JPH02132352A - Ｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線分析装置Info
- Publication number
- JPH02132352A JPH02132352A JP1161229A JP16122989A JPH02132352A JP H02132352 A JPH02132352 A JP H02132352A JP 1161229 A JP1161229 A JP 1161229A JP 16122989 A JP16122989 A JP 16122989A JP H02132352 A JPH02132352 A JP H02132352A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- slit
- sample
- sample surface
- honeycomb
- Prior art date
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は比較的広い試料面の分析を短時間内に完了し得
るＸ線分析装置に関する。
るＸ線分析装置に関する。
従来比較的大きな試料について種々な含有元素の表面に
おける濃度分布を測定する場合、Ｘ線，電子線等の細い
ビームで試料面を照射しながら２次元的に試料面を走査
し、試料から放射されるＸ線を分光すると云う方法を用
いていた。この方法によると分析に非常に長い時間を要
する。例えば縦横共１００ｍｍの鋼材試料につき１ｍｍ
の分解能でＳ（硫黄）の含有量を測定する場合、測定点
は１ ００００点でありＳの検出感度０．００１％とす
るには試料の電子線照射電流を１μＡとしＳの特性Ｘ線
ＳＫαのＳ−１００％時の信号強度を１０７ ＣＰＳ／
１μＡ，Ｓ／Ｎ比５００とする場合、測定点一点につき
約４秒の測定時間が必要で１００Ｘ１００ｍｍ’の全面
積の分析を終るのに１１時間を要することになる。
おける濃度分布を測定する場合、Ｘ線，電子線等の細い
ビームで試料面を照射しながら２次元的に試料面を走査
し、試料から放射されるＸ線を分光すると云う方法を用
いていた。この方法によると分析に非常に長い時間を要
する。例えば縦横共１００ｍｍの鋼材試料につき１ｍｍ
の分解能でＳ（硫黄）の含有量を測定する場合、測定点
は１ ００００点でありＳの検出感度０．００１％とす
るには試料の電子線照射電流を１μＡとしＳの特性Ｘ線
ＳＫαのＳ−１００％時の信号強度を１０７ ＣＰＳ／
１μＡ，Ｓ／Ｎ比５００とする場合、測定点一点につき
約４秒の測定時間が必要で１００Ｘ１００ｍｍ’の全面
積の分析を終るのに１１時間を要することになる。
広い面のＸ線による分析は上述したように大へん長時間
を要するので従来実用性は乏しかったが、製品の極く一
部分の分析から全体を評価すると云う検査に代って製品
の断面全体を検査すると云う要求が高まるにつれ広い面
積の短時間Ｘ線分析の必要性が高まって来た。本発明は
このような要求に応えるものである。
を要するので従来実用性は乏しかったが、製品の極く一
部分の分析から全体を評価すると云う検査に代って製品
の断面全体を検査すると云う要求が高まるにつれ広い面
積の短時間Ｘ線分析の必要性が高まって来た。本発明は
このような要求に応えるものである。
本発明はＸ線或は電子線等の励起線によって試料面上の
一つの線状領域を同時照射し、試料のこの線状照射領域
から放射されるＸ線を一次元的に位置分解して同時検出
するようにすると共に試料面上で上記線状励起線照射領
域を線状照射領域と交差する方向に掃引することにより
、試料面を二次元的に分析する装置を提供するものであ
る。
一つの線状領域を同時照射し、試料のこの線状照射領域
から放射されるＸ線を一次元的に位置分解して同時検出
するようにすると共に試料面上で上記線状励起線照射領
域を線状照射領域と交差する方向に掃引することにより
、試料面を二次元的に分析する装置を提供するものであ
る。
上述構成によれば従来励起線のスボッ１・照射で試料面
を二次元的に走査していたのに比し、一次元方向には同
時分析ができるので、従来一走査線に沿う分析の所要時
間により、二次元的な分析が行われ、分析所要時間が著
し《短縮されることになる。以下実施例によって本発明
を説明する。
を二次元的に走査していたのに比し、一次元方向には同
時分析ができるので、従来一走査線に沿う分析の所要時
間により、二次元的な分析が行われ、分析所要時間が著
し《短縮されることになる。以下実施例によって本発明
を説明する。
図に本発明の一実施例を示す。１は試料励起線源のＸ線
管で４本が一列に並べられており、試料面上の長さ１０
０ｍｍ幅約１ｍｍの線状領域Ｘを照射する。１１は試料
面上でＸ線照射範囲を上述した線状領域に制限するため
のスリットである。
管で４本が一列に並べられており、試料面上の長さ１０
０ｍｍ幅約１ｍｍの線状領域Ｘを照射する。１１は試料
面上でＸ線照射範囲を上述した線状領域に制限するため
のスリットである。
３は多数の透孔を一列に並べた蜂巣状スリットで、その
背後に接してＸ線検出器が配置されている。このＸ線検
出器は比例検出素子の一列の集合で、各Ｘ線検出素子は
入射Ｘ線のエネルギーに応じた高さのパルスを出力する
らのであり、蜂巣状スリットの透孔の一つ一つに夫々一
つのＸ線検出素子が対応させてある。一次元的蜂巣状ス
リット３は１００個の透孔からなり試料面の励起線照射
領域をその長手方向に１００画素に区分して望むように
配置されている。スリットの厚さ（スリット孔の長さ）
