JPH0136061B2 - - Google Patents
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- JPH0136061B2 JPH0136061B2 JP55164464A JP16446480A JPH0136061B2 JP H0136061 B2 JPH0136061 B2 JP H0136061B2 JP 55164464 A JP55164464 A JP 55164464A JP 16446480 A JP16446480 A JP 16446480A JP H0136061 B2 JPH0136061 B2 JP H0136061B2
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
- G01N23/2076—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions for spectrometry, i.e. using an analysing crystal, e.g. for measuring X-ray fluorescence spectrum of a sample with wavelength-dispersion, i.e. WDXFS
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は比較的広い範囲の分析を行うＸ線分析
装置に関する。
装置に関する。
試料面をＸ線或は電子線等の励起線で照射し試
料から放射されるＸ線を分光する分析法によつて
比較的大きな試料の広い面全体にわたつて含有元
素の濃度分布を測定する場合、元来この分析方法
は試料の微小面積部分の分析を行う方法なので、
試料面を２次元的に走査しながら分析する必要が
ある。今一例として鋼材の100×100mmの範囲につ
いて、Ｓ（硫横）の濃度分布を感度0.005％で、１
mm角の分解能で分析する場合、励起線として電子
線を用いると照射電流1μAでＳの特性Ｘ線SKαの
S100％における信号強度は10CPS／μAであり、
Ｓ／Ｎ比500の場合一点の分析に約４秒を要し、
100×100mmの面積を１mmずつ４秒かけて分析する
と全体で約11時間を要することになる。
料から放射されるＸ線を分光する分析法によつて
比較的大きな試料の広い面全体にわたつて含有元
素の濃度分布を測定する場合、元来この分析方法
は試料の微小面積部分の分析を行う方法なので、
試料面を２次元的に走査しながら分析する必要が
ある。今一例として鋼材の100×100mmの範囲につ
いて、Ｓ（硫横）の濃度分布を感度0.005％で、１
mm角の分解能で分析する場合、励起線として電子
線を用いると照射電流1μAでＳの特性Ｘ線SKαの
S100％における信号強度は10CPS／μAであり、
Ｓ／Ｎ比500の場合一点の分析に約４秒を要し、
100×100mmの面積を１mmずつ４秒かけて分析する
と全体で約11時間を要することになる。
本発明は広い面積を有する試料のその面積全体
にわたる元素の濃度分布測定を短時間で完了し得
るようにしたＸ線分析装置を提供しようとするも
のである。
にわたる元素の濃度分布測定を短時間で完了し得
るようにしたＸ線分析装置を提供しようとするも
のである。
本発明Ｘ線分析装置は平面分光結晶或は円筒状
湾曲分光結晶と波長分解のためのスリツトと同ス
リツトの後方に置かれたＸ線検出器とよりなるＸ
線分光器において、上記スリツトの前方或は後方
でＸ線検出器との間に、上記スリツトの長さ方向
に一定間隔でかつ上記長さ方向と直交するように
複数の仕切板を配置し、上記Ｘ線検出器を上記ス
リツトの長さ方向に位置分解能を有するＸ線検出
器とし、試料をその表面が上記Ｘ線分光器がにら
む一直線に沿うように配置して、同試料表面の上
記一直線に沿い、或はその一直線を含む二次元的
広がりを有する領域に励起線を照射するように励
起線源を配置し、試料面上で上記一直線が自身と
直交する方向に移動するよう試料を移動させるよ
うにしたものである。
湾曲分光結晶と波長分解のためのスリツトと同ス
リツトの後方に置かれたＸ線検出器とよりなるＸ
線分光器において、上記スリツトの前方或は後方
でＸ線検出器との間に、上記スリツトの長さ方向
に一定間隔でかつ上記長さ方向と直交するように
複数の仕切板を配置し、上記Ｘ線検出器を上記ス
リツトの長さ方向に位置分解能を有するＸ線検出
器とし、試料をその表面が上記Ｘ線分光器がにら
