JPH02133936A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH02133936A JPH02133936A JP63287913A JP28791388A JPH02133936A JP H02133936 A JPH02133936 A JP H02133936A JP 63287913 A JP63287913 A JP 63287913A JP 28791388 A JP28791388 A JP 28791388A JP H02133936 A JPH02133936 A JP H02133936A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、半導体素子をフェースダウンで回路基板に実
装する構造に関する。
装する構造に関する。
[従来の技術]
従来の半導体装置は半導体素子を回路基板上にワイヤー
レスボンディングする場合、第2図に示すように曹記基
板の半導体素子の電極に対応した端子上に導電粒子を含
有した接着剤を選択的に塗布し、半導縁素子の電極と電
気的接続をとり、前記基板と半導体素子とを接着剤で固
定する構造であった。
レスボンディングする場合、第2図に示すように曹記基
板の半導体素子の電極に対応した端子上に導電粒子を含
有した接着剤を選択的に塗布し、半導縁素子の電極と電
気的接続をとり、前記基板と半導体素子とを接着剤で固
定する構造であった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、従来、の構造の半導体装置では、半導体素子と
基板との対向面間に導電粒子と接着剤が混在する部位と
、接着剤のみが存在する部位とがある。接着剤と、導電
粒子では、熱膨張係数や弾性係数が異なる。このため前
記半導体装置に熱応力や機械的応力が負荷された場合、
導電粒子の存在する部位と、接着剤のみが存在する部位
とが生じ、半導体素子中の内部応力にムラが出る。その
結果、半導体素子のはくりやずれ2割れ等が生じるとい
5課題を有する。そこで本発明は、このような課題を解
決するもので、接着剤中の内部応力な均一化し、高い信
頼性の提供を目的とする。
基板との対向面間に導電粒子と接着剤が混在する部位と
、接着剤のみが存在する部位とがある。接着剤と、導電
粒子では、熱膨張係数や弾性係数が異なる。このため前
記半導体装置に熱応力や機械的応力が負荷された場合、
導電粒子の存在する部位と、接着剤のみが存在する部位
とが生じ、半導体素子中の内部応力にムラが出る。その
結果、半導体素子のはくりやずれ2割れ等が生じるとい
5課題を有する。そこで本発明は、このような課題を解
決するもので、接着剤中の内部応力な均一化し、高い信
頼性の提供を目的とする。
[課題を解決す今ための手段]
本発明の半導体装置は、半導体素子の電極と一路基板と
を導電粒子を介して電気的導通をとり、また接着剤を用
いて前記基板と半導体素子とを接着する構造をもつ半導
体装置において、接着剤中にギャップ材を混入する事を
特徴とする。
を導電粒子を介して電気的導通をとり、また接着剤を用
いて前記基板と半導体素子とを接着する構造をもつ半導
体装置において、接着剤中にギャップ材を混入する事を
特徴とする。
[実施例]
第1図は本発明の実施例における断面図である1は半導
体素子で能動面を回路基板2に対向させる。回路基板゛
2は用途によりガラエボ基板やガラス基板を用いる。端
子3は回路基板2上に金属蒸着により形成する。4は樹
脂製の微粒子にN1メツキ等を施した導電粒子で、半導
体素子1の能動面にある電極8と回路基板・2の端子6
との間の電気的導通な、とっている。導電粒子4を含む
接着剤α5とギャップ材7を含む接着剤b6は、半導体
素子1の電極8と回路基板2の端子3との位置がずれな
いように固定する役割をもつ。また、接着剤α5と接着
剤h6には、同じ接着剤を用いる事によって、接着剤の
違いによる内部応力の位置による差が生じる事を防ぐ。
体素子で能動面を回路基板2に対向させる。回路基板゛
2は用途によりガラエボ基板やガラス基板を用いる。端
子3は回路基板2上に金属蒸着により形成する。4は樹
脂製の微粒子にN1メツキ等を施した導電粒子で、半導
体素子1の能動面にある電極8と回路基板・2の端子6
との間の電気的導通な、とっている。導電粒子4を含む
接着剤α5とギャップ材7を含む接着剤b6は、半導体
素子1の電極8と回路基板2の端子3との位置がずれな
いように固定する役割をもつ。また、接着剤α5と接着
剤h6には、同じ接着剤を用いる事によって、接着剤の
違いによる内部応力の位置による差が生じる事を防ぐ。
7はギャップ材であり球形、楕円形2円筒形等の形状を
している。材質は、導電粒子4と同じ樹脂で作られてお
り、熱膨張係数や弾性係数は、導電粒子とほぼ同じであ
る。
している。材質は、導電粒子4と同じ樹脂で作られてお
り、熱膨張係数や弾性係数は、導電粒子とほぼ同じであ
る。
まず、回路基板2に形成した端子5上に導電粒子4を含
んだ接着剤5を塗布する。次に半導体素子1を搭載する
時に、導電粒子4が端子3上からはみ出すことを防止す
るために塗布した接着剤5を硬化させる。その後、回路
基板2上にギャップ材7を含有した接着剤6を塗布し、
その上に半導体素子1を半導体素子1の電極8と回路基
板の端子3を位置合せして搭載し、適度な熱と圧力を加
え接着剤7を硬化させる。この方法により構成した半導
体装置においては、半導体、素子と基板との間の導電粒
子の存在しない部位に熱膨張係数や弾性係数が導電粒子
とほぼ同じであるギャップ材を混入し、導電粒子と同じ
大きさの内部応力を生じさせる事によって、半導体素子
全面にわたり内部応力が一様な半導体装置を構成するこ
とができるこの結果、熱や機械的応力が半導体装置に加
わった場合、第゛2図に示した従来の半導体装置のよう
な導電粒子の存在する部位と存在しない部位での接着剤
の内部応力の太き、な差は著しく小さくすることができ
、内部応力が、半導体素子全体に均一に分散され、ばく
りゃずれ2割れなどの発生を押さえることができる。
んだ接着剤5を塗布する。次に半導体素子1を搭載する
時に、導電粒子4が端子3上からはみ出すことを防止す
るために塗布した接着剤5を硬化させる。その後、回路
基板2上にギャップ材7を含有した接着剤6を塗布し、
その上に半導体素子1を半導体素子1の電極8と回路基
板の端子3を位置合せして搭載し、適度な熱と圧力を加
え接着剤7を硬化させる。この方法により構成した半導
体装置においては、半導体、素子と基板との間の導電粒
子の存在しない部位に熱膨張係数や弾性係数が導電粒子
とほぼ同じであるギャップ材を混入し、導電粒子と同じ
大きさの内部応力を生じさせる事によって、半導体素子
全面にわたり内部応力が一様な半導体装置を構成するこ
とができるこの結果、熱や機械的応力が半導体装置に加
わった場合、第゛2図に示した従来の半導体装置のよう
な導電粒子の存在する部位と存在しない部位での接着剤
の内部応力の太き、な差は著しく小さくすることができ
、内部応力が、半導体素子全体に均一に分散され、ばく
りゃずれ2割れなどの発生を押さえることができる。
[発明の効果]
・本発明は、以上説明したように、接着剤中にギャップ
材を混入し、半導体素子と基板との接着部分に熱膨張係
数や弾性係数のほぼ同じ粒子を一様に分布することによ
って、内部応力の位置による偏差を小さくすることが可
能となり、半導体装置の信頼性を大幅に向上させること
ができる。
材を混入し、半導体素子と基板との接着部分に熱膨張係
数や弾性係数のほぼ同じ粒子を一様に分布することによ
って、内部応力の位置による偏差を小さくすることが可
