JPH02128475A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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JPH02128475A
JPH02128475A JP63282701A JP28270188A JPH02128475A JP H02128475 A JPH02128475 A JP H02128475A JP 63282701 A JP63282701 A JP 63282701A JP 28270188 A JP28270188 A JP 28270188A JP H02128475 A JPH02128475 A JP H02128475A
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JP
Japan
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gate electrode
terminal
mosfet
current
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JP63282701A
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JPH0793433B2 (ja
Inventor
Hiroshi Yanagawa
洋 柳川
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/64—Double-diffused metal-oxide semiconductor [DMOS] FETs
    • H10D30/66—Vertical DMOS [VDMOS] FETs
    • H10D30/669—Vertical DMOS [VDMOS] FETs having voltage-sensing or current-sensing structures, e.g. emulator sections or overcurrent sensing cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は縦型電界効果トランジスタ（以下縦型ＭＯ８Ｆ
ＥＴという）に関し、特にドレイン・ソース間に流れる
電流を検出する機能の付いた縦型ＭＯ８ＦＥＴに関する
。
〔従来の技術〕
従来、この種の縦型ＭＯ８ＦＥＴは第３図に示す様にＮ
チャネル型を例にとると、セルの一部にミラ一端子（電
流検出部）Ｍを、ソース電位と同電位のケルビン端子Ｋ
をそれぞれ設けることにより、外付けにミラ一端子とケ
ルビン端子間にセンス抵抗を設けてセル比で一部ミラ一
端子に流れこんだ電流をケルビン端子にとミラ一端子Ｍ
の電位差で検出する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の縦型ＭＯ８ＦＥＴはセンス抵抗を外付け
する構造となっているので部品点数が増えること、又電
流がドレインからソースに素子の許容量を越えて流れ続
くとオーバーパワーによりその素子は破壊するという欠
点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の縦型ＭＯ８ＦＥＴはセンス抵抗と、ドレインソ
ース間に過電流が流れこんだ時ゲート電圧をしゃ断する
ゲート電極のポリシリコンに設けたディプレッション型
のＭＯＳＦＥＴを有している。
すなわち、本発明はセンス抵抗を内蔵し、過電流時には
ゲート電極に設けたディプレッション型のＭＯＳＦＥＴ
が作動してゲート電圧をしゃ断しドレイン・ソース間を
流れる電流を止める保護回路を内蔵している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の等何回路である。第２図（１）は本発
明の一実施例の平面図であり、第２図（ＩＩ）はＡ−Ａ
’の縦断面図である。
ミラ一端子２に含まれるセル数を全体のセル数の１／ｎ
とし、ポリシリコンのセンス抵抗４はこの素子の許容電
流Ｉ　（Ａ）の時にミラ一端子に流れこんだ電流Ｉ　／
　ｎ　［Ａ］でミラ一端子がゲート電極１に設けたディ
プレッション型のＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧ｆｆ　ｔ
　ｈ　［Ｖ］）となるように抵抗値（Ｖｔｈ／　（Ｉ／
ｎ）［Ω］）を設定する。
ミラ一端子２はアルミニウム配線によりゲート電極１に
あるディプレッション型ＭＯ８ＦＥＴのゲートに接続さ
れている。ディプレッション型ＭＯ８ＦＥＴはゲート電
極のポリシリコンで形成され選択的にＰ型７Ｎ型８Ｐ型
９と形成する。Ｐ型ポリシリコン９はセル部のゲートポ
リシリコン１０と接続されている。Ｐ型ポリシリコン７
はゲート電極１と接続されている。Ｎ型ポリシリコン８
は表面の浅いチャネル領１５のみＰ型に形成しディプレ
ッション型とする。
以上の実施例はＰチャネル型に同様に適用することがで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はセンス抵抗を内蔵し、ゲー
ト電極にディプレッション型のＭＯＳ　ＦＥＴを内蔵す
ることにより、ドレイン・ソース間の過電流を検出し素
子がオーバーパワーで破壊する前にゲート電圧をしゃ断
しドレイン・ソース間の電流を止める。部品を外付けす
ることなく素子を保護する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の等価回路図、第２図（１）
は本発明の一実施例の平面図、第２図（Ｉｔ）は第２図
（１）のＡ−Ａ’線線断断面図第３図は従来の等何回路
である。 １・・・・・・ゲート電極、２・・・・・・ミラ一端子
、３・・・・・・ソース電極、４・・・・・・センス抵
抗、５・・・・・・酸化膜、・・・・・・酸化膜、７・
・・・・・Ｐ型ポリシリコン、８・・・・・・Ｎ型ポリ
シリコン、９・・・・・Ｐ型ポリシリコン、１０・・・
・・・ゲートポリシリコン、１１・・・・・・Ｐ型拡散
層、１２・・・・・・Ｎ型拡散層、１３・・・・・・Ｎ
型半導体基板、１４・・・・・・ドレイン電極、１５・
・・・・・Ｐ型チャネル領域。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 タし何処ＥＮＣｆ− δ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ソース電極の一部を切り離して形成された電流検出電極
    を有し、その電流検出電極の一方は抵抗を介してソース
    電極と接続されて、前記電流検出電極のもう一方はゲー
    ト電極を構成するポリシリコンに形成されたゲート電極
    に直列に接続されたディプレッション型電界効果トラン
    ジスタのゲート電極と接続されていることを特徴とする
    電界効果トランジスタ
JP63282701A 1988-11-08 1988-11-08 電界効果トランジスタ Expired - Lifetime JPH0793433B2 (ja)

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JP63282701A JPH0793433B2 (ja) 1988-11-08 1988-11-08 電界効果トランジスタ

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JPH02128475A true JPH02128475A (ja) 1990-05-16
JPH0793433B2 JPH0793433B2 (ja) 1995-10-09

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242824A (ja) * 1996-12-25 1998-09-11 Hitachi Ltd 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置
JP2008147786A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Denso Corp 絶縁ゲートトランジスタの駆動回路
JP2008235592A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Denso Corp 半導体装置
JP2014107662A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Denso Corp 半導体装置
WO2019186853A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 新電元工業株式会社 ワイドギャップ半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130468A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Insulating gate protecting semiconductor device
JPS62143450A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Hitachi Ltd 複合半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130468A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Insulating gate protecting semiconductor device
JPS62143450A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Hitachi Ltd 複合半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242824A (ja) * 1996-12-25 1998-09-11 Hitachi Ltd 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置
JP2008147786A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Denso Corp 絶縁ゲートトランジスタの駆動回路
JP2008235592A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Denso Corp 半導体装置
JP2014107662A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Denso Corp 半導体装置
WO2019186853A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 新電元工業株式会社 ワイドギャップ半導体装置
JP6619522B1 (ja) * 2018-03-29 2019-12-11 新電元工業株式会社 ワイドギャップ半導体装置
US11309415B2 (en) 2018-03-29 2022-04-19 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Wide gap semiconductor device

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