JPH02136859A - レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子の微細加工用レジスト組成物に関
し、さらに詳しくは、遠紫外光、ＫｒＰエキシマレーザ
−光などの照射によるパターン形成材料に関するもので
ある。

（従来の技術） 半導体素子を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジ
ストを塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成
し、次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成
するリソグラフィー技術によって画像を得ている。

ところが、ＩＣ，ＬＳＩさらにＶＬＳ　Ｉへと半導体素
子の高集積化、高密度化、小型化に伴って、１μｍ以下
の微細パターンを形成する技術が要求されている。しか
しながら、従来の近紫外線又は可視光線を用いる通常の
フォトリソグラフィーを使用する方法では、１μｍ以下
のパターンを精度よく形成することは極めて困難である
。同時に歩留まりの低下も著しいので、通常のフォトリ
ソグラフィーを使用する方法は、１μｍ以下のパターン
の形成には、対応できない。

このため、光（紫外光３５０〜４５０ｎｍ波長）を利用
する従来のフォトリソグラフィーに代わって、更に波長
の短い遠紫外線、ＫｒＰエキシマレーザ−光などを用い
るリソグラフィー技術が研究されている。

このリソグラフィー技術の中心となるレジスト材料に対
する要求性能としては、感度、解像度、耐エツチング性
、保存安定性など広範な要求があるが、従来開発された
材料はこれら全ての性能を充分に満足するものではなく
、性能の向上が強（望まれていた。

例えば、ポリメタクリル酸グリシジルのようなネガ型レ
ジストは高感度であるが、解像度や耐ドライエツチング
性が劣り、改善が望まれている。

又、ポリメタクリル酸メチルのようなポジ型レジストで
は解像度は良好であるが、感度や耐ドライエツチング性
が劣り、実用上問題があった。また、従来のフォトリソ
グラフィーに用いられているノボラック系ポジ型フォト
レジストを遠紫外線で露光するとレジスト自体が光吸収
が大きすぎるために、良好なパターンの形成ができない
。

そこで、バランスのとれた新規なレジストの開発が強く
望まれていた。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、耐エツチング性、保存安定性などのレジスト特
性一般のバランスのとれた、特に波長の短い遠紫外線、
ＫｒＦエキシマレーザ−光を用いるリソグラフィーに適
したレジスト材料を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明のこの目的は、下記（１）、　（２）または（３
）により達成される。

（１）水素添加したアルカリ可溶性フェノール樹脂の有
機酸エステルを含有することを特徴とするレジスト組成
物。

（２）水素添加したアルカリ可溶性フェノール樹脂の有
機酸エステル及びアルカリ可溶性樹脂を含有することを
特徴とするレジスト組成物（３）前記（１〕項或いは（
２）項記載のレジスト組成物に、露光時に酸を分離する
化合物を添加してなることを特徴とするレジスト組成物
。

本発明において用いられる水素添加したアルカリ可溶性
フェノール樹脂は、例えばフェノール類とアルデヒド類
との縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合
反応生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニ
ルフェノール系重合体などを通常０．５〜７０％水素添
加反応することによって得られる。水素添加率が７０％
を超えるとアルカリ不溶性になるので不適当である。

ここで用いるフェノール類の具体例としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ピロカテコール、
ハイドロキノン、ビスフェノールＡ、ピロガロールなど
が挙げられる。

アルデヒド類の具体例としては、ホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデ
ヒドなどが挙げられる。

ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチルケ
トン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げら
れる。

これらの縮合反応は常法に従って行うことができる。

また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。

共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導体
、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン
酸、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる。

また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。

共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導体
、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン
酸、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる。

上記アルカリ可溶性フェノール樹脂の水素添加反応は、
任意の公知の方法によって実施することが可能であって
、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂を有機溶剤に溶解
し、均−系または不均一系の水素添加触媒の存在下、水
素を導入することによって達成される。

上記アルカリ可溶性フェノール樹脂溶液の濃度は、１〜
７０重量％好ましくは１〜４０重量％である。溶媒とし
ては、触媒に悪影響を与えないで、水素添加反応される
樹脂を溶解されるものであればとくに制限はない。

本発明において用いられる水素添加触媒は、水素添加反
応の活性を有する金属あるいは非金属触媒であればとく
に限定はない。具体例としては、Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ
、　Ｒｕ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ｉｒ、　Ｏｓ、　Ｐｔ、
　Ｃｒ＋　Ｔｅ。

