JPH02129971A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH02129971A JPH02129971A JP63283179A JP28317988A JPH02129971A JP H02129971 A JPH02129971 A JP H02129971A JP 63283179 A JP63283179 A JP 63283179A JP 28317988 A JP28317988 A JP 28317988A JP H02129971 A JPH02129971 A JP H02129971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- optical fiber
- image sensor
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はファクシミリ装置や文字・画像の読み取り入力
装置等に好適に用いられる密着型イメージセンナに関す
るものである。
装置等に好適に用いられる密着型イメージセンナに関す
るものである。
〈従来の技術〉
密着型イメージセンサを用いた文字・画像の読み取り入
力装置は、装置の小型化、低価格化に寄与するため近年
開発が活発化している。前記の密着型イメージセンサの
ほとんどは、原稿からの光学情報を通常ロッドレンズア
レイを通してセンサの受光面に結像しているため、ロッ
ドレンズアレイの共役長だけ原稿とセンサを離さねばな
らず、密着型イメージセンサのユニットとして２０＋ｍ
〜３０ｍの厚さになってしまい小型化にはおのずと限度
があった。また、レンズ系を使っているので、光学調整
が必要であり、光量伝達率も低下してしまうといった問
題もあった。
力装置は、装置の小型化、低価格化に寄与するため近年
開発が活発化している。前記の密着型イメージセンサの
ほとんどは、原稿からの光学情報を通常ロッドレンズア
レイを通してセンサの受光面に結像しているため、ロッ
ドレンズアレイの共役長だけ原稿とセンサを離さねばな
らず、密着型イメージセンサのユニットとして２０＋ｍ
〜３０ｍの厚さになってしまい小型化にはおのずと限度
があった。また、レンズ系を使っているので、光学調整
が必要であり、光量伝達率も低下してしまうといった問
題もあった。
そこで、上記のような問題を解決するため、ロッドレン
ズアレイを用いずに、代わりに光ファイバーをアレイ状
に複数本、基板に組み込んだ光７アイパープレートを用
いる方法が提案されている。
ズアレイを用いずに、代わりに光ファイバーをアレイ状
に複数本、基板に組み込んだ光７アイパープレートを用
いる方法が提案されている。
光フアイバープレートは元ファイバーの一端面にセンサ
の受光面を、他端面に読み取るべき原稿面を密着、ある
いは近接することで原稿からの光学情報が光ファイバー
を通してセンサの受光面に導かれる。よって、レンズ系
は用いていないため、光学調整が不要であり、光量伝達
率も充分に大きく、光ファイバーの長さを短くすれば超
小型の密着型イメージ七ンサユニットが可能である。
の受光面を、他端面に読み取るべき原稿面を密着、ある
いは近接することで原稿からの光学情報が光ファイバー
を通してセンサの受光面に導かれる。よって、レンズ系
は用いていないため、光学調整が不要であり、光量伝達
率も充分に大きく、光ファイバーの長さを短くすれば超
小型の密着型イメージ七ンサユニットが可能である。
光フアイバープレートを用いた密着型イメージセンサの
構成断面を第２因に示す、 第２図において、１は光フアイバープレート、２は発光
ダイオード、５１は発光ダイオード２をプレイ状に配置
した発光ダイオードアレイ基板、６１は放熱板、３は受
光素子アレイ３１を形成した受光素子アレイ基板、５２
は受光素子アレイ３１を駆動する駆動回路基板であり、
駆動用ＬＳＩ４が搭載されている。また、６２は受光素
子アレイ基板３と駆動回路基板５２を支持する支持台で
ある。発光ダイオード２から出射された光は光フアイバ
ープレート１を斜め方向から横切って原稿７を照射する
。原稿からの反射光は光ファイバーを通υ抜は受光素子
ドア受光面に導かれ原稿の情報を読み取っている。また
、受光素子３１と駆動用ＬＳＩ４はワイヤボンディング
法で接続されている。
構成断面を第２因に示す、 第２図において、１は光フアイバープレート、２は発光
ダイオード、５１は発光ダイオード２をプレイ状に配置
した発光ダイオードアレイ基板、６１は放熱板、３は受
光素子アレイ３１を形成した受光素子アレイ基板、５２
は受光素子アレイ３１を駆動する駆動回路基板であり、
駆動用ＬＳＩ４が搭載されている。また、６２は受光素
子アレイ基板３と駆動回路基板５２を支持する支持台で
ある。発光ダイオード２から出射された光は光フアイバ
ープレート１を斜め方向から横切って原稿７を照射する
。原稿からの反射光は光ファイバーを通υ抜は受光素子
