JPH02133376A - 導電性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法 - Google Patents
導電性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法Info
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- JPH02133376A JPH02133376A JP63284382A JP28438288A JPH02133376A JP H02133376 A JPH02133376 A JP H02133376A JP 63284382 A JP63284382 A JP 63284382A JP 28438288 A JP28438288 A JP 28438288A JP H02133376 A JPH02133376 A JP H02133376A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、導電性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体
の製造法に関するものであり、上記高融点珪化物焼結体
は、例えば、ＭＯ８型半導体素子のゲート部に使われる
薄膜配線材を形成するだめの２ノ七ツタリング用ターゲ
ツトとして使用される。
の製造法に関するものであり、上記高融点珪化物焼結体
は、例えば、ＭＯ８型半導体素子のゲート部に使われる
薄膜配線材を形成するだめの２ノ七ツタリング用ターゲ
ツトとして使用される。
一般に、高融点金属珪化物焼結体を製造する方法として
。
。
８ｉ粉末と高融点金属２珪化物粉末を所定の割合に配合
し混合して得られた混合粉末を、Ａ２！中でホットプレ
スして焼結体を製造する方法が採用されている。
し混合して得られた混合粉末を、Ａ２！中でホットプレ
スして焼結体を製造する方法が採用されている。
この方法により製造された焼結体のｍ織は、Ｓｉ相と高
融点金属２珪化物相の２相が混在した組織を有している
。
融点金属２珪化物相の２相が混在した組織を有している
。
上記２相組織のうち、高融点金属２珪化物相の抵抗値は
、１０−’（１ｃｍのオーダーであるから４ａ性はすぐ
れているが、抵抗値の高いＳｉ相もかなりの部分を含み
、 Ｓｉ相は本来半導体で、その抵抗値は２×１０Ω・
σと非常に高い。そのだめ上記高融点金属２珪化物相と
８１相の２相ｍ織からなる焼結体の抵抗値も高くなり、
通常の直流スパッタリング装置にターケ゛ットとして装
着しスパッタリングを行うと、焼結体ターゲットの表面
でチャージアップ（滞電して電位が上昇する現象）が生
じ、上記チャージアンプした電荷によりミクロな領域で
異常アーク放電が発生するとともに、ターゲット構成物
質が飛散し、膜を付けようとする基板上にパーティクル
が付着する。
、１０−’（１ｃｍのオーダーであるから４ａ性はすぐ
れているが、抵抗値の高いＳｉ相もかなりの部分を含み
、 Ｓｉ相は本来半導体で、その抵抗値は２×１０Ω・
σと非常に高い。そのだめ上記高融点金属２珪化物相と
８１相の２相ｍ織からなる焼結体の抵抗値も高くなり、
通常の直流スパッタリング装置にターケ゛ットとして装
着しスパッタリングを行うと、焼結体ターゲットの表面
でチャージアップ（滞電して電位が上昇する現象）が生
じ、上記チャージアンプした電荷によりミクロな領域で
異常アーク放電が発生するとともに、ターゲット構成物
質が飛散し、膜を付けようとする基板上にパーティクル
が付着する。
このようなパーティクルは１通常１μｍ以下の大きさで
あるが、ＵＯＳ素子の製造時にこのパーティクルが多量
に付着すると、欠陥１νｉ０ｓ素子として廃棄しなけれ
ばならず１歩留りが大幅に減少することになる。
あるが、ＵＯＳ素子の製造時にこのパーティクルが多量
に付着すると、欠陥１νｉ０ｓ素子として廃棄しなけれ
ばならず１歩留りが大幅に減少することになる。
そこで２本発明者等は、スパッタリング時、焼結体ター
