JPH01305513A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH01305513A JPH01305513A JP13772588A JP13772588A JPH01305513A JP H01305513 A JPH01305513 A JP H01305513A JP 13772588 A JP13772588 A JP 13772588A JP 13772588 A JP13772588 A JP 13772588A JP H01305513 A JPH01305513 A JP H01305513A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- heater
- electrode
- outer periphery
- electrodes
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 8
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
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- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶ
Ｄ装置において、特に、複数の対向する電極を備え、こ
の電極の一方に半導体基板を載せ電極間に高電圧を印加
して放電を発生させ、半導体基板上に成膜を行うプラズ
マＣＶＤ装置に関する。
Ｄ装置において、特に、複数の対向する電極を備え、こ
の電極の一方に半導体基板を載せ電極間に高電圧を印加
して放電を発生させ、半導体基板上に成膜を行うプラズ
マＣＶＤ装置に関する。
従来のプラズマＣＶＤ装置は、第２図に示すようにヒー
ター１にて外周より加熱され、減圧にし得る円筒状の炉
芯管２内に複数の対向する電極３ａ。
ター１にて外周より加熱され、減圧にし得る円筒状の炉
芯管２内に複数の対向する電極３ａ。
３ｂを備え、この電極３ａ、３ｂの一方に半導体基板４
を載せ、炉芯管２一端のガス導入口５より反応ガス６を
導入しながら放電用電源７により電極３ａ、３ｂ間に高
電圧を印加して放電を発生させ、反応ガス６を分解し半
導体基板４上に成膜を行うという構造が一般的であった
。
を載せ、炉芯管２一端のガス導入口５より反応ガス６を
導入しながら放電用電源７により電極３ａ、３ｂ間に高
電圧を印加して放電を発生させ、反応ガス６を分解し半
導体基板４上に成膜を行うという構造が一般的であった
。
上述した従来のプラズマＣＶＤ装置においては、炉芯管
２一端のガス導入口５より入った反応ガス６は、矢印で
示すガス流８となり半導体基板４の中心部まで回り込み
にくく、かつ、反応ガス６は電極３ａ、３ｂの外周部よ
り電極３ａ、３ｂ間に入り込む。また、炉芯管２は外周
よりヒーター１で加熱されるから、中心部より外周部が
高温になるため、電極３ａにより炉芯管２内に挿入され
た半導体基板４は、その外周部の温度が中心部より高く
なるので、まず、半導体基板４の外周部で反応ガス６に
よる成膜が行われ反応ガス６が消費されてしまう。そし
て、半導体基板４中心部では反応ガス６濃度が薄くなり
、しがも外周部に比べて温度が低いから膜の成長が遅く
なる。このため、半導体基板４上に成長される膜厚の分
布に差が生じるという欠点を有していた。
２一端のガス導入口５より入った反応ガス６は、矢印で
示すガス流８となり半導体基板４の中心部まで回り込み
にくく、かつ、反応ガス６は電極３ａ、３ｂの外周部よ
り電極３ａ、３ｂ間に入り込む。また、炉芯管２は外周
よりヒーター１で加熱されるから、中心部より外周部が
高温になるため、電極３ａにより炉芯管２内に挿入され
た半導体基板４は、その外周部の温度が中心部より高く
なるので、まず、半導体基板４の外周部で反応ガス６に
よる成膜が行われ反応ガス６が消費されてしまう。そし
て、半導体基板４中心部では反応ガス６濃度が薄くなり
、しがも外周部に比べて温度が低いから膜の成長が遅く
なる。このため、半導体基板４上に成長される膜厚の分
布に差が生じるという欠点を有していた。
上述した従来のプラズマＣＶＤ装置に対して、本発明は
半導体基板を載置したおのおのの電極に半導体基板を加
熱すべくヒーターを埋設するという相違点を有している
。
半導体基板を載置したおのおのの電極に半導体基板を加
熱すべくヒーターを埋設するという相違点を有している
。
本発明は、ヒーターにて外周より加熱され、減圧にし得
る円筒状の炉芯管内に複数の対向する電極を備え、該電
極の一方に半導体基板を載置し、前記炉芯管ビ滑こ反応
ガスを導入しながら前記電極間に高電圧を印加して放電
を発生させ、前記半導体基板に成膜を行うプラズマＣＶ
Ｄ装置において、前記半導体基板を載置したおのおのの
電極に半導体基板を加熱すべくヒーターを埋設している
。
る円筒状の炉芯管内に複数の対向する電極を備え、該電
極の一方に半導体基板を載置し、前記炉芯管ビ滑こ反応
ガスを導入しながら前記電極間に高電圧を印加して放電
