JPH02134992A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH02134992A JPH02134992A JP63289632A JP28963288A JPH02134992A JP H02134992 A JPH02134992 A JP H02134992A JP 63289632 A JP63289632 A JP 63289632A JP 28963288 A JP28963288 A JP 28963288A JP H02134992 A JPH02134992 A JP H02134992A
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- electrode
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、たとえば電荷結合素子を用いた固体撮像素
子に関するものである。
子に関するものである。
ビデオカメラなどと称される撮像装置などでは、従来よ
り電荷結合素子を用いた固体撮像素子が用いられている
。この固体撮像素子には、小型、軽量、長寿命などの多
くの利点があり、その開発が盛んに行われてきている。
り電荷結合素子を用いた固体撮像素子が用いられている
。この固体撮像素子には、小型、軽量、長寿命などの多
くの利点があり、その開発が盛んに行われてきている。
このような固体撮像素子において、その解像度を向上し
、高画質の画像を再現するために、現在では多画素化お
よび画素の高密度化が進められている。
、高画質の画像を再現するために、現在では多画素化お
よび画素の高密度化が進められている。
多画素化および画素の高密度化を達成するためには、各
画素の信号電荷を転送する転送電極の縮小が要求される
が、それとともに信号電荷の水平転送の高速化もまた必
要となる。このような水平転送の高速化は、水平転送部
における発熱や駆動電力の増加を招く。このため、従来
から水平転送部を複数チャネルで構成し、信号電荷の水
平転送をこの複数のチャネルに分割して行うようにして
、前記発熱および駆動電力の増加を防ぎつつ信号電荷の
高速転送を実現している。このような固体撮像素子にお
いてデュアルチャネルのものの前記水平転送部付近の構
成は、第4図に示されている。
画素の信号電荷を転送する転送電極の縮小が要求される
が、それとともに信号電荷の水平転送の高速化もまた必
要となる。このような水平転送の高速化は、水平転送部
における発熱や駆動電力の増加を招く。このため、従来
から水平転送部を複数チャネルで構成し、信号電荷の水
平転送をこの複数のチャネルに分割して行うようにして
、前記発熱および駆動電力の増加を防ぎつつ信号電荷の
高速転送を実現している。このような固体撮像素子にお
いてデュアルチャネルのものの前記水平転送部付近の構
成は、第4図に示されている。
この第4図において、1.2は垂直転送部の各チャネル
であり、3〜5はこのチャネル1,2の水平方向のチャ
ネルストッパである。チャネル12からの信号電荷は、
第1チヤネル61と第2チヤネル62とを有する水平転
送部6に移され、ポリシリコンを材料として構成した転
送電極7,8゜9.10に金属配線電極11a、11b
から印加される転送りロックパルスφ□1.φ、2によ
って矢符R1方向に転送される。
であり、3〜5はこのチャネル1,2の水平方向のチャ
ネルストッパである。チャネル12からの信号電荷は、
第1チヤネル61と第2チヤネル62とを有する水平転
送部6に移され、ポリシリコンを材料として構成した転
送電極7,8゜9.10に金属配線電極11a、11b
から印加される転送りロックパルスφ□1.φ、2によ
って矢符R1方向に転送される。
第1チヤネル61と第2チヤネル62との間には、チャ
ネルストッパ12が形成されており、このチャネルスト
ッパ12には、垂直転送部から第1チヤネル61に移さ
れた信号電荷の一部を第2チヤネル62に移す振分は転
送チャネル13が設けられている。チャネルストッパ1
2に関連して振分は転送ゲート電極14が設けられてお
り、この振分は転送ゲート電極14には転送りロックパ
ルスφ7が導出され、この転送りロックパルスφ7によ
って規定されるタイミングで、第1チヤネル61からの
信号電荷が振分は転送チャネル13を介して第2チヤネ
ル62に移される。
ネルストッパ12が形成されており、このチャネルスト
ッパ12には、垂直転送部から第1チヤネル61に移さ
れた信号電荷の一部を第2チヤネル62に移す振分は転
送チャネル13が設けられている。チャネルストッパ1
2に関連して振分は転送ゲート電極14が設けられてお
り、この振分は転送ゲート電極14には転送りロックパ
ルスφ7が導出され、この転送りロックパルスφ7によ
って規定されるタイミングで、第1チヤネル61からの
信号電荷が振分は転送チャネル13を介して第2チヤネ
ル62に移される。
垂直転送部の信号電荷は、チャネル1,2から、■水平
帰線期間毎に1段ずつ水平転送部6の第1チヤネル61
に移される。この信号電荷のうち、水平転送電極8近傍
に導出された信号電荷は、やはり水平帰線期間内に転送
りロックパルスφアに応答して振分は転送チャネル13
から第2チヤネル62の転送電極10の近傍に移される
。そして、第1.第2チャネル61.62の各信号電荷
は、この第1および第2チャネル61.62にわたって
設けられている転送電極7〜10に印加される転送りロ
ックパルスφH++ φlI2に応答して転送され、
この2つのチャネル61.62で相互に異なる最終電極