ゲット表面のチャージアップを減少させるべく研究を行
った結果。
ゲット表面のチャージアップを減少させるべく研究を行
った結果。
Ｓｉ粉末粒の表面に高融点金属を被覆した高融点金属粉
末Ｓｉ粉末と高融点金額２珪化物粉末の混合粉末を真空
中でホットプレスして得られた焼結体は、抵抗値が低く
、これをターゲットとしてスパッタリングすると基板上
に付着するパーティクルの量を大幅に減少させることが
できるという知見を得たのである。
末Ｓｉ粉末と高融点金額２珪化物粉末の混合粉末を真空
中でホットプレスして得られた焼結体は、抵抗値が低く
、これをターゲットとしてスパッタリングすると基板上
に付着するパーティクルの量を大幅に減少させることが
できるという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って 高融点金属被覆Ｓｉ粉末と高融点金属２珪化物粉末を所
定割合に配合し混合し、真空中でホットプレスする導電
性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法に特徴を
有するものである。
って 高融点金属被覆Ｓｉ粉末と高融点金属２珪化物粉末を所
定割合に配合し混合し、真空中でホットプレスする導電
性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法に特徴を
有するものである。
上記高融点金属被覆Ｓｉ粉末は、 Ｓｉ粉末と８１粉末
より倣細な高融点金属粉末を十分に混合し、 Ｓｉ粉末
粒の表面に上記高融点金属粉末を付着させたＳｉ粉末（
以下、高融点金属付着Ｓｉ粉末という）および上記高融
点金属付着Ｓｉ粉末を真空中で反応させてＳｉ粉末粒表
面に高融点金属珪化物を形成したＳｉ粉末（以下、高融
点金属珪化物被覆Ｓｉ粉末という）を含むものである。
より倣細な高融点金属粉末を十分に混合し、 Ｓｉ粉末
粒の表面に上記高融点金属粉末を付着させたＳｉ粉末（
以下、高融点金属付着Ｓｉ粉末という）および上記高融
点金属付着Ｓｉ粉末を真空中で反応させてＳｉ粉末粒表
面に高融点金属珪化物を形成したＳｉ粉末（以下、高融
点金属珪化物被覆Ｓｉ粉末という）を含むものである。
上記高融点金属粉末Ｓｉ粉末を製造するためには。
平均粒径：５〜３０）ｔｒｎのＳｉ粉末に対し、平均粒
径：０１〜１．０μｍの高融点金属粉末を用いる。
径：０１〜１．０μｍの高融点金属粉末を用いる。
上記高融点金属と社、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉなどを示
す。
す。
上記高菌点金（１相着または被覆のＳｉ粉末を焼結して
得られた焼結体を、特に直流スパッタリング用ターゲッ
トとして用いた場合、高抵抗を有するＳｉ粉末の周囲を
導電性物質の高融点金属でおおわれているために、ター
ゲットにチャージアップした電荷を逃がすことができ、
そのため基板に付着するパーティクルのｍｋ大巾に減少
させることができるものと考えられる。
得られた焼結体を、特に直流スパッタリング用ターゲッ
トとして用いた場合、高抵抗を有するＳｉ粉末の周囲を
導電性物質の高融点金属でおおわれているために、ター
ゲットにチャージアップした電荷を逃がすことができ、
そのため基板に付着するパーティクルのｍｋ大巾に減少
させることができるものと考えられる。
つさ゛に、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明
する。
する。
実施例１
平均粒径：１５μｍ、純度：９９，９９９％の高純度Ｓ
ｉ粉末、および平均粒径：０，７μｍ、純度：９９、９
９９チの高純度Ｗ粉末を用意し。
ｉ粉末、および平均粒径：０，７μｍ、純度：９９、９
９９チの高純度Ｗ粉末を用意し。
Ｓｉ粉末＝５１重量％。
Ｗ粉末＝４９重ｔ％、
となるように配合し、この配合粉末を、ヘキサンを混合
溶媒としてボールミルにて３時間混合した。
溶媒としてボールミルにて３時間混合した。
上記ボールミルによる混合の途中で、微細なＷ粉末の分
散をよくするために、超音波振動を１０分間づつ合計３
