JPH0212900A - 複合電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子部品を載置した基板に、リードを取り付
け、樹脂でモールドする技術に関する。

［従来の技術］ 従来、各種制御装置、もしくは車両等に搭載される複合
電子部品、例えばハイブリッＦ　Ｉ　Ｃは、所定の電気
的特性を発揮させるため、外部からの電磁界をシールド
して、耐ＥＭＩ性、耐ノイズ性を向上させる構成を備え
ている。このシールドの例としては、例えは実開昭５７
−８４７４５号公報、特開昭５９−４１９９号公報に開
示されているように、ハイブリ・ンドＩＣの表面に導電
性樹脂コーティングを設け、このコーティングと基板の
アース回路に接続されているリードとを接続することに
より、ハイブリッドＩＣにシールドを構成する技術があ
る。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のシールドを構成する技術では、下
記に示す理由により、導電性樹脂コーティングとリード
との接続をディッピング法などの単純な処理工程のみ行
うことができず製造工数が多く必要となり、これにより
製造コストの上昇を招くという問題があった。

たとえば、５ＩＰ（シングル◆インライン◆パッケージ
）形ハイブリッドＩＣに、シールドを構成する場合には
、まずアルミナ基板などからなる回路基板の一方の側に
、複数のリードを一列に取り付け、このリードを取り付
けた回路基板の表面に、絶縁性樹脂層をディッピング法
で、コーティングする。ついで、絶縁性樹脂層の上に、
さらに導電性樹脂層をコーティングするとともに、この
コーティングと、アース回路に接続されているリードと
を接続する。

したがって、このようなシールドの構成方法では、導電
性樹脂層と、リードとをわざわざ接続する工程が必要と
なり、しかも−列に並んだリードの中から、アース回路
に接続されているリードを選択して、接続する必要があ
る。また、リードとの接続は、きわめて狭いリード間隔
の間で行わなければならず、単純なディッピング法など
では、処理できない問題があった。

本発明は、上記の課題を解決することにより、耐ＥＭＩ
性、耐ノイズ性を向上した複合電子部品を、少ない処理
工数で、しかも単純な処理方法で製造する方法を提供す
ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための手段として、本発明は、電
子部品を載置した基板に、外部回路に接続するためのリ
ードを取り付け、樹脂でモールドする複合電子部品の製
造方法において、上記基板にリードが取り付けられてい
る側とは、別の側に、基板上のアース回路に接続される
リードを取り付け、該リードの取り付けられた基板を、
絶縁樹脂材料でコーティングし、アース回路に接続され
た上記リードの一部分が、上記コーティングから露出す
るように、リードを切断し、該リードを切断した基板を
、導電性樹脂材料により、コーティングする方法であっ
て、該導電性樹脂材料によるコーティングは、アース回
路に接続されたリードの絶縁材料から露出している部分
には、付着し、外部回路に接続されるリードには、付着
しないようにして、行われることを特徴とする。

［作用コ 本発明の複合電子部品の製造方法は、複合電子部品を、
下記の手順により製造する。

まず、電子部品を載置した基板から外部回路に接続する
ためのリードを取り付ける側とは、別の側に、リードを
基板上のアース回路に接続させて、取り付ける。ついで
、上記基板を絶縁樹脂材料でコーティングし、リードを
切断する。このリードの切断は、上記アース回路に接続
されたリードの一部分が、上記絶縁樹脂材料によるコー
ティングから、露出するように行う。リードを切断した
後は、導電性樹脂材料により、基板をコーティングする
。このコーティング方法は、導電性樹脂材料が、基板と
外部回路とを接続するためのリードには、付着しないよ
うにし、一方アース回路に接続されているリードには、
付着するように行う。これにより、基板のアース回路と
導電性樹脂材料とは、電気的に導通状態となり、外部回
路と接続するためのリードと導電性樹脂材料とは、非導
通状態になる。したがって、本発明により、リードの取
り付け、及び切断と、樹脂のコーティングとにより、耐
ＥＭＩ、耐ノイズ性を備えた複合電子部品を製造するこ
とができる。

［実施例］ 次に、本発明の複合電子部品の製造方法を適用したハイ
ブリッドＩＣｌ０の製造方法を第１図ないし第８図を参
照して、説明する。第１図に示すように、樹脂コーティ
ングを施す前のハイブリッドＩＣｌ０は、周知の方法に
よって製造された電子回路であって、９６％アルミナか
らなる基板１２上に、厚膜回路パターン（図示せず）が
形成され、その上に電子回路部品として、ＤＩＰ型ＩＣ
１４やチップ部品１６が実装されて、これらがはんだ付
によって取り付けられている。