は試料面の対応区画から放射されるＸ線は通過するが隣
の区画からのＸ線はスリット壁に当って通過が阻止され
るに充分な値に作られている。スリット内壁面には対応
区画に隣接する区画からのＸ線が入射するが、入射方向
が壁面に平行に近いのでＸ線の散乱が大きいからそのま
までは測定の分解能を低下させる。そこでスリット内壁
面にはグラファイトのような吸収率の高い材料を用いる
か、グラファイトを塗着させておくのがよい。ｘｎ検出
器４は比例検出素子の集合で入射Ｘ線でのエネルギーに
応じた高さのパルスを出力するから、出力パルスを波高
選別することによって試料から放射されるＸ線のエネル
ギー分析ができる。Ｘ線検出器４を構成する各比例検出
素子の出力は夫々２つのレベル選別器ｅ．ｅ゛に入力さ
れる。一つは検出しようとする元素の特性Ｘ線によって
出力せしめられたパルスを通過せしめ積分用コンデンサ
Ｃに入力させる。他の一つのレベル選別器は試料の主体
成分＜ｔｉｓなら鉄或は炭素）の特性Ｘ線によるパルス
を通過させ積分用コンデンサＣ′に入力させる。即ち試
料から放射された蛍光Ｘ線は検出器４とレベル選別器ｅ
，ｅ゛の群によって分光され検出出力がコンデンザＣ群
．ｃ゜群によって積分され、後述する一定時間毎にコン
デンザＣ群．ｃ゛群の充電電圧がサンプリングされて割
算回路Ｄに入力されてコンデンザＣの充電電圧がＣ′の
充電電圧で割算される。サンプリング後各コンデンサは
放電され、積分を再開する。上述割算は試料の主体成分
の特性Ｘ線強度によって検出しようとする元素の特性Ｘ
線強度を割算するもので、この操作により試料２の各部
の励起Ｘ線照射弛度の不同を消去するものである。この
割算結果はＡ−Ｄ変換され別途設定されている検出しよ
うとする元素の含有％別の検量値と比較されてその元素
の含有％が索出され、その値がメモリ６に格納される。
背後に接してＸ線検出器が配置されている。このＸ線検
出器は比例検出素子の一列の集合で、各Ｘ線検出素子は
入射Ｘ線のエネルギーに応じた高さのパルスを出力する
らのであり、蜂巣状スリットの透孔の一つ一つに夫々一
つのＸ線検出素子が対応させてある。一次元的蜂巣状ス
リット３は１００個の透孔からなり試料面の励起線照射
領域をその長手方向に１００画素に区分して望むように
配置されている。スリットの厚さ（スリット孔の長さ）
は試料面の対応区画から放射されるＸ線は通過するが隣
の区画からのＸ線はスリット壁に当って通過が阻止され
るに充分な値に作られている。スリット内壁面には対応
区画に隣接する区画からのＸ線が入射するが、入射方向
が壁面に平行に近いのでＸ線の散乱が大きいからそのま
までは測定の分解能を低下させる。そこでスリット内壁
面にはグラファイトのような吸収率の高い材料を用いる
か、グラファイトを塗着させておくのがよい。ｘｎ検出
器４は比例検出素子の集合で入射Ｘ線でのエネルギーに
応じた高さのパルスを出力するから、出力パルスを波高
選別することによって試料から放射されるＸ線のエネル
ギー分析ができる。Ｘ線検出器４を構成する各比例検出
素子の出力は夫々２つのレベル選別器ｅ．ｅ゛に入力さ
れる。一つは検出しようとする元素の特性Ｘ線によって
出力せしめられたパルスを通過せしめ積分用コンデンサ
Ｃに入力させる。他の一つのレベル選別器は試料の主体
成分＜ｔｉｓなら鉄或は炭素）の特性Ｘ線によるパルス
を通過させ積分用コンデンサＣ′に入力させる。即ち試
料から放射された蛍光Ｘ線は検出器４とレベル選別器ｅ
，ｅ゛の群によって分光され検出出力がコンデンザＣ群
．ｃ゜群によって積分され、後述する一定時間毎にコン
デンザＣ群．ｃ゛群の充電電圧がサンプリングされて割
算回路Ｄに入力されてコンデンザＣの充電電圧がＣ′の
充電電圧で割算される。サンプリング後各コンデンサは
放電され、積分を再開する。上述割算は試料の主体成分
の特性Ｘ線強度によって検出しようとする元素の特性Ｘ
線強度を割算するもので、この操作により試料２の各部
の励起Ｘ線照射弛度の不同を消去するものである。この
割算結果はＡ−Ｄ変換され別途設定されている検出しよ
うとする元素の含有％別の検量値と比較されてその元素
の含有％が索出され、その値がメモリ６に格納される。
５は試料駆動装置で、試料を励起線照射領域の線Ｘと直
交するＹ方向に移動させて、励起線照射ラインＸにより
試料面を掃引させる。この掃引速度は０．２５ｍｍ／ｓ
ｅ ｃで１００ｍｍの距離を掃引するのに４００秒を
要する。つまりｌｍｍＸｌｒｎｒｎの一画素についてみ
ると分析所要時間４秒である。試料移動中コンデンサＣ
，Ｃ゛の充電電圧は前述したように４秒毎にサンプリン
グされ、前述した演算が行われる。演算結果は画像メモ
リ６に記憶せしめられ、試料面における分析対象元素の
濃度分布図として表示される。
交するＹ方向に移動させて、励起線照射ラインＸにより
試料面を掃引させる。この掃引速度は０．２５ｍｍ／ｓ
ｅ ｃで１００ｍｍの距離を掃引するのに４００秒を
要する。つまりｌｍｍＸｌｒｎｒｎの一画素についてみ
ると分析所要時間４秒である。試料移動中コンデンサＣ
，Ｃ゛の充電電圧は前述したように４秒毎にサンプリン
グされ、前述した演算が行われる。演算結果は画像メモ
リ６に記憶せしめられ、試料面における分析対象元素の
濃度分布図として表示される。
本発明Ｘ線分析装置は上述したような構成で、試料面の
広い範囲を一つの線（ライン）に沿って同時分析し、そ
の線で試料面を掃引することで試料面を二次元的に分析
するので、従来の励起線のスポット照射、二次元走査に
よる方法に比し、その一走査線に沿う分析所要時間で、
試料面全体の分析が完了できることになり、分析所要時