ドア受光面に導かれ原稿の情報を読み取っている。また
、受光素子３１と駆動用ＬＳＩ４はワイヤボンディング
法で接続されている。
尚、光フアイバープレート１は、各党ファイノく一部に
光を吸収する吸収体を介在させたＥＭＡ型（Ｅｘｔｒａ
Ｍｕｒａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）と呼ばれる元フ
ァイバープレー）１ａと、各党ファイバー間に吸収体を
介在させないＣ１ｅａｒ型と呼ばれる光フアイバープレ
ート１ｂを接着し一体化したものが用いられてｂる。こ
れは、原稿面への光照射を光ファイバーを横切って照射
することが可能なＣ１ｅａｒ型の光フアイバープレート
と、隣接する光ファイバーへの漏れ光を低減させ高分解
能特性の得られるＥＭＡ型の光フアイバープレートの両
者の長所を生かすことが可能であるためである。
光を吸収する吸収体を介在させたＥＭＡ型（Ｅｘｔｒａ
Ｍｕｒａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）と呼ばれる元フ
ァイバープレー）１ａと、各党ファイバー間に吸収体を
介在させないＣ１ｅａｒ型と呼ばれる光フアイバープレ
ート１ｂを接着し一体化したものが用いられてｂる。こ
れは、原稿面への光照射を光ファイバーを横切って照射
することが可能なＣ１ｅａｒ型の光フアイバープレート
と、隣接する光ファイバーへの漏れ光を低減させ高分解
能特性の得られるＥＭＡ型の光フアイバープレートの両
者の長所を生かすことが可能であるためである。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記の第２図のような構成では部品点数
が多く、生産性が良好であるとはいえない。
が多く、生産性が良好であるとはいえない。
本発明は、上記の点に鑑みて創案されたものであり、光
フアイバープレートを用いた密着型イメムジセンサの優
れた特徴をその１ま維持し、簡単な構成の変更で部品点
数を減らすことができ、しかも、生産性が良好で低コス
ト化が図れ、更に超小型の密着型イメージセンサを提供
することを目的としている。
フアイバープレートを用いた密着型イメムジセンサの優
れた特徴をその１ま維持し、簡単な構成の変更で部品点
数を減らすことができ、しかも、生産性が良好で低コス
ト化が図れ、更に超小型の密着型イメージセンサを提供
することを目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明の密着型イメージセ
ンサは、受光素子アレイを駆動する駆動回路基板の一部
に発光ダイオードプレイを形成し、更に好ましくは駆動
回路基板と受光素子アレイを形成した受光素子プレイ基
板とを接着してなるような構成にしている。
ンサは、受光素子アレイを駆動する駆動回路基板の一部
に発光ダイオードプレイを形成し、更に好ましくは駆動
回路基板と受光素子アレイを形成した受光素子プレイ基
板とを接着してなるような構成にしている。
〈作用〉
上記のように本発明にしたがって受光素子プレイを駆動
する駆動回路基板の一部に発光ダイオードアレイを形成
することで、部品点数を減らすことができるため生産性
が良好で低コスト化が図れ駆動回路基板と受光素子アレ
イ基板とを接着することで更に超小型の密着型イメージ
センサが得られる。
する駆動回路基板の一部に発光ダイオードアレイを形成
することで、部品点数を減らすことができるため生産性
が良好で低コスト化が図れ駆動回路基板と受光素子アレ
イ基板とを接着することで更に超小型の密着型イメージ
センサが得られる。
く実施例〉
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は、本実施例における密着型イメージセンサの構
成断面図を示すものである。
成断面図を示すものである。
同図において１は光フアイバーグレート、２は発光ダイ
オードプレイ、３は受光素子アレイ３１を形成した受光
素子アレイ基板、４は受光素子アレイを駆動する駆動用
ＬＳＩ、５は受光素子駆動用ＬＳＩ４を含む駆動回路と
、発光ダイオードアレイ２を含むその周辺回路を１枚の
基板に形成し°た回路基板、６は回路基板の支持と発光
ダイオードの放熱の役目を果たすアルミニウム板である
。
オードプレイ、３は受光素子アレイ３１を形成した受光
素子アレイ基板、４は受光素子アレイを駆動する駆動用
ＬＳＩ、５は受光素子駆動用ＬＳＩ４を含む駆動回路と
、発光ダイオードアレイ２を含むその周辺回路を１枚の
基板に形成し°た回路基板、６は回路基板の支持と発光
ダイオードの放熱の役目を果たすアルミニウム板である
。
マタ、光フアイバープレート１は従来と同様に各党ファ
イバー間に光を吸収する吸収体を介在させたＥ Ｍ Ａ
（Ｅｘｔｒａ Ｍｕｒａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）
型の光フアイバープレートｌａと、吸収体のないＣ１Ｂ
