JPH0212948B2 - - Google Patents
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- JPH0212948B2 JPH0212948B2 JP56022627A JP2262781A JPH0212948B2 JP H0212948 B2 JPH0212948 B2 JP H0212948B2 JP 56022627 A JP56022627 A JP 56022627A JP 2262781 A JP2262781 A JP 2262781A JP H0212948 B2 JPH0212948 B2 JP H0212948B2
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- lower alkyl
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- Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明はα―アドレナリン受容体遮断作用を有
し、血圧低下剤、うつ血性心麻痺治療剤等として
有用なベンゼンスルホンアミド誘導体に関する。
さらに詳しくは、 一般式 （式中、R1はアミノ基、モノもしくはジ低級
アルキルアミノ基またはアラルキルアミノ基を、
R2は水素原子、水酸基、低級アルキル基または
低級アルコキシ基を、R3は水素原子、フエニル
チオ基、フエニルスルフイニル基、低級アルキル
基または低級アルコキシ基を、R4，R5，R6，
R7，R8およびR9は同一または異なつて水素原子
または低級アルキル基を、R10は水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基または低級アルケ
ニルオキシ基を、Ｙは酸素原子またはメチレン基
を表わす。ただし、R1がアミノ基もしくはモノ
低級アルキルアミノ基であり、かつR3が水素原
子のときR4及びR5が共に低級アルキル基かまた
はR6が低級アルキル基かまたはR7及びR8が共に
低級アルキル基かまたはR7が低級アルキル基ま
たはR10が低級アルケニルオキシ基かのいずれか
である。） で示されるベンゼンスルホンアミド誘導体または
その薬理上許容される塩に関する。 前記一般式〔〕において、「低級」という語
は炭素数５までの直鎖状または分枝状の炭素鎖を
意味する。従つて、低級アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、tert―ブチル基、ペンチル基等
が、低級アルコキシ基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブ
トキシ基等が、また低級アルケニルオキシ基とし
ては、ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニ
ルオキシ基、イソブテニルオキシ基、ペンテニル
オキシ基等が挙げられる。 またアラルキルアミノ基としては、ベンジルア
ミノ基、フエネチルアミノ基、フエニルプロピル
アミノ基等が挙げられる。 本発明において、化合物〔〕は薬理的に許容
される塩、たとえば塩酸、硫酸、臭化水素酸等の
無機酸または酢酸、シユウ酸、マレイン酸、フマ
ール酸、クエン酸、乳酸等の有機酸との酸付加塩
を形成し、さらに１〜４個の不斉炭素原子を有し
えることから、ラセミ体、ラセミ体の混合物およ
び各光学活性体が存在しえるが、これらもすべて
本発明に包含されるものである。 本発明化合物〔〕は強力なα―アドレナリン
受容体遮断作用を有していることから、高血圧、
うつ血性心麻痺、狭心症、下部尿管機能障害、前
立腺肥大、好クローム性細胞腫、末梢血管障害等
の治療剤として有用な化合物である。このα―ア
ドレナリン受容体遮断作用についての実験方法と
その結果を以下に述べる。 実験例 α―アドレナリン受容体遮断作用： ウレタンで麻酔し、ペントリニユームで処理し
たラツトで血圧を測定し、フエニレフリン10μ
ｇ／Kg（静注）による昇圧作用に対する検体の拮
抗作用を測定した。 表１ α―アドレナリン受容体遮断作用 検 体 α―アドレナリン受容体遮断ED50
（mg／Kg）i.v. 本発明化合物 実施例１ 0.00035 〃 ２ 0.00026 公知化合物 化合物Ａ※ 0.034 フエントールアミン 0.061 ※ 化合物Ａ：５―｛１―ヒドロキシ―２―
〔２―（２―メトキシフエノキシ）エチル
アミノ〕エチル｝―２―メチルベンゼンス
ルホンアミド（特開昭54−95544号） 臨床的な投与は、本発明化合物〔〕を遊離塩
基のまま、またはその酸付加塩にして通常用いら
れる製剤用担体を使用して錠剤、カプセル剤、丸
剤、注射剤等の製剤に調製し、通常静注または経
口で行われる。静注の場合は１回当り10ng〜10
mgを１日数回、経口の場合は１回当り１〜100mg
を１回２〜３回投与するのが適当である。 次に本発明化合物〔〕の製造について、代表