Ｍｅ、　Ｔｔ、　ｖ、　Ｚｒ、　Ｍｏ　＋−などがあげ
られる。これらの触媒は、単独あるいは併用することも
できる。

反応温度は０〜３００°Ｃであり、好ましくは２０〜１
５０℃である。３００℃以上でもさしつかえないが、副
反応が起こり水素添加反応上好ましくない。

反応水素圧は大気圧〜４００　ｋｇ／ｃｍ”の範囲であ
り、好ましくは５〜２００　ｋｇ／ｃｏ＋”である。

水素添加反応後、再沈精製、沈降法、遠心分離法、濾過
法などにより、水素添加反応樹脂溶液から触媒を除去す
ることが可能である。

このようにして得られた水素添加したアルカリ可溶性フ
ェノール樹脂と有機酸のエステル化反応によって、目的
とする成分を得ることができる。

本発明において用いられる有機酸は、特に限定されるも
のではないが、具体例としては、−取代 （Ｒ；アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置
換アルケニル基、アリル基、置換アリル基 Ｘ；Ｈ，塩素） で示される化合物としては、ベンゼンスルホン酸、Ｏ−
クロロベンゼンスルホン酸、ｍ−クロロベンゼンスルホ
ン酸、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸、０−ブロモベン
ゼンスルホン酸、ｍ−ブロモベンゼンスルホン酸、Ｐ−
ブロモベンゼンスルホン酸、０−ニトロベンゼンスルホ
ン酸、ｍ−二トロベンゼンスルホン酸、ｐ−ニトロベン
ゼンスルホン酸、Ｏ−メチルベンゼンスルホン酸、ｍ−
メチルベンゼンスルホン酸、Ｐ−メチルベンゼンスルホ
ン酸、α−ナフタレンスルホン酸、β−ナフタレンスル
ホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパ
ンスルホン酸などのスルホン酸、スルホン酸クロライド
があげられる。

一般式 ＲＣＯ□Ｘ （Ｒｉアルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置
換アルケニル基、アリル基、置換アリル基 Ｘ　、　Ｈ，塩素） で示される化合物としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸
、ブチリンク酸、イソロブチリツク酸、バレリック酸、
カプロイック酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトニ
ック酸、オレイン酸、リルイン酸、安息香酸、０−ニト
ロ安息香酸、ｍ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸
、０−クロロ安息香酸、ｍ−クロロ安息香酸、ｐ−クロ
ロ安息香酸、０−ブロモ安息香酸、ｍ−ブロモ安息香酸
、ｐ−ブロモ安息香酸、０−メチル安息香酸、ｍ−メチ
ル安息香酸、ｐ〜メチル安息香酸、α−ナフタレンカル
ボン酸、β−ナフタレンカルボン酸などのカルボン酸、
カルボン酸クロライドがあげられる。

その他スルフィン酸などもあげることができる。

上記有機酸の反応量は、水素添加したアルカリ可溶性フ
ェノール樹脂の８０％未満であって、好ましくは、３％
から５０％である。８０％を越えるとレジストの透明性
が低下してパターンの形成上好ましくない。

このようにして得られた水素添加したアルカリ可溶性フ
ェノール樹脂の有機酸エステルと組み合わせることので
きるアルカリ可溶性樹脂としては、とくに限定されるも
のではないが、フェノール類とアルデヒド類との縮合反
応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物
、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノー
ル系重合体などのフェノール樹脂、あるいはこれらの水
素添加物、マレンイ酸系重合体、アクリル酸系重合体、
メタクリル酸系重合体などがあげられる。これらのアル
カリ可溶性樹脂の添加量は、水素添加した前記樹脂の有
機１工ステル１００重量部当たり０〜１０００重量部で
ある。

本発明において用いられる露光時に酸を分離する化合物
は、特に限定されるものではないが、具体例として次の
各−取代で示される化合物が挙げられる。

一般式 ％式％ Ｒ；アルキル基、置換アルキル基、アリル基、置換アリ
ル基、ヘテロ環） で示される化合物としては、ヘキサクロロジメチルスル
ホキサイド、ペンタクロロジメチルスルホキサイド、ヘ
キサブロモジメチルスルホキサイド、ペンタブロモジメ
チルスルホキサイド、ヘキサクロロジメチルスルホン、
ペンタクロロジメチルスルホン、ヘキサブロモジメチル
スルホン、ペンタフロモジメチルスルホン、トリクロロ
メチルフェニルスルホン、トリブロモメチルフェニルス
ルホン、トリクロロメチル−Ｐ−クロロフェニルスルホ
ン、トリクロロメチル−Ｐ−ニトロフェニルスルホン、
トリブロモメチル−９Ｐ−クロロフェニルスルホン、ト
リブロモメチル−Ｐ−ニトロフェニルスルホン、２−ト
リクロロメチルベンゾチアゾールスルホン、４．６−シ
メチルピリジンー２−トリブロモメチルスルホンなど。