を発生させ、前記半導体基板に成膜を行うプラズマＣＶ
Ｄ装置において、前記半導体基板を載置したおのおのの
電極に半導体基板を加熱すべくヒーターを埋設している
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
ヒーターｌにて外周よＩＪ加熱され、減圧にし得る円筒
状の炉芯管２内に半導体基板４を電極３ａにて挿入し、
ガス導入口５より反応ガス６が炉芯管２内に導入され、
おのおのの半導体基板４上に気相成長を行う構造は従来
と同様である。
状の炉芯管２内に半導体基板４を電極３ａにて挿入し、
ガス導入口５より反応ガス６が炉芯管２内に導入され、
おのおのの半導体基板４上に気相成長を行う構造は従来
と同様である。
本発明は、第１図に示すように半導体基板４を載置した
おのおのの電極３ａに半導体基板加熱用ヒーター９を埋
設し、各半導体基板加熱用ヒーター９は温調器１０から
の制御指令を受けて個別に温度制御される。
おのおのの電極３ａに半導体基板加熱用ヒーター９を埋
設し、各半導体基板加熱用ヒーター９は温調器１０から
の制御指令を受けて個別に温度制御される。
実施例において、半導体基板４の外周部を電極３ａの外
周部に接触させるとともに、半導体基板４の中心部を半
導体基板加熱用ヒーター９に密着させて該半導体基板４
を電極３ａに載置する。炉芯管２内に挿入された半導体
基板４は、その外周部が炉芯管２の高温な管壁に接近し
ているため半導体基板４の外周部の温度が中心部より高
い傾向を示し、半導体基板４が反応ガス６と反応する場
合に温度の高い外周部が中心部より膜の成長が速くなる
。
周部に接触させるとともに、半導体基板４の中心部を半
導体基板加熱用ヒーター９に密着させて該半導体基板４
を電極３ａに載置する。炉芯管２内に挿入された半導体
基板４は、その外周部が炉芯管２の高温な管壁に接近し
ているため半導体基板４の外周部の温度が中心部より高
い傾向を示し、半導体基板４が反応ガス６と反応する場
合に温度の高い外周部が中心部より膜の成長が速くなる
。
そこで本発明は、温調器１０からの温度制御指令により
各半導体基板加熱用ヒーター９を駆動した各半導体基板
４の中心部を加熱する。その際、半導体基板４の外周部
は電極３ａに接触しているから、半導体基板加熱用ヒー
ター９による温度上昇がない。従って、半導体基板加熱
用ヒーター９の駆動により半導体基板４の中心部の温度
を外周部より高い温度分布に設定する。これにより、半
導体基板４の外周部は中心部より温度が相対的に低く設
定されるから反応ガス６との反応速度が遅くなり、反応
ガス６は半導体基板４の外周部であまり消費されること
なく半導体基板４の中心部に向けて侵入するため、半導
体基板４の中心部付近の反応ガス６濃度は外周部と比較
して相対的に高く維持され、半導体基板４の中心部は高
濃度の反応６と反応する。一方、炉芯管２内を流れる反
応ガス６は電極３ａ、３ｂの外周部に沿って軸方向に流
れるため、高濃度ガスが電極３ａ、３ｂ間に侵入して中
心部で消費されるとしても、半導体基板４の外周部での
反応ガス６濃度は極端に低下することがなく、膜成長は
行われる。
各半導体基板加熱用ヒーター９を駆動した各半導体基板
４の中心部を加熱する。その際、半導体基板４の外周部
は電極３ａに接触しているから、半導体基板加熱用ヒー
ター９による温度上昇がない。従って、半導体基板加熱
用ヒーター９の駆動により半導体基板４の中心部の温度
を外周部より高い温度分布に設定する。これにより、半
導体基板４の外周部は中心部より温度が相対的に低く設
定されるから反応ガス６との反応速度が遅くなり、反応
ガス６は半導体基板４の外周部であまり消費されること
なく半導体基板４の中心部に向けて侵入するため、半導
体基板４の中心部付近の反応ガス６濃度は外周部と比較
して相対的に高く維持され、半導体基板４の中心部は高
濃度の反応６と反応する。一方、炉芯管２内を流れる反
応ガス６は電極３ａ、３ｂの外周部に沿って軸方向に流
れるため、高濃度ガスが電極３ａ、３ｂ間に侵入して中
心部で消費されるとしても、半導体基板４の外周部での
反応ガス６濃度は極端に低下することがなく、膜成長は
行われる。
従って本発明によれば、炉芯管２内の半導体基板４の面
内温度分布を外部より任意に制御することにより、半導
体基板１面内で均一な膜を成長することができる。
内温度分布を外部より任意に制御することにより、半導
体基板１面内で均一な膜を成長することができる。
以上説明したように本発明は、半導体基板内の温度分布
を制御することにより半導体基板上に膜厚分布の均一な
膜を成長させることができ、従って、半導体基板の歩留
まりをも向上することができるという効果がある。
を制御することにより半導体基板上に膜厚分布の均一な
膜を成長させることができ、従って、半導体基板の歩留
まりをも向上することができるという効果がある。
−６＝
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。 ■・・・・ヒーター、２・旧・炉芯管、３ ａ、 ３
ｂ・・・・・電極、４・・・・半導体基板、訃・・・・
