JPH02130899A - 移送ヘッドのノズルの昇降装置および移送ヘッドのノズルによる電子部品のボンディング方法 - Google Patents
移送ヘッドのノズルの昇降装置および移送ヘッドのノズルによる電子部品のボンディング方法Info
- Publication number
- JPH02130899A JPH02130899A JP63284545A JP28454588A JPH02130899A JP H02130899 A JPH02130899 A JP H02130899A JP 63284545 A JP63284545 A JP 63284545A JP 28454588 A JP28454588 A JP 28454588A JP H02130899 A JPH02130899 A JP H02130899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bond
- electronic component
- nozzle
- pressing
- transfer head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3403—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation
- H01S5/3406—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation including strain compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3434—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer comprising at least both As and P as V-compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
- H01S5/34373—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers based on InGa(Al)AsP
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Automatic Assembly (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は移送ヘッドの昇降装置に係り、移送ヘッドを下
降させてこれに吸着された電子部品を基板上に着地させ
た後、この電子部品を下方に押圧して、この電子部品の
下面を基板に塗布されたボンドにしっかり接着させるよ
うにしたものである。
降させてこれに吸着された電子部品を基板上に着地させ
た後、この電子部品を下方に押圧して、この電子部品の
下面を基板に塗布されたボンドにしっかり接着させるよ
うにしたものである。
（従来の技術）
電子部品実装装置は、移送ヘッドのノズルの下端部に電
子部品を吸着してリードフレームなどの基板上に移送し
、そこでノズルを昇降させることにより、この電子部品
を基板に予め塗布されたボンド上に着地させるようにな
っている。
子部品を吸着してリードフレームなどの基板上に移送し
、そこでノズルを昇降させることにより、この電子部品
を基板に予め塗布されたボンド上に着地させるようにな
っている。
上記のように電子部品をボンド上に着地させる場合、着
地力が弱いと、電子部品の下面はボンドにしっかり接着
せず、電子部品はボンド上に浮き上った状態で実装され
ることとなる。かかる不都合を解消する手段として、ノ
ズルの昇降ストロークを大きくして、電子部品をボンド
上に強く着地させることが考えられる。このように電子
部品をボンド上に強く着地させれば、電子部品はその下
面全面がボンドにしっかり接着されることとなる。
地力が弱いと、電子部品の下面はボンドにしっかり接着
せず、電子部品はボンド上に浮き上った状態で実装され
ることとなる。かかる不都合を解消する手段として、ノ
ズルの昇降ストロークを大きくして、電子部品をボンド
上に強く着地させることが考えられる。このように電子
部品をボンド上に強く着地させれば、電子部品はその下
面全面がボンドにしっかり接着されることとなる。
（発明が解決しようとする課題）
従来の移送ヘッドの昇降手段によっても、このようにノ
ズルの昇降ストロークを大きくずれば、電子部品をボン
ドに強く着地させてボンディングすることは勿論可能で
ある。しかしながらこのようにノズルの昇降ストローク