■クリップリードの取り付け：第１図、及び第１図のハ
イブリッドＩＣｌ０のＡ−Ａ断面を示す第２図のように
、チップ部品１６などが載置されている基板１２の片側
に、外部回路接続用の複数のクリップリード２０をはん
だ付により取り付け、このクリップリード２０が取り付
けられているのとは、反対側の端面にシールド用のクリ
ップリード２２を、厚膜パターンに、はんだ付する。こ
こでは、シールド用のクリップリード２２は、厚膜パタ
ーンのアース回路（接地回路）にはんだ付され、電気的
に接続されるものである。

■絶縁コーティング樹脂によるコーティング：第１図に
示すハイブリッドＩＣｌ０の外部回路接続用クリップリ
ード２０を上の方にして、ディッピング法、あるいは粉
体流動浸漬法により、たとえは、２液性熱硬化形シリコ
ーン樹脂の樹脂液に、ハイブリッドＩＣｌ０を浸し、引
き上げた後、１００℃−１２０℃で、３０分から１時間
、熱硬化させることにより、表面に０．１ｍｍから数ｍ
ｍの厚さの絶縁コーティング樹脂３０をコーティングし
、第３図、及び第３図のハイブリッドＩＣｌ０のＲ−Ｂ
断面を示す第４図のようにする。これにより、外部回路
接続用クリップリード２０のリード部を除いて、ハイブ
リッドＩＣｌ０は、絶縁コーティング樹脂３０により、
樹脂コーティングされる。

■シールド用クリップリード２２の切断：第３図に示す
ハイブリッドＩＣｌ０のシールド用クリンプリード２２
の下部に飛び出している部分を、絶縁コーティング樹脂
３０と共に切断し、第５図、及び第５図のハイブリッド
ＩＣｌ０のＣ−Ｃ断面を示す第６図のようにする。これ
により、切断面３２には、シールド用クリップリード２
２の断面３４が、露出する。

■導電性コーティング樹脂によるコーティング：第５図
に示すハイブリ・ンドＩＣｌ０の外部回路接続用クリッ
プリード２０を上の方にして、このクリップリード２０
に付着しないようにして、ディッピング法、あるいは粉
体流動浸漬法により、たとえは、２掖性熱硬化形シリコ
ーン樹脂であって、カーボン、グラファイト等の導電性
微粉末フィラーを含んだ樹脂液に、ハイブリッドＩＣｌ
０を浸漬し、引き上げた後、１００℃−１２０℃で３０
分から１時間、熱硬化させることにより、表面に０．１
ｍｍから数ｍｍの厚さの導電性コーティング樹脂３６を
コーティングして、第７図、及び第７図のＤ−Ｄ断面を
示す第８図のようにする。

これにより、基板１２のアース回路と電気的に接続され
ているシールド用クリップリード２２の断面３４に、導
電性コーティング樹脂３６が付着して、基板１２のアー
ス回路と、導電性コーティング樹脂３６とが電気的に、
導通状態になる。従って、ハイブリッドＩＣｌ０の基板
１２上の厚膜回路パターン、ＩＣ１４、およびチップ部
品１６などが導電性コーティング樹脂３６によって、シ
ールドされる。

次に、上記ハイブリッドＩＣｌ０を、連続的に製造する
方法を、第９図、及び第１０図を参照して説明する。

第９図に示すように、まず電子回路部品の実装されてい
る基板１２を、サイドパー４０によって連続連結状態で
形成されている外部回路接続用クリップリード２０と、
サイドパー４２によって連続連結状態で形成されている
シールド用クリップリード２２との間に、はんだ付によ
って取り付けることにより、複数のハイブリッドＩＣｌ
０の基板１２を、サイドパー４０．４２によって、連続
的に保持する。これは、クリップリードの自動取り付は
機によって行なうが、一般には、ＤＩＰ形ハイブリッド
ＩＣ用のリード端子取り付は機を使用することにより、
−度に、かつ連続的に、基板１２を、両側端のクリップ
リード２０．２２に取り付けることが可能になる。

基板１２と、クリップリード２０．２２とを取り付けた
後は、第１０図に示すように、絶縁コーティング樹脂３
０によるコーティングを施し、点線Ｅ−Ｅでサイドパー
４２をリード端子切断機で切断する。これにより、ハイ
ブリッドＩＣｌ０は、第５図に示す状態になる。この場
合に、ハイブリッドＩＣｌ０は、サイドバー／１０，４
２により両側から頑丈、かつ安定に、保持されているこ
とから、デイ・ンピング法などによるコーティング？’
Ｊさレベルが正確になり、しかもクリップリード２２の
切断位置が、正確になる。すなわち、ディッピング法な
どによるコーティングの場合に、所定の）後面高さまで
ハイブリッドＩＣｌ０を浸漬することを、簡単に、かつ
正確に行うことが可能になる。

