JPH02129985A - 半導体レーザのウエハの劈開方法 - Google Patents
半導体レーザのウエハの劈開方法Info
- Publication number
- JPH02129985A JPH02129985A JP63281346A JP28134688A JPH02129985A JP H02129985 A JPH02129985 A JP H02129985A JP 63281346 A JP63281346 A JP 63281346A JP 28134688 A JP28134688 A JP 28134688A JP H02129985 A JPH02129985 A JP H02129985A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaving
- semiconductor laser
- roller
- cleavage
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザのウェハを劈開して所定の寸法形
状を有するバー状の素子を製作する際の半導体レーザの
ウェハの劈開方法に関する。
状を有するバー状の素子を製作する際の半導体レーザの
ウェハの劈開方法に関する。
従来の半導体レーザ素子の製造方法を、第７図を参照し
て説明する。
て説明する。
まず、ウェハ７１をテープ７２上に乗せ、ウェハ７１の
一端上にダイヤモンドスクライバ−等で所定の共振器寸
法のピッチの罫描跡を形成する。その罫描跡が形成され
た面をスライドガラス７３側に向けてウェハ７１をスラ
イドガラス２３等に貼着固定した後、小径ローラ７４と
大径ローラ７５の間にスライドガラス７３を通過させて
、ウェハ７１に小径ローラ７４で均一に加圧して光共振
器面を形成するように劈開を行なう。このようにしてバ
ー状の素子を得ていた。
一端上にダイヤモンドスクライバ−等で所定の共振器寸
法のピッチの罫描跡を形成する。その罫描跡が形成され
た面をスライドガラス７３側に向けてウェハ７１をスラ
イドガラス２３等に貼着固定した後、小径ローラ７４と
大径ローラ７５の間にスライドガラス７３を通過させて
、ウェハ７１に小径ローラ７４で均一に加圧して光共振
器面を形成するように劈開を行なう。このようにしてバ
ー状の素子を得ていた。
しかしながら、上記従来例では、ウェハに対して小径ロ
ーラ７４の接する線を均一に加圧してしまうため、しば
しばウェハの複数の部分から劈開が始まり粉々となって
しまい、正確な共振器寸法の素子の製作歩留りは非常に
低かった。
ーラ７４の接する線を均一に加圧してしまうため、しば
しばウェハの複数の部分から劈開が始まり粉々となって
しまい、正確な共振器寸法の素子の製作歩留りは非常に
低かった。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、
その目的は、正確な共振器寸法の素子を高い製作歩留り
で得られる劈開方法を提供することにある。
その目的は、正確な共振器寸法の素子を高い製作歩留り
で得られる劈開方法を提供することにある。
上記の目的は以下の本発明により達成することができる
。
。
本発明の半導体レーザのウェハの劈開方法は、ウェハと
、前記ウェハを劈開するための劈開用部材とを局部的に
接触させて前記ウェハを劈開することを特徴とする。
、前記ウェハを劈開するための劈開用部材とを局部的に
接触させて前記ウェハを劈開することを特徴とする。
すなわち、本発明の方法においては、ウェハ上の罫描跡
の１点に集中的に荷重を加える事により劈開を行なうの
で、１本の罫描跡につき１点のみを合わせれば良く、位
置合わせが容易になり、更に正確なピッチの加工が可能
となり、しかも、罫描跡の１点から劈開が始まるので、
前述した従来技術において顕著であったウェハが粉々と
なる頻度が低くなり、素子の製作歩留りが大幅に改善さ
れる。
の１点に集中的に荷重を加える事により劈開を行なうの
で、１本の罫描跡につき１点のみを合わせれば良く、位
置合わせが容易になり、更に正確なピッチの加工が可能
となり、しかも、罫描跡の１点から劈開が始まるので、
前述した従来技術において顕著であったウェハが粉々と
なる頻度が低くなり、素子の製作歩留りが大幅に改善さ
れる。
なお、本発明でいう「劈開用部材」とは、従来例で示し
たようなローラに限定されず、後述するようなメスや刃
付ローラを含み、ウェハの各罫描路上の１点と接触しつ
