロルミネセンス素子を、 絶縁基板上に下部電極を配設して、該下部電極上に第１
誘電体層を形成する工程と、 第１誘電体層上に、耐湿性・耐薬品性の誘電体層を形成
し、該誘電体層の、上記複数の発光層に対応する部分を
除去して、各発光層を区画する隔壁を形成する工程と、 隔壁により区画された空間内に所定の発光色を有する発
光層を形成し、発光層上に耐湿性・耐薬品性の誘電体よ
りなる被覆層を形成した後、隔壁により区画された空間
内の所定領域を残して、発光層および被覆層を除去する
ことを発光層の種類に応じて順次繰返す工程と、 被覆層および隔壁上に第２誘電体層を形成する工程と、 第２誘電体層上に上部電極を配設する工程により製造す
る。
方を透明電極とした一対の電極間に挟持せしめて、異な
る発光色を示す複数の発光層を同一平面上に配した薄膜
エレクトロルミネセンス素子を、 絶縁基板上に下部電極を配設して、該下部電極上に第１
誘電体層を形成する工程と、 第１誘電体層上に、耐湿性・耐薬品性の誘電体層を形成
し、該誘電体層の、上記複数の発光層に対応する部分を
除去して、各発光層を区画する隔壁を形成する工程と、 隔壁により区画された空間内に所定の発光色を有する発
光層を形成し、発光層上に耐湿性・耐薬品性の誘電体よ
りなる被覆層を形成した後、隔壁により区画された空間
内の所定領域を残して、発光層および被覆層を除去する
ことを発光層の種類に応じて順次繰返す工程と、 被覆層および隔壁上に第２誘電体層を形成する工程と、 第２誘電体層上に上部電極を配設する工程により製造す
る。
「作用］
上記方法によれば、発光層を形成するにあたり、予め、
発光層を区画する耐湿性・耐薬品性の隔壁を形成し、該
隔壁内に所定色の発光層を順次形成するようにしたので
、発光層の側面は隔壁により保護され、エツチング液の
影響を受けることを防止する。
発光層を区画する耐湿性・耐薬品性の隔壁を形成し、該
隔壁内に所定色の発光層を順次形成するようにしたので
、発光層の側面は隔壁により保護され、エツチング液の
影響を受けることを防止する。
また、発光層表面を耐湿性・耐薬品性の被覆層で覆った
後、パターン化しているので、レジスト除去時の表面損
傷が防止される。
後、パターン化しているので、レジスト除去時の表面損
傷が防止される。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明方法を適用した薄膜ＥＬ素子の全体断面
図であり、ガラス基板１上には下部電極２１、第１誘電
体層３１が形成しである。下部電極２１は透明電極で、
複数の帯状電極を平行配設してなる。
図であり、ガラス基板１上には下部電極２１、第１誘電
体層３１が形成しである。下部電極２１は透明電極で、
複数の帯状電極を平行配設してなる。
第１誘電体層３１の上面には、第１−発光層５ａ、第２
発光層５ｂ、第３発光層５ｃが同一面上に形成してあり
、各発光層は耐湿性・耐薬品性に優れた誘電体よりなる
隔壁４により区画されている。
発光層５ｂ、第３発光層５ｃが同一面上に形成してあり
、各発光層は耐湿性・耐薬品性に優れた誘電体よりなる
隔壁４により区画されている。
各発光層５ａ、５ｂ、５０表面は、それぞれ耐湿性・耐
薬品性に優れた誘電体よりなる被覆層６ａ、６ｂ、６Ｃ
で被覆され、該被覆Ｎ６ａ、６ｂ、６Ｃおよび隔壁４上
には、第２誘電体層３２、」二部電極２２が順次積層形
成しである。上部電極２２は複数の帯状電極よりなり、
これらを上記下部電極２１．と交差する方向に平行に配
しである。
薬品性に優れた誘電体よりなる被覆層６ａ、６ｂ、６Ｃ
で被覆され、該被覆Ｎ６ａ、６ｂ、６Ｃおよび隔壁４上
には、第２誘電体層３２、」二部電極２２が順次積層形
成しである。上部電極２２は複数の帯状電極よりなり、
これらを上記下部電極２１．と交差する方向に平行に配
しである。
以下、上記構造の薄膜ＥＬ素子の製造方法を第２図で説
明する。
明する。
まず、ガラス基板１上にＩ Ｔｏ （Ｔｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ０ｘｉｄｅ ）等の透明導電膜を成膜し、ウェット
エツチングにより帯状に加工して下部電極２１とした（
工程（１〉）。
ｉｎ０ｘｉｄｅ ）等の透明導電膜を成膜し、ウェット
エツチングにより帯状に加工して下部電極２１とした（
工程（１〉）。
次に、下部電極２ｉｎに五酸化タンタル（Ｔａ２０５）
等よりなる第１誘電体層３１を高周波スパッタにより形
成した。第１誘電体層３１の膜厚は５０００Ａとした。
等よりなる第１誘電体層３１を高周波スパッタにより形
成した。第１誘電体層３１の膜厚は５０００Ａとした。
第１誘電体層３１上には窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等よ
りなる誘電体層４１を高周波スパッタにて成膜した（膜