を太き（して電子部品をポンド上に強く着地させると、
着地時にノズルの下端部が電子部品の上面に強く押し当
り、電子部品を破損する虞れを生じる。
ズルの昇降ストロークを大きくずれば、電子部品をボン
ドに強く着地させてボンディングすることは勿論可能で
ある。しかしながらこのようにノズルの昇降ストローク
を太き（して電子部品をポンド上に強く着地させると、
着地時にノズルの下端部が電子部品の上面に強く押し当
り、電子部品を破損する虞れを生じる。
またこれとは別に、ボンドの内部、もしくはポンド表面
と電子部品の下面の間に、気泡が生じやすい問題がある
。かかる気泡は、後工程であるボンドの加熱工程におい
て膨張し、電子部品の着地性の悪化や、最悪の場合、電
子部品の破損を惹起する虞れがある。したがって電子部
品をボンド上に着地させる場合には、気°泡の発生を防
止しなければならないが、従来手段では、気泡の発生は
避けられないものであった。
と電子部品の下面の間に、気泡が生じやすい問題がある
。かかる気泡は、後工程であるボンドの加熱工程におい
て膨張し、電子部品の着地性の悪化や、最悪の場合、電
子部品の破損を惹起する虞れがある。したがって電子部
品をボンド上に着地させる場合には、気°泡の発生を防
止しなければならないが、従来手段では、気泡の発生は
避けられないものであった。
したがって本発明は、移送ヘッドのノズルに吸着された
電子部品を、基板に塗布されたボンドにしっかり接着す
ることができ、また気泡の発生を防止することができる
手段を提供することを目的とする。
電子部品を、基板に塗布されたボンドにしっかり接着す
ることができ、また気泡の発生を防止することができる
手段を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
このために本発明は、支持フレームに昇降自在に装着さ
れた移送ヘッドと、駆動部に駆動されて揺動することに
より、この移送ヘッドのノズルを昇降駆動する揺動部材
と、この揺動部材の揺動に連動して回動することにより
、互いにタイミングをずらして移送ヘッドのノズルを下
方へ押圧するばね材から成る第１の押圧部材及び第２の
押圧部材とから移送ヘッドの昇降装置を構成したもので
ある。
れた移送ヘッドと、駆動部に駆動されて揺動することに
より、この移送ヘッドのノズルを昇降駆動する揺動部材
と、この揺動部材の揺動に連動して回動することにより
、互いにタイミングをずらして移送ヘッドのノズルを下
方へ押圧するばね材から成る第１の押圧部材及び第２の
押圧部材とから移送ヘッドの昇降装置を構成したもので
ある。
（作用）
上記構成において、駆動部に駆動されて揺動部材が揺動
すると、先ず一方の押圧部材が回動して移送ヘッドのノ
ズルを下方へ押圧し、その下端部に吸着された電子部品
をボンド上に着地させる。更に揺動部材が揺動すると、
第１及び第２の押圧部材が共にノズルを下方へ押圧して
、電子部品の下面によりボンドを押し広げながら、電子
部品の下面全面をしっかりとボンドに接着させる。この
場合、第１及び第２の押圧部材はばね材から成るので、
そのばね性により、電子部品をボンドεこソフトにかつ
しっかりと押し付けることができる。またボンド上に着
地した電子部品を、第１及び第２の押圧部材により更に
ボンドに押し付けることにより、内部の気泡は外部へ追
出される。
すると、先ず一方の押圧部材が回動して移送ヘッドのノ
ズルを下方へ押圧し、その下端部に吸着された電子部品
をボンド上に着地させる。更に揺動部材が揺動すると、
第１及び第２の押圧部材が共にノズルを下方へ押圧して
、電子部品の下面によりボンドを押し広げながら、電子
部品の下面全面をしっかりとボンドに接着させる。この
場合、第１及び第２の押圧部材はばね材から成るので、
そのばね性により、電子部品をボンドεこソフトにかつ
しっかりと押し付けることができる。またボンド上に着
地した電子部品を、第１及び第２の押圧部材により更に
ボンドに押し付けることにより、内部の気泡は外部へ追
出される。
（実施例）
次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は移送ヘッドの昇降装置の斜視図であって、ｌは
移送ヘッド２を装備する移送ヘッド部であり、この移送
ヘッド部１は図示しない手段により駆動されてサブステ
ージＳとリードフレームＬＦの間を往復し、サブステー
ジＳ上の電子部品ＰをリードフレームＬＰに移送搭載す
る。ａはリードフレームＬＰに予め塗布されたボンドで
あり、電子部品Ｐはこのボンドａ上にボンディングされ
る。３はサブステージＳ上の電子部品のｘｙθ方向の位
置ずれを補正する補正爪、４はリードフレームＬＦをピ