また、クリップリード２２の切断位置を、正確にするこ
とが容易になる。したがって、ハイブリッドＩＣｌ０の
品質が安定する。

サイドパー４２を切断した後は、導電性コーティング樹
脂３６をコーティングし、ハイブリッドＩＣｌ０を、サ
イドパー４０から切り放す。これにより、シールドを構
成する処理が完了し、第７図に示す状態に、ハイブリッ
ドＩＣｌ０がなる。

以上本実施例により、耐ＥＭＩ性、耐ノイズ性を備えた
ハイブリッドＩＣを、従来から行われているクリップリ
ードの取り付け、樹脂コーティング、及びリードの切断
などの工程のみで製造することができる。従って、シー
ルド層を構成する導電性コーティング樹脂と、基板のア
ース回路との接続を、従来の技術のように、態態接続す
ることなく、たとえはデイ・ンビング法、もしくは粉体
流動浸漬法で、コーティングを行うことで行えることか
ら、製造装置に特別な物を用意する必要がなくなり、し
かも製造工数が最短数ですむようになる。

この結果、本実施例により、製造装置、及び製造工数の
低減性を向上することができるという極めて優れた効果
を奏する。

なお、本発明は、上記実施例に限定されることはなく、
たとえば下記に示すような様々な態様の実施が可能であ
る。

■ハイブリッドＩＣｌ０の基板１２としては、通常は、
９６％アルミナ基板が用いられるが、本発明は、これに
限定されるものでなく、基板上に電子回路が形成され、
電子部品が搭載されたものであれは、セラミック基板（
窒化アルミニウム、炭化ケイ素等）、金属基板（ホーロ
ー等）、プラスチック基板（紙フエノール、ガラスエポ
キシ、ポリイミド等）など、如何なるものであってもよ
い。

■絶縁コーティング樹脂３０としては、ハイブリッＦ　
Ｉ　Ｃの電気絶縁性、及び耐湿性が確保できるもであれ
は如何なるものであってもよく、たとえば２液性熱硬化
形シリコーン樹脂以外に、アクリル系、シリコーン系、
ウレタン系、エポキシ系、ブタジェン系、ゴム系などの
各種コーティング樹脂を用いることが可能である。

■導電性コーティング樹脂３６としては、既述したよう
に、カーボン、グラファイトなどの導電性微粉末フィラ
ーを添加することができ、かつ耐湿性が確保できるので
あれば、たとえば２液性熱硬化形シリコーン樹脂以外に
、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、エポキシ系
、ブタジェン系、ゴム系などの各種コーティング樹脂を
用いることが可能である。

次に第１１図、及び第１１図のＦ−Ｆ断面を示す第１２
図に基づいて、第２実施例を説明する。

本実施例は、第１実施例によって、製造したハイブリッ
ドＩＣｌ０に、さらに絶縁コーティング樹脂３０をコー
ティングするものである。ここで行われる絶縁コーティ
ング樹脂３０のコーティングは、第１実施例と同様に、
ディッピング法、あるいは粉体流動浸漬法により行われ
るものであって、導電性コーティング樹脂３６の全面を
、覆うように形成されるものである。これにより、ハイ
ブリッドＩＣｌ０には、基板１２上に、順に、絶縁コー
ティング樹脂３０、導電性コーティング樹脂３６、絶縁
コーティング樹脂３０が、形成され、シールド層を構成
する導電性コーティング樹脂３６は、ハイブリッドＩＣ
ｌ０の外部に対して、電気的に、絶縁状態に保持される
。

以上、本第２実施例により、ハイブリッドＩＣ１０の最
表面に、絶縁層が構成され、導電層が露出しなくなるこ
とから、たとえばハイブリッドＩＣをプリント基板上に
高密度に実装した場合に、他の素子や電気回路と接触し
た際、この素子や回路に電位がかかっていても、ハイブ
リッドＩＣｌ０の表面から、アース回路に電流が流人す
ることがなくなり、ハイブリッドＩＣｌ０の動作に悪影
響を与えることを防止することができる。したがって、
ハイブリッドＩＣの信頼性が向上する。

次に、第１３図ないし第１６図に基づいて、本発明の実
施例の変形例を説明する。

第１３図に示すハイブリッドＩＣｌ０は、シールド用ク
リップリード２２の一端が基板１２の小型のチップ部品
１６が取り付けられている側に突出するように構成され
、他端が外部回路接続用クリップリード２０が取り付け
られている基板１２の端面とは反対側の端面に取り付け
られた後、第１実施例と同様の方法で、樹脂コーティン
グ、及びリードの切断等が行われて、製造されたもので
ある。