る硬いものであれば種々の部材を適用できる。
たようなローラに限定されず、後述するようなメスや刃
付ローラを含み、ウェハの各罫描路上の１点と接触しつ
る硬いものであれば種々の部材を適用できる。
以下、具体例を挙げて図面を参照しつつ本発明を説明す
る。
る。
第１図から第５図はいずれも本発明の半導体レーザのウ
ェハの劈開方法を説明するための図であり、第１図は傾
斜台３上にウェハをセットしてローラ５で加圧する場合
を示す図、第２図は第１図の傾斜台３を傾斜させた状態
を示す図、第３図はローラ５を傾斜台３上にセットした
場合を示す図、第４図は第１図のローラ５のかわりにメ
ス１２をセットした場合を示す図、第５図は刃付ローラ
１５をセットした場合を示す図、第６図は刃付ローラ１
５の正面図である。
ェハの劈開方法を説明するための図であり、第１図は傾
斜台３上にウェハをセットしてローラ５で加圧する場合
を示す図、第２図は第１図の傾斜台３を傾斜させた状態
を示す図、第３図はローラ５を傾斜台３上にセットした
場合を示す図、第４図は第１図のローラ５のかわりにメ
ス１２をセットした場合を示す図、第５図は刃付ローラ
１５をセットした場合を示す図、第６図は刃付ローラ１
５の正面図である。
以下の例において用いる装置は、ウェハを取付けて回転
させるための回転台２と、回転台２の回転角度を調整す
るためのマイクロメーター２１と、ウェハまたは劈開用
部材を傾斜させるための傾斜台３と、傾斜台３の傾斜角
度を調整するためのマイクロメーター３１と、ウェハと
劈開用部材との接触点を移動させるための移動ステージ
４と、移動ステージ４の移動位置を調整するためのマイ
クロメーター４１とを有して構成されている。
させるための回転台２と、回転台２の回転角度を調整す
るためのマイクロメーター２１と、ウェハまたは劈開用
部材を傾斜させるための傾斜台３と、傾斜台３の傾斜角
度を調整するためのマイクロメーター３１と、ウェハと
劈開用部材との接触点を移動させるための移動ステージ
４と、移動ステージ４の移動位置を調整するためのマイ
クロメーター４１とを有して構成されている。
上記に述べた傾斜台３としては、例えば中央精機社製Ｃ
−１４１−（２）ゴニオステージの様な動きをするステ
ージ（商品名）でも良いし、３点支持台の様なステージ
で１点を動かし仮想中心を回転させる様な支持台でも良
い。
−１４１−（２）ゴニオステージの様な動きをするステ
ージ（商品名）でも良いし、３点支持台の様なステージ
で１点を動かし仮想中心を回転させる様な支持台でも良
い。
このような装置での本発明の劈開方法は例えば以下のよ
うにして行なうことができる。
うにして行なうことができる。
本実施例におけるウェハは約１００μ■厚みに研磨した
ＧａＡｓウェハを用いた。
ＧａＡｓウェハを用いた。
まず、第１図に示すように、劈開する為のウェハ１を回
転台２の上に固定する。そしてウェハ１につけられた罫
描跡とローラ支柱６に支持されているローラ５と劈開軸
方位を合わせる為にマイクロメーター２１をまわし、回
転台２を水平方向で回転させて罫描跡とローラ５と平行
になる様にする。次に、マイクロメーター３１をまわし
て、傾斜台３を傾斜させる。この時のマイクロメーター
３１の調整により、ウェハ１の罫描跡にかかる荷重は任
意に変えられる。例えばＧａＡｓウェハ１、ローラ５の
径を１０ｍｍφとした場合、効果的に劈開が行なえるよ
うに傾斜台３を適宜調整し約２０ｇ／ｍｍ２程度圧力が
かかる様にすればよい。傾斜台３が傾斜している状態を
第２図に示す。この状態で罫描跡はローラ５に接触し、
局部に約２０ｇ／ｍｍ２の荷重がかかり劈開される。更
に、この後マイクロメーター４１を回して移動ステージ
４を移動する事によりウェハ１上の罫描跡に次々と荷重
がかかり、劈開される。
転台２の上に固定する。そしてウェハ１につけられた罫
描跡とローラ支柱６に支持されているローラ５と劈開軸
方位を合わせる為にマイクロメーター２１をまわし、回
転台２を水平方向で回転させて罫描跡とローラ５と平行
になる様にする。次に、マイクロメーター３１をまわし
て、傾斜台３を傾斜させる。この時のマイクロメーター
３１の調整により、ウェハ１の罫描跡にかかる荷重は任
意に変えられる。例えばＧａＡｓウェハ１、ローラ５の
径を１０ｍｍφとした場合、効果的に劈開が行なえるよ
うに傾斜台３を適宜調整し約２０ｇ／ｍｍ２程度圧力が
かかる様にすればよい。傾斜台３が傾斜している状態を