的な製造方法を示す。 第１方法 一般式〔〕において、R3が水素原子または
低級アルキル基である化合物は、 一般式 （式中、Ｘはハロゲン原子を、R3′は水素原子
または低級アルキル基を表わし、R1，R2，R4，
R5，R6，R7，R8，R9，R10およびＹは前記と同
じ意味を有する。） で示される化合物を還元することによつて製造す
ることができる。 この還元はメタノール、エタノール、トルエ
ン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン等の有
機溶媒中で水素気流下に常温常圧でパラジウム炭
素、酸化白金等による接解還元等によつて行うこ
とができる。 第２方法 一般式〔〕において、R3がフエニルチオ基
または低級アルコキシ基で、R6が水素原子であ
る化合物は、一般式〔〕において、R′3および
R6が水素原子である化合物をアルカリ性物質で
処理して一般式 （式中、R1，R2，R4，R5，R7，R8，R9，R10
およびＹは前記と同じ意味を有する。） で示される化合物を得、次いで低級アルコールま
たはチオフエノールと反応させることによつて製
造することができる。 この方法において、化合物〔〕のアルカリ性
物質による処理は酢酸エチル、エタノール、ジオ
キサン、ベンゼン等の有機溶媒中室温乃至50℃
で、炭酸ナトリウム、金属アルコラート、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性物質
を用いて行うことができる。 こうして得られた化合物〔〕と低級アルコー
ルとの反応はクロロホルム、酢酸エチル、ジオキ
サン、ベンゼン等の有機溶媒中BF3触媒の存在下
に室温で行うことができ、また化合物〔〕とチ
オフエノールとの反応はメタノール、クロロホル
ム、酢酸エチル、ジオキサン、ベンゼン等の有機
溶媒中室温で行うことができる。 第３方法 一般式〔〕において、R4およびR6が水素原
子である化合物は、一般式 （式中、R1，R2，R3およびR5は前記と同じ意
味を有する。） で示される化合物と一般式 （式中、R7，R8，R9，R10およびＹは前記と同
じ意味を有する。） で示される化合物を反応させ、次いで還元するこ
とによつて製造することができる。 この方法は化合物〔〕と化合物〔〕をメタ
ノール、エタノール、トルエン、アセトニトリ
ル、テトラヒドロフラン等の有機溶媒中で反応さ
せ、次いでPtO2もしくはラネーニツケル等の触
媒の存在下で接触還元するか、またはNaBH4，
LiAlH4等で還元することによつて行うことがで
きる。 第４方法 一般式〔〕において、R3がフエニルスルフ
イニル基である化合物は、第２方法で得られる
R3がフエニルチオ基である化合物を、酢酸溶媒
中50〜60℃でH2O2を用いて酸化することによつ
て製造することができる。 第５方法 一般式〔〕において、R3がフエニルチオ基
または低級アルコキシ基である化合物は、一般式
〔〕において、R′3が水素原子である化合物とチ
オフエノールまたはBF3の存在下低級アルコール
を反応させることによつて製造することができ
る。 前記の第１〜５方法で生成した本発明化合物
〔〕の単離、精製は過、溶媒による抽出、カ
ラムクロマトグラフイーによる分離、再結晶等に
よつて行うことができる。 なお前記第１方法で使用される化合物〔〕に
おいて、R′3が低級アルキル基であるものは、新
規化合物であるが、このものは化合物〔〕にお
いて、R′3がオキソ基であるもの（特開昭54−
95544号）をグリニヤール試薬〔（低級アルキル）
―MgX〕と反応させて製造することができる。 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明す
る。 参考例 １ (イ) クロロスルホン酸250gに４―メトキシフエ
ニルアセトン50gを０〜５℃で滴下する。４時
間室温で撹拌した後、反応液を氷水2500mlに注
ぎ、酢酸エチル500mlで３回抽出する。抽出液
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、溶媒を減圧留去する。得られた粗結晶をベ
ンゼン―エーテル混合溶媒より再結晶して、３
―クロロスルホニル―４―メトキシフエニルア
ヤトン32gを得た。 融点 80〜81℃ (ロ) 上記生成物2.6gをテトラヒドロフラン26mlに
溶かし、40％メチルアミン1.2gを10℃以下で滴
下する。室温で１時間撹拌した後、溶媒を減圧
留去し、残留物を酢酸エチルで抽出する。抽出
液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、溶媒を減圧留去する。得られた粗結晶をイ
ソプロパノール―エーテル混合溶媒より再結晶
して、４―メトキシ―３―Ｎ―メチルスルフア
ミルフエニルアセトン1.8gを得た。融点 100
〜101℃ 参考例 ２ 参考例１の(ロ)と同様の操作により、３―クロロ
