JPH02130942A - Ｉｃの高周波発振周波数測定装置 - Google Patents
Ｉｃの高周波発振周波数測定装置Info
- Publication number
- JPH02130942A JPH02130942A JP63285161A JP28516188A JPH02130942A JP H02130942 A JPH02130942 A JP H02130942A JP 63285161 A JP63285161 A JP 63285161A JP 28516188 A JP28516188 A JP 28516188A JP H02130942 A JPH02130942 A JP H02130942A
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- JP
- Japan
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- probe
- frequency
- chip
- oscillation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣの高周波発振周波数測定装置に関し、特に
ウェハ状態におけるＩＣの高周波発振周波数測定装置に
関する。
ウェハ状態におけるＩＣの高周波発振周波数測定装置に
関する。
従来、ＩＣの高周波発振周波数を測定するにあたっては
、第３図に示すようにパッケージに組立てた後のＩＣ１
２を高周波測定治具に実装し、スペクトラムアナライザ
６（あるいは高周波カウンタ）を用いて測定する方式が
一般的であった。
、第３図に示すようにパッケージに組立てた後のＩＣ１
２を高周波測定治具に実装し、スペクトラムアナライザ
６（あるいは高周波カウンタ）を用いて測定する方式が
一般的であった。
上述した従来のＩＣの高周波発振周波数測定装置は、
ＩＣチップを組立てた後に、更に特別の高周波用途の治
具を作成する必要がある６通常の高周波用途ではないＩ
Ｃの場合、ウェハ段階で速度試験を実施できるが、高周
波用途のＩＣの場合、ウェハ段階で実施可能な試験はＤ
Ｃ試験が主であり、速度試験はかなり難しい。
ＩＣチップを組立てた後に、更に特別の高周波用途の治
具を作成する必要がある６通常の高周波用途ではないＩ
Ｃの場合、ウェハ段階で速度試験を実施できるが、高周
波用途のＩＣの場合、ウェハ段階で実施可能な試験はＤ
Ｃ試験が主であり、速度試験はかなり難しい。
ウェハ段階で高周波選別ができなければ１組立て後の歩
留りが非常に悪化し、経費がかかり、また組立てるまで
高周波特性の予測がつかないという欠点がある。
留りが非常に悪化し、経費がかかり、また組立てるまで
高周波特性の予測がつかないという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決したＩＣの高周波発振周
波数測定装置を提供することにある。
波数測定装置を提供することにある。
上述した従来のＩＣの高周波発振周波数測定装置に対し
１本発明はウェハ状態のＩＣチップの測定が可能である
こと、及びウェハ状態の高周波出力パッドに非接触で測
定するため、測定系の浮遊容量の影響を小さくできると
いう相違点を有する。
１本発明はウェハ状態のＩＣチップの測定が可能である
こと、及びウェハ状態の高周波出力パッドに非接触で測
定するため、測定系の浮遊容量の影響を小さくできると
いう相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は高周波発振回路を有
するウェハ状態のＩＣチップの高周波発振周波数を測定
する装置において、 少なくともバイアス用探針とグランド用探針と同軸探針
の３種類の針を有し、針当てした状態では同軸探針のみ
が非接触であり、前記ウェハ状態のＩＣチップの発振出
力線にほぼ平行になるように位置設定されたプローブカ
ードと、 前記ウェハ状態のＩＣチップに前記プローブカードを通
してバイアスを加える電源と、 前記ウェハ状態のＩＣチップ内で発振している高周波信
号の周波数を測定する周波数測定器とを含むものである
。
するウェハ状態のＩＣチップの高周波発振周波数を測定
する装置において、 少なくともバイアス用探針とグランド用探針と同軸探針
の３種類の針を有し、針当てした状態では同軸探針のみ
が非接触であり、前記ウェハ状態のＩＣチップの発振出
力線にほぼ平行になるように位置設定されたプローブカ
ードと、 前記ウェハ状態のＩＣチップに前記プローブカードを通
してバイアスを加える電源と、 前記ウェハ状態のＩＣチップ内で発振している高周波信
号の周波数を測定する周波数測定器とを含むものである
。
（実施例〕
以下１本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す回路ブロック図
、第１図（ｂ）は本発明の実施例１における測定時の針
当て状態を示す平面図、第１図（ｃ）は同側面図である
。
、第１図（ｂ）は本発明の実施例１における測定時の針
当て状態を示す平面図、第１図（ｃ）は同側面図である