第２図に示す。この状態で罫描跡はローラ５に接触し、
局部に約２０ｇ／ｍｍ２の荷重がかかり劈開される。更
に、この後マイクロメーター４１を回して移動ステージ
４を移動する事によりウェハ１上の罫描跡に次々と荷重
がかかり、劈開される。
あるいは、第３図に示すように、ウェハ１は平らなウェ
ハ支持台ＩＯに固定しておき、ローラ５を傾斜台３に取
りつけ、傾斜させる事によりウェハ１の罫描跡に荷重を
かけて局部的に加圧し劈開を行なってもよい。
ハ支持台ＩＯに固定しておき、ローラ５を傾斜台３に取
りつけ、傾斜させる事によりウェハ１の罫描跡に荷重を
かけて局部的に加圧し劈開を行なってもよい。
また、第４図に示すように、ローラ５のかわりにメス支
持支柱１３に支持されているメス１２を用いて傾斜台３
を傾斜させメス１２の刃先を罫描跡に接触後加圧し劈開
すればよい。この場合、次に劈開する時は傾斜台３を水
平に戻し、次の罫描跡に移動し上記と同様の操作を行な
う。尚、メス１２はＦｔ］ＴＡＢ＾製手術用メスＡＩＩ
ＬｌＯを使用した。
持支柱１３に支持されているメス１２を用いて傾斜台３
を傾斜させメス１２の刃先を罫描跡に接触後加圧し劈開
すればよい。この場合、次に劈開する時は傾斜台３を水
平に戻し、次の罫描跡に移動し上記と同様の操作を行な
う。尚、メス１２はＦｔ］ＴＡＢ＾製手術用メスＡＩＩ
ＬｌＯを使用した。
更に、第５図に示すように、ローラ５やメス１２のかわ
りに共振器長間隔にローラ上に円盤の刃を形成した刃付
ローラ１５を使用し、傾斜台３を傾斜させる事でウェハ
１をいっぺんに劈開することも可能である。第６図に刃
付ローラ１５の正面図を示す。ここでｄは共振器長間隔
を示している。
りに共振器長間隔にローラ上に円盤の刃を形成した刃付
ローラ１５を使用し、傾斜台３を傾斜させる事でウェハ
１をいっぺんに劈開することも可能である。第６図に刃
付ローラ１５の正面図を示す。ここでｄは共振器長間隔
を示している。
以上の実施例においてウェハをＧａＡｓとしたが、他の
化合物半導体や混晶半導体においても同様の効果がある
。
化合物半導体や混晶半導体においても同様の効果がある
。
〔発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、ウェハ上の罫描跡
に圧力を加え劈開する際、ウェハの局部に荷重を加える
事により、ウェハを共振器寸法のピッチで正確にバー状
態に加工できた。更に、劈開が局部から始まるため、粉
々となる頻度を低くし、素子の製作歩留りの改善が図れ
た。
に圧力を加え劈開する際、ウェハの局部に荷重を加える
事により、ウェハを共振器寸法のピッチで正確にバー状
態に加工できた。更に、劈開が局部から始まるため、粉
々となる頻度を低くし、素子の製作歩留りの改善が図れ
た。
第１図から第５図はいずれも本発明の半導体レーザのウ
ェハの劈開方法を説明するための図であり、第１図は傾
斜台３上にウェハをセットしてローラ５で加圧する場合
を示す図、第２図は第１図の傾斜台３を傾斜させた状態
を示す図、第３図はローラ５を傾斜台３上にセットした
場合を示す図、第４図は第１図のローラ５のかわりにメ
ス１２をセットした場合を示す図、第５図は刃付ローラ
１５をセットした場合を示す図である。第６図は刃付ロ
ーラ１５の正面図、第７図は従来例を示す図で−ある。 １働・・ウェハ、 ２・・・回転台、 ３・・・傾斜台、 ４・・・移動ステージ、 ５・・・ローラ、 ６・・・ローラ支柱、 １０・・・ウェハ支持台、 １２・・・メス、 １３・・・メス支持支柱、 １５・・・刃付ローラ、 ２１．３１．４１・・・マイクロメーター〈 第１図 特許出願人 キャノン株式会社
ェハの劈開方法を説明するための図であり、第１図は傾
斜台３上にウェハをセットしてローラ５で加圧する場合
を示す図、第２図は第１図の傾斜台３を傾斜させた状態
を示す図、第３図はローラ５を傾斜台３上にセットした
場合を示す図、第４図は第１図のローラ５のかわりにメ
ス１２をセットした場合を示す図、第５図は刃付ローラ
１５をセットした場合を示す図である。第６図は刃付ロ
ーラ１５の正面図、第７図は従来例を示す図で−ある。 １働・・ウェハ、 ２・・・回転台、 ３・・・傾斜台、 ４・・・移動ステージ、 ５・・・ローラ、 ６・・・ローラ支柱、 １０・・・ウェハ支持台、 １２・・・メス、 １３・・・メス支持支柱、 １５・・・刃付ローラ、 ２１．３１．４１・・・マイクロメーター〈 第１図 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体レーザのウェハを劈開して所定の寸法形状を