スルホニル―４―メトキシフエニルアセトン2.6g
とジメチルアミン0.6gを反応させ、油状の４―メ
トキシ―３―Ｎ，Ｎ―ジメチルスルフアミルフエ
ニルアセトン2.5gを得た。 核磁気共鳴スペクトル（CDCl3） δ：2.18（3H，ｓ，―COCＨ 3） 2.82（6H，ｓ，―Ｎ（ＣＨ 3）2） 3.69（2H，ｓ
し、血圧低下剤、うつ血性心麻痺治療剤等として
有用なベンゼンスルホンアミド誘導体に関する。
さらに詳しくは、 一般式 （式中、R1はアミノ基、モノもしくはジ低級
アルキルアミノ基またはアラルキルアミノ基を、
R2は水素原子、水酸基、低級アルキル基または
低級アルコキシ基を、R3は水素原子、フエニル
チオ基、フエニルスルフイニル基、低級アルキル
基または低級アルコキシ基を、R4，R5，R6，
R7，R8およびR9は同一または異なつて水素原子
または低級アルキル基を、R10は水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基または低級アルケ
ニルオキシ基を、Ｙは酸素原子またはメチレン基
を表わす。ただし、R1がアミノ基もしくはモノ
低級アルキルアミノ基であり、かつR3が水素原
子のときR4及びR5が共に低級アルキル基かまた
はR6が低級アルキル基かまたはR7及びR8が共に
低級アルキル基かまたはR7が低級アルキル基ま
たはR10が低級アルケニルオキシ基かのいずれか
である。） で示されるベンゼンスルホンアミド誘導体または
その薬理上許容される塩に関する。 前記一般式〔〕において、「低級」という語
は炭素数５までの直鎖状または分枝状の炭素鎖を
意味する。従つて、低級アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、tert―ブチル基、ペンチル基等
が、低級アルコキシ基としては、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブ
トキシ基等が、また低級アルケニルオキシ基とし
ては、ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニ
ルオキシ基、イソブテニルオキシ基、ペンテニル
オキシ基等が挙げられる。 またアラルキルアミノ基としては、ベンジルア
ミノ基、フエネチルアミノ基、フエニルプロピル
アミノ基等が挙げられる。 本発明において、化合物〔〕は薬理的に許容
される塩、たとえば塩酸、硫酸、臭化水素酸等の
無機酸または酢酸、シユウ酸、マレイン酸、フマ
ール酸、クエン酸、乳酸等の有機酸との酸付加塩
を形成し、さらに１〜４個の不斉炭素原子を有し
えることから、ラセミ体、ラセミ体の混合物およ
び各光学活性体が存在しえるが、これらもすべて
本発明に包含されるものである。 本発明化合物〔〕は強力なα―アドレナリン
受容体遮断作用を有していることから、高血圧、
うつ血性心麻痺、狭心症、下部尿管機能障害、前
立腺肥大、好クローム性細胞腫、末梢血管障害等
の治療剤として有用な化合物である。このα―ア
ドレナリン受容体遮断作用についての実験方法と
その結果を以下に述べる。 実験例 α―アドレナリン受容体遮断作用： ウレタンで麻酔し、ペントリニユームで処理し
たラツトで血圧を測定し、フエニレフリン10μ
ｇ／Kg（静注）による昇圧作用に対する検体の拮
抗作用を測定した。 表１ α―アドレナリン受容体遮断作用 検 体 α―アドレナリン受容体遮断ED50
（mg／Kg）i.v. 本発明化合物 実施例１ 0.00035 〃 ２ 0.00026 公知化合物 化合物Ａ※ 0.034 フエントールアミン 0.061 ※ 化合物Ａ：５―｛１―ヒドロキシ―２―
〔２―（２―メトキシフエノキシ）エチル
アミノ〕エチル｝―２―メチルベンゼンス
ルホンアミド（特開昭54−95544号） 臨床的な投与は、本発明化合物〔〕を遊離塩
基のまま、またはその酸付加塩にして通常用いら
れる製剤用担体を使用して錠剤、カプセル剤、丸
剤、注射剤等の製剤に調製し、通常静注または経
口で行われる。静注の場合は１回当り10ng〜10
mgを１日数回、経口の場合は１回当り１〜100mg
を１回２〜３回投与するのが適当である。 次に本発明化合物〔〕の製造について、代表
的な製造方法を示す。 第１方法 一般式〔〕において、R3が水素原子または
低級アルキル基である化合物は、 一般式 （式中、Ｘはハロゲン原子を、R3′は水素原子
または低級アルキル基を表わし、R1，R2，R4，
R5，R6，R7，R8，R9，R10およびＹは前記と同
じ意味を有する。） で示される化合物を還元することによつて製造す
ることができる。 この還元はメタノール、エタノール、トルエ
ン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン等の有
機溶媒中で水素気流下に常温常圧でパラジウム炭
素、酸化白金等による接解還元等によつて行うこ
とができる。 第２方法 一般式〔〕において、R3がフエニルチオ基