。
図において１本発明のＩＣの高周波発振周波数測定装置
は、ウェハ状態のＩＣチップ２にバイアスを加えるため
の探針及び高周波信号を通すための同軸形態の探針を有
するプローブカード４と、ＩＣチップ２にプローブカー
ド４を通してバイアスを加える電源５と、ＩＣチップ２
からプローブカード４を通して出力される高周波発振周
波数を測定するスペクトラムアナライザ６とを有する。
は、ウェハ状態のＩＣチップ２にバイアスを加えるため
の探針及び高周波信号を通すための同軸形態の探針を有
するプローブカード４と、ＩＣチップ２にプローブカー
ド４を通してバイアスを加える電源５と、ＩＣチップ２
からプローブカード４を通して出力される高周波発振周
波数を測定するスペクトラムアナライザ６とを有する。
プローブカード４は少なくとも同軸探針７とバイアス用
探針８とグランド用探針９の３種類の探針を有する。こ
のうち、８Ｉ定時にウェハ状態のＩＣチップ２に針当て
するのはバイアス用探針８とグランド用探針９であり、
同軸探針７はウェハ近傍に近づくだけで非接触である。
探針８とグランド用探針９の３種類の探針を有する。こ
のうち、８Ｉ定時にウェハ状態のＩＣチップ２に針当て
するのはバイアス用探針８とグランド用探針９であり、
同軸探針７はウェハ近傍に近づくだけで非接触である。
プローブカード４はウェハに針当てした状態で同軸探針
７の先端Ｌ８がＩＣチップ２内の発振出力線り、にほぼ
平行で非接触になるように作成しておく。
７の先端Ｌ８がＩＣチップ２内の発振出力線り、にほぼ
平行で非接触になるように作成しておく。
測定時にはウェハステージｌＯ上のウェハ状態のＩＣチ
ップ２とプローブカード４を針当てし、テスタプローバ
エ内の電源５をＯＮにしてバイアス用探針８にバイアス
をかける。バイアス用探針８を介してＩＣチップ２にバ
イアスが加えられると、 ＩＣチップ２内の高周波発振
回路３が高周波発振をし始める。この信号が近傍の同軸
探針７に電磁誘導作用により誘導起電力を生じさせる。
ップ２とプローブカード４を針当てし、テスタプローバ
エ内の電源５をＯＮにしてバイアス用探針８にバイアス
をかける。バイアス用探針８を介してＩＣチップ２にバ
イアスが加えられると、 ＩＣチップ２内の高周波発振
回路３が高周波発振をし始める。この信号が近傍の同軸
探針７に電磁誘導作用により誘導起電力を生じさせる。
この誘導起電力を同軸線路でスペクトラムアナライザ６
に導くことによって発振周波数を測定する。
に導くことによって発振周波数を測定する。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す回路ブロック図である
。尚１本実施例における測定時の針当て状態は第１図（
ｂ）、 （ｃ）と同様であり、省略しである。
。尚１本実施例における測定時の針当て状態は第１図（
ｂ）、 （ｃ）と同様であり、省略しである。
第２の実施例が第１の実施例と異なるのは、スペクトラ
ムアナライザ６の代わりに高周波カウンタ１１が使用さ
れ、高周波カウンタ１１の測定結果がテスタプローバ１
に出力されていることである。
ムアナライザ６の代わりに高周波カウンタ１１が使用さ
れ、高周波カウンタ１１の測定結果がテスタプローバ１
に出力されていることである。
こうすることによって、 ＩＣの発振周波数による選別
がリアルタイムで可能となると同時に統計処理もテスタ
側で実行できるようになるという利点がある。
がリアルタイムで可能となると同時に統計処理もテスタ
側で実行できるようになるという利点がある。
以上説明したように本発明はプローブカードに同軸探針
を用い、その芯線の延長がＩＣチップ内の発振信号出力
配線とほぼ平行になるように位置設定することにより、
ＩＣチップの発振信号出力配線に非接触で高周波を取り
出すことができる。更に取り出した信号の周波数をスペ
クトラムアナライザあるいは高周波カウンタ等で測定す
ることにより、ウェハ状態でＩＣの高周波発振周波数を
知ることができるため、ＩＣの組立て歩留りを著しく上
げることができる効果がある。
を用い、その芯線の延長がＩＣチップ内の発振信号出力
配線とほぼ平行になるように位置設定することにより、
ＩＣチップの発振信号出力配線に非接触で高周波を取り
出すことができる。更に取り出した信号の周波数をスペ
クトラムアナライザあるいは高周波カウンタ等で測定す
ることにより、ウェハ状態でＩＣの高周波発振周波数を
知ることができるため、ＩＣの組立て歩留りを著しく上
げることができる効果がある。
また、 ＩＣチップ内の発振信号出力配線に非接触で測
れるので、 ＩＣチップ内の発振動作に与える測定系の
影響が格段に小さくなり、正確で安定な測定ができる効
果がある。
れるので、 ＩＣチップ内の発振動作に与える測定系の
影響が格段に小さくなり、正確で安定な測定ができる効
果がある。
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す回路ブロック図
、第１図（ｂ）は本発明の実施例１における測定時の針
当て状態を示す平面図、第１図（ｃ）は同側面図、第２