能となり、半導体装置の信頼性を大幅に向上させること
ができる。
第1図は、本発明の一実施例の断面図を示す回層2図は
、従来の半導体装置の断面図を示す図・・・・・・・・
・半導体素子 ・・・・・・・・・回路基板 ・・・・・・・・・端 子 ・・・・・・・・・導電粒子 ・・・・・・・・・接着剤α ・・・・・・・・・接着剤b ・・・・・・・・・ギャップ材 ・・・・・・・・・電極 以上
、従来の半導体装置の断面図を示す図・・・・・・・・
・半導体素子 ・・・・・・・・・回路基板 ・・・・・・・・・端 子 ・・・・・・・・・導電粒子 ・・・・・・・・・接着剤α ・・・・・・・・・接着剤b ・・・・・・・・・ギャップ材 ・・・・・・・・・電極 以上
Claims (1)
- 半導体素子の電極と回路基板とを導電粒子を介して電気
的導通をとり、また接着剤を用いて前記基板と半導体素
子とを接着する構造をもつ半導体装置において、接着剤
中にギャップ材を混入した事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287913A JPH02133936A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287913A JPH02133936A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133936A true JPH02133936A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17723348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63287913A Pending JPH02133936A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133936A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998010465A1 (en) * | 1996-09-05 | 1998-03-12 | Seiko Epson Corporation | Connecting structure of semiconductor element, liquid crystal display device using the structure, and electronic equipment using the display device |
| US5804882A (en) * | 1995-05-22 | 1998-09-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device having a semiconductor chip electrically connected to a wiring substrate |
| US6134118A (en) * | 1995-01-19 | 2000-10-17 | Cubic Memory Inc. | Conductive epoxy flip-chip package and method |
| EP1029346A4 (en) * | 1997-08-22 | 2006-01-18 | Vertical Circuits Inc | VERTICAL CONNECTION PROCESS FOR SILICON SEGMENTS WITH THERMAL-LEADING EPOXY COMPONENTS |
| JP2006108523A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方性導電フィルムを用いた電気部品の接続方法 |
| US7215018B2 (en) | 2004-04-13 | 2007-05-08 | Vertical Circuits, Inc. | Stacked die BGA or LGA component assembly |
| US7245021B2 (en) | 2004-04-13 | 2007-07-17 | Vertical Circuits, Inc. | Micropede stacked die component assembly |
| US20120291454A1 (en) * | 2011-05-20 | 2012-11-22 | Baker Hughes Incorporated | Thermoelectric Devices Using Sintered Bonding |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63287913A patent/JPH02133936A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6134118A (en) * | 1995-01-19 | 2000-10-17 | Cubic Memory Inc. | Conductive epoxy flip-chip package and method |
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| WO1998010465A1 (en) * | 1996-09-05 | 1998-03-12 | Seiko Epson Corporation | Connecting structure of semiconductor element, liquid crystal display device using the structure, and electronic equipment using the display device |
| US6940180B1 (en) | 1996-09-05 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| US7084517B2 (en) | 1996-09-05 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| EP1029346A4 (en) * | 1997-08-22 | 2006-01-18 | Vertical Circuits Inc | VERTICAL CONNECTION PROCESS FOR SILICON SEGMENTS WITH THERMAL-LEADING EPOXY COMPONENTS |
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| US7535109B2 (en) | 2004-04-13 | 2009-05-19 | Vertical Circuits, Inc. | Die assembly having electrical interconnect |
| JP2006108523A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方性導電フィルムを用いた電気部品の接続方法 |
| US20120291454A1 (en) * | 2011-05-20 | 2012-11-22 | Baker Hughes Incorporated | Thermoelectric Devices Using Sintered Bonding |
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