または低級アルコキシ基で、R6が水素原子であ
る化合物は、一般式〔〕において、R′3および
R6が水素原子である化合物をアルカリ性物質で
処理して一般式 （式中、R1，R2，R4，R5，R7，R8，R9，R10
およびＹは前記と同じ意味を有する。） で示される化合物を得、次いで低級アルコールま
たはチオフエノールと反応させることによつて製
造することができる。 この方法において、化合物〔〕のアルカリ性
物質による処理は酢酸エチル、エタノール、ジオ
キサン、ベンゼン等の有機溶媒中室温乃至50℃
で、炭酸ナトリウム、金属アルコラート、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性物質
を用いて行うことができる。 こうして得られた化合物〔〕と低級アルコー
ルとの反応はクロロホルム、酢酸エチル、ジオキ
サン、ベンゼン等の有機溶媒中BF3触媒の存在下
に室温で行うことができ、また化合物〔〕とチ
オフエノールとの反応はメタノール、クロロホル
ム、酢酸エチル、ジオキサン、ベンゼン等の有機
溶媒中室温で行うことができる。 第３方法 一般式〔〕において、R4およびR6が水素原
子である化合物は、一般式 （式中、R1，R2，R3およびR5は前記と同じ意
味を有する。） で示される化合物と一般式 （式中、R7，R8，R9，R10およびＹは前記と同
じ意味を有する。） で示される化合物を反応させ、次いで還元するこ
とによつて製造することができる。 この方法は化合物〔〕と化合物〔〕をメタ
ノール、エタノール、トルエン、アセトニトリ
ル、テトラヒドロフラン等の有機溶媒中で反応さ
せ、次いでPtO2もしくはラネーニツケル等の触
媒の存在下で接触還元するか、またはNaBH4，
LiAlH4等で還元することによつて行うことがで
きる。 第４方法 一般式〔〕において、R3がフエニルスルフ
イニル基である化合物は、第２方法で得られる
R3がフエニルチオ基である化合物を、酢酸溶媒
中50〜60℃でH2O2を用いて酸化することによつ
て製造することができる。 第５方法 一般式〔〕において、R3がフエニルチオ基
または低級アルコキシ基である化合物は、一般式
〔〕において、R′3が水素原子である化合物とチ
オフエノールまたはBF3の存在下低級アルコール
を反応させることによつて製造することができ
る。 前記の第１〜５方法で生成した本発明化合物
〔〕の単離、精製は過、溶媒による抽出、カ
ラムクロマトグラフイーによる分離、再結晶等に
よつて行うことができる。 なお前記第１方法で使用される化合物〔〕に
おいて、R′3が低級アルキル基であるものは、新
規化合物であるが、このものは化合物〔〕にお
いて、R′3がオキソ基であるもの（特開昭54−
95544号）をグリニヤール試薬〔（低級アルキル）
―MgX〕と反応させて製造することができる。 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明す
る。 参考例 １ (イ) クロロスルホン酸250gに４―メトキシフエ
ニルアセトン50gを０〜５℃で滴下する。４時
間室温で撹拌した後、反応液を氷水2500mlに注
ぎ、酢酸エチル500mlで３回抽出する。抽出液
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、溶媒を減圧留去する。得られた粗結晶をベ
ンゼン―エーテル混合溶媒より再結晶して、３
―クロロスルホニル―４―メトキシフエニルア
ヤトン32gを得た。 融点 80〜81℃ (ロ) 上記生成物2.6gをテトラヒドロフラン26mlに
溶かし、40％メチルアミン1.2gを10℃以下で滴
下する。室温で１時間撹拌した後、溶媒を減圧
留去し、残留物を酢酸エチルで抽出する。抽出
液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、溶媒を減圧留去する。得られた粗結晶をイ
ソプロパノール―エーテル混合溶媒より再結晶
して、４―メトキシ―３―Ｎ―メチルスルフア
ミルフエニルアセトン1.8gを得た。融点 100
〜101℃ 参考例 ２ 参考例１の(ロ)と同様の操作により、３―クロロ
スルホニル―４―メトキシフエニルアセトン2.6g
とジメチルアミン0.6gを反応させ、油状の４―メ
トキシ―３―Ｎ，Ｎ―ジメチルスルフアミルフエ
ニルアセトン2.5gを得た。 核磁気共鳴スペクトル（CDCl3） δ：2.18（3H，ｓ，―COCＨ 3） 2.82（6H，ｓ，―Ｎ（ＣＨ 3）2） 3.69（2H，ｓ
【式】）
3.90（3H，ｓ，ＣＨ 3O―）
実施例 １
４―メトキシ―３―Ｎ，Ｎ―ジメチルスルフア
ミルフエニルアセトン1.5g、２―メトキシフエノ
キシエチルアミン1gおよびメタノール30mlを混
ぜ、１時間還流する。冷後、酸化白金触媒60mgを
加え、常温常圧で還元する。理論量の水素吸収
後、濾過して触媒を除去する。濾液に５％塩酸ア
ルコールを加え、酸性とした後、溶媒を減圧留去