厚８０００Ａ＞（工程（２））。
りなる誘電体層４１を高周波スパッタにて成膜した（膜
厚８０００Ａ＞（工程（２））。
誘電体層４１上にフォトレジスト７４を塗布してパター
ン化しく工程（３）〉、これをマスクとして、四フッ化
炭素（ＣＦ４）により誘電体層４１をエツチングして高
さ７０００人の隔壁４を形成した。その後、フォトレジ
スト７４を除去した（工程（４）〉。− 隔壁４上に、マンガン（Ｍｎ）を０．８重量％の割合で
含有する硫化亜８９（ＺｎＳ）ペレットを電子ビーム蒸
着法で６０００への膜厚で全面成膜して第１発光層５ａ
を形成したく工程（５））。
ン化しく工程（３）〉、これをマスクとして、四フッ化
炭素（ＣＦ４）により誘電体層４１をエツチングして高
さ７０００人の隔壁４を形成した。その後、フォトレジ
スト７４を除去した（工程（４）〉。− 隔壁４上に、マンガン（Ｍｎ）を０．８重量％の割合で
含有する硫化亜８９（ＺｎＳ）ペレットを電子ビーム蒸
着法で６０００への膜厚で全面成膜して第１発光層５ａ
を形成したく工程（５））。
さらにその上に膜厚１００〇への窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ
４）等よりなる被覆層６ａを高周波スパッタにより全面
成膜した（工程（６））。
４）等よりなる被覆層６ａを高周波スパッタにより全面
成膜した（工程（６））。
次に、所定領域、すなわち第１図における第１発光層５
ａ形成領域上に、フォトレジスト７５を塗布してパター
ン化し、これをマスクとして被覆層６ａを四フッ化炭素
（ＣＦ４）によりエツチングした後、さらに第１発光層
５ａを塩酸（ＨＣ，Ｑ）等の酸でエツチングしたく工程
（８〉〉。その後、フォトレジスト７５を除去した（工
程（９））。
ａ形成領域上に、フォトレジスト７５を塗布してパター
ン化し、これをマスクとして被覆層６ａを四フッ化炭素
（ＣＦ４）によりエツチングした後、さらに第１発光層
５ａを塩酸（ＨＣ，Ｑ）等の酸でエツチングしたく工程
（８〉〉。その後、フォトレジスト７５を除去した（工
程（９））。
続いて、三フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）を５重量％の
割合で含有する硫化亜鉛（ＺｎＳ）ペレットを電子ビー
ム蒸着法で５８０ＯＡの膜厚で全面成膜して第２発光層
５ｂとした（工程（１０））。
割合で含有する硫化亜鉛（ＺｎＳ）ペレットを電子ビー
ム蒸着法で５８０ＯＡの膜厚で全面成膜して第２発光層
５ｂとした（工程（１０））。
その上に、上記した第１発光層５ａと同様にして膜厚７
００人の被覆層６ｂを全面成膜した（工程（１１））。
００人の被覆層６ｂを全面成膜した（工程（１１））。
さらに、所定領域にフォトレジスト７６をパターン化し
く工程（１２））、これをマスクとして露出部分の被覆
層６ｂおよび第２発光層５ｂを除去したく工程（１３＞
）。その後、フォトレジスト７６を除去した（工程（
１４））。
く工程（１２））、これをマスクとして露出部分の被覆
層６ｂおよび第２発光層５ｂを除去したく工程（１３＞
）。その後、フォトレジスト７６を除去した（工程（
１４））。
同様にして、隔壁４内に第３の発光層５ｃを形、 成す
る工程を繰返しく工程同格）、その後、Ｔａ２０５等よ
りなる第２誘電体層３２を高周波スパッタにより（工程
（１５））、アルミニウム（Ａρ）等よりなる上部電極
２２を電子ビーム蒸着法で成膜したく工程（１６））。
る工程を繰返しく工程同格）、その後、Ｔａ２０５等よ
りなる第２誘電体層３２を高周波スパッタにより（工程
（１５））、アルミニウム（Ａρ）等よりなる上部電極
２２を電子ビーム蒸着法で成膜したく工程（１６））。
各々の膜厚は、第２誘電体層３２を５００ＯＡ、上部電
極２２を４００ＯＡとした。そして、上部電極２２のパ
ターンにフォトレジスト７７を塗布して、ウェットエツ
チングにより下部電極２１と直交する帯状に加工し、フ
ォトレジスト７７を除去しなく工程（１７）、（１８）
）。さらに下部電極２１の電極取出し部を形成するため
のフォトレジスト７８をパターニングし、隔壁４をエツ
チングして電極取出し部９を露出させ、フォトレジスト
７８を除去してＥＬ素子としな（工程（１９＞（２０）
’）。
極２２を４００ＯＡとした。そして、上部電極２２のパ
ターンにフォトレジスト７７を塗布して、ウェットエツ
チングにより下部電極２１と直交する帯状に加工し、フ
ォトレジスト７７を除去しなく工程（１７）、（１８）
）。さらに下部電極２１の電極取出し部を形成するため
のフォトレジスト７８をパターニングし、隔壁４をエツ
チングして電極取出し部９を露出させ、フォトレジスト
７８を除去してＥＬ素子としな（工程（１９＞（２０）
’）。
これにより、異なる発光色の発光層を同一平面上に複数
有するＥＬ素子が形成され、複数の帯状下部電極２１お