図は本発明の実施例２を示す回路ブロック図、第３図は
従来のＩＣの高周波発振周波数測定装置を示す回路ブロ
ック図である。 １・・・テスタプローバ ２・・・ウェハ状態のＩＣチ
ップ３・・・高周波発振回路 ４・・・プローブカー
ド５・・・電源 ６・・・スペクトラムアナラ
イザ７・・・同軸探針 ８・・・バイアス用探
針９・・・グランド用探針 １０・・・ウェハステー
ジ１１・・・高周波カウンタ
、第１図（ｂ）は本発明の実施例１における測定時の針
当て状態を示す平面図、第１図（ｃ）は同側面図、第２
図は本発明の実施例２を示す回路ブロック図、第３図は
従来のＩＣの高周波発振周波数測定装置を示す回路ブロ
ック図である。 １・・・テスタプローバ ２・・・ウェハ状態のＩＣチ
ップ３・・・高周波発振回路 ４・・・プローブカー
ド５・・・電源 ６・・・スペクトラムアナラ
イザ７・・・同軸探針 ８・・・バイアス用探
針９・・・グランド用探針 １０・・・ウェハステー
ジ１１・・・高周波カウンタ
Claims (1)
- （１）高周波発振回路を有するウェハ状態のＩＣチップ
の高周波発振周波数を測定する装置において、少なくと
もバイアス用探針とグランド用探針と同軸探針の３種類
の針を有し、針当てした状態では同軸探針のみが非接触
であり、前記ウェハ状態のＩＣチップの発振出力線にほ
ぼ平行になるように位置設定されたプローブカードと。 前記ウェハ状態のＩＣチップに前記プローブカードを通
してバイアスを加える電源と、 前記ウェハ状態のＩＣチップ内で発振している高周波信
号の周波数を測定する周波数測定器とを含むことを特徴
とするＩＣの高周波発振周波数測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285161A JPH02130942A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | Ｉｃの高周波発振周波数測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63285161A JPH02130942A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | Ｉｃの高周波発振周波数測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130942A true JPH02130942A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17687877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63285161A Pending JPH02130942A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | Ｉｃの高周波発振周波数測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130942A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013171005A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Micronics Japan Co Ltd | 非接触型プローブカード |
| JP2016510874A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-04-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品を測定および最適化する方法および装置 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63285161A patent/JPH02130942A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013171005A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Micronics Japan Co Ltd | 非接触型プローブカード |
| JP2016510874A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-04-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品を測定および最適化する方法および装置 |
| US10132855B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method and device for measuring and optimizing an optoelectronic component |
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