JPH02129393A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02129393A JPH02129393A JP27942388A JP27942388A JPH02129393A JP H02129393 A JPH02129393 A JP H02129393A JP 27942388 A JP27942388 A JP 27942388A JP 27942388 A JP27942388 A JP 27942388A JP H02129393 A JPH02129393 A JP H02129393A
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- plating
- plating solution
- plating liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要］
半導体装置の製造方法、特に集積回路（ＩＣ）製造工程
のウェハ・プロセスにおけるメッキ・プロセスの改良に
関し、 ウェハ表面のメッキ部分に気泡や微粒子を付着させたま
まメッキすることなく、良好なメッキを行うことができ
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とし、 上向きに配置したウェハの上部からメッキ液を供給し、
このメッキ液に含まれる気泡や微粒子をウェハの上方の
脱泡孔から除去してメッキすることを特徴とする半導体
装置の製造方法を含み）ｊＩ成する。
のウェハ・プロセスにおけるメッキ・プロセスの改良に
関し、 ウェハ表面のメッキ部分に気泡や微粒子を付着させたま
まメッキすることなく、良好なメッキを行うことができ
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とし、 上向きに配置したウェハの上部からメッキ液を供給し、
このメッキ液に含まれる気泡や微粒子をウェハの上方の
脱泡孔から除去してメッキすることを特徴とする半導体
装置の製造方法を含み）ｊＩ成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に集積回路（ＩＣ
）製造工程のウェハ・プロセスにおけるメッキ・プロセ
スの改良に関する。
）製造工程のウェハ・プロセスにおけるメッキ・プロセ
スの改良に関する。
近年のＩＣの高密度化に伴い、■チップ内の実装電極の
高密度化が要求されている。このため、半導体チップに
形成する接続電極である金バンプのサイズの小さいもの
を歩留りよく形成する必要がある。
高密度化が要求されている。このため、半導体チップに
形成する接続電極である金バンプのサイズの小さいもの
を歩留りよく形成する必要がある。
［従来の技術］
近年、ＬＳＩの電極数は増加する傾向にあり、従来の金
バンプ形成技術においては、金メッキにてバンブを形成
しているが、この際メツ＝ｌ−／＆は下から供給し、ウ
ェハを伏せてその上に誼いてメッキを行っていた。
バンプ形成技術においては、金メッキにてバンブを形成
しているが、この際メツ＝ｌ−／＆は下から供給し、ウ
ェハを伏せてその上に誼いてメッキを行っていた。
かかる金バンプの形成する方法を第３図を参照して節単
に説明すると、同図（ａ）に示されるようにシリコン基
板３１に導体３２が設けられていてそれに接続するバン
プを形成するには、同図りｂ）に示されるように、シリ
コン基板３１工にレジスト３３を塗布し、それを図示の
如くパターニングし、次いで金メッキして金バンプ３５
を形成し、最後に同図（ｃ）に示される如くレジストを
除去し、導体３２と接続した金バンブ３５を残す。
に説明すると、同図（ａ）に示されるようにシリコン基
板３１に導体３２が設けられていてそれに接続するバン
プを形成するには、同図りｂ）に示されるように、シリ
コン基板３１工にレジスト３３を塗布し、それを図示の
如くパターニングし、次いで金メッキして金バンプ３５
を形成し、最後に同図（ｃ）に示される如くレジストを
除去し、導体３２と接続した金バンブ３５を残す。
前記の金メッキをなすには第４図（ａ）に示される装置
を用いる。図中、４１はメイン・タンク、４２はサブ・
タンク、４３はメッキ部で、斜線を付して示すメッキ液
４４は、サブ・タンク４２からマグネット・ポンプ４５
を介してメッキ部４３へ供給され、他方サブ・タンク４
２を含む部分でメッキ液４４は、膜ポンプ４６ａ、活性
炭フィルター４７および膜ポンプ４６ｂ、濾過フィルタ