ッチ送りするコンベヤである。次に移送ヘッド２の昇降
装置を説明する。
移送ヘッド２を装備する移送ヘッド部であり、この移送
ヘッド部１は図示しない手段により駆動されてサブステ
ージＳとリードフレームＬＦの間を往復し、サブステー
ジＳ上の電子部品ＰをリードフレームＬＰに移送搭載す
る。ａはリードフレームＬＰに予め塗布されたボンドで
あり、電子部品Ｐはこのボンドａ上にボンディングされ
る。３はサブステージＳ上の電子部品のｘｙθ方向の位
置ずれを補正する補正爪、４はリードフレームＬＦをピ
ッチ送りするコンベヤである。次に移送ヘッド２の昇降
装置を説明する。
５はモータＭにより駆動されるカム、６はカムフォロア
、７はカムフォロア６を支持する揺動レバー ８は該レ
バー７に連結されたロッド、９はロッド８の先端部に軸
着されたカギ型のレバーであり、モータＭが駆動すると
カム５は回転し、レバー７・は揺動して、ロッド８はそ
の長さ方向に往復動じ、レバー９はビン９ａを中心に揺
動する。１０は台板１１上に設けられた上記移送ヘッド
２の昇降ストロークの調整装置であって、次に第２図（
ａ）を併せて参照しながら、その詳細な構造を説明する
。
、７はカムフォロア６を支持する揺動レバー ８は該レ
バー７に連結されたロッド、９はロッド８の先端部に軸
着されたカギ型のレバーであり、モータＭが駆動すると
カム５は回転し、レバー７・は揺動して、ロッド８はそ
の長さ方向に往復動じ、レバー９はビン９ａを中心に揺
動する。１０は台板１１上に設けられた上記移送ヘッド
２の昇降ストロークの調整装置であって、次に第２図（
ａ）を併せて参照しながら、その詳細な構造を説明する
。
１２は摺動板であって、その下面に設けられたガイド材
１３は、台板１１上に設けられたガイド材１４に嵌合し
ている。摺動板１２の後部にはブラケット１５が装着さ
れており、上記レバー９の先端部に装着されたローラ１
６は、このブラケット１５の嵌合部１５ａに嵌合してい
る。したがって上記のようにモータＭが駆動してレバー
９が揺動すると、摺動板１２はガイド材１３．１４に案
内されて前後方向Ｎ１に往復摺動する。
１３は、台板１１上に設けられたガイド材１４に嵌合し
ている。摺動板１２の後部にはブラケット１５が装着さ
れており、上記レバー９の先端部に装着されたローラ１
６は、このブラケット１５の嵌合部１５ａに嵌合してい
る。したがって上記のようにモータＭが駆動してレバー
９が揺動すると、摺動板１２はガイド材１３．１４に案
内されて前後方向Ｎ１に往復摺動する。
摺動板１２上に設けられたフレーム１７上には、パルス
モータ１８が配設されている。１９はこのパルスモータ
１８に駆動されるカム、２０はカムフォロアである。２
１はカムフォロア２０が装着されたカギ型の摺動材であ
って、スライダ２２に取り付けられている。このスライ
ダ２２は、ガイド材２３．２４を介して、上記摺動板１
２上に前後方向Ｎｌに摺動自在に配設されている。２５
は、カムフォロア２０をカム１９に押接するためのコイ
ルスプリングである。
モータ１８が配設されている。１９はこのパルスモータ
１８に駆動されるカム、２０はカムフォロアである。２
１はカムフォロア２０が装着されたカギ型の摺動材であ
って、スライダ２２に取り付けられている。このスライ
ダ２２は、ガイド材２３．２４を介して、上記摺動板１
２上に前後方向Ｎｌに摺動自在に配設されている。２５
は、カムフォロア２０をカム１９に押接するためのコイ
ルスプリングである。
後に第４図を参照しながら詳述するように、移送へラド
２の昇降ストロークの大きさは、摺動材２１の往動スト
ロークの大きさを調整することにより１周整される。
２の昇降ストロークの大きさは、摺動材２１の往動スト
ロークの大きさを調整することにより１周整される。
３０は移送ヘッド部１の主フレームであって、揺動部材
３１が軸部３２を中心に揺動自在に装着されている。揺
動部材３１の上端部にはブレート３３が装着されており
、このプレート３３は、上記摺動材２１の下端部に装着
されたローラ２６に当接している。３４は揺動部材３１
を第２図（ａ）において反時計方向に付勢するコイルス
プリングである。３５は主フレーム３０から前方へ延設
された支持フレームであって、この支持フレーム３５の
先端部に、上記移送ヘッド２のノズルシャフト３６が昇
降自在に装着されている。このノズルシャフト３６の下
端部は移送ヘッド２の下方に突出し、電子部品を吸着す
るノズル３６ａとなっている。３７は支持フレーム３５
の上方に配設されたサブフレームであって、シャフト３
６の上端部はこのサブフレーム３７に昇降自在に軸受け
されており、またこのシャフト３６の上部にはθ方向補
正用のギヤ３８が装着されている。第１図において、３