一般式 ％式％ Ｒ；ハロゲン、ニトロ基、アルキル基、アセチル基、置
換アルキル基、置換アセチル基、アルコキシ基） で示される化合物としては、トリクロロアセトフェノン
、トリブロモアセトフェノン、０−ニトロ−トリクロロ
アセトフェノン、ｐ−ニトロ−トリクロロアセトフェノ
ン、０−ニトロ−トリブロモアセトフェノン、Ｐ−ニト
ロ−トリブロモアセトフェノン、Ｏ−クロロ−トリクロ
ロアセトフェノン、ｐ−クロロ−トリクロロアセトフェ
ノン、０−クロロ−トリブロモアセトフェノン、Ｐ−ク
ロロ−トリブロモアセトフェノンなど。

−取代 ％式％ Ｒ；アルキル基、アリル基、アラルキル基、アルケニル
基、置換アルキル基、置換アリル基） で示される化合物としては、テトラクロロメタン、テト
ラブロモメタン、ヘキサクロロエタン、ペンタクロロエ
タン、トリクロロベンゼン、テトラクロロベンゼン、ト
リクロロトルエン、トリブロモトルエン、トリクロロエ
タノール、トリブロモエタノール、トリクロロアセトア
ミドなど。

−取代 ％式％ Ｒ；アルキル基、アルコキシ基、アリル基、置換アリル
基、アラルキル基、置換アラルキル基、アルケニル基、
アルアルケニル基、置換アルアルケニル基） で示される化合物としては、２．４−ビス（トリクロロ
メチル）−６−メチル−３−１−リアジン、２，４−ビ
ス（トリブロモメチル）−６−メチル−Ｓ−トリアジン
、２．４−ビス（ジクロロメチル）−６−メチル−３−
）リアジン、２，４−ビス（ジブロモメチル）−６−メ
チル−３−）リアジン、２，４−ビス（トリクロロメチ
ル）−６−フェニル−Ｓ−トリアジン、２．４−ビス（
トリブロモメチル）６−フェニル−３−トリアジン、２
．４−ビス（ジクロロメチル）−６−フェニル−３−）
リアジン、２．４−ビス（ジブロモメチル）−６−フェ
ニル−３−）リアジン、２，４−ビス（トリクロロメチ
ル）−６−ビフェニル−３−）リアジン、２．４−ビス
（トリブロモメチル）−６−ビフェニル−３−トリアジ
ン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−ク
ロロ−フェニル）−３−）リアジン、２．４−ビス（ト
リブロモメチル’）　−６−（４−クロロ−フェニル）
−８−トリアジン、２．４−ビス（トリクロロメチル）
−６−（４−ニトロ−フェニル）−３−トリアジン、２
．４−ビス（トリブロモメチル）−６−（４−ニトロ−
フェニル）−３−）リアジン、２，４−ビス（トリクロ
ロメチル）−６−（４−メトキシ−フェニル）−３−）
リアジン、２．４−ビス（トリブロモメチル）−６−（
４−メトキシ−フェニル）−３−）リアジン、２．４−
ビス（トリクロロメチル）−６−（４−エトキシ−フェ
ニル）−３−）リアジン、２，４−ビス（トリブロモメ
チル）−６−（４−エトキシ−フェニル）−３−トリア
ジン、２，４−ビス（ジクロロメチル）−６−ナフチル
−８−トリアジン、２．４−ビス（トリクロロメチル）
−６−（４−メトキシ−ナフチル）−３−）リアジン、
２．４−ビス（トリブロモメチル）−６−（４−メトキ
シ−ナフチル）−３−１−リアジン、２．４−ビス（ト
リクロロメチル）−６−（４−エトキシ−ナフチル）−
３−）リアジン、２．４−ビス（トリブロモメチル）−
６−（４−エトキシ−ナフチル）−３−トリアジン、２
．４−ビス（トリクロロメチル）−６−（フェニル−エ
チレン）−３−トリアジン、２．４−ビス（トリブロモ
メチル）−６−（フェニル−エチレン）−３−トリアジ
ン、２．４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メ
トキシ−フェニル−エチレン）−３−）リアジン、２，
４−ビス（トリクロロメチル’）−６−（４−エトキシ
−フェニル−エチレン）−３−）リアジン、２．４−ビ
ス（トリクロロメチル）−６−（４−７０ローフェニル
−エチレン）−８−トリアジン、２，４−ビス（１−Ｉ
Ｊ　クロロメチル）　−６−（４−ニトロ−フェニル−
エチレン）−３−）リアジンなどのハロゲン化メチル基
を有する化合物；１，２−ベンゾキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、１２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステル、２．１−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステルなどのキノンジアジ
ド系化合物；ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、スルホ
ニウム塩、アンモニウム塩などのオニウム化合物；その
他、ジアゾニウム塩、Ｎ−アシルイミノ炭酸塩、有機金
属／有機ハロゲン化合物など。