して、1.6gの粗結晶を得た。これをエタノールよ
り再結晶して、２―メトキシ―５―｛２―〔２―
（２―メトキシフエノキシ）エチルアミノ〕―２
―メチルエチル）―Ｎ，Ｎ―ジメチルベンゼンス
ルホンアミド塩酸塩の無色結晶1.3gを得た。 このものは次の理化学性状を有する。 融点 185〜187℃ 元素分析値（C21H30N2O5S・HClとして） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 54.95 6.81 6.10 実測値 54.73 6.88 5.85 核磁気共鳴スペクトル （d6―DMSO） δ：1.16〔3H，ｄ，＞CHCＨ 3〕 2.71〔6H，Ｓ，―Ｎ（ＣＨ 3）2〕 3.76および3.87〔3H＋3H，ｓ，―OCＨ 3〕 実施例 ２ ４―メトキシ―３―スルフアミルフエニルアセ
トン3.65gと２―アリルオキシフエノキシエチル
アミン2.9gおよびメタノール130mlをまぜ、２時
間加熱還流する。反応液を10℃以下に冷やし、水
素化ホウ素ナトリウム0.9gをかきまぜながら10℃
以下で加え、さらに室温で３時間かきまぜる。次
に溶媒を減圧下留去して残留物に水を加え、酢酸
エチルで抽出し、水洗後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥して溶媒を留去すると油状物が得られた。
これをエタノール20mgに溶かし、塩酸エタノール
で酸性とすると、結晶が析出した。結晶を取し
て、エタノールで洗い、乾燥すると、５―｛２―
〔２―（２―アリルオキシフエノキシ）エチルア
ミノ〕―２―メチルエチル｝―２―メトキシベン
ゼンスルホンアミド塩酸塩4.7gを得た。 このものはつぎの理化学的性状を有する。 融点 238〜240℃ 元素分析値（C21H28N2O5S・HClとして） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 55.19 6.40 6.13 実測値 55.04 6.42 6.00 核磁気共鳴スペクトル（d6―DMSO） δ：1.14（3H，ｄ，＞CH―ＣＨ 3） 3.85（3H，Ｓ，
ミルフエニルアセトン1.5g、２―メトキシフエノ
キシエチルアミン1gおよびメタノール30mlを混
ぜ、１時間還流する。冷後、酸化白金触媒60mgを
加え、常温常圧で還元する。理論量の水素吸収
後、濾過して触媒を除去する。濾液に５％塩酸ア
ルコールを加え、酸性とした後、溶媒を減圧留去
して、1.6gの粗結晶を得た。これをエタノールよ
り再結晶して、２―メトキシ―５―｛２―〔２―
（２―メトキシフエノキシ）エチルアミノ〕―２
―メチルエチル）―Ｎ，Ｎ―ジメチルベンゼンス
ルホンアミド塩酸塩の無色結晶1.3gを得た。 このものは次の理化学性状を有する。 融点 185〜187℃ 元素分析値（C21H30N2O5S・HClとして） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 54.95 6.81 6.10 実測値 54.73 6.88 5.85 核磁気共鳴スペクトル （d6―DMSO） δ：1.16〔3H，ｄ，＞CHCＨ 3〕 2.71〔6H，Ｓ，―Ｎ（ＣＨ 3）2〕 3.76および3.87〔3H＋3H，ｓ，―OCＨ 3〕 実施例 ２ ４―メトキシ―３―スルフアミルフエニルアセ
トン3.65gと２―アリルオキシフエノキシエチル
アミン2.9gおよびメタノール130mlをまぜ、２時
間加熱還流する。反応液を10℃以下に冷やし、水
素化ホウ素ナトリウム0.9gをかきまぜながら10℃
以下で加え、さらに室温で３時間かきまぜる。次
に溶媒を減圧下留去して残留物に水を加え、酢酸
エチルで抽出し、水洗後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥して溶媒を留去すると油状物が得られた。
これをエタノール20mgに溶かし、塩酸エタノール
で酸性とすると、結晶が析出した。結晶を取し
て、エタノールで洗い、乾燥すると、５―｛２―
〔２―（２―アリルオキシフエノキシ）エチルア
ミノ〕―２―メチルエチル｝―２―メトキシベン
ゼンスルホンアミド塩酸塩4.7gを得た。 このものはつぎの理化学的性状を有する。 融点 238〜240℃ 元素分析値（C21H28N2O5S・HClとして） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 55.19 6.40 6.13 実測値 55.04 6.42 6.00 核磁気共鳴スペクトル（d6―DMSO） δ：1.14（3H，ｄ，＞CH―ＣＨ 3） 3.85（3H，Ｓ，
【式】
5.93（1H，ｍ，―CH2―ＣＨ＝CH2）
実施例２と同様にして実施例３〜５の化合物を
得た。
得た。
【表】
【表】
実施例 ５
(イ) ５―｛１―クロロ―２―〔２―メトキシフエ
ノキシ）エチルアミノ〕エチル｝―２―メチル
ベンゼンスルホンアミド塩酸塩4.35gを酢酸エ