回付与した。上記混合したのち乾燥して得られた粉末は
、Ｓｉ粉末の表面に微細な〜Ｖ扮末が付着しているＷ付
着Ｓｉ粉末となっていた。
散をよくするために、超音波振動を１０分間づつ合計３
回付与した。上記混合したのち乾燥して得られた粉末は
、Ｓｉ粉末の表面に微細な〜Ｖ扮末が付着しているＷ付
着Ｓｉ粉末となっていた。
このＷ付着Ｓｉ粉末１に対して１重量比で４３となるよ
うにＷＳｉ２粉末（平均粒径二１０μｍ、純度： ９９
．９９９％）を加え、ヘキサンを混合溶媒としてボール
ミルにて６時間混合したのち乾燥し。
うにＷＳｉ２粉末（平均粒径二１０μｍ、純度： ９９
．９９９％）を加え、ヘキサンを混合溶媒としてボール
ミルにて６時間混合したのち乾燥し。
プレス圧カニ２００に９／薗２．温度：１４００℃。
３時間保持の条件で真空ホットプレスを行い、直径：１
２５ｍＸ厚さ：５ｍの寸法を有する焼結体を作製し、そ
の焼結体の比抵抗を４端子法により測定したところ、焼
結体の比抵抗値は０．１”Ｑ’（１’！７１であった。
２５ｍＸ厚さ：５ｍの寸法を有する焼結体を作製し、そ
の焼結体の比抵抗を４端子法により測定したところ、焼
結体の比抵抗値は０．１”Ｑ’（１’！７１であった。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターゲットとし
て 直流電流二１．ＯＡ。
て 直流電流二１．ＯＡ。
直流電圧：ａｏｏｖ。
Ａｒガス圧：３ＸＩＯＴｏｒｒ。
基板〜ターゲット間距離ニア０Ｋｍ＋。
の条件で、直径：５ｃＩｒＬのシリコンウェハー上に厚
さ二〇、３μｍのＷＳｉ薄膜を形成した。
さ二〇、３μｍのＷＳｉ薄膜を形成した。
レーザー表面分析装置により、上記シリコンウェハー上
に付着した０５μｍ以上の粒径をもつパーティクルの数
を計測したところ８３個であった。
に付着した０５μｍ以上の粒径をもつパーティクルの数
を計測したところ８３個であった。
実施例２
上記実施例１で１０分間の超音波撮動を３回付与し、ボ
ールミルにより混合したのち乾燥して得られた混合粉末
１−、さらに温度二１３００℃、真空中、１分間保持の
熱処理を施し、 ８ｉ粉末の表面にＷ珪化物を形成して
Ｗ珪化物被覆Ｓｉ粉末を作製した。このＷ珪化物被覆Ｓ
ｉ粉末１に対して１重量比で４．３となるようにｗｓｉ
２粉末（平均粒径：１０μｍ、純度： ９９．９９９チ
）を加え、よく混合したのち、プレス圧カニ ２００
’に９／ＣＩｎ２．温度：１４００℃、３時間保持の実
施例１と同一条件で真空ホットプレスを行い、直径：１
２５１ＬＩＸ厚さ：５１ｍの寸法を有する焼結体を作製
し、その焼結体の比抵抗値を４端子法によりフ１１定し
たところ、０．１１ｎｏ・αであった。
ールミルにより混合したのち乾燥して得られた混合粉末
１−、さらに温度二１３００℃、真空中、１分間保持の
熱処理を施し、 ８ｉ粉末の表面にＷ珪化物を形成して
Ｗ珪化物被覆Ｓｉ粉末を作製した。このＷ珪化物被覆Ｓ
ｉ粉末１に対して１重量比で４．３となるようにｗｓｉ
２粉末（平均粒径：１０μｍ、純度： ９９．９９９チ
）を加え、よく混合したのち、プレス圧カニ ２００
’に９／ＣＩｎ２．温度：１４００℃、３時間保持の実
施例１と同一条件で真空ホットプレスを行い、直径：１
２５１ＬＩＸ厚さ：５１ｍの寸法を有する焼結体を作製
し、その焼結体の比抵抗値を４端子法によりフ１１定し
たところ、０．１１ｎｏ・αであった。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターゲットとし
て用い、実施例１と同一のスパッタリング条件で直径：
５ｃＩｒＬのシリコンウエノ・−上に厚さ＝０．３μｍ
のＷＳｉ薄膜を形成し、同時に付着したＱ、 ５μｍ以
上の粒径をもつパーティクルの数をレーザー表面分析装
置により計測したところ７５１１＋’−１であった。
て用い、実施例１と同一のスパッタリング条件で直径：
５ｃＩｒＬのシリコンウエノ・−上に厚さ＝０．３μｍ
のＷＳｉ薄膜を形成し、同時に付着したＱ、 ５μｍ以
上の粒径をもつパーティクルの数をレーザー表面分析装