間が大幅に短縮できる。
広い範囲を一つの線（ライン）に沿って同時分析し、そ
の線で試料面を掃引することで試料面を二次元的に分析
するので、従来の励起線のスポット照射、二次元走査に
よる方法に比し、その一走査線に沿う分析所要時間で、
試料面全体の分析が完了できることになり、分析所要時
間が大幅に短縮できる。
図面は本発明の一実施例装置の要部斜視図およびデータ
処理部のブロック図である。 １・・・励起線源、１１・・・スリット、２・・・試料
、３・・・蜂巣状スリット、４・・・Ｘ線検出器、５・
・・試料移動装置。 代理人 弁理士 縣 浩 介
処理部のブロック図である。 １・・・励起線源、１１・・・スリット、２・・・試料
、３・・・蜂巣状スリット、４・・・Ｘ線検出器、５・
・・試料移動装置。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料面上の一つの線状領域を同時照射する励起線源と、
透孔が一列に並んだ形で、試料面の上記線状励起線照射
領域を多数の画素に区分して望む一次元的蜂巣状スリッ
トと、この蜂巣状スリットの背後に配置され、試料から
放射されるＸ線を上記蜂巣状スリットの各区分毎に区別
して同時に分光検出するＸ線検出手段と、試料面上の上
記線状励起線照射領域を試料面に対し同線状領域と交差
する方向に移動させる掃引手段と、同掃引手段による一
掃引期間中の上記Ｘ線検出手段の出力を二次元的に表示
する手段とよりなるＸ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161229A JPH02132352A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161229A JPH02132352A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Ｘ線分析装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55164463A Division JPS5788355A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Apparatus for x-ray analysis |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132352A true JPH02132352A (ja) | 1990-05-21 |
| JPH052938B2 JPH052938B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=15731088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1161229A Granted JPH02132352A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110389142A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-29 | 马尔文帕纳科公司 | X射线分析设备和方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141192A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-25 | Philips Nv | Device for measuring radiation absorbing amount |
| JPS5328116A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-16 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Preparation of glycine |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1161229A patent/JPH02132352A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141192A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-25 | Philips Nv | Device for measuring radiation absorbing amount |
| JPS5328116A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-16 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Preparation of glycine |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110389142A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-29 | 马尔文帕纳科公司 | X射线分析设备和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052938B2 (ja) | 1993-01-13 |
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