チル50mlに懸濁し、かきまぜながら10％炭酸ナ
トリウム水50mlを添加、更に一昼夜激しくかき
まぜた後分液した。酢酸エチル層をシリカゲル
カラム（シリカゲル50ml）を通して無機物を除
いた後、蒸発乾固して、無色の樹脂状物の５―
｛１―〔２―（２―メトキシフエノキシ）エチ
ル〕アジリジン―２―イル｝―２―メチルベン
ゼンスルホンアミド3.2g（88％）を得た。 このものは次の理化学的性状を有する。 無晶形 元素分析値（C18H22N2O4Sとして） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 59.65 6.12 7.73 実測値 59.37 6.12 7.61 核磁気共鳴スペクトル（CDCl3） δ：1.74および1.95（1H＋1H，ｄ
ノキシ）エチルアミノ〕エチル｝―２―メチル
ベンゼンスルホンアミド塩酸塩4.35gを酢酸エ
チル50mlに懸濁し、かきまぜながら10％炭酸ナ
トリウム水50mlを添加、更に一昼夜激しくかき
まぜた後分液した。酢酸エチル層をシリカゲル
カラム（シリカゲル50ml）を通して無機物を除
いた後、蒸発乾固して、無色の樹脂状物の５―
｛１―〔２―（２―メトキシフエノキシ）エチ
ル〕アジリジン―２―イル｝―２―メチルベン
ゼンスルホンアミド3.2g（88％）を得た。 このものは次の理化学的性状を有する。 無晶形 元素分析値（C18H22N2O4Sとして） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 59.65 6.12 7.73 実測値 59.37 6.12 7.61 核磁気共鳴スペクトル（CDCl3） δ：1.74および1.95（1H＋1H，ｄ
【式】）
2.43（1H，ｑ，
【式】）
2.55（3H，ｓ，
【式】）
4.10（2H，ｔ，―ＣＨ 2O―）
(ロ) 上記生成物2.5gをメタノール50mlに溶かし、
チオフエノール1gを添加後、室温で一夜かき
まぜる。メタノールを留去し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーに付し、クロロホルム―
メタノール（容量比９：１）混合溶媒で溶出さ
せると、粘稠油状物の５―｛２―〔２―（２―
メトキシフエノキシ）エチルアミノ〕―１―フ
エニルチオエチル｝―２―メチルベンゼンスル
ホンアミド2.4gを得た。 このものは次の理化学的性状を有する。 無晶形 元素分析値（C24H28N2O4S2として） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 60.99 5.97 5.93 実測値 60.72 6.11 5.71 核磁気共鳴スペクトル（CDCl3） δ：2.58（3H，ｓ，
チオフエノール1gを添加後、室温で一夜かき
まぜる。メタノールを留去し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフイーに付し、クロロホルム―
メタノール（容量比９：１）混合溶媒で溶出さ
せると、粘稠油状物の５―｛２―〔２―（２―
メトキシフエノキシ）エチルアミノ〕―１―フ
エニルチオエチル｝―２―メチルベンゼンスル
ホンアミド2.4gを得た。 このものは次の理化学的性状を有する。 無晶形 元素分析値（C24H28N2O4S2として） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 60.99 5.97 5.93 実測値 60.72 6.11 5.71 核磁気共鳴スペクトル（CDCl3） δ：2.58（3H，ｓ，
【式】）
3.74（3H，ｓ，―OCＨ 3）
3.98（2H，ｔ，―ＣＨ 2O―）
4.38（1H，ｔ，＞ＣＨ―Ｓ―）
実施例 ６
実施例５―(イ)と同様の操作で得られた５―｛１
―〔２―（２―メトキシフエノキシ）エチル〕ア
ジリジン―２―メチルベンゼンスルホンアミド
2.5gをメタノール50mlに溶かし、室温で三フツ化
ホウ素エーテルコンプレツクス２mlを添加後、１
夜かきまぜる。メタノールを減圧留去し、シリカ
グルカラムクロマトグラフイーに付し、クロロホ
ルム―メタノール（容量比９：１）混合溶媒で溶
出させると、無色粘稠油状物1.5gを得た。 これにメタノール５mlとアンモニア数滴を加え
て結晶化、別、水洗、乾燥して、５―｛１―メ
トキシ―２―〔２―（２―メトキシフエノキシ）
エチルアミノ〕エチル｝―２―メチルベンゼンス
ルホンアミド1.2gを得た。 このものは次の理化学的性状を有する。 融点 150〜152℃ 元素分析値（C19H26N2O5Sとして）） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 57.85 6.64 7.10 実測値 57.58 6.79 7.24 核磁気共鳴スペクトル（CD3OD） δ：2.65（3H，ｓ
―〔２―（２―メトキシフエノキシ）エチル〕ア
ジリジン―２―メチルベンゼンスルホンアミド