第１４図に示すハイブリッドＩＣｌ０は、シールド用ク
リップリード２２の一端が基板１２のＩＣ１４などが取
り付けられている側に突出するように構成され、他端が
外部回路接続用クリップリード２０が取り付けられてい
る基板１２の端面とは反対側の端面に取り付けられた後
、第１実施例と同様の方法で、樹脂コーティング、及び
リードの切断等が行われて、製造されたものである。

第１５図に示すハイブリッドＩＣｌ０は、シールド用ク
リップリード２２が、基板１２に外部回路接続用クリッ
プリード２０が取り付けられている基板１２の端面に対
して、横方向の端面に取り付けられた後、第１実施例と
同様の方法で、樹脂コーティング、及びリードの切断等
が行われで、製造されたものである。この方法によれば
、第１３図、及び第１４図に示す方法より、シールド用
クリップリード２２の切断が容易になり、しかも短く切
断することが可能になる。したがって、ハイブリッドＩ
Ｃｌ０の小型化を図ることができる。

第１６図に示すハイブリッドＩＣｌ０は、シールド用ク
リップリード２２の一端が基板１２のチップ部品１６が
取り付けられていない裏面側に突出するように構成され
、他端が外部回路接続用クリップリード２０が取り付け
られている基板１２の端面とは反対側の端面に取り付け
られた後、第１実施例と同様の方法で、樹脂コーティン
グ、及びリードの切断等が行われて、製造されたもので
ある。この方法によれは、第１３図、及び第１４図に示
す方法より、シールド用クリップリード２２の切断が容
易になり、しかも短く切断することが可能になる。した
がって、ハイブリッドＩＣｌ０の小型化を図ることがで
きる。

なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものでなく
、本発明の要旨を変更しない範囲で様々な態様の実施が
可能である。

［発明の効果］ 本発明の複合電子部品の製造方法は、樹脂のコーティン
グと、リードの取り付は及び切断とにより、複合電子部
品にシールドを構成する。したがって、耐ノイズ性、耐
ＥＭＩ性を備えた複合電子部品を、下記に示すように、
従来からの複合電子部品を製造する設備をそのまま使用
し、しかも少ない工数で製造することができるという生
産性、及び設４ａ費の低減作用を、高くできるという極
めて優れた効果を奏する。

■外部回路に接続するためのリードと、シールドをする
ためのリードとを、別の側に取り付け、以後の処理工程
をリードの切断、及び樹脂のコーティングのみで行える
ようにしているため、たとえはシールド層を構成する導
電性樹脂材料と、基板のアース回路との接続が、特別に
接続処理を行う装置を用いることなく、従来から電子部
品のコーティング処理に用いられている装置、及び方法
を、そのまま用いて、少ない工程で、しかも単純な処理
作業で行うことができる。すなわち、装置コスト、及び
製造処理コストが低減する。

■リードの取り付け、切断、樹脂コーティング処理を一
貫して連続的に行う従来から用いられている装置の処理
内容のみでシールドが完成することから、新たな製造装
置、及び製造技術の導入を行なうことなく、連続的に、
かつ−貫して、耐ノイズ性、耐ＥＭＩ性を備えた複合電
子部品を製造することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第８図は本発明の第１実施例の製造方法に
よるハイブリッドＩＣの状態を段階的に示すハイブリッ
ドＩＣの構成図、第９図及び第１０図はそのハイブリッ
ドＩＣを連続的に製造する場合のハイブリッドＩＣの構
成図、第１１図及び第１２図は第２実施例のハイブリッ
ドＩＣの構成図、第１３図ないし第１６図は第１実施例
の変形例のハイブリッドＩＣの構成図である。 １０・・・ハイブリッドＩＣ，１２・・・基板、１４・
・・ＤＩＰ形ＩＣ５１６・・・チップ部品、２０・・・
外部回路接続用クリップリード、２２・・・シールド用
クリップリード、３０・・・絶縁コーティング樹脂、３
４・・・断面、３６・・・導電性コーティング樹脂代理
人　　弁理士　　定立　勉　（他２名）第９図 第１０図 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１１図 １ｎ ―Ｆ 第１２図 第１３図 第１４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　電子部品を載置した基板に、外部回路に接続するため
   のリードを取り付け、樹脂でモールドする複合電子部品
   の製造方法において、 上記基板にリードが取り付けられている側とは、別の側
   に、基板上のアース回路に接続されるリードを取り付け
   、 該リードの取り付けられた基板を、絶縁樹脂材料でコー
   ティングし、 アース回路に接続された上記リードの一部分が、上記コ
   ーティングから露出するように、リードを切断し、 該リードを切断した基板を、導電性樹脂材料により、コ
   ーティングする方法であって、 該導電性樹脂材料によるコーティングは、 アース回路に接続されたリードの絶縁材料から露出して
   いる部分には、付着し、 外部回路に接続されるリードには、付着しないようにし
   て、行われること を特徴とする複合電子部品の製造方法。