９はモータ、４０はこのモータ３９に駆動されるギヤで
あり、モータ３９が駆動すると、シャフト３６はその軸
心線を中心に回転し、ノズル３６ａの下端部に吸着され
た電子部品Ｐのθ方向（ノズル３６ａの軸心を中心とす
る回転方向）の位置ずれを補正する。
３１が軸部３２を中心に揺動自在に装着されている。揺
動部材３１の上端部にはブレート３３が装着されており
、このプレート３３は、上記摺動材２１の下端部に装着
されたローラ２６に当接している。３４は揺動部材３１
を第２図（ａ）において反時計方向に付勢するコイルス
プリングである。３５は主フレーム３０から前方へ延設
された支持フレームであって、この支持フレーム３５の
先端部に、上記移送ヘッド２のノズルシャフト３６が昇
降自在に装着されている。このノズルシャフト３６の下
端部は移送ヘッド２の下方に突出し、電子部品を吸着す
るノズル３６ａとなっている。３７は支持フレーム３５
の上方に配設されたサブフレームであって、シャフト３
６の上端部はこのサブフレーム３７に昇降自在に軸受け
されており、またこのシャフト３６の上部にはθ方向補
正用のギヤ３８が装着されている。第１図において、３
９はモータ、４０はこのモータ３９に駆動されるギヤで
あり、モータ３９が駆動すると、シャフト３６はその軸
心線を中心に回転し、ノズル３６ａの下端部に吸着され
た電子部品Ｐのθ方向（ノズル３６ａの軸心を中心とす
る回転方向）の位置ずれを補正する。
４５は上記揺動部材３１の下部にその基端部を装着され
た仮ばねから成る第１の押圧部材であって、移送ヘッド
２へ向って延出し、その先端部は移送ヘッド２の頭部に
当接している。４３はばね圧の調整部である。４６は揺
動部材３１にその基端部を装着された仮ばねから成る第
２の押圧部材であって、移送ヘッド２へ向って延出して
いる。４７は、この第２の押圧部材４６の直下に、ピン
４８により回転自在に軸着された回転杆であって、押圧
部材４６の先端部はこの回転杆４７の上面に当接してい
る。４４は回転杆４７の下方への回転限度を規定するス
トッパーであり、揺動部材３１の下端部から前方へ延出
する延出部３１ａ上に立設されている。
た仮ばねから成る第１の押圧部材であって、移送ヘッド
２へ向って延出し、その先端部は移送ヘッド２の頭部に
当接している。４３はばね圧の調整部である。４６は揺
動部材３１にその基端部を装着された仮ばねから成る第
２の押圧部材であって、移送ヘッド２へ向って延出して
いる。４７は、この第２の押圧部材４６の直下に、ピン
４８により回転自在に軸着された回転杆であって、押圧
部材４６の先端部はこの回転杆４７の上面に当接してい
る。４４は回転杆４７の下方への回転限度を規定するス
トッパーであり、揺動部材３１の下端部から前方へ延出
する延出部３１ａ上に立設されている。
上記シャフト３６の中程には円板４９が装着されている
。この円板４９は、揺動部材３１の延出部３１ａの先端
部に装着されたローラ５０上に接地しており、上記のよ
うにモータ３９が駆動してθ補正が行われる際は、この
円板４９はローラ５０上を回転する。上記回転杆４７の
先端部から、円板４９の上方へ向ってピン４３が突設さ
れている。このピン４３は、移送へラド２が上昇位置に
あるときは、円板４９かられずかに（間隔ｔ）離れてい
る。
。この円板４９は、揺動部材３１の延出部３１ａの先端
部に装着されたローラ５０上に接地しており、上記のよ
うにモータ３９が駆動してθ補正が行われる際は、この
円板４９はローラ５０上を回転する。上記回転杆４７の
先端部から、円板４９の上方へ向ってピン４３が突設さ
れている。このピン４３は、移送へラド２が上昇位置に
あるときは、円板４９かられずかに（間隔ｔ）離れてい
る。
本装置は上記のような構成より成り、次に動作の説明を
行う。
行う。
モータＭが駆動すると、レバー９は揺動し、摺動板１２
は前後方向Ｎ１に往復摺動する。すると摺動材２１は同
方向Ｎ１に往復動じ、揺動部材３１はローラ２６に押さ
れて軸部３２を中心にＮ２方向に揺動する。すると移送
ヘッド２は先ず第１の押圧部材４５に押圧されて下降し
、ノズル３６ａの下端部に吸着された電子部品Ｐはリー
ドフレームＬＦのボンドａ上に着地する（第３図（ａ）
参照）。揺動部材３１が更に揺動すると、第２の押圧部
材４６に押されて回転杆４７は下方に回転する。すると
これから突出するピン４３により円板４９が下方へ押圧
されることにより、移送へラド２は更に下降し、電子部
品Ｐをボンドａに強く押し付けて、このボンドａを押し
広げながら、しっかりと着地させる（第３図（ｂ）参照
）。図中、Ｆｌは第１の押圧部材４５の押圧力、Ｆ２は
第２の押圧部材４６の押圧力であり、ボンドａ上に着地