2.5gをメタノール50mlに溶かし、室温で三フツ化
ホウ素エーテルコンプレツクス２mlを添加後、１
夜かきまぜる。メタノールを減圧留去し、シリカ
グルカラムクロマトグラフイーに付し、クロロホ
ルム―メタノール（容量比９：１）混合溶媒で溶
出させると、無色粘稠油状物1.5gを得た。 これにメタノール５mlとアンモニア数滴を加え
て結晶化、別、水洗、乾燥して、５―｛１―メ
トキシ―２―〔２―（２―メトキシフエノキシ）
エチルアミノ〕エチル｝―２―メチルベンゼンス
ルホンアミド1.2gを得た。 このものは次の理化学的性状を有する。 融点 150〜152℃ 元素分析値（C19H26N2O5Sとして）） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 57.85 6.64 7.10 実測値 57.58 6.79 7.24 核磁気共鳴スペクトル（CD3OD） δ：2.65（3H，ｓ
【式】）
2.98（2H，ｔ，―ＣＨ 2N＜）
3.80（3H，ｓ，
【式】
3.26（3H，ｓ，＞CH―OCＨ 3）
4.10（2H，ｔ，―ＣＨ 2O―）
4.40（1H，ｑ，＞ＣＨ―Ｏ―）
実施例 ７
５―｛２―〔２―（２―メトキシフエノキシ）
エチルアミノ〕―１―フエニルチオエチル｝―２
―メチルベンゼンスルホンアミド2gを酢酸20ml
に溶かし、30％H2O20.5mlを加えて50〜60℃で３
時間加熱する。水100mlを加えて酢酸エチル200ml
にて抽出し、酢酸エチル層を１％炭酸ナトリウム
水で洗浄後、酢酸エチルを減圧留去した。残留物
をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに付し、
クロロホルム―メタノール（容量比９：１）混合
溶媒で溶出し、得られた無色粘稠油状物を酢酸エ
チルにて結晶化別して、５―｛２―〔２―（２
―メトキシフエノキシ）エチルアミノ〕―１―フ
エニルスルフイニルエチル｝―２―メチルベンゼ
ンスルホンアミド1.3gを得た。 このものは次の理化学的性状を有する 融点 139〜141℃ 元素分析値（C24H28N2O5S2として） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 59.00 5.78 5.73 実測値 58.91 5.74 5.72 実施例 ８ ５―｛１―クロロ―２―〔２―メトキシフエノ
キシ）エチルアミノ〕―２，２―ジメチルエチ
ル｝―２―メチルベンゼンスルホンアミド塩酸塩
1.0gをメタノール150mlに溶解し、10％パラジウ
ム炭素0.5gを加えて水素気流中、常温常圧下で脱
塩素化した後、パラジウム炭素を別し、液を
減圧濃縮して、５―｛２―〔２―（２―メトキシ
フエノキシ）エチルアミノ〕―２，２―ジメチル
エチル｝―２―メチルベンゼンスルホンアミド塩
酸塩を得る。このものをメタノールより再結晶す
ると無色結晶0.5gを得る。 このものは次の理化学的性状を有する。 融点 199〜202℃ 元素分析値（C20H28N2O4S・HCl・CH3OHと
して） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 54.71 7.21 6.08 実測値 54.50 7.17 6.14 核磁気共鳴スペクトル（d6―DMSO） δ：1.24（6H，ｓ，
エチルアミノ〕―１―フエニルチオエチル｝―２
―メチルベンゼンスルホンアミド2gを酢酸20ml
に溶かし、30％H2O20.5mlを加えて50〜60℃で３
時間加熱する。水100mlを加えて酢酸エチル200ml
にて抽出し、酢酸エチル層を１％炭酸ナトリウム
水で洗浄後、酢酸エチルを減圧留去した。残留物
をシリカゲルカラムクロマトグラフイーに付し、
クロロホルム―メタノール（容量比９：１）混合
溶媒で溶出し、得られた無色粘稠油状物を酢酸エ
チルにて結晶化別して、５―｛２―〔２―（２
―メトキシフエノキシ）エチルアミノ〕―１―フ
エニルスルフイニルエチル｝―２―メチルベンゼ
ンスルホンアミド1.3gを得た。 このものは次の理化学的性状を有する 融点 139〜141℃ 元素分析値（C24H28N2O5S2として） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 59.00 5.78 5.73 実測値 58.91 5.74 5.72 実施例 ８ ５―｛１―クロロ―２―〔２―メトキシフエノ
キシ）エチルアミノ〕―２，２―ジメチルエチ
ル｝―２―メチルベンゼンスルホンアミド塩酸塩
1.0gをメタノール150mlに溶解し、10％パラジウ
ム炭素0.5gを加えて水素気流中、常温常圧下で脱
塩素化した後、パラジウム炭素を別し、液を
減圧濃縮して、５―｛２―〔２―（２―メトキシ
フエノキシ）エチルアミノ〕―２，２―ジメチル
エチル｝―２―メチルベンゼンスルホンアミド塩
酸塩を得る。このものをメタノールより再結晶す