よび上部電極２２を任意に選択して電圧を印加すること
により、その交点に位置する発光層においてＥＬ光発光
生起する。従ってこれらを組合わせることにより多色表
示が可能となる。
有するＥＬ素子が形成され、複数の帯状下部電極２１お
よび上部電極２２を任意に選択して電圧を印加すること
により、その交点に位置する発光層においてＥＬ光発光
生起する。従ってこれらを組合わせることにより多色表
示が可能となる。
なお、各発光層はその材質により発光特性が異なり、通
常は、各発光層の発光輝度を合せるためには発光層ごと
に印加電圧を制御する必要があるが、上記実施例では各
発光層の膜厚および各被覆層の膜厚を発光特性に応じて
変更することにより発光駆動電圧を一致させである。従
って、発光層ごとに印加電圧を制御する必要がなくなり
、駆動回路を簡単にすることができる。
常は、各発光層の発光輝度を合せるためには発光層ごと
に印加電圧を制御する必要があるが、上記実施例では各
発光層の膜厚および各被覆層の膜厚を発光特性に応じて
変更することにより発光駆動電圧を一致させである。従
って、発光層ごとに印加電圧を制御する必要がなくなり
、駆動回路を簡単にすることができる。
上記実施例では隔壁の構成材料として窒化ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）を用いたが、耐湿性・耐薬品性に優れる材料で
あればよく、これ以外に例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）
が使用できる。
３Ｎ４）を用いたが、耐湿性・耐薬品性に優れる材料で
あればよく、これ以外に例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）
が使用できる。
上記実施例では３種類の異なる発光層を同一面上に有す
る構成のものを示したが、本発明では、発光層を２種類
あるいは４種類以上有するものに適用することももちろ
ん可能である。
る構成のものを示したが、本発明では、発光層を２種類
あるいは４種類以上有するものに適用することももちろ
ん可能である。
さらにドツトマトリックス電極以外にも、セグメントタ
イプ電極などの図形電極のものにも適用でき、電極パタ
ーンに応じて発光層を配設することにより多色表示が可
能である。
イプ電極などの図形電極のものにも適用でき、電極パタ
ーンに応じて発光層を配設することにより多色表示が可
能である。
［発明の効果］
本発明によれば、予め、発光層を区画する耐湿性・耐薬
品性の隔壁を形成して該隔壁内に所定色の発光層を形成
したので、エツチング時に発光層の側面が露出せず、サ
イドエツチングや水分の吸収による劣化を防止すること
ができる。また、発光層表面を耐湿性・耐薬品性の被覆
層で覆った後、エツチングによりパターン化するように
したので、発光層表面が被覆層により保護され、レジス
ト除去時の表面損傷を確実に防止できる。さらに隔壁は
、加工が容易で、加工精度も高く、従来のように断切れ
、マイクロクラック等が発生するおそれが小さいなど、
高い信頼性を有する薄膜ＥＬ素子を得ることができる。
品性の隔壁を形成して該隔壁内に所定色の発光層を形成
したので、エツチング時に発光層の側面が露出せず、サ
イドエツチングや水分の吸収による劣化を防止すること
ができる。また、発光層表面を耐湿性・耐薬品性の被覆
層で覆った後、エツチングによりパターン化するように
したので、発光層表面が被覆層により保護され、レジス
ト除去時の表面損傷を確実に防止できる。さらに隔壁は
、加工が容易で、加工精度も高く、従来のように断切れ
、マイクロクラック等が発生するおそれが小さいなど、
高い信頼性を有する薄膜ＥＬ素子を得ることができる。
第１図は本発明の方法により製造された薄膜ＥＬ素子の
全体断面図、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法
を示す工程図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法
を示す工程図である。 １・・・・・・ガラス基板（絶縁基板）＝ １３− ２１・・・・・・下部電極 ２２・・・・・・上部電極 ３１．３２・・・・・・誘電体層 ４・・・・・・隔壁 ５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・発光層 ６ａ、６ｂ、６Ｃ・・・・・・被覆層 第２図 第２図 第２図 第３図
全体断面図、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法
を示す工程図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法
