JPH02128438A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は一半導体集積回路のＶｃｃ−Ｖｓｓの供給方法
に関するものである。

〔従来の技術〕

＠２図に示しであるように一従来の半導体集積回路は−
Ｖｃｃ、　Ｖｓｓ端子から半導体基盤へは１箇所しかワ
イヤーボンドされていなかった。このためＶｃｃ　、　
Ｖｓｓ端子と反対側の半導体基盤上では−Ｖｃｃ−Ｖｓ
ｓ端子から離れているので、どうしてもＶｃｃ、Ｖｓｓ
配線につく寄生抵抗が大きくなり、Ｖｃｃ、　Ｖｓｓ配
線が高インピーダンスになっていた。したがって反対側
では、電圧降下が起きる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来ノｖＣＣ，ｖＳＳノ供給方法テハ、Ｖｃｃ−Ｖｓｓ
配線につく寄生抵抗により配線が高インピーダンスにな
り、電圧降下が起きる。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、半導体基盤全体に低インピーダンスでＶｃ
ｃ、　Ｖｓｓを供給できる。

〔課題を解決するための手段］ この発明に係る、Ｖｃｃ、　Ｖｓｓの供給方法は、ダイ
パッド上の配線を通じて半導体基盤上の任意の部分ニ、
ｖＣＣ，ｖＳＳ端子カラＶＣＣ−ｖＳＳヲ供給供給スル
コマきる。

〔作用〕

この発明におけるＶｃｃ−Ｖｓｓの供給方法は、ダイパ
ッド上の配線によって行なわれるので一低インピーダン
スでＶｃｃ−Ｖｓｓを供給することができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、その実施例を示す。まず、３のＶｃｃ配線−４の
ｖＳＳ配線を５のダイパッド上に一図のようｌこ配線す
る。ここでＶｃ＋、　Ｖｓｓ配線とダイパッド間は絶縁
しておく。そして−１−３間−３−７間、２−４間、４
−７間をワイヤーボンドしてやる。そうすれば、Ｖｃｃ
、　Ｖｓｓ端子の反対側にもＶｃｃ、Ｖｓｓ端子から直
接Ｖｃｃ−Ｖｓｓが供給できるので一半導体基盤全体に
低インピーダンスでＶｃｃ−Ｖｓｓの供給が可能になる
。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば−ダイパッド上にＶｃ
ｃ、　Ｖｓｓ配線を作り、この配線を通してＶｃｃ、Ｖ
ｓｓを供給しているので、たとえ基盤の大きさが大きく
なっても半導体基盤のどこにでも低インピーダンスでＶ
ｃｃ、Ｖｓｓを供給できる。

【図面の簡単な説明】

＠１図は、この発明の一実施例を示す関−第２図は一従
来のＶｃｃ、Ｖｓｓの供給方法を示す図である。 第１　図ノ１　ハＶｃｃ端子−２１；！Ｖｓｓ端子−３
１ｔＶｃｃ配線−４はＶｓｓ配線−５はダイパッド、６
は半導体基盤、７はコンタクトホール、第２図において
、１はＶｃｃ端子、２はＶｓｓ端子、３はダイパッド、
４は半導体基盤である。 なお− 各図中同一符号は− 同一または相当部分 を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基盤全体に低インピーダンスでＶ＿ｃ＿ｃ、Ｖ＿
   ｓ＿ｓを供給可能にするため、ダイパッド上に配線をほ
   どこしたことを特徴とする半導体集積回路。