した電子部品Ｐは、各押圧部材４５．４６のばね性によ
る押圧力Ｆ１．Ｆ２によりしっかりと押圧される。この
ように電子部品Ｐの着地を、第１の押圧部材４５だけの
押圧力Ｆ１により行わせれば、電子部品Ｐをボンドａ上
に比較的小さな力でソフトに着地させることができる。
は前後方向Ｎ１に往復摺動する。すると摺動材２１は同
方向Ｎ１に往復動じ、揺動部材３１はローラ２６に押さ
れて軸部３２を中心にＮ２方向に揺動する。すると移送
ヘッド２は先ず第１の押圧部材４５に押圧されて下降し
、ノズル３６ａの下端部に吸着された電子部品Ｐはリー
ドフレームＬＦのボンドａ上に着地する（第３図（ａ）
参照）。揺動部材３１が更に揺動すると、第２の押圧部
材４６に押されて回転杆４７は下方に回転する。すると
これから突出するピン４３により円板４９が下方へ押圧
されることにより、移送へラド２は更に下降し、電子部
品Ｐをボンドａに強く押し付けて、このボンドａを押し
広げながら、しっかりと着地させる（第３図（ｂ）参照
）。図中、Ｆｌは第１の押圧部材４５の押圧力、Ｆ２は
第２の押圧部材４６の押圧力であり、ボンドａ上に着地
した電子部品Ｐは、各押圧部材４５．４６のばね性によ
る押圧力Ｆ１．Ｆ２によりしっかりと押圧される。この
ように電子部品Ｐの着地を、第１の押圧部材４５だけの
押圧力Ｆ１により行わせれば、電子部品Ｐをボンドａ上
に比較的小さな力でソフトに着地させることができる。
また着地させた後に、第１及び第２の押圧部材４５，４
６の２つの押圧力Ｆｌ、Ｆ２を電子部品Ｐに併せて加え
れば、気泡を追出しながら電子部品Ｐをボンドａに強い
力でしっかりと接着させることができる。なおこの場合
、スクラブ動作を行えば、よりしっかりと、かつより確
実に気泡を追出しながら、ボンディングすることができ
る。
６の２つの押圧力Ｆｌ、Ｆ２を電子部品Ｐに併せて加え
れば、気泡を追出しながら電子部品Ｐをボンドａに強い
力でしっかりと接着させることができる。なおこの場合
、スクラブ動作を行えば、よりしっかりと、かつより確
実に気泡を追出しながら、ボンディングすることができ
る。
また押圧部材４５．４６を特に仮ばねにより形成すれば
、そのばね性によってソフトに押圧することができる。
、そのばね性によってソフトに押圧することができる。
ところで電子部品Ｐの厚さは様々であり、厚さが薄いと
きはノズル３６ａの昇降ストロークを太き（し、また厚
いときは小さくすることが望ましい。したがって前者の
場合には、第４図（ａ）に示すようにモータ１８を駆動
して、カム１９を回転させ、カム１９の厚い側をカムフ
ォロア２０に当接させれば、摺動材２１は前進し、これ
に押されて揺動する揺動部材３１の揺動ストロークはそ
れだけ大きくなって、移送ヘッド２の昇降ストロークは
大きくなる。また後者の場合は、第４図（ｂ）に示すよ
うにカム１９の薄い側をカムフォロア２０に当接させれ
ば、摺動材２１は後退し、揺動部材３１の揺動ストロー
クは小さくなって、移送ヘッド２の昇降ストロークも短
（なる。したがって電子部品Ｐの厚さのデータが入力さ
れたコンピュータによりモータ１８を駆動するようにす
れば、電子部品Ｐの厚さに応じて、移送ヘッド２の昇降
ストロークを調整することができる。
きはノズル３６ａの昇降ストロークを太き（し、また厚
いときは小さくすることが望ましい。したがって前者の
場合には、第４図（ａ）に示すようにモータ１８を駆動
して、カム１９を回転させ、カム１９の厚い側をカムフ
ォロア２０に当接させれば、摺動材２１は前進し、これ
に押されて揺動する揺動部材３１の揺動ストロークはそ
れだけ大きくなって、移送ヘッド２の昇降ストロークは
大きくなる。また後者の場合は、第４図（ｂ）に示すよ
うにカム１９の薄い側をカムフォロア２０に当接させれ
ば、摺動材２１は後退し、揺動部材３１の揺動ストロー
クは小さくなって、移送ヘッド２の昇降ストロークも短
（なる。したがって電子部品Ｐの厚さのデータが入力さ
れたコンピュータによりモータ１８を駆動するようにす
れば、電子部品Ｐの厚さに応じて、移送ヘッド２の昇降
ストロークを調整することができる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明は、支持フレームに昇降自在
に装着された移送ヘッドと、駆動部に駆動されて揺動す
ることにより、この移送ヘッドのノズルを昇降駆動する
揺動部材と、この揺動部材の揺動に連動して回動するこ
とにより、互いにタイミングをずらして移送ヘッドのノ
ズルを下方へ押圧するばね材から成る第１の押圧部材と
第２の押圧部材とから移送ヘッドの昇降装置を構成して
いるので、電子部品を一方の押圧部材だけの押圧力によ