ａｒ型の光フアイバープレート１ｂを重ね合わせたもの
である。
イバー間に光を吸収する吸収体を介在させたＥ Ｍ Ａ
（Ｅｘｔｒａ Ｍｕｒａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）
型の光フアイバープレートｌａと、吸収体のないＣ１Ｂ
ａｒ型の光フアイバープレート１ｂを重ね合わせたもの
である。
発光ダイオードアレイ２から出射された光は、Ｃ１ｅａ
ｒ型光ファイバープレー）１ｂの光ファイバ−を斜め方
向から横切って原稿７を照射する。原稿からの反射光は
Ｃ１ｅａｒ型光フアイバーグレートｌｂとＥＭＡ型光フ
ァイバープレートｌａのファイバーを通り抜は受光素子
アレイ３１の受光面に導かれ、原稿の情報が読み取られ
る。受光素子はＬＳＩ４を含む駆動回路５によって主走
査方向の走査が行われる。また、副走査方向は原稿７を
移動させることにより走査される。
ｒ型光ファイバープレー）１ｂの光ファイバ−を斜め方
向から横切って原稿７を照射する。原稿からの反射光は
Ｃ１ｅａｒ型光フアイバーグレートｌｂとＥＭＡ型光フ
ァイバープレートｌａのファイバーを通り抜は受光素子
アレイ３１の受光面に導かれ、原稿の情報が読み取られ
る。受光素子はＬＳＩ４を含む駆動回路５によって主走
査方向の走査が行われる。また、副走査方向は原稿７を
移動させることにより走査される。
次に、本実施例の密着型イメージセンサの具体的な作製
方法を説明する。
方法を説明する。
筐ず、ＥＭＡ型光ファイバープレートｌａとＣ１ｅａｒ
型光フアイバープレート１ｂを光フアイバー面を合わせ
透明樹脂により接着する。尚、ＥＭＡ型光ファイバープ
レート１ａは後の駆動回路との接触がないように一部切
断されている。
型光フアイバープレート１ｂを光フアイバー面を合わせ
透明樹脂により接着する。尚、ＥＭＡ型光ファイバープ
レート１ａは後の駆動回路との接触がないように一部切
断されている。
受光素子アレイ基板３は、ガラス基板上にアルミニウム
（Ａｌ）からなる個別電極を形成した後、プラズマＣＶ
Ｄ装置によりａ −３ｉ膜を約１μｍ堆積させている。
（Ａｌ）からなる個別電極を形成した後、プラズマＣＶ
Ｄ装置によりａ −３ｉ膜を約１μｍ堆積させている。
更にその上にＩＴＯからなる共通電極を形成し受光素子
アレイ３１が得られる。
アレイ３１が得られる。
尚、今回の実施例においては分解能を８本／ｆｉ。
受光長を２１６ｓａ＋とじ、１，７２８画素を形成した
。
。
また、受光素子プレイ基板３の寸法は長さ２２０闘９幅
６ＩＩＩＩである。
６ＩＩＩＩである。
回路基板５はガラスエポキシ基板に銅配線のパターンを
形成したものであり、基板面には絶縁樹脂が塗布されて
いる。回路基板の配線パターンは基板の両面に形成され
ており、受光素子アレイ基板３と接着される部分にも形
成されている。
形成したものであり、基板面には絶縁樹脂が塗布されて
いる。回路基板の配線パターンは基板の両面に形成され
ており、受光素子アレイ基板３と接着される部分にも形
成されている。
回路基板のサイズは長さ２２０■９幅２０ｍであり、そ
の中の所定の位置に受光素子プレイ基板ｑを接着した後
、駆動用ＬＳＩ４を回路基板５にダイボンディングし、
受光素子３１とＬＳ Ｉ ４゜ＬＳＩ４と回路基板５を
ワイヤボンディングで結線する。また、発光ダイオード
２を２．５■ピツチで所定の位置に配列しワイヤボンデ
ィングで回路基板と結線する。尚、発光ダイオードは発
光の中心波長が５７０ ｎｍにある黄緑色のものを使用
し友。
の中の所定の位置に受光素子プレイ基板ｑを接着した後
、駆動用ＬＳＩ４を回路基板５にダイボンディングし、
受光素子３１とＬＳ Ｉ ４゜ＬＳＩ４と回路基板５を
ワイヤボンディングで結線する。また、発光ダイオード
２を２．５■ピツチで所定の位置に配列しワイヤボンデ
ィングで回路基板と結線する。尚、発光ダイオードは発
光の中心波長が５７０ ｎｍにある黄緑色のものを使用
し友。
次に、受光素子プレイの受光面とＥＭＡ型光７アイパー
プレート１ａの光フアイバー面を透明樹脂で接着し固定
する。
プレート１ａの光フアイバー面を透明樹脂で接着し固定
する。
上記のように作製された本発明の一実施例としての密着
型イメージセンサは、光学系に光フアイバープレートを
用いていることで、光量伝達率が大きい、即ちセンサ部
での光情報照度が大きく、従来のロッドレンズアレイを
用いるより、信号が数倍大きくなり、また、本発明の実
施例にあっては駆動回路基板と光源とが一体化され、更
にセンサ部が接着固定されているため、従来のロッドレ
ンズアレイの様に焦点を合わすような光学調整が不要で
あり、超小型化が可能であるといった長所に加え、低コ
スト化、生産性の向上が実現された〇なお、上記実施例
では受光素子としてａ−５ｉ膜を用いた場合につき説明
したが本発明は受光素子の種類に限定されるものではな
く、他の薄膜センサ、あるいはＩＣセンサであっても適