む一直線に沿うように配置して、同試料表面の上
記一直線に沿い、或はその一直線を含む二次元的
広がりを有する領域に励起線を照射するように励
起線源を配置し、試料面上で上記一直線が自身と
直交する方向に移動するよう試料を移動させるよ
うにしたものである。
上記構成によるとスリツトの前方或は後方にス
リツトの長さ方向と直交して多数の仕切板が一定
間隔で配置され、Ｘ線検出器が上記スリツトの長
さ方向に位置分解能を有するので、Ｘ線分光器は
試料面上で上記スリツトと平行な一本の直線をに
み、かつ、Ｘ線分光器の位置分解能によつて試料
面上の上記一直線に沿う元素分布が一度に測定で
き、試料面上で上記一直線を自身と直角の方向に
移動させるように試料或はＸ線分光器を移動させ
れば、試料面の一次元的な走査で試料面の面分析
ができることになる。以下実施例によつて本発明
を説明する。
リツトの長さ方向と直交して多数の仕切板が一定
間隔で配置され、Ｘ線検出器が上記スリツトの長
さ方向に位置分解能を有するので、Ｘ線分光器は
試料面上で上記スリツトと平行な一本の直線をに
み、かつ、Ｘ線分光器の位置分解能によつて試料
面上の上記一直線に沿う元素分布が一度に測定で
き、試料面上で上記一直線を自身と直角の方向に
移動させるように試料或はＸ線分光器を移動させ
れば、試料面の一次元的な走査で試料面の面分析
ができることになる。以下実施例によつて本発明
を説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。１はＸ線源
で試料２表面を全面的に照射している。３は円筒
面湾曲結晶であり、湾曲結晶の表面中心を通る円
筒面の一母線を図に鎖線で示す。試料面上の一直
線ｘはこの母線と平行であり、４はスリツト群
で、上記母線と平行方向に延びた波長分解のため
の一つのスリツト４１と、このスリツト４１の長
さ方向に一定間隔、例えば１mm間隔で長さ方向と
直交するように並べられた、試料面上の位置分解
のための仕切板４２とよりなり、この仕切板で仕
切られた一区切ずつを一個のスリツトとしたもの
で、仕切板４２の背後にＸ線検出器５を配置して
ある。このＸ線検出器はＸ線用一次元固体撮像素
子である。
で試料２表面を全面的に照射している。３は円筒
面湾曲結晶であり、湾曲結晶の表面中心を通る円
筒面の一母線を図に鎖線で示す。試料面上の一直
線ｘはこの母線と平行であり、４はスリツト群
で、上記母線と平行方向に延びた波長分解のため
の一つのスリツト４１と、このスリツト４１の長
さ方向に一定間隔、例えば１mm間隔で長さ方向と
直交するように並べられた、試料面上の位置分解
のための仕切板４２とよりなり、この仕切板で仕
切られた一区切ずつを一個のスリツトとしたもの
で、仕切板４２の背後にＸ線検出器５を配置して
ある。このＸ線検出器はＸ線用一次元固体撮像素
子である。
試料面上の一直線ｘと分光結晶３とスリツト群
内のスリツト４１とは直線ｘと直交する一平面上
に想定されたローランド円上にあるように機構的
に連結されてＸ線分光器を構成している。従つて
試料面上の直線ｘは上記分光器がにらんでいる直
線である。試料２はＸ線で照射され試料からは蛍
光Ｘ線が放射される。この蛍光Ｘ線が上記分光器
によつて分光される。分光結晶３とスリツト群４
との位置関係を変えると蛍光Ｘ線が分光される。
そこで例えば鋼材の断面のＳの濃度分布を測定す
る場合、分光結晶３およびスリツト群４の位置を
適当に調正してＳの特性Ｘ線SKαがスリツト４
１を通して検出器５に入射するようにすればよ
い。仕切板４２はスリツト４１の長さ方向と直交
しているので、相隣る二枚の仕切板の延長平面が
試料面上で直線ｘと交わる２点間から放射された
Ｘ線が上記二枚の仕切板間を通つてＸ線検出器５
に入射する。従つて、Ｘ線検出器５の受線面には
試料面上の直線ｘに沿うＳのSKα線による分布
像が形成されている。検出器５はＸ線用固体撮像
素子でその出力を順次読出してメモリに記憶させ
る。試料面上の一本の線ｘについてデータをとり
終つたら試料２を線ｘと直角の方向に所定量、例
えば１mm移動させて再びデータをとる。一本の線
につき４秒位かければよい。固体撮像素子の代り
にスリツト４の背後に蛍光板を配置し、蛍光像を
イメージインテンシフアイヤで増強して感光フイ
ルムに記録し或は蛍光像を固体撮像素子を用いて
映像信号に変換したりメモリに記録させるように
してもよい。
内のスリツト４１とは直線ｘと直交する一平面上
に想定されたローランド円上にあるように機構的