を通して出力される。
帰線期間毎に1段ずつ水平転送部6の第1チヤネル61
に移される。この信号電荷のうち、水平転送電極8近傍
に導出された信号電荷は、やはり水平帰線期間内に転送
りロックパルスφアに応答して振分は転送チャネル13
から第2チヤネル62の転送電極10の近傍に移される
。そして、第1.第2チャネル61.62の各信号電荷
は、この第1および第2チャネル61.62にわたって
設けられている転送電極7〜10に印加される転送りロ
ックパルスφH++ φlI2に応答して転送され、
この2つのチャネル61.62で相互に異なる最終電極
を通して出力される。
上述のような固体撮像素子において、転送電極7〜10
はポリシリコンを材料として構成しており、このポリシ
リコンは比較的抵抗値が大きく、このために転送りロッ
クパルスφ□3.φl+2が鈍ったりなどして高速動作
性能が悪く、また発熱量や駆動電力が大きく、最大電荷
転送容量が小さいなどの不具合が生じていた。
はポリシリコンを材料として構成しており、このポリシ
リコンは比較的抵抗値が大きく、このために転送りロッ
クパルスφ□3.φl+2が鈍ったりなどして高速動作
性能が悪く、また発熱量や駆動電力が大きく、最大電荷
転送容量が小さいなどの不具合が生じていた。
この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、発熱量
や駆動電力が低減されるとともに、高速動作性能が向上
される固体撮像素子を提供することである。
や駆動電力が低減されるとともに、高速動作性能が向上
される固体撮像素子を提供することである。
この発明の固体撮像素子は、配線電極からの転送パルス
が導出される補助配線電極と、この補助配線電極と、こ
の補助配線電極に導出された前記転送パルスを印加すべ
き転送電極との間を接続する接続部材とを備えたことを
特徴とする。
が導出される補助配線電極と、この補助配線電極と、こ
の補助配線電極に導出された前記転送パルスを印加すべ
き転送電極との間を接続する接続部材とを備えたことを
特徴とする。
この発明の構成によれば、複数の転送電極にはそれぞれ
、配線電極から直接に、また配線電極から補助電極およ
び接続部材を介して転送パルスが印加される。すなわち
各転送電極は、前記配線電極に対して少なくとも2箇所
で接続されることになる。したがって、前記転送電極を
比較的高い抵抗値を有する材料で構成した場合にも、配
線電極からの転送パルスを水平転送部に良好に伝達して
最大電荷転送容量を改善して高速動作性能の向上に寄与
することができ、また駆動時の発熱量が抑えられるとと
もに駆動電力の低減をも図ることができる。
、配線電極から直接に、また配線電極から補助電極およ
び接続部材を介して転送パルスが印加される。すなわち
各転送電極は、前記配線電極に対して少なくとも2箇所
で接続されることになる。したがって、前記転送電極を
比較的高い抵抗値を有する材料で構成した場合にも、配
線電極からの転送パルスを水平転送部に良好に伝達して
最大電荷転送容量を改善して高速動作性能の向上に寄与
することができ、また駆動時の発熱量が抑えられるとと
もに駆動電力の低減をも図ることができる。
この発明の一実施例を第1図および第2図に基づいて説
明する。第1図はこの実施例の固体撮像素子の水平転送
部近傍の構成を示す平面図であり、第2図は第1図の切
断面線■−■から見た断面図である。この第1図および
第2図において、前述の第4図に示された各部に対応す
る部分には同一の参照符号を付して示す。この固体撮像
素子では、水平転送部6の第1.第2チャネル61.6
2のそれぞれに関連して、金属材料からなる補助配線電
極21b、21aが配置される。この補助配線電極21
b、21aはそれぞれ金属配線電極11b。
明する。第1図はこの実施例の固体撮像素子の水平転送
部近傍の構成を示す平面図であり、第2図は第1図の切
断面線■−■から見た断面図である。この第1図および
第2図において、前述の第4図に示された各部に対応す
る部分には同一の参照符号を付して示す。この固体撮像
素子では、水平転送部6の第1.第2チャネル61.6
2のそれぞれに関連して、金属材料からなる補助配線電
極21b、21aが配置される。この補助配線電極21
b、21aはそれぞれ金属配線電極11b。
11aに接続されており、したがってそれぞれ転送りロ
ックパルスφ)+2 + φII+が導出されている
。
ックパルスφ)+2 + φII+が導出されている
。
第1チヤネル61に配された補助配線電極21bは、転
送りロックパルスφH2が与られるべき転送電極9.1
0に、接続部材22.23によって接続されている。ま
た第2チヤネル62に配された補助配線電極21aは、
転送りロックパルスφH1が与られるべき転送電極7,
8に、接続部材2425によって接続されている。なお
、第2図において、26はP型半導体基板、27はn型
半導体層、28はn型不純物領域、29は絶縁層である
。
送りロックパルスφH2が与られるべき転送電極9.1
0に、接続部材22.23によって接続されている。ま
た第2チヤネル62に配された補助配線電極21aは、
転送りロックパルスφH1が与られるべき転送電極7,
8に、接続部材2425によって接続されている。なお
、第2図において、26はP型半導体基板、27はn型
半導体層、28はn型不純物領域、29は絶縁層である
。
第1図の切断面線n’−n’から見た断面は、この第2
図に示された断面構造と同様である。
図に示された断面構造と同様である。