・ガス導入口、６ ・・・・反応ガス、７・・・・・・
放電用電源、８・旧・・ガス流、９・・・・・半導体基
板加熱用ヒーター、１ｏ・白・・温調器、１１・・・・
排気口 代理人 弁理士 内 原 晋
のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。 ■・・・・ヒーター、２・旧・炉芯管、３ ａ、 ３
ｂ・・・・・電極、４・・・・半導体基板、訃・・・・
・ガス導入口、６ ・・・・反応ガス、７・・・・・・
放電用電源、８・旧・・ガス流、９・・・・・半導体基
板加熱用ヒーター、１ｏ・白・・温調器、１１・・・・
排気口 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- ヒーターにて外周より加熱され、減圧にし得る円筒状
の炉芯管内に複数の対向する電極を備え、該電極の一方
に半導体基板を載置し、前記炉芯管内に反応ガスを導入
しながら前記電極間に高電圧を印加して放電を発生させ
、前記半導体基板上に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記半導体基板を載置したおのおのの電極に前
記半導体基板を加熱すべくヒーターを埋設したことを特
徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772588A JPH01305513A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13772588A JPH01305513A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305513A true JPH01305513A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15205371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13772588A Pending JPH01305513A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01305513A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538868U (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| JP2006196681A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| KR100679702B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 적층형 웨이퍼 가열로 |
| JP2010135835A (ja) * | 2010-02-17 | 2010-06-17 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP2010171187A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびこれを用いた半導体素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP13772588A patent/JPH01305513A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538868U (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| US6024888A (en) * | 1992-12-08 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Vapor selective etching method and apparatus |
| KR100679702B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-02-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 적층형 웨이퍼 가열로 |
| JP2006196681A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP2010171187A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびこれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP2010135835A (ja) * | 2010-02-17 | 2010-06-17 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
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