ると無色結晶0.5gを得る。 このものは次の理化学的性状を有する。 融点 199〜202℃ 元素分析値（C20H28N2O4S・HCl・CH3OHと
して） Ｃ(%) Ｈ(%) Ｎ(%) 計算値 54.71 7.21 6.08 実測値 54.50 7.17 6.14 核磁気共鳴スペクトル（d6―DMSO） δ：1.24（6H，ｓ，
【式】）
2.56（3H，ｓ，
【式】）
3.74（3H，ｓ，
【式】）
4.30（2H，ｔ，―ＣＨ 2O―）
実施例８と同様にして実施例９〜12の化合物を
得た。
得た。
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中、R1はアミノ基、モノもしくはジ低級
アルキルアミノ基またはアラルキルアミノ基を、
R2は水素原子、水酸基、低級アルキル基または
低級アルコキシ基を、R3は水素原子、フエニル
チオ基、フエニルスルフイニル基、低級アルキル
基または低級アルコキシ基を、R4，R5，R6，
R7，R8およびR9は同一または異なつて水素原子
または低級アルキル基を、R10は水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基または低級アルケ
ニルオキシ基を、Ｙは酸素原子またはメチレン基
を表わす。 ただし、R1がアミノ基もしくはモノ低級アル
キルアミノ基であり、かつR3が水素原子のとき、
R4及びR5が共に低級アルキル基かまたはR6が低
級アルキルかまたはR7及びR8が共に低級アルキ
ル基かまたはR9が低級アルキル基かまたはR10が
低級アルケニルオキシ基かのいずれかである。） で示されるベンゼンスルホンアミド誘導体または
その薬理上許容される塩。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262781A JPS57136561A (en) | 1981-02-17 | 1981-02-17 | Benzenesulfonamide derivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262781A JPS57136561A (en) | 1981-02-17 | 1981-02-17 | Benzenesulfonamide derivative |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57136561A JPS57136561A (en) | 1982-08-23 |
| JPH0212948B2 true JPH0212948B2 (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=12088057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2262781A Granted JPS57136561A (en) | 1981-02-17 | 1981-02-17 | Benzenesulfonamide derivative |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57136561A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971990A (en) * | 1988-02-19 | 1990-11-20 | Hokuriku Pharmaceutical Co., Ltd. | Phenoxyethylamine derivatives, for preparing the same and composition for exhibiting excellent α1 -blocking activity containing the same |
| ES2200699B1 (es) * | 2002-07-12 | 2005-10-01 | Ragactives, S.L | Procedimiento para la separacion de r(-) y s(+)-5-(2-((2-(etoxifenoxi)etil)amino)propil-2-metoxibenceno-sulfonamida. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252742A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体の貼合わせ方法 |
-
1981
- 1981-02-17 JP JP2262781A patent/JPS57136561A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57136561A (en) | 1982-08-23 |
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