このような構成によれば、金属配線電極11a11bと
、この金属配線電極11a、llbに導出された転送り
ロックパルスφ、1□、φ、1□が印加されるべき転送
電極7,8;9.10との間は各2箇所で接続されるよ
うになり、これによって第1゜第2チャネル61.62
の転送りロックパルスφl。
、この金属配線電極11a、llbに導出された転送り
ロックパルスφ、1□、φ、1□が印加されるべき転送
電極7,8;9.10との間は各2箇所で接続されるよ
うになり、これによって第1゜第2チャネル61.62
の転送りロックパルスφl。
φH2を印加すべき部位と金属配線電極11a、 ll
bとの間の抵抗値を低減することができるので、各チャ
ネル61.62に前記転送りロックパルスφH1+φH
2を良好に伝達して、信号電荷の転送を良好に行わせる
ことができ、この信号電荷の転送を高速化して水平転送
部6における最大電荷転送容量の改善を図ることができ
る。また、前記抵抗値が低減されることにより、転送電
極7〜10での発熱量が低減され、またこの固体撮像素
子の水平転送部6の駆動に要する電力を低減することが
できるようになる。
bとの間の抵抗値を低減することができるので、各チャ
ネル61.62に前記転送りロックパルスφH1+φH
2を良好に伝達して、信号電荷の転送を良好に行わせる
ことができ、この信号電荷の転送を高速化して水平転送
部6における最大電荷転送容量の改善を図ることができ
る。また、前記抵抗値が低減されることにより、転送電
極7〜10での発熱量が低減され、またこの固体撮像素
子の水平転送部6の駆動に要する電力を低減することが
できるようになる。
第3図はこの発明の他の実Mi例の固体撮像素子の水平
転送部近傍の構成を示す平面図である。この第3図にお
いて前述の第1図に示された各部に対応する部分には同
一の参照符号を付して示す。
転送部近傍の構成を示す平面図である。この第3図にお
いて前述の第1図に示された各部に対応する部分には同
一の参照符号を付して示す。
この固体撮像素子は単一チャネルの水平転送部6を有す
るもので、この水平転送部6のチャネル部に金属材料か
らなる補助配線電極21a、21bが配置される。この
補助配線電極21a、21bはそれぞれ金属配線電極1
1a、llbに接続されており、したがってそれぞれ転
送りロックパルスφHl + φlIzが導出されて
いる。前記補助配線電極21aは転送りロックパルスφ
H1が与えられるべき転送電極7.8にそれぞれ接続部
材24.25によって接続されており、また補助配線電
極21bは転送りロックパルスφ6,2が与えられるべ
き転送電極9.10に接続部材22.23によって接続
されている。なお第3図の切断面線m−m、m’■′か
ら見た断面はそれぞれ第1図の切断面線n−n、n’
−n’から見た断面と同様である。
るもので、この水平転送部6のチャネル部に金属材料か
らなる補助配線電極21a、21bが配置される。この
補助配線電極21a、21bはそれぞれ金属配線電極1
1a、llbに接続されており、したがってそれぞれ転
送りロックパルスφHl + φlIzが導出されて
いる。前記補助配線電極21aは転送りロックパルスφ
H1が与えられるべき転送電極7.8にそれぞれ接続部
材24.25によって接続されており、また補助配線電
極21bは転送りロックパルスφ6,2が与えられるべ
き転送電極9.10に接続部材22.23によって接続
されている。なお第3図の切断面線m−m、m’■′か
ら見た断面はそれぞれ第1図の切断面線n−n、n’
−n’から見た断面と同様である。
このように単一チャネルの場合には、水平転送部6のチ
ャネル部にクロックパルスφ旧、φ82が導出される補
助配線電極21a、21bを共通に配置することにより
、金属配線電極11a、llbと転送電極7,8i9,
10との間を各2箇所で接続して、前述の第1実施例と
同様の効果を得ることができる。
ャネル部にクロックパルスφ旧、φ82が導出される補
助配線電極21a、21bを共通に配置することにより
、金属配線電極11a、llbと転送電極7,8i9,
10との間を各2箇所で接続して、前述の第1実施例と
同様の効果を得ることができる。
前述の実施例では、補助配線電極21b、21aを金属
材料で構成するようにしたが、補助配線電極21b、2
1aの材料は、金属に限定されるものではなく、固体撮
像素子において使用可能な他の配線材料が用いられても
よい。
材料で構成するようにしたが、補助配線電極21b、2
1aの材料は、金属に限定されるものではなく、固体撮
像素子において使用可能な他の配線材料が用いられても
よい。
さらにまた、前述の実施例では、デュアルチャネルおよ
び単一チャネルの水平転送部を有する各固体撮像素子を
例に採って説明したが、この発明は任意の数のチャネル
を有する水平転送部を備えた固体撮像素子に対して容易
に応用することができるものである。
び単一チャネルの水平転送部を有する各固体撮像素子を
例に採って説明したが、この発明は任意の数のチャネル
を有する水平転送部を備えた固体撮像素子に対して容易
に応用することができるものである。
また、前述の第1実施例においては、水平転送部5の第
1チヤネル61に転送りロックパルスφH1が導出され
る補助配線電極21bを配置し、第2チヤネル62に転
送りロックパルスφM2が導出される補助配線電極21
aを配置するようにしたが、水平転送部の各チャネルに
前記補助配線電極21a。
1チヤネル61に転送りロックパルスφH1が導出され
る補助配線電極21bを配置し、第2チヤネル62に転
送りロックパルスφM2が導出される補助配線電極21
aを配置するようにしたが、水平転送部の各チャネルに
前記補助配線電極21a。
21bのような補助配線電極をいずれも配置した構成と
してもよい。
してもよい。
この発明の固体撮像素子によれば、複数の転送電極には
それぞれ、配線電極から直接に、また配線電極から補助
電極および接続部材を介して転送パルスが印加される。
それぞれ、配線電極から直接に、また配線電極から補助
電極および接続部材を介して転送パルスが印加される。
すなわち各転送電極は、前記配線電極に対して少なくと
も2箇所で接続されることになる。したがって、前記転
送電極を比較的高い抵抗値を有する材料で構成した場合
にも、配線電極からの転送パルスを水平転送部に良好に
伝達することができ、これによって信号電荷の転送動作
を高速に行わせて最大電荷転送容量を改善することがで
きるとともに、駆動時の発熱量が低減され、さらに駆動
電力をも格段に低減することができる。
も2箇所で接続されることになる。したがって、前記転
送電極を比較的高い抵抗値を有する材料で構成した場合
にも、配線電極からの転送パルスを水平転送部に良好に
伝達することができ、これによって信号電荷の転送動作
を高速に行わせて最大電荷転送容量を改善することがで
きるとともに、駆動時の発熱量が低減され、さらに駆動
電力をも格段に低減することができる。
第1図はこの発明の一実施例の固体撮像素子の基本的な
構成を示す平面図、第2図は第1図の切断面線II−I
Iから見た断面図、第3図はこの発明の他の実施例の基
本的な構成を示す平面図、第4図は従来の固体撮像素子
の基本的な構成を示す平面図である。 6・・・水平転送部、61・・・第1チヤネル、62・
・・第2チヤネル、7〜10・・・転送電極、11a、
11b・・・金属配線電極、21a、21b・・・補助
配線電極、22〜25・・・接続部材 特許出願人 松下電子工業株式会社 代 埋入 弁理士 宮井暎夫 第 図
構成を示す平面図、第2図は第1図の切断面線II−I
Iから見た断面図、第3図はこの発明の他の実施例の基
本的な構成を示す平面図、第4図は従来の固体撮像素子
の基本的な構成を示す平面図である。 6・・・水平転送部、61・・・第1チヤネル、62・
・・第2チヤネル、7〜10・・・転送電極、11a、
11b・・・金属配線電極、21a、21b・・・補助
配線電極、22〜25・・・接続部材 特許出願人 松下電子工業株式会社 代 埋入 弁理士 宮井暎夫 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水平転送部を有し、この水平転送部の信号電荷を転送す
る複数の転送電極と、この複数の転送電極に転送パルス
を印加する配線電極とを備えた固体撮像素子において、 前記配線電極からの転送パルスが導出される補助配線電
極と、 この補助配線電極と、この補助配線電極に導出された前
記転送パルスを印加すべき転送電極との間を接続する接
続部材とを備えたことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289632A JPH02134992A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289632A JPH02134992A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134992A true JPH02134992A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17745750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289632A Pending JPH02134992A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134992A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04302472A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-10-26 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6943389B2 (en) | 2002-09-26 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202578A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63289632A patent/JPH02134992A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61202578A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04302472A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-10-26 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6943389B2 (en) | 2002-09-26 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
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