ー４８を介して循環せしめられ清浄化され、熱電対４９
によってその温度が検知される。
を用いる。図中、４１はメイン・タンク、４２はサブ・
タンク、４３はメッキ部で、斜線を付して示すメッキ液
４４は、サブ・タンク４２からマグネット・ポンプ４５
を介してメッキ部４３へ供給され、他方サブ・タンク４
２を含む部分でメッキ液４４は、膜ポンプ４６ａ、活性
炭フィルター４７および膜ポンプ４６ｂ、濾過フィルタ
ー４８を介して循環せしめられ清浄化され、熱電対４９
によってその温度が検知される。
メッキ部４３は同図（ｂ）に詳細に示され、メッキ液４
４はウェハ（カソード）５０に下方から供給される構成
となっている。図中、５１はアノードで、ウェハ５０は
カソードとなっている爪５２で支持され、メッキ液４４
は爪の間の空隙を流れて同図（ａ）と（ｂ）に示される
如くメッキ部４３から溢れ出るようになっている。
４はウェハ（カソード）５０に下方から供給される構成
となっている。図中、５１はアノードで、ウェハ５０は
カソードとなっている爪５２で支持され、メッキ液４４
は爪の間の空隙を流れて同図（ａ）と（ｂ）に示される
如くメッキ部４３から溢れ出るようになっている。
ところが、メン＝１層夜中に気泡や微粒子が含まれてい
ると、下から供給されるメッキ液を上方で抑える形でウ
ェハが載っているために、気泡や微粒子がウェハ表面の
レジストパターンなどにひっかかりやすくオーバーフロ
ーさせていても除去しきれなかった。これを第５図を参
照して説明すると、第３図（ｂ）に示した如きレジスト
パターンは、メッキ部４３では第５図（ａ）に示される
ように配置され、気泡５３や微粒子５４は第５図（ａ）
に構成的に誇張して示すように逃げるところがないので
窓３４のすみの部分に留まったままになる。この状態で
メツ・１・か進行すると、第５図（ｂ）に示すれるよう
に、気泡５３や微粒子５４をメ・７キ部分に捕獲した状
態のままメッキが行われてしまうため、気泡５３のある
部分はメンキされなかったり、微粒子５４を取り込んだ
ままメッキされたりして、欠陥のある金バンプが作られ
る問題を生じていた。
ると、下から供給されるメッキ液を上方で抑える形でウ
ェハが載っているために、気泡や微粒子がウェハ表面の
レジストパターンなどにひっかかりやすくオーバーフロ
ーさせていても除去しきれなかった。これを第５図を参
照して説明すると、第３図（ｂ）に示した如きレジスト
パターンは、メッキ部４３では第５図（ａ）に示される
ように配置され、気泡５３や微粒子５４は第５図（ａ）
に構成的に誇張して示すように逃げるところがないので
窓３４のすみの部分に留まったままになる。この状態で
メツ・１・か進行すると、第５図（ｂ）に示すれるよう
に、気泡５３や微粒子５４をメ・７キ部分に捕獲した状
態のままメッキが行われてしまうため、気泡５３のある
部分はメンキされなかったり、微粒子５４を取り込んだ
ままメッキされたりして、欠陥のある金バンプが作られ
る問題を生じていた。
そこで、本発明は、ウェハ表面のメッキ部分に気泡や微
粒子を付着させたままメッキすることなく、良好なメッ
キを行うことができる半導体装置の製造方ｔａ＝を提供
することを目的とする。
粒子を付着させたままメッキすることなく、良好なメッ
キを行うことができる半導体装置の製造方ｔａ＝を提供
することを目的とする。
上記課題は、上向きに配置したウェハの上部からメッキ
液を供給し、このメッキ液に含まれる気泡や微粒子をウ
ェハの上方の脱泡孔から除去してメッキすることを特徴
とする半導体装置の製造方法によって解決される。
液を供給し、このメッキ液に含まれる気泡や微粒子をウ
ェハの上方の脱泡孔から除去してメッキすることを特徴
とする半導体装置の製造方法によって解決される。
第１図は本発明の原理説明図である。同図において、Ｉ
Ｎまウェハ、１２はメッキン夜、１３はメッキン夜１２
に含まれる気泡、１４はメッ二Ｆ液１２に含まれる微粒
子であり、ウェハ１１は上向きに配置されており、その
背面は真空で引かれている真空テーブル１５に密若しで
いる。また、ウェハ１１の上部側には、メン−１−液１
２を上部から供給するメツ；１−液容器１６が配置され
ており、このメッキ液容器１６内のウェハ１１に対向す
る部分には細目状をなすプラチナ（ＰＬ）陽梅１７が設
けられ、かつメン−）−液容器１６には脱泡孔１８が形
成されている。１９はメッキ液容器１６に設けられた陰
極側接触部であり、ウェハ１１と接触することによりウ
ェハ１１を陰極どなし、メッキを可能にするものである
。
Ｎまウェハ、１２はメッキン夜、１３はメッキン夜１２