置により計測したところ７５１１＋’−１であった。
比較例１
実施例１で用意した平均粒径：１５μｍ、純度： ９９
．９９９％の高純度Ｓｉ粉末１に対して、平均粒径：１
０μｍ、純度＝９９．９９９チのＷＳｉ２粉末を重量比
で４．３となるように配合し、ヘキサンを混合溶媒とし
てボールミルにて６時間混合し、乾燥したのち、この混
合粉末を、プレス圧カニ２００ｋｌｌ／ ｃｍ２．温度
： １４００℃、３時間保持の条件で真空ホットプレス
を行い、直径＝１２５鵡Ｘ厚さ二５ｕの焼結体を作製し
、この焼結体の比抵抗を４端子法により測定したところ
、１．２１１１Ｑ−αであった。
．９９９％の高純度Ｓｉ粉末１に対して、平均粒径：１
０μｍ、純度＝９９．９９９チのＷＳｉ２粉末を重量比
で４．３となるように配合し、ヘキサンを混合溶媒とし
てボールミルにて６時間混合し、乾燥したのち、この混
合粉末を、プレス圧カニ２００ｋｌｌ／ ｃｍ２．温度
： １４００℃、３時間保持の条件で真空ホットプレス
を行い、直径＝１２５鵡Ｘ厚さ二５ｕの焼結体を作製し
、この焼結体の比抵抗を４端子法により測定したところ
、１．２１１１Ｑ−αであった。
この焼結体を直流スノセンタリング装置のターゲットと
して実施例１と同一条件にてシリコンウェハー上に膜厚
：０．３μｍのＷＳｉ薄膜を形成させ。
して実施例１と同一条件にてシリコンウェハー上に膜厚
：０．３μｍのＷＳｉ薄膜を形成させ。
レーザー表面分析装置により同時にシリコンウェハー上
に付着した粒径二０．５μｍ以上のパーティクル数を計
６１１１ したところ４０７個であった。
に付着した粒径二０．５μｍ以上のパーティクル数を計
６１１１ したところ４０７個であった。
実施例３
平均粒径：１５μｍ、純度二９９，９９９チの高純度Ｓ
ｉ粉末、および平均粒径二０６５μｍ、純度：９９．９
９９％（７）高純度Ｍｏ粉末を用意し、＄１粉末＝６７
．２重量チ。
ｉ粉末、および平均粒径二０６５μｍ、純度：９９．９
９９％（７）高純度Ｍｏ粉末を用意し、＄１粉末＝６７
．２重量チ。
Ｍｏ粉末：３２．８重量％。
となるように配合し、この配合粉末を、ヘキサンを混合
溶媒としてボールミルにて３時間混合した。
溶媒としてボールミルにて３時間混合した。
上記ボールミルによる混合の途中で、微細なＭｏ粉末の
分散をよくするために、超音波振動を１０分間づつ合計
３回付与した。上記ボールミル混合ののち乾燥して得ら
れた粉末は ３１粉末の表面に微細なＭｏ粉末が付着し
ているＭＯ付着Ｓｉ粉末となっていた。
分散をよくするために、超音波振動を１０分間づつ合計
３回付与した。上記ボールミル混合ののち乾燥して得ら
れた粉末は ３１粉末の表面に微細なＭｏ粉末が付着し
ているＭＯ付着Ｓｉ粉末となっていた。
このＭｏ付着Ｓｉ粉末１に対して、 ＭｏＳｉ２粉末（
乎均粒径二１０μｍ、純度：９９，９９９％）を重量比
で５．２となるように加え、さらにヘキサンを加えてボ
ールミルにて６時間混合したのち乾燥し。
乎均粒径二１０μｍ、純度：９９，９９９％）を重量比
で５．２となるように加え、さらにヘキサンを加えてボ
ールミルにて６時間混合したのち乾燥し。
ついでプレス圧カニ２００ゆ／儒２．温度：１４００℃
、３時間保持の条件にて真空ホットプレスを行い、直径
＝１２５鵡Ｘ厚さ：５隨の焼結体を作製し、この焼結体
の比抵抗を４端子法により６ｉ１１定したところ、焼結
体の比抵抗値はＯ，１５ｎｏ−口であった。
、３時間保持の条件にて真空ホットプレスを行い、直径
＝１２５鵡Ｘ厚さ：５隨の焼結体を作製し、この焼結体
の比抵抗を４端子法により６ｉ１１定したところ、焼結
体の比抵抗値はＯ，１５ｎｏ−口であった。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターゲットとし
てセットし、実施例１と同一のスパッタリング条件で直
径：５ｃｍのシリコンウェハー上ニ厚さ＝０３μｍの１
）ｖｌｏｓｉ薄膜を形成し、同時に付着した粒径：０．
５μｍ以上のパーティクル数をレーザー表面分析装置〃
により計測したところ６０個であった。
てセットし、実施例１と同一のスパッタリング条件で直