り、着地時の衝撃により電子部品が破損されないように
ボンド上にソフトに着地させることができ、また着地後
には、ばね性を有する２つの押圧部材の押圧力により電
子部品をボンドに押し付けることにより、ボンドにしっ
かりと接着させるとともに、気泡を追出すことができる
。
に装着された移送ヘッドと、駆動部に駆動されて揺動す
ることにより、この移送ヘッドのノズルを昇降駆動する
揺動部材と、この揺動部材の揺動に連動して回動するこ
とにより、互いにタイミングをずらして移送ヘッドのノ
ズルを下方へ押圧するばね材から成る第１の押圧部材と
第２の押圧部材とから移送ヘッドの昇降装置を構成して
いるので、電子部品を一方の押圧部材だけの押圧力によ
り、着地時の衝撃により電子部品が破損されないように
ボンド上にソフトに着地させることができ、また着地後
には、ばね性を有する２つの押圧部材の押圧力により電
子部品をボンドに押し付けることにより、ボンドにしっ
かりと接着させるとともに、気泡を追出すことができる
。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図は全体
斜視図、第２図（ａ）、 （ｂ）。 （ｃ）は動作順の側面図、第３図（ａ）、 （ｂ）は
ボンディング中の部分側面図、第４図（ａ）。 （ｂ）は調整装置の部分平面図である。 ２・・・移送ヘッド ３１・・・揺動部材 ３５・・・支持フレーム ３６ａ・・・ノズル ４５・・・ばね材から成る第１の押圧部材４６・・・ば
ね材から成る第２の押圧部材Ｍ・・・駆動部
斜視図、第２図（ａ）、 （ｂ）。 （ｃ）は動作順の側面図、第３図（ａ）、 （ｂ）は
ボンディング中の部分側面図、第４図（ａ）。 （ｂ）は調整装置の部分平面図である。 ２・・・移送ヘッド ３１・・・揺動部材 ３５・・・支持フレーム ３６ａ・・・ノズル ４５・・・ばね材から成る第１の押圧部材４６・・・ば
ね材から成る第２の押圧部材Ｍ・・・駆動部
Claims (1)
- 支持フレームに昇降自在に装着された移送ヘッドと、
駆動部に駆動されて揺動することにより、この移送ヘッ
ドのノズルを昇降駆動する揺動部材と、この揺動部材の
揺動に連動して回動することにより、互いにタイミング
をずらして移送ヘッドのノズルを下方へ押圧するばね材
から成る第１の押圧部材と第２の押圧部材とから成るこ
とを特徴とする移送ヘッドの昇降装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284545A JP2625986B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 移送ヘッドのノズルの昇降装置および移送ヘッドのノズルによる電子部品のボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284545A JP2625986B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 移送ヘッドのノズルの昇降装置および移送ヘッドのノズルによる電子部品のボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130899A true JPH02130899A (ja) | 1990-05-18 |
| JP2625986B2 JP2625986B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17679839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284545A Expired - Lifetime JP2625986B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 移送ヘッドのノズルの昇降装置および移送ヘッドのノズルによる電子部品のボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625986B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463084U (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-29 | ||
| JPH0540149A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路自動選別装置 |