に含まれる気泡、１４はメッ二Ｆ液１２に含まれる微粒
子であり、ウェハ１１は上向きに配置されており、その
背面は真空で引かれている真空テーブル１５に密若しで
いる。また、ウェハ１１の上部側には、メン−１−液１
２を上部から供給するメツ；１−液容器１６が配置され
ており、このメッキ液容器１６内のウェハ１１に対向す
る部分には細目状をなすプラチナ（ＰＬ）陽梅１７が設
けられ、かつメン−）−液容器１６には脱泡孔１８が形
成されている。１９はメッキ液容器１６に設けられた陰
極側接触部であり、ウェハ１１と接触することによりウ
ェハ１１を陰極どなし、メッキを可能にするものである
。
本発明の目的は、上向きにし背面保護をしたウェハ１１
の上方からメッキ液１２が供給され、このメッキ液１２
の中に含まれる気泡１３や微粒子１４をウェハ１１の上
方でメッキ系から除去するメッキ液容器１６に形成した
脱泡孔１Ｂなどの機構を備えることを特徴とするメッキ
方法によって解決される。
の上方からメッキ液１２が供給され、このメッキ液１２
の中に含まれる気泡１３や微粒子１４をウェハ１１の上
方でメッキ系から除去するメッキ液容器１６に形成した
脱泡孔１Ｂなどの機構を備えることを特徴とするメッキ
方法によって解決される。
（作用〕
本発明では、上向きに置かれたウェハ１１の上方からメ
ッキ液１２が供給されるため、このメッキ液１２の中に
気泡１３や微粒子Ｉ４があると、メッキ液容２３１８の
上面に形成された脱泡孔１９から、あふれ出るメッキ液
１２とともにメッキ系から除去される。
ッキ液１２が供給されるため、このメッキ液１２の中に
気泡１３や微粒子Ｉ４があると、メッキ液容２３１８の
上面に形成された脱泡孔１９から、あふれ出るメッキ液
１２とともにメッキ系から除去される。
従って、気泡１３や微粒子１４が一旦はウェハ１１に付
着したとしても、メッキ中絶えずメッキ液１２を流しつ
づけることにより、やがては脱泡孔１９から外へ除かれ
、不良メッキをおこしにくくなる。
着したとしても、メッキ中絶えずメッキ液１２を流しつ
づけることにより、やがては脱泡孔１９から外へ除かれ
、不良メッキをおこしにくくなる。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第２図は本発明実施例のメッキ装置の構成図である。な
お、第１図に対応する部分は同一の符号を記す。
お、第１図に対応する部分は同一の符号を記す。
同図において、１１はウェハ、１２はメッキ液、１５は
ウェハ１１を受ける真空テーブル、１６はウェハ１１の
上方に配置されるメッキ液容器１６．１７はプラチナ（
ｐ ｔ）陽極、１日はメッキ液容器１６に形成された脱
泡孔、１９はメッキ液容器１６に設けられた陰極側接触
部である。そして、真空テーブル１５の側面は装置ボッ
クス２０で底部まで滑らかな曲板で覆われている。これ
は脱泡孔１９からあふれたメッキ液１２が装置ボックス
２０の底部に設けられたドレイン部２１に至までの間に
波立って無用な泡を生じさせないようになっている。こ
の装置ボックス２０の一側部には、ウェハ搬入口２２が
形成され、このウェハ搬入口２２から入れられたウェハ
１１は真空テーブル１５に上向きに載せられ、真空に引
かれる。ウェハ１１が真空テーブル１５に密着したら、
装置ボックス２０内に配置されたメッキ液容器支持アー
ム２３の下降運動によりメッキ液容Ｒ３１６は、ウェハ
１１の上にかぶさる。このとき、陰極側接触部１９とウ
ェハ１１の接触、及びメッキ液容器内の陰揄配線２４ａ
、２４ｂと真空テーブル側陰極配線２５ａ、２５ｂ 、
さらにメンキ液容器内陽極配線２６と真空テーブル側陽
極配線２７のそれぞれの対が良好な接触をおこなえるよ
うにすることが重要である。ここでメツ−ｔ−？（１，
容器内の陰極配線２４ａ、２４ｂと真空テーブル側陰極
配線２５ａ。
ウェハ１１を受ける真空テーブル、１６はウェハ１１の
上方に配置されるメッキ液容器１６．１７はプラチナ（
ｐ ｔ）陽極、１日はメッキ液容器１６に形成された脱
泡孔、１９はメッキ液容器１６に設けられた陰極側接触
部である。そして、真空テーブル１５の側面は装置ボッ
クス２０で底部まで滑らかな曲板で覆われている。これ
は脱泡孔１９からあふれたメッキ液１２が装置ボックス
２０の底部に設けられたドレイン部２１に至までの間に
波立って無用な泡を生じさせないようになっている。こ
の装置ボックス２０の一側部には、ウェハ搬入口２２が
形成され、このウェハ搬入口２２から入れられたウェハ
１１は真空テーブル１５に上向きに載せられ、真空に引
かれる。ウェハ１１が真空テーブル１５に密着したら、