径：５ｃｍのシリコンウェハー上ニ厚さ＝０３μｍの１
）ｖｌｏｓｉ薄膜を形成し、同時に付着した粒径：０．
５μｍ以上のパーティクル数をレーザー表面分析装置〃
により計測したところ６０個であった。
実施例４
実施例３で得られたＳｉ粉末とＭｏ粉末の混合粉末を、
乾燥ののち、温度：１２００℃、１分間保持の条件で熱
処理し、 Ｓｉ粉末の表面にＭＯ珪化物が形成されたＭ
Ｏ珪化物被覆Ｓｉ粉末を作製した。このＭＯ珪化物被覆
Ｓｉ粉末ＩＫ対して、 ＭｏＳｉ２粉末（平均粒径：ｌ
ｏｐｍ、純度：９９．９９９％）を重量比で５．２とな
るように加え、よく混合したのち、乾燥し、プレス圧カ
ニ ２００ ｋｇ／ｃｕＬ２．温度：１４００Ｃ，３時
間保持の真空ホットプレスを行い、直径：１２５ｍＸ厚
さ：５朋の寸法を有する焼結体を作製した。
乾燥ののち、温度：１２００℃、１分間保持の条件で熱
処理し、 Ｓｉ粉末の表面にＭＯ珪化物が形成されたＭ
Ｏ珪化物被覆Ｓｉ粉末を作製した。このＭＯ珪化物被覆
Ｓｉ粉末ＩＫ対して、 ＭｏＳｉ２粉末（平均粒径：ｌ
ｏｐｍ、純度：９９．９９９％）を重量比で５．２とな
るように加え、よく混合したのち、乾燥し、プレス圧カ
ニ ２００ ｋｇ／ｃｕＬ２．温度：１４００Ｃ，３時
間保持の真空ホットプレスを行い、直径：１２５ｍＸ厚
さ：５朋の寸法を有する焼結体を作製した。
この焼結体の比抵抗を４端子法により測定したところ、
Ｏ，１２ＷＬＱ−ロであった。
Ｏ，１２ＷＬＱ−ロであった。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターケ゛ットと
して実施例１と同一のスパッタリング条件でＭｏＳ ｉ
薄膜を形成し、同時に付着した粒径二０．５μｍ以上の
パーティクル数をレーザー表面分析装置により計測した
ところ、５６個であった。
して実施例１と同一のスパッタリング条件でＭｏＳ ｉ
薄膜を形成し、同時に付着した粒径二０．５μｍ以上の
パーティクル数をレーザー表面分析装置により計測した
ところ、５６個であった。
比較例２
実施例３で用いた平均粒径：１５μｆｉ、純度＝９９、
９９９ ％の高純度Ｓｉ扮末１に対して、平均粒径：１
０μ＋１１．純度：９９．９９９％のｗｓｉ２粉末を重
量比で５．２となるように配合し、混合し、さらに乾燥
して得られた混合粉末を、実施例３と同一条件で真空ホ
ットプレスを行い、直径：１２５鵡×厚さ＝５朋の焼結
体を作製し、この焼結体の比抵抗を測定したところ、２
，５ｍＱ−儒であった。
９９９ ％の高純度Ｓｉ扮末１に対して、平均粒径：１
０μ＋１１．純度：９９．９９９％のｗｓｉ２粉末を重
量比で５．２となるように配合し、混合し、さらに乾燥
して得られた混合粉末を、実施例３と同一条件で真空ホ
ットプレスを行い、直径：１２５鵡×厚さ＝５朋の焼結
体を作製し、この焼結体の比抵抗を測定したところ、２
，５ｍＱ−儒であった。
この焼結体をターケ゛ットとして実施例３と同一条件に
てシリコンウェハー上に膜厚：ｏ、３μｍのＭｏＳｉ薄
膜を形成させ、付着した粒径：０．５μｍ以上のパーテ
ィクルを計測したところ、６７３個であった。
てシリコンウェハー上に膜厚：ｏ、３μｍのＭｏＳｉ薄
膜を形成させ、付着した粒径：０．５μｍ以上のパーテ
ィクルを計測したところ、６７３個であった。
実施例５
平均粒径：’Ｌ５ｐｍ、純度： ９９．９９９％の高純
度Ｓｉ粉末および平均粒（１：１．２μ厩、純度：９９
、９９９チの高純度Ｔｉ粉末を用意し。
度Ｓｉ粉末および平均粒（１：１．２μ厩、純度：９９
、９９９チの高純度Ｔｉ粉末を用意し。
Ｓｉ扮末：’／９，６重ｉ％。
Ｔｉ粉末：２０，４重量％。
となるように配合し、実施例１と同一条件にて混合し、
乾燥して、 Ｓｉ粉末の表面に微細なＴｉ粉末が付着し
たＴｉ付着Ｓｉ粉末を作製した。
乾燥して、 Ｓｉ粉末の表面に微細なＴｉ粉末が付着し
たＴｉ付着Ｓｉ粉末を作製した。
このＴｉ付着Ｓｉ扮末ｌに対して、 ＴｉＳｉ２粉末（
平均粒径：１０μｍ、純度：９９．９９９チ）を重量比
で２．９５となるように添加し、混合し、乾燥したのち
