JPH02129089A - 浮遊帯域溶融装置 - Google Patents

浮遊帯域溶融装置

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JPH02129089A
JPH02129089A JP24790289A JP24790289A JPH02129089A JP H02129089 A JPH02129089 A JP H02129089A JP 24790289 A JP24790289 A JP 24790289A JP 24790289 A JP24790289 A JP 24790289A JP H02129089 A JPH02129089 A JP H02129089A
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JP
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bell
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cylindrical vessel
fixed
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JP24790289A
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JPH07100639B2 (ja
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Hans Juergen Fenzl
ハンスユルゲン、フエンツル
Michael Klement
ミヒアエル、クレメント
Otto Maier
オツトー、マイヤー
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/26—Stirring of the molten zone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/32—Mechanisms for moving either the charge or the heater

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  • Metallurgy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、溶融コイルを収める排気鐘、排気鐘の上方
に設けられた上部操作ユニット、排気鐘の下方に設けら
れた下部操作ユニット、基礎上に置かれそれと結合する
ことができる支持体を持つ排気鐘支持体を備える単結晶
棒の浮遊帯域溶融装置に関するものである。
〔従来の技術］ この種の装置は一般に半導体技術の単結晶シリコン棒の
製作に使用されるものでよく知られている。排気鐘を支
える枠には支持体があり下部操作ユニットの下方でコン
クリートのＭＷ上に乗せられる。これにより支持体から
排気鐘のほぼ中央に置かれる溶融コイルに達する比較的
長いてこが形成される。従って基礎が振動すると溶融コ
イルの高さでは大きな振幅となる。結晶の品質の点では
溶融帯域に伝えられる振動はできるだけ小さくなること
が必要である。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明の課題は、公知装置を改良して基礎の振動が溶
融帯域に及ぼす作用をできるだけ弱くすることである。
〔課題を解決するための手段］ この課題は支持体を下部操作ユニットの下端の上方で枠
に固定することによって解決される。
〔実施例〕
実施例と図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
図面には単結晶棒の浮遊帯域溶融装置の前面が示されて
いる。設備の中心部分は上部円筒容器２と下部円筒容器
３に結合された排気鐘１である。
部分ｌ、２および３から成るユニットは気密閉鎖され排
気可能である。排気鐘ｌはその長さ方向の拡がりのほぼ
中央に観察窓４があり、その背後に図には示されていな
い高周波溶融コイルが設けられる。このコイルは気密引
込部によって排気鐘壁を貫通する高周波ケーブル５に接
続される。溶融コイルは装置全体のほぼ重心に置かれる
０円筒容器２．３は単結晶又は多結晶の棒を収容するた
めのものである。排気鐘１には横材１２の上に乗せられ
た支台１０．１１が設けられている。横材１２は枠１３
に固定される。枠１３はその下端の支持体１４．１５を
もってコンクリートの基礎１６上に乗せられる。
枠の上面には上部操作ユニット６を支持する継鉄７が固
定されている。この操作ユニットは１つのスピンドルと
垂直運動用のスリットと回転運動用のモーターを備え、
気密引込部１７を通して上方の円筒容器２に連結される
。容器２内では多結晶の予備棒が回転し上下に移動する
。下部操作ユニット８も同様な構成であり、継鉄９にあ
る気密引込部１Ｂによって円筒容器３内に置かれた単結
晶棒を回転させ、成長速度に応じて下に引き下げる。
枠の支持体１４．１５はここではこの発明に従い下部操
作ユニット８の下端の上方で枠１３に固定される。これ
によって比較的僅かな間隔ａが支持体１４、Ｉ５と溶融
コイルの間に形成される。
１Ｎ１１６の振動は従って比較的短いてこをもって溶融
帯域に伝えられる。
原理的には枠の支持体は装置の重心の高さで枠に保持さ
れているのが有利である。しかしこの場合排気鐘への接
近性が損なわれるから、原理的には支持体を装置の重心
のできるだけ近（に即ち枠の溶融コイルのできるだけ近
くに置くことが望まれる。操作員が任意に排気鐘の観察
窓のある前面に立入ることができるものとして、下方の
円筒容Ｈ３の高さに置くことも可能である。
支持体！４．１５は公知のように吸振器を備えているこ
とも可能である。これには公知のゴム・銅複合素子が考
えられる。ｒＡ勅の種類に応じてこの種の吸振器は各空
間座標において減衰させるように構成される。
【図面の簡単な説明】
図面は単結晶棒の浮遊帯域溶融装置の前面を示す。 ｌ・・・排気鐘 ２・・・上部円筒容器 ３・・・下部円筒容器 ６・・・上部操作ユニット ８・・・下部操作ユニット １３・・・支持枠 １４．１５・・・支持体 １６・・・蟇礎

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）溶融コイルを収める排気鐘（１）、排気鐘の上方に
    設けられた上部操作ユニット（６）、排気鐘の下方に設
    けられた下部操作ユニット（８）、基礎（１６）上に置
    かれそれと結合することができる支持体を持つ排気鐘支
    持枠を備える単結晶棒の浮遊帯域溶融装置において、支
    持体（１４、１５）が下方の操作ユニット（８）の下端
    の上方において枠（１３）に固定されていることを特徴
    とする浮遊帯域溶融装置。 ２）支持体（１４、１５）が装置の重心の近くで枠に固
    定されていることを特徴とする請求項１記載の装置。 ３）支持体（１４、１５）が吸振器を備えていることを
    特徴とする請求項１又は２記載の装置。
JP1247902A 1988-09-28 1989-09-22 浮遊帯域溶融装置 Expired - Fee Related JPH07100639B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883832896 DE3832896A1 (de) 1988-09-28 1988-09-28 Anordnung zum tiegellosen zonenschmelzen
DE3832896.8 1988-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02129089A true JPH02129089A (ja) 1990-05-17
JPH07100639B2 JPH07100639B2 (ja) 1995-11-01

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ID=6363883

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RU94036650A (ru) * 1994-09-28 1996-08-27 Г.С. Бурханов Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6054916A (ja) * 1983-09-06 1985-03-29 坂東　尚周 六角薄板状ｄ−Ａｌ↓２Ｏ↓３粒子及びその製造法

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JPS6054916A (ja) * 1983-09-06 1985-03-29 坂東　尚周 六角薄板状ｄ−Ａｌ↓２Ｏ↓３粒子及びその製造法

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JPH07100639B2 (ja) 1995-11-01
DE3832896A1 (de) 1990-03-29

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