装置ボックス２０内に配置されたメッキ液容器支持アー
ム２３の下降運動によりメッキ液容Ｒ３１６は、ウェハ
１１の上にかぶさる。このとき、陰極側接触部１９とウ
ェハ１１の接触、及びメッキ液容器内の陰揄配線２４ａ
、２４ｂと真空テーブル側陰極配線２５ａ、２５ｂ 、
さらにメンキ液容器内陽極配線２６と真空テーブル側陽
極配線２７のそれぞれの対が良好な接触をおこなえるよ
うにすることが重要である。ここでメツ−ｔ−？（１，
容器内の陰極配線２４ａ、２４ｂと真空テーブル側陰極
配線２５ａ。
２５ｂの対はウェハ１１の一枚当たり３個程度あればよ
い。また、メッキ液容器内陽極配線２６と真空テーブル
側陽極配線２７の対はウェハ１１の一枚当たり１個でよ
い。このメッキ液容器１６のセツティングまでは、メッ
キ液１２は流さないでおく。セツティングが完了したら
メッキ液１２をポンプで送入する。
い。また、メッキ液容器内陽極配線２６と真空テーブル
側陽極配線２７の対はウェハ１１の一枚当たり１個でよ
い。このメッキ液容器１６のセツティングまでは、メッ
キ液１２は流さないでおく。セツティングが完了したら
メッキ液１２をポンプで送入する。
メッキ液１２は、メッキ液容器１６の上部に接続された
柔軟な材質の配管２８を通ってウェハ１１の表面まで達
するが、ずぐに脱泡孔１９からあふれ出す。脱泡が完了
したら通電してメッキをはじめる。メッキが終了したら
メッキ液１２の流れを止め、通電をやめ、メッキ液容器
支持アーム２３を上昇させてウェハ１１を取り出せばよ
い。メッキ液容器ＩＣの上部に逆流防止弁２９を備えて
おけば、次のウェハ１１にメッキ液１２を送るときの初
期状態において配管２８内に空気が入ったりしないので
無用な泡を与えることなくメッキ液１２を供給できる。
柔軟な材質の配管２８を通ってウェハ１１の表面まで達
するが、ずぐに脱泡孔１９からあふれ出す。脱泡が完了
したら通電してメッキをはじめる。メッキが終了したら
メッキ液１２の流れを止め、通電をやめ、メッキ液容器
支持アーム２３を上昇させてウェハ１１を取り出せばよ
い。メッキ液容器ＩＣの上部に逆流防止弁２９を備えて
おけば、次のウェハ１１にメッキ液１２を送るときの初
期状態において配管２８内に空気が入ったりしないので
無用な泡を与えることなくメッキ液１２を供給できる。
上記のメッキ方法によれば、真空テーブル１５上に上向
きに霞かれたウェハ１１には、上方のメッキ液容器１６
からメッキ液１２が供給されるため、このメツ＝１”
／（ｉ １２の中に気泡１３や微粒子１４があると、メ
ッキ液容器１６の上面に形成された脱泡孔１９から、あ
ふれ出るメッキ液１２とともにメッキ系から除去される
。従って、気泡１３や微粒子１４が一旦はウェハ１１に
何着したとしても、メッキ中絶えずメッキ液１２を流し
つづけることにより、やがてば脱泡孔１９から外へ除か
れ、気泡１３や微粒子１４をメツ；１一部分に捕獲した
状態のままメッキが行われることがなくなり、不良メッ
キをおこしにくくなる。
きに霞かれたウェハ１１には、上方のメッキ液容器１６
からメッキ液１２が供給されるため、このメツ＝１”
／（ｉ １２の中に気泡１３や微粒子１４があると、メ
ッキ液容器１６の上面に形成された脱泡孔１９から、あ
ふれ出るメッキ液１２とともにメッキ系から除去される
。従って、気泡１３や微粒子１４が一旦はウェハ１１に
何着したとしても、メッキ中絶えずメッキ液１２を流し
つづけることにより、やがてば脱泡孔１９から外へ除か
れ、気泡１３や微粒子１４をメツ；１一部分に捕獲した
状態のままメッキが行われることがなくなり、不良メッ
キをおこしにくくなる。
なお、本発明においては、上向きに置かれたつエバの上
方からメッキ液を供給し、このメッキ液を上方に設けら
れ脱泡孔からあふれ出るメッキ液とともに気泡や微粒子
をメッキ系から除去してメッキすればよい。
方からメッキ液を供給し、このメッキ液を上方に設けら
れ脱泡孔からあふれ出るメッキ液とともに気泡や微粒子
をメッキ系から除去してメッキすればよい。
以上説明した様に本発明によれば、上向きに置かれたウ
ェハの上方からメッキ液を供給し、メッキ液容器の上面
に形成した脱泡孔から、あふれ出るメッキ液とともに気
泡や微粒子をメンキ系から除去することで、ウェハ表面
のレジストパターンに気泡や微粒子を残したままメッキ
を行うことがなくなるという効果を奏し、良好なバンプ
を形成することができ、歩留りの向上に寄与するところ
が大きい。
ェハの上方からメッキ液を供給し、メッキ液容器の上面
に形成した脱泡孔から、あふれ出るメッキ液とともに気
泡や微粒子をメンキ系から除去することで、ウェハ表面