| CN114683039A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-07-01 | 杭州毅风智能科技有限公司 | 一种三角阀的装配系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179569U (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-27 | ||
| JPS6339974U (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-15 |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP63284545A patent/JP2625986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179569U (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-27 | ||
| JPS6339974U (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-15 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463084U (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-29 | ||
| JPH0540149A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Kyushu Ltd | 半導体集積回路自動選別装置 |
| CN114683039A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-07-01 | 杭州毅风智能科技有限公司 | 一种三角阀的装配系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625986B2 (ja) | 1997-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101214747B (zh) | 膜粘贴方法及膜粘贴装置 | |
| CN107785287A (zh) | 键合设备及方法 | |
| JPH02130899A (ja) | 移送ヘッドのノズルの昇降装置および移送ヘッドのノズルによる電子部品のボンディング方法 | |
| JPH10163252A (ja) | フリップチップの実装装置 | |
| CN209838871U (zh) | 一种耳机上垫盘、调音纸及喇叭的组装生产线 | |
| JPH09270442A (ja) | 導電性ボールの搭載装置および搭載方法 | |
| JP3468671B2 (ja) | バンプボンディング装置及び方法 | |
| JPH03159197A (ja) | フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法 | |
| CN211937700U (zh) | 一种绝缘胶自动涂胶机 | |
| JPH0722234B2 (ja) | チップ部品装着装置 | |
| JP2765190B2 (ja) | フリップチップのボンディング装置 | |
| JPS5938134B2 (ja) | ラベル貼装置 | |
| JPH09248864A (ja) | 紙袋加工装置 | |
| CN120286293B (zh) | 一种触控屏加工用侧边涂装设备 | |
| WO2017065005A1 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
| JPH08257484A (ja) | ピン転写方法 | |
| CN116181768B (zh) | 一种电子元件组装用定位贴合装置 | |
| CN217047491U (zh) | 贴膜治具 | |
| JPH0521072B2 (ja) | ||
| JPH0263199A (ja) | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 | |
| JP3921289B2 (ja) | リードフレーム搬送装置 | |
| JPS586532Y2 (ja) | 自動糊付装置 | |
| JP3708295B2 (ja) | ペースト材料塗布装置 | |
| JP2002134566A (ja) | フリップチップの実装装置およびフリップチップの実装方法 | |
| JP3279192B2 (ja) | 導電性ボールのボンディング用粘液の塗布装置 |