、プレス圧カニ２００ ｋｇ／ｃｒｎ２ 、 ｍ度：１
３００℃、３時間保持の条件で真空ホットプレスを行い
。
平均粒径：１０μｍ、純度：９９．９９９チ）を重量比
で２．９５となるように添加し、混合し、乾燥したのち
、プレス圧カニ２００ ｋｇ／ｃｒｎ２ 、 ｍ度：１
３００℃、３時間保持の条件で真空ホットプレスを行い
。
直径二１２５ｙｕＸ厚さ：５ＭＬの焼結体を作製し。
この焼結体の比抵抗値を実施例１と同一条件にて測定し
たところ、その比抵抗値は、０．１＋ｔＩＱ−ｃｍであ
った。
たところ、その比抵抗値は、０．１＋ｔＩＱ−ｃｍであ
った。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターゲットとし
実施例１と同様に、直径：５ｃＩＩＬのシリコンウェハ
ー上に厚さ二０３μｍのＭｏＳｉ膜を形成し。
実施例１と同様に、直径：５ｃＩＩＬのシリコンウェハ
ー上に厚さ二０３μｍのＭｏＳｉ膜を形成し。
この時に付着した粒径：０，５μｍ以上のパーティクル
数をレーザー表面分析装置により計測したところ、９６
個あった。
数をレーザー表面分析装置により計測したところ、９６
個あった。
実施例６
実施例５で得られたＳｉ粉末の表面に微細なＴｉ粉末が
付着したＴｉ付着Ｓｉ粉末を、さらに温度二９５０℃、
１分間保持の条件で熱処理し、Ｓｉ粉末の表面にＴｉ珪
化物が形成されたＴｉ珪化物被１ｔｉｓｉ粉末を作製し
た。このＴｉ珪化物被覆＄１粉末ｌに対してＴｉＳｉ２
粉末（平均粒径：１０μｍ、純度：９９，９９９％）を
重量比で２．９５となるように添加し、混合し。
付着したＴｉ付着Ｓｉ粉末を、さらに温度二９５０℃、
１分間保持の条件で熱処理し、Ｓｉ粉末の表面にＴｉ珪
化物が形成されたＴｉ珪化物被１ｔｉｓｉ粉末を作製し
た。このＴｉ珪化物被覆＄１粉末ｌに対してＴｉＳｉ２
粉末（平均粒径：１０μｍ、純度：９９，９９９％）を
重量比で２．９５となるように添加し、混合し。
乾燥したのち、実施例５と同一条件にて真空ホットプレ
スを行い、直径：１２５馴×厚さ：５門の焼結体を作製
し、この焼結体の比抵抗値を実施例１と同一条件にて測
定したところ、その比抵抗値は、０．０８＋ｎｏ・閑で
あった。
スを行い、直径：１２５馴×厚さ：５門の焼結体を作製
し、この焼結体の比抵抗値を実施例１と同一条件にて測
定したところ、その比抵抗値は、０．０８＋ｎｏ・閑で
あった。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターゲットとし
実施例１と同様に、直径：５ｃ＋ｒ＋のシリコンウェハ
ー上に厚さ二０．３μｍのＴｉＳｉ膜を形成し。
実施例１と同様に、直径：５ｃ＋ｒ＋のシリコンウェハ
ー上に厚さ二０．３μｍのＴｉＳｉ膜を形成し。
この時に付着した粒径：０．５μｍ以上のパーティクル
数をレーザー表面分析装置により計測したところ、７２
個あった。
数をレーザー表面分析装置により計測したところ、７２
個あった。
比較例３
実施例５でもちいた平均粒径：１５μｍ、純度： ９９
．９９９チの高純度Ｓｉ粉末１に対して、 ＴｉＳｉ□
粉末（平均粒径：１０μｍ、純度： ９９．９９９チ）
を重量比で２．９５となるように配合し、混合し。
．９９９チの高純度Ｓｉ粉末１に対して、 ＴｉＳｉ□
粉末（平均粒径：１０μｍ、純度： ９９．９９９チ）
を重量比で２．９５となるように配合し、混合し。
乾燥してぼられた混合粉末を、実施例５と同一条件で真
空ホットプレスを行い、直径：１２５ｍＸ厚さ：５Ｂの
焼結体を作製し、この焼結体の比抵抗値を実施例１と同
一条件にて測定したところ。
空ホットプレスを行い、直径：１２５ｍＸ厚さ：５Ｂの
焼結体を作製し、この焼結体の比抵抗値を実施例１と同
一条件にて測定したところ。
その比抵抗値は、１．５＊Ｑ−αであった。
この焼結体を直流スパッタリング装置のターゲットとし
実施例１と同様に、直径：５儒のシリコンウェハー上に
厚さ二０．３μｍのＴｉ８ｉ膜を形成し。
実施例１と同様に、直径：５儒のシリコンウェハー上に
厚さ二０．３μｍのＴｉ８ｉ膜を形成し。
この時に付着した粒径０．５μｍ以上のパーティクル数