のレジストパターンに気泡や微粒子を残したままメッキ
を行うことがなくなるという効果を奏し、良好なバンプ
を形成することができ、歩留りの向上に寄与するところ
が大きい。
第１図は本発明の原理説明図
第２図は本発明実施例のメッキ装置の構成図、第３図（
ａ）〜（ｃ）は金バンプ形成方法を示す断面図、 第４図は従来の金メッキ装置の図、 第５図（ａ）と（ｂ）は従来例の問題点を示す断面図で
ある。 図中、 １１はウェハ、 １２はメッキ液、 １３は気泡、 １４は微粒子、 １５は真空テーブル、 １６はメッキ液容器、 １７はプラチナ（１’ｔ）陽極、 １Ｂはル２泡孔、 １９は陰極（ｊｌ、＋１接触部、 ２０は装置ボックス、 ２１はドレイン部、 ２２はウェハ搬入口、 ２３はメッキ液容器支持アーム、 ２４ａ、２４ｂはメッキ液容器内の陰極配線、２５ａ、
２５ｂは真空テーブル側陰極配線、２６はメッキ液容器
内陽極配線、 ２７は真空テーブル側陽極配線、 ２８は配管、 ２９は逆流防止弁、 ４１はメインタンク、 ４２はサブタンク、 ４３はメッキ部、 ４４はメッキ液、 ４５はマグネット・ポンプ、 ４６ａ 、４（ｉｂは１１２ポンプ、 ４７は活性炭フィルター ４８は濾過フィルター ４９は熱電対、 ５０はウェハ（カソード）、 ５１はアノード、 ５２は爪 を示す。 ノ・・キ、奄、芹ノお向 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大菅義之 本発馴の原理既馴図 第１図
ａ）〜（ｃ）は金バンプ形成方法を示す断面図、 第４図は従来の金メッキ装置の図、 第５図（ａ）と（ｂ）は従来例の問題点を示す断面図で
ある。 図中、 １１はウェハ、 １２はメッキ液、 １３は気泡、 １４は微粒子、 １５は真空テーブル、 １６はメッキ液容器、 １７はプラチナ（１’ｔ）陽極、 １Ｂはル２泡孔、 １９は陰極（ｊｌ、＋１接触部、 ２０は装置ボックス、 ２１はドレイン部、 ２２はウェハ搬入口、 ２３はメッキ液容器支持アーム、 ２４ａ、２４ｂはメッキ液容器内の陰極配線、２５ａ、
２５ｂは真空テーブル側陰極配線、２６はメッキ液容器
内陽極配線、 ２７は真空テーブル側陽極配線、 ２８は配管、 ２９は逆流防止弁、 ４１はメインタンク、 ４２はサブタンク、 ４３はメッキ部、 ４４はメッキ液、 ４５はマグネット・ポンプ、 ４６ａ 、４（ｉｂは１１２ポンプ、 ４７は活性炭フィルター ４８は濾過フィルター ４９は熱電対、 ５０はウェハ（カソード）、 ５１はアノード、 ５２は爪 を示す。 ノ・・キ、奄、芹ノお向 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大菅義之 本発馴の原理既馴図 第１図
Claims (1)
- 上向きに配置したウェハ（１１）の上部からメッキ液（
１２）を供給し、このメッキ液（１２）に含まれる気泡
（１３）や微粒子（１４）をウェハ（１１）の上方の脱
泡孔（１８）から除去してメッキすることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279423A JP2648945B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279423A JP2648945B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129393A true JPH02129393A (ja) | 1990-05-17 |
| JP2648945B2 JP2648945B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=17610875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63279423A Expired - Lifetime JP2648945B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2648945B2 (ja) |
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- 1988-11-07 JP JP63279423A patent/JP2648945B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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