有するバー状の素子を製作するための半導体レーザのウ
ェハの劈開方法において、 前記ウェハと、前記ウェハを劈開するための劈開用部材
とを局部的に接触させて前記ウェハを劈開することを特
徴とする半導体レーザのウェハの劈開方法。 ２）前記劈開用部材を前記ウェハに対して相対的に傾斜
させて、前記ウェハと、該ウェハ端部に該劈開部材を接
触させることにより、前記ウェハを劈開する特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザのウェハの劈開方法。 ３）前記劈開用部材がローラ状である特許請求の範囲第
１項または第２項に記載の半導体レーザのウェハの劈開
方法。 ４）前記劈開用部材がメス状である特許請求の範囲第１
項または第２項に記載の半導体レーザのウェハの劈開方
法。 ５）前記劈開用部材が刃付ローラ状である特許請求の範
囲第１項または第２項に記載の半導体レーザのウェハの
劈開方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281346A JPH02129985A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体レーザのウエハの劈開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281346A JPH02129985A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体レーザのウエハの劈開方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129985A true JPH02129985A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17637829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281346A Pending JPH02129985A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体レーザのウエハの劈開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5495920A (en) * | 1993-12-16 | 1996-03-05 | Shimano, Inc. | Braking force adjusting apparatus for a bicycle |
| US6003638A (en) * | 1998-03-02 | 1999-12-21 | Shimano Inc. | Bicycle brake device |
| JPWO2020183580A1 (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63281346A patent/JPH02129985A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5495920A (en) * | 1993-12-16 | 1996-03-05 | Shimano, Inc. | Braking force adjusting apparatus for a bicycle |
| US6003638A (en) * | 1998-03-02 | 1999-12-21 | Shimano Inc. | Bicycle brake device |
| US6089356A (en) * | 1998-03-02 | 2000-07-18 | Shimano Inc. | Bicycle brake device |
| JPWO2020183580A1 (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | ||
| WO2020183580A1 (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社オプト・システム | 半導体チップの製造方法 |
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