用出来ることは云うまでもなＡｏ 〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明は、光フアイバープレート
を用いた密着型イメージセンサの優れた特徴をその１壕
維持し、受光素子アレイを駆動する駆動回路基板の一部
に発光ダイオードアレイを形成することで、部品点数を
減らし、光学調整の工数を減らすことができたため、生
産性が向上し、低コスト化が図れ、更に駆動回路基板と
受光素子アレイ基板とを接着することで、超小型化の一
層進んだ密着型イメージセンサを得ることが出来る。
型イメージセンサは、光学系に光フアイバープレートを
用いていることで、光量伝達率が大きい、即ちセンサ部
での光情報照度が大きく、従来のロッドレンズアレイを
用いるより、信号が数倍大きくなり、また、本発明の実
施例にあっては駆動回路基板と光源とが一体化され、更
にセンサ部が接着固定されているため、従来のロッドレ
ンズアレイの様に焦点を合わすような光学調整が不要で
あり、超小型化が可能であるといった長所に加え、低コ
スト化、生産性の向上が実現された〇なお、上記実施例
では受光素子としてａ−５ｉ膜を用いた場合につき説明
したが本発明は受光素子の種類に限定されるものではな
く、他の薄膜センサ、あるいはＩＣセンサであっても適
用出来ることは云うまでもなＡｏ 〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明は、光フアイバープレート
を用いた密着型イメージセンサの優れた特徴をその１壕
維持し、受光素子アレイを駆動する駆動回路基板の一部
に発光ダイオードアレイを形成することで、部品点数を
減らし、光学調整の工数を減らすことができたため、生
産性が向上し、低コスト化が図れ、更に駆動回路基板と
受光素子アレイ基板とを接着することで、超小型化の一
層進んだ密着型イメージセンサを得ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例の密着型イメージセンサの構
成断面を示す図、第２図は光学系に光フアイバープレー
トを用いた従来の密着型イメージセンサの構成断面を示
す図である。 １・・・光フアイバープレー）（ｌａ：ＥＭＡ型光ファ
イバープレート、１ｂ・・・ｃｔｅａｒ型光ファイバー
プレート）、２・・・発光ダイオードアレイ、３・・・
受光素子アレイ基板、３１・・・受光素子アレ、イ、−
４・・・駆動用ＬＳＩ、５・・・回路基板（発光ダイオ
ードアレイ基板と駆動回路基板を一体化した基板）、６
・・・アルミニウム板（支持板兼放熱板〕、７・・・原
稿。
成断面を示す図、第２図は光学系に光フアイバープレー
トを用いた従来の密着型イメージセンサの構成断面を示
す図である。 １・・・光フアイバープレー）（ｌａ：ＥＭＡ型光ファ
イバープレート、１ｂ・・・ｃｔｅａｒ型光ファイバー
プレート）、２・・・発光ダイオードアレイ、３・・・
受光素子アレイ基板、３１・・・受光素子アレ、イ、−
４・・・駆動用ＬＳＩ、５・・・回路基板（発光ダイオ
ードアレイ基板と駆動回路基板を一体化した基板）、６
・・・アルミニウム板（支持板兼放熱板〕、７・・・原
稿。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも読取るべき原稿を照射する発光ダイオー
ドアレイと、 上記原稿からの反射光を受光して電気信号に変換する受
光素子アレイと、 上記受光素子アレイを電気的に駆動する駆動回路と からなる密着型イメージセンサであって、 上記駆動回路を形成している駆動回路基板の一部に上記
発光ダイオードアレイを形成してなることを特徴とする
密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283179A JPH02129971A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283179A JPH02129971A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129971A true JPH02129971A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17662171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283179A Pending JPH02129971A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129971A (ja) |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63283179A patent/JPH02129971A/ja active Pending
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