をレーザー表面分析装置により計測したところ、５０８
個あった。
をレーザー表面分析装置により計測したところ、５０８
個あった。
上記実施例１および２に対する比較例１．実施例３およ
び４に対する比較例２．並びに実施例５および６に対す
る比較例３をそれぞれ対比してみると、この発明の製造
法である実施例により得られた焼結体の導電性は、従来
法である比較例で得られた焼結体の導電性よりも優れて
おり、したがって、この発明の製造法により得られた焼
結体を直流スパッタリング装置のターゲットとして薄膜
を形成した場合、従来の焼結体ターゲットよりも基板に
付着するパーティクルの数は極めて少ないことがわかる
。
び４に対する比較例２．並びに実施例５および６に対す
る比較例３をそれぞれ対比してみると、この発明の製造
法である実施例により得られた焼結体の導電性は、従来
法である比較例で得られた焼結体の導電性よりも優れて
おり、したがって、この発明の製造法により得られた焼
結体を直流スパッタリング装置のターゲットとして薄膜
を形成した場合、従来の焼結体ターゲットよりも基板に
付着するパーティクルの数は極めて少ないことがわかる
。
Claims (3)
- （１）表面に微細な高融点金属粉末が付着しているＳｉ
粉末と、高融点金属２珪化物粉末からなる混合粉末を、
焼結することを特徴とする導電性にすぐれた高融点金属
珪化物焼結体の製造法。 - （２）表面に高融点金属２珪化物を被覆したＳｉ粉末と
、高融点金属２珪化物粉末からなる混合粉末を、焼結す
ることを特徴とする導電性にすぐれた高融点金属珪化物
焼結体の製造法。 - （３）上記高融点金属は、Ｗ、ＭｏまたはＴｉであるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の導電性にすぐれ
た高融点金属珪化物焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284382A JPH02133376A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 導電性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284382A JPH02133376A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 導電性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133376A true JPH02133376A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=17677861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284382A Pending JPH02133376A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | 導電性にすぐれた高融点金属珪化物焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022071302A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP63284382A patent/JPH02133376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022071302A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | ||
| WO2022071302A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 株式会社カネカ | ペロブスカイト薄膜系太陽電池の製造方法 |
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