に連結されてＸ線分光器を構成している。従つて
試料面上の直線ｘは上記分光器がにらんでいる直
線である。試料２はＸ線で照射され試料からは蛍
光Ｘ線が放射される。この蛍光Ｘ線が上記分光器
によつて分光される。分光結晶３とスリツト群４
との位置関係を変えると蛍光Ｘ線が分光される。
そこで例えば鋼材の断面のＳの濃度分布を測定す
る場合、分光結晶３およびスリツト群４の位置を
適当に調正してＳの特性Ｘ線SKαがスリツト４
１を通して検出器５に入射するようにすればよ
い。仕切板４２はスリツト４１の長さ方向と直交
しているので、相隣る二枚の仕切板の延長平面が
試料面上で直線ｘと交わる２点間から放射された
Ｘ線が上記二枚の仕切板間を通つてＸ線検出器５
に入射する。従つて、Ｘ線検出器５の受線面には
試料面上の直線ｘに沿うＳのSKα線による分布
像が形成されている。検出器５はＸ線用固体撮像
素子でその出力を順次読出してメモリに記憶させ
る。試料面上の一本の線ｘについてデータをとり
終つたら試料２を線ｘと直角の方向に所定量、例
えば１mm移動させて再びデータをとる。一本の線
につき４秒位かければよい。固体撮像素子の代り
にスリツト４の背後に蛍光板を配置し、蛍光像を
イメージインテンシフアイヤで増強して感光フイ
ルムに記録し或は蛍光像を固体撮像素子を用いて
映像信号に変換したりメモリに記録させるように
してもよい。
第２図は本発明の他の実施例装置を示す。１は
励起線源、６は一次元スリツトで試料２面上の一
直線ｘに沿つて微小幅の範囲にだけ励起線が照射
されるようにする。３は平面分光結晶、４は第１
図の４と同じスリツト群であり、スリツト群４よ
り後の構成は第１図の実施例と同じである。分光
結晶３及びスリツト群４はリンク機構７に取付け
られ、スリツト群４をガイド８に沿つて左右に動
かすと、角度θが変わり、スリツト群４のガイド
８上の或る位置で試料２から放射される特定波長
のＸ線についてブラツグの回析条件が成立し、そ
の波長のＸ線を出す元素の直線ｘに沿う分布が測
定できる。試料２が直線ｘと直角の方向に移動で
きることは云うまでもない。
励起線源、６は一次元スリツトで試料２面上の一
直線ｘに沿つて微小幅の範囲にだけ励起線が照射
されるようにする。３は平面分光結晶、４は第１
図の４と同じスリツト群であり、スリツト群４よ
り後の構成は第１図の実施例と同じである。分光
結晶３及びスリツト群４はリンク機構７に取付け
られ、スリツト群４をガイド８に沿つて左右に動
かすと、角度θが変わり、スリツト群４のガイド
８上の或る位置で試料２から放射される特定波長
のＸ線についてブラツグの回析条件が成立し、そ
の波長のＸ線を出す元素の直線ｘに沿う分布が測
定できる。試料２が直線ｘと直角の方向に移動で
きることは云うまでもない。
上述実施例では仕切板４２はスリツト４１の後
側に配置されているが、これはスリツト４１の前
側でもよい。本発明Ｘ線分析装置は上述したよう
な構成で試料面上の一直線に沿つて同時に分析を
完了できるから広い面の二次元的な分析でも時間
的には一方向走査による一次元的な領域の分析と
同じ時間を要するだけであり、始めに述べた例に
ついて例えば点状領域毎に一万点について分析す
るのに11時を要する所をその1/100の約７分程し
か要しないで、大型試料の広い面積の全体にわた
る分析が非常に能率化される。
側に配置されているが、これはスリツト４１の前
側でもよい。本発明Ｘ線分析装置は上述したよう
な構成で試料面上の一直線に沿つて同時に分析を
完了できるから広い面の二次元的な分析でも時間
的には一方向走査による一次元的な領域の分析と
同じ時間を要するだけであり、始めに述べた例に
ついて例えば点状領域毎に一万点について分析す
るのに11時を要する所をその1/100の約７分程し
か要しないで、大型試料の広い面積の全体にわた
る分析が非常に能率化される。
第１図は本発明の一実施例装置の斜視図、第２
図は本発明の他の実施例装置の斜視図である。 １……励起線源、２……試料、３……分光結
晶、４……スリツト群、５……Ｘ線検出器。
図は本発明の他の実施例装置の斜視図である。 １……励起線源、２……試料、３……分光結
晶、４……スリツト群、５……Ｘ線検出器。
Claims (1)
- １ 平面分光結晶或は円筒状湾曲分光結晶と波長
分解のための細長スリツトと、同スリツトの後方
に置かれ、上記スリツトの長さ方向に位置分解能
を有するＸ線検出器と、同Ｘ線検出器の前方に配
置され、上記スリツトをその長さ方向に複数の区
