JPH0212910A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
- Publication number
- JPH0212910A JPH0212910A JP16432488A JP16432488A JPH0212910A JP H0212910 A JPH0212910 A JP H0212910A JP 16432488 A JP16432488 A JP 16432488A JP 16432488 A JP16432488 A JP 16432488A JP H0212910 A JPH0212910 A JP H0212910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- wafer
- gas
- inner chamber
- hole
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子の製造装置に関し、特に枚葉式減
圧ＣＶＤ装置のチャンバー構造に関する。
圧ＣＶＤ装置のチャンバー構造に関する。
従来、この種の枚葉式減圧ＣＶＤ装置のチャンバーは、
円筒形をしておりウェハーをセットするプラットホーム
を覆うかたちで置かれる。
円筒形をしておりウェハーをセットするプラットホーム
を覆うかたちで置かれる。
チャンバー内にはガス吹き出し部を持ち、その吹き出し
部形状によりチャンバー内壁とウェハー表面で挟む空間
のガス流がウェハーエツジから中心方向になるよう設計
されていた。従来、かかる枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、米
国のフォーカス（ＦＯＣＵＳ）社から売り出されていた
。
部形状によりチャンバー内壁とウェハー表面で挟む空間
のガス流がウェハーエツジから中心方向になるよう設計
されていた。従来、かかる枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、米
国のフォーカス（ＦＯＣＵＳ）社から売り出されていた
。
上述した従来の枚葉式減圧ＣＶＤ装置のチャンバーは、
チャンバーが１つだけ有りチャンバー内ガス流をウェハ
一端から中心に向くようにするため、ウェハー表面から
チャンバーのウェハーに相対する面までの間隔が大きく
、成長速度は増大するが、薄膜制御ができないという欠
点があった。
チャンバーが１つだけ有りチャンバー内ガス流をウェハ
一端から中心に向くようにするため、ウェハー表面から
チャンバーのウェハーに相対する面までの間隔が大きく
、成長速度は増大するが、薄膜制御ができないという欠
点があった。
本発明の枚葉式減圧ＣＶＤ装置チャンバーは、プラット
ホームに置かれたウェハー表面に相対する面を持ち、表
面に一定数、一定径の孔の開いた円筒状の内部チャンバ
ーと、さらにその内部チャンバーを覆う外部チャンバー
を有することを特徴とする。
ホームに置かれたウェハー表面に相対する面を持ち、表
面に一定数、一定径の孔の開いた円筒状の内部チャンバ
ーと、さらにその内部チャンバーを覆う外部チャンバー
を有することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の縦断面図である。ウェハー１を載
置するプラットホーム２の外周は内部チャンバー３で覆
われ、その外側に外部チャンバー５が設けられている。
は本発明の一実施例の縦断面図である。ウェハー１を載
置するプラットホーム２の外周は内部チャンバー３で覆
われ、その外側に外部チャンバー５が設けられている。
内部チャンバー３にはガスを流通させる孔４が複数個設
けられており、外部チャンバー５にはチャンバー内ガス
吹き出し孔６とガス導入孔７が設けられている。本実施
例が従来装置と異なるところは外部チャンバー５の内に
内部チャンバー３が設けられている点である。
けられており、外部チャンバー５にはチャンバー内ガス
吹き出し孔６とガス導入孔７が設けられている。本実施
例が従来装置と異なるところは外部チャンバー５の内に
内部チャンバー３が設けられている点である。
プラットホーム２上に置かれたウェハー１は、熱反応に
必要な温度まで加熱されている。外部チャンバー５の空
間ヘチャンバー内ガス吹き出し孔６から反応ガスが流入
すると、空間を拡散して反応ガス分子がウェハー１上に
到達し、熱化学反応によりウェハー１上にＣＶＤ膜が均
一性良く成長される。未反応ガスや余剰ガスはガス排気
孔８を通って外部に排気される。
必要な温度まで加熱されている。外部チャンバー５の空
間ヘチャンバー内ガス吹き出し孔６から反応ガスが流入
すると、空間を拡散して反応ガス分子がウェハー１上に
到達し、熱化学反応によりウェハー１上にＣＶＤ膜が均
一性良く成長される。未反応ガスや余剰ガスはガス排気
孔８を通って外部に排気される。
本実施例では、ウェハー１は内部チャンバー３によって
覆われており、ウェハー１の周囲の空間が狭くなってい
るので成長するＣＶＤ膜の制御が容易になる。
覆われており、ウェハー１の周囲の空間が狭くなってい
るので成長するＣＶＤ膜の制御が容易になる。
以上説明したように本発明は、枚葉式減圧ＣＶＤ装置の
チャンバーを二重構造としたことにより薄膜成長の膜厚
制御ができるという効果がある。
チャンバーを二重構造としたことにより薄膜成長の膜厚
制御ができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１・・・ウェハー、２・・・プラットホーム、３・・・
内部チャンバー、４・・・内部チャンバーの孔、５・・
・外部チャンバー、６・・・チャンバーへのガス吹き出
し孔、７・・・チャンバーへのガス導入孔、８・・・ガ
ス排気孔。
内部チャンバー、４・・・内部チャンバーの孔、５・・
・外部チャンバー、６・・・チャンバーへのガス吹き出
し孔、７・・・チャンバーへのガス導入孔、８・・・ガ
ス排気孔。
Claims (1)
- 枚葉式減圧ＣＶＤ装置において、ウェハー表面に相対す
る面を持ち表面に一定径で孔の開いた円筒状の内部チャ
ンバーと、さらにその内部チャンバーを覆う外部チャン
バーを有することを特徴とする半導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16432488A JPH0212910A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16432488A JPH0212910A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212910A true JPH0212910A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15790998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16432488A Pending JPH0212910A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212910A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49140B1 (ja) * | 1968-09-20 | 1974-01-05 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16432488A patent/JPH0212910A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49140B1 (ja) * | 1968-09-20 | 1974-01-05 |
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