を示す工程図である。 １・・・・・・ガラス基板（絶縁基板）＝ １３− ２１・・・・・・下部電極 ２２・・・・・・上部電極 ３１．３２・・・・・・誘電体層 ４・・・・・・隔壁 ５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・発光層 ６ａ、６ｂ、６Ｃ・・・・・・被覆層 第２図 第２図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一方を透明電極とした一対の電極間に挟持
せしめて、異なる発光色を示す複数の発光層を同一平面
上に配した薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法
において、 絶縁基板上に下部電極を配設して、該下部電極上に第
１誘電体層を形成する工程と、 第１誘電体層上に、耐湿性・耐薬品性の誘電体層を形
成し、該誘電体層の、上記複数の発光層に対応する部分
を除去して、各発光層を区画する隔壁を形成する工程と
、 隔壁により区画された空間内に所定の発光色を有する
発光層を形成し、発光層上に耐湿性・耐薬品性の誘電体
よりなる被覆層を形成した後、隔壁により区画された空
間内の所定領域を残して、発光層および被覆層を除去す
ることを発光層の種類に応じて順次繰返す工程と、 被覆層および隔壁上に第２誘電体層を形成する工程と
、 第２誘電体層上に上部電極を配設する工程とからなる
ことを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127061A JP2773243B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127061A JP2773243B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306580A true JPH02306580A (ja) | 1990-12-19 |
| JP2773243B2 JP2773243B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=14950623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127061A Expired - Fee Related JP2773243B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773243B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5989785A (en) * | 1994-12-22 | 1999-11-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating an electroluminescent device |
| KR100554495B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2007095706A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126591A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Kenwood Corp | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127061A patent/JP2773243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126591A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Kenwood Corp | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5989785A (en) * | 1994-12-22 | 1999-11-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating an electroluminescent device |
| KR100554495B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2007095706A (ja) * | 2006-11-20 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773243B2 (ja) | 1998-07-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |