JPS607390B2 - 電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法 - Google Patents
電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法Info
- Publication number
- JPS607390B2 JPS607390B2 JP51112038A JP11203876A JPS607390B2 JP S607390 B2 JPS607390 B2 JP S607390B2 JP 51112038 A JP51112038 A JP 51112038A JP 11203876 A JP11203876 A JP 11203876A JP S607390 B2 JPS607390 B2 JP S607390B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- charge
- drive pulse
- transfer
- coupled semiconductor
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電荷結合型半導体装置（以下ＣＣＤという
）、特に大規模ＣＣＤ固体撮像装置の駆動パルス給電方
法に関する。
）、特に大規模ＣＣＤ固体撮像装置の駆動パルス給電方
法に関する。
近年、ＣＣＤは光検出機能と信号転送機能とを持つ機能
デバイスとして撮像装置に応用されつつある。
デバイスとして撮像装置に応用されつつある。
一般にＣＣＤ固体撮像装置においては、微細パターンの
実現による集積度の向上と受光効率の向上のために、ポ
リシリコン層を転送電極として用いているものが多い。
そしてポリシリコン層を転送電極とする３相クロツクの
ＣＣＤは、酸化膜の下部に電荷転送方向の複数の帯状チ
ャネルストップが前記転送方向の直交方向に配列される
とともに、絶縁膜を介して前記酸化膜の上部に前記直交
方向の複数の帯状の前述の転送電極が前記転送方向に配
列され、前記各ストップ間のャャネルそれぞれの電荷が
各チャネルそれぞれに割当てられた３相それぞれの転送
電極に給電される駆動パルスにより転送される。
実現による集積度の向上と受光効率の向上のために、ポ
リシリコン層を転送電極として用いているものが多い。
そしてポリシリコン層を転送電極とする３相クロツクの
ＣＣＤは、酸化膜の下部に電荷転送方向の複数の帯状チ
ャネルストップが前記転送方向の直交方向に配列される
とともに、絶縁膜を介して前記酸化膜の上部に前記直交
方向の複数の帯状の前述の転送電極が前記転送方向に配
列され、前記各ストップ間のャャネルそれぞれの電荷が
各チャネルそれぞれに割当てられた３相それぞれの転送
電極に給電される駆動パルスにより転送される。
しかし、今後テレビジョン用に用いられるような大規模
なアレーのＣＣＤ撮像装置においては、転送電極が非常
に細長くなり、抵抗値が３００／口のポリシリコン層で
はその抵抗値が無視できなくなる。ところで前述の３相
ＣＣＤは、第２図に示すように容量Ｃと抵抗Ｒとインダ
クタンスＬの分布定数回路の等価回路で書き表わされ、
第１図の駆動パルスの１対の３相外部給電線Ｌ１，Ｌ２
のうち、給電線ＬＩに近いＡの部分では、第３図ａに示
すように転送波はパルス発生器のパルス波と同じ矩形波
を示すが、給電線ＬＩより遠く、給電線Ｌ２に近いＢの
部分では、第３図ｂのように転送波は非常に歪んだもの
となる。
なアレーのＣＣＤ撮像装置においては、転送電極が非常
に細長くなり、抵抗値が３００／口のポリシリコン層で
はその抵抗値が無視できなくなる。ところで前述の３相
ＣＣＤは、第２図に示すように容量Ｃと抵抗Ｒとインダ
クタンスＬの分布定数回路の等価回路で書き表わされ、
第１図の駆動パルスの１対の３相外部給電線Ｌ１，Ｌ２
のうち、給電線ＬＩに近いＡの部分では、第３図ａに示
すように転送波はパルス発生器のパルス波と同じ矩形波
を示すが、給電線ＬＩより遠く、給電線Ｌ２に近いＢの
部分では、第３図ｂのように転送波は非常に歪んだもの
となる。
なお、図中Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は３相の各相を示す。また
ＣＣＤの転送効率は駆動パルス波形に大きく影響され、
中央部では転送効率が低下して解像度が低下する。
ＣＣＤの転送効率は駆動パルス波形に大きく影響され、
中央部では転送効率が低下して解像度が低下する。
この発明は、以上のような従来の欠点を解消するため、
ＣＣＤの駆動パルスの給電方法を改善したものであり、
つぎにこの発明をその１実施例を示した第４図以下の図
面とともに詳細に説明する。第４図ないし第６図はこの
発明の給電方法を採用した３相ＣＣＤ固体撮像装置を示
し、従来通り装置の一端、他端の１対の外部給電線Ｌ１
，Ｌ２から給電を行なうとともに、装置の内部の内部給
電線Ｌｉ，Ｌｊからも給電を行なうものであり、各内部
給電線Ｌｉ，ＬｊはＣＣＤの各構成のチャネル１を形成
するチャネルストップ２上のポリシリコン転送電極３と
は絶縁膜４で絶縁されたアルミニウム等の低抵抗の金属
給電線５からなる。
ＣＣＤの駆動パルスの給電方法を改善したものであり、
つぎにこの発明をその１実施例を示した第４図以下の図
面とともに詳細に説明する。第４図ないし第６図はこの
発明の給電方法を採用した３相ＣＣＤ固体撮像装置を示
し、従来通り装置の一端、他端の１対の外部給電線Ｌ１
，Ｌ２から給電を行なうとともに、装置の内部の内部給
電線Ｌｉ，Ｌｊからも給電を行なうものであり、各内部
給電線Ｌｉ，ＬｊはＣＣＤの各構成のチャネル１を形成
するチャネルストップ２上のポリシリコン転送電極３と
は絶縁膜４で絶縁されたアルミニウム等の低抵抗の金属
給電線５からなる。
そして、該金属給電線５と同一位相の駆動パルスが給電
される転送電極３とがコンタクトホール６で選択的に接
続され、外部給電線Ｌ１，Ｌ２と各内部給電線Ｌｉ，Ｌ
ｉを用いて駆動パルスを給電する。
される転送電極３とがコンタクトホール６で選択的に接
続され、外部給電線Ｌ１，Ｌ２と各内部給電線Ｌｉ，Ｌ
ｉを用いて駆動パルスを給電する。
なお電荷は構成チャネルー上を紙面の上端から下端方向
に転送される。７はシリコン半導体、８は２酸化シリコ
ンの酸化膜層である。
に転送される。７はシリコン半導体、８は２酸化シリコ
ンの酸化膜層である。
このような方法によると、ＣＣＤの中央部でも転送電極
３は低抵抗の金属給電線５で駆動パルスが給電されるの
で、転送電極３が細長くなってもＣＣＤの全面にわたっ
て均一に正常なパルスが与えられ、全面にわたって均一
な良い解像度が得られる。
３は低抵抗の金属給電線５で駆動パルスが給電されるの
で、転送電極３が細長くなってもＣＣＤの全面にわたっ
て均一に正常なパルスが与えられ、全面にわたって均一
な良い解像度が得られる。
また低抵抗の金属給電線５はチャネルストップ３に配置
されるので集積度の低下もない。以上のように、この発
明の電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法による
と、酸化膜の下部に電荷転送方向の複数の帯状チャネル
ストップを前記転送方向の直交方向に配列するとともに
、絶縁膜を介して前記酸化膜の上部に前記直交方向の複
数の帯状の転送電極を前記転送方向に配列し、前記各ス
トップ間のチャネルそれぞれの電荷を前記転送電極に給
電される駆動パルスにより転送する電荷結合型半導体装
置の駆動パルス給電方法において、前記各チャネルの同
一位相の駆動パルスが給電される転送電極の一端，他端
を当該駆動パルスの１対の外部給電線にそれぞれ接続す
るとともに、前記絶縁膜の上部の前記各ストップの位置
に内部給電線をそれぞれ設け、かつ該各内部給電線をコ
ンタクトホールを介して前記同一位相の駆動パルスが供
給される転送電極それぞれに選択に接続し、前記入，出
力給電線および前記各内部給電線により駆動パルスを給
電することにより、外部給電線だけでなく内部給電線を
用いて駆動パルスの給電を行なうことができ、転送効率
を向上して良い解像度を得ることができ、そのうえ集積
度の低下を来たすこともないものである。
されるので集積度の低下もない。以上のように、この発
明の電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法による
と、酸化膜の下部に電荷転送方向の複数の帯状チャネル
ストップを前記転送方向の直交方向に配列するとともに
、絶縁膜を介して前記酸化膜の上部に前記直交方向の複
数の帯状の転送電極を前記転送方向に配列し、前記各ス
トップ間のチャネルそれぞれの電荷を前記転送電極に給
電される駆動パルスにより転送する電荷結合型半導体装
置の駆動パルス給電方法において、前記各チャネルの同
一位相の駆動パルスが給電される転送電極の一端，他端
を当該駆動パルスの１対の外部給電線にそれぞれ接続す
るとともに、前記絶縁膜の上部の前記各ストップの位置
に内部給電線をそれぞれ設け、かつ該各内部給電線をコ
ンタクトホールを介して前記同一位相の駆動パルスが供
給される転送電極それぞれに選択に接続し、前記入，出
力給電線および前記各内部給電線により駆動パルスを給
電することにより、外部給電線だけでなく内部給電線を
用いて駆動パルスの給電を行なうことができ、転送効率
を向上して良い解像度を得ることができ、そのうえ集積
度の低下を来たすこともないものである。
第１図は従来の電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電
方法による半導体装置の平面図、第２図は第１図の等価
回路図、第３図ａ，ｂは第１図の半導体装置のＡ，Ｂの
部分の転送波形図、第４図はこの発明の電荷結合型半導
体装置の駆動パルス給電方法を採用した半導体装置の平
面図、第５図は第４図の拡大図、第６図は第５図のＡ−
Ａ′線断面部分図である。 １・・・構成チャネル、２・・・チャネルストップ、３
…転送電極、４・・・絶縁膜、６…金属給電線、６・・
・コンタクトホール、７・・・シリコン半導体、８・・
・酸化膜層、Ｌ１，Ｌ２…外部給電線「Ｌｉ，Ｌｉ・・
・内部給電線。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
方法による半導体装置の平面図、第２図は第１図の等価
回路図、第３図ａ，ｂは第１図の半導体装置のＡ，Ｂの
部分の転送波形図、第４図はこの発明の電荷結合型半導
体装置の駆動パルス給電方法を採用した半導体装置の平
面図、第５図は第４図の拡大図、第６図は第５図のＡ−
Ａ′線断面部分図である。 １・・・構成チャネル、２・・・チャネルストップ、３
…転送電極、４・・・絶縁膜、６…金属給電線、６・・
・コンタクトホール、７・・・シリコン半導体、８・・
・酸化膜層、Ｌ１，Ｌ２…外部給電線「Ｌｉ，Ｌｉ・・
・内部給電線。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 酸化膜の下部に電荷転送方向の複数の帯状のチヤネ
ルストツプを前記転送方向の直交方向に配列するととも
に、絶縁膜を介して前記酸化膜の上部に前記直交方向の
複数の帯状の転送電極を前記転送方向に配列し、前記各
ストツプ間のチヤネルそれぞれの電荷を前記転送電極に
給電される駆動パルスにより転送する電荷結合型半導体
装置の駆動パルス給電方法において、前記各チヤネルの
同一位相の駆動パルスが給電される転送電極の一端，他
端を当該駆動パルスの１対の外部給電線にそれぞれ接続
するとともに、前記絶縁膜の上部の前記各ストツプの位
置に内部給電線をそれぞれ設け、かつ該各内部給電線を
コンタクトホールを介して前記同一位相の駆動パルスが
供給される転送電極それぞれに選択的に接続し、前記両
外部給電線および前記各内部給電線により駆動パルスを
給電することを特徴とする電荷結合型半導体装置の駆動
パルス給電方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51112038A JPS607390B2 (ja) | 1976-09-17 | 1976-09-17 | 電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51112038A JPS607390B2 (ja) | 1976-09-17 | 1976-09-17 | 電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5337392A JPS5337392A (en) | 1978-04-06 |
| JPS607390B2 true JPS607390B2 (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=14576445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51112038A Expired JPS607390B2 (ja) | 1976-09-17 | 1976-09-17 | 電荷結合型半導体装置の駆動パルス給電方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607390B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619667A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-24 | Nec Corp | Charge coupled device |
| JPS5687379A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid image pickup device |
| JPS5861661A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
| US4375652A (en) * | 1981-10-22 | 1983-03-01 | International Business Machines Corporation | High-speed time delay and integration solid state scanner |
| JPS5898961A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
| JPH061829B2 (ja) * | 1983-08-11 | 1994-01-05 | 日本電気株式会社 | 二次元ｃｃｄイメージセンサ |
| JPS6059543U (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPS6080272A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Canon Inc | 電荷転送素子 |
| JPS60137064A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
| JPH079387Y2 (ja) * | 1986-08-14 | 1995-03-06 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子 |
| FR2616990A1 (fr) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Thomson Csf | Dispositif matriciel a transfert de charges tolerant des frequences de transfert vertical elevees, et utilisation d'un tel dispositif dans un capteur d'image |
| JP5000258B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1976
- 1976-09-17 JP JP51112038A patent/JPS607390B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5337392A (en) | 1978-04-06 |
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