画に区分する仕切板とでＸ線分光器を構成し、試
料をその表面が上記Ｘ線分光器がにらむ一直線に
沿うように配置して、同試料表面上の上記一直線
に沿い、或は試料面全面に励起線を照射するよう
に励起線源を配置し、試料面上で上記一直線が自
身と直交する方向に移動するように試料を移動さ
せるようにしたＸ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55164464A JPS5788354A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | X-ray analysing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55164464A JPS5788354A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | X-ray analysing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5788354A JPS5788354A (en) | 1982-06-02 |
| JPH0136061B2 true JPH0136061B2 (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=15793666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55164464A Granted JPS5788354A (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | X-ray analysing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5788354A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63139298A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | 科学技術庁無機材質研究所長 | モノクロメ−タ付簡易型一次元走査ｘ線回折顕微鏡 |
| JPS63139238A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 簡易型一次元走査ｘ線回折顕微鏡 |
| JPH0727080B2 (ja) * | 1986-12-02 | 1995-03-29 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 一次元走査ｘ線回折顕微鏡 |
| JPH077120B2 (ja) * | 1986-12-02 | 1995-01-30 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 一次元位置検出器付走査ｘ線回折顕微鏡 |
| EP0553911A1 (en) * | 1992-01-27 | 1993-08-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Position-sensitive X-ray analysis |
| WO2018211664A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線分光分析装置 |
| JP2019211252A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | キヤノン株式会社 | 識別装置 |
| DE102024111885A1 (de) * | 2024-04-27 | 2025-10-30 | Institut für angewandte Photonik e. V. | Verfahren und Vorrichtung zum Nachweis des Elements Lithium |
-
1980
- 1980-11-21 JP JP55164464A patent/JPS5788354A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5788354A (en) | 1982-06-02 |
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