これらの露光時に酸を分離する化合物の配合量は、樹脂
成分１００重量部に対して０．１〜１００重量部である
。０．１重量部未満ではパターンの形成が不可能となり
、１００重量部を越えると現像残が発生し易くなる。

本発明のレジスト組成物に用いることのできる溶剤とし
ては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン類、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグ
リコールエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類
、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類などが挙
げられる。これらは単独でも用いられるが、２種類以上
を混合して用いても良い。

更に、本発明のレジスト組成物には、必要に応じて、界
面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止
剤などを添加することもできる。

本発明のレジスト組成物の現像液としてはアルカリの水
溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機
アルカリ類、エチルアミンプロピルアミンなどの第一ア
ミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第三
アミン類、トリルメチルアミン、トリエチルアミンなど
の第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、トリエタ
ノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩などが挙げ
られる。

更に必要に応じて上記アルカリの水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、樹脂の溶解抑制剤などを
適量添加することができる。

（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、各例中の部及び％はとくに断りのないかぎり重
量基準である。

豊支阻土 ビニルフェノール重合体（以下ＰＶＰと略す）５０ｇと
エタノール４５０ｇをオートクレーブに仕込み、良く混
合し重合体を溶解させた。次いでラネーＮｉ４ｇを添加
し、系内を窒素置換した後、２０℃に保ちながら水素圧
を５０　ｋｇ／ｃｍ２かけ３０分間保ち、その後このオ
ートクレーブを５０″Ｃの温浴槽につけ３時間反応させ
た。反応後の溶液からラネーＮ＋を濾別し、反応溶液を
水中に投入して重合体を析出させた。さらに、得られた
重合体をエタノールに溶解させ水中に投入して重合体を
析出させた。次いで、この重合体をジオキサンに溶解し
、３６時間凍結乾燥を行い乾燥重合体を得た。

収率は９０％であった。

上記重合体のゲルパーミエイションクロマトグラフィ−
（ＧＰＣ）測定の結果軸＝３０００、核磁気共鳴スペク
トル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は２５％であっ
た。また、ＵＶスペクトル測定の結果、原料ＰＶＰに比
べて水素添加したＰＶＰは２５０部ｍの透過率が約２倍
に向上した。

この水素添加したＰＶＰ３０ｇ、ベンゼンスルホン酸ク
ロライド５ｇ及び１，４−ジオキサン３２０ｇを反応器
に仕込み溶解した後、これを攪拌しなから３５°Ｃで炭
酸ナトリウムの１０％水溶液を徐々に加えた。すぐに白
色の析出物が発生したが、それを２時間そのまま攪拌し
た。反応液を静置した後、上澄み液を約１０倍の水に加
え、よく撹拌すると細かい粉末となった。これを濾別し
て粉末をよく水洗し、室温で充分真空乾燥したところ、
２７ｇの乾燥した粉末を得た。

ろ、ベンゼンスルホン酸が樹脂と反応してエステルが生
成していることが確認できた。

１監１ ｍ−タレゾールノボラック（以下ｍ−ＮＶＫと略す）５
０ｇとエタノール４５０ｇをオートクレーブに仕込み、
参考例Ｊ−と同様の方法で水素添加反応、後処理を行い
、乾燥重合体を得た。収率は９０％であった。

上記重合体のＧＰＣ測定の結果、Ｍｗ　＝　５０００、
ＮＭＲ測定の結果、水素添加率は２０％であった。

また、ＵＶスペクトル測定の結果、原料ｍ−ＮＶＫに比
べて水素添加したｍ−ＮＶＫは２５０部ｍの透過率が約
２倍に向上した。

この水素添加したｍ−ＮＶＫ３０ｇ、０−二トロベンゼ
ンスルホン酸クロライド１５　ｇ及ヒ１．４−ジオキサ
ン３２０ｇを反応器に仕込み溶解した後、参考例１と同
様の方法で反応、後処理を行い、３０ｇの乾燥粉末を得
た。

この粉末をＨＬＣＳ　ＩＲ，ＮＭＲで分析したところＯ
−ニトロベンゼンスルホン酸が樹脂と反応してエステル
が生成していることが確認できた。

実ＪＬＬＬ 参考例１のＰＶＰのエステル１００部、フッ素系界面活
性剤０．０１部をエチルセロソルブアセテート４００部
に溶解し、０．１μｍのテトロンフィルター（ミリポア
社製）で濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液ヲシリコンウエハー上にスピナーで塗
布した後、８５°Ｃで２０分間ベータし、厚さ０．９μ
ｍのレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照
射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ　（キャノン社製）とテスト
用マスクを用いて露光を行った。次に、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ１１分間、浸
漬法により現像し、ポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、ハイコントラストのパターンが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
２００（テンコー社製）で測定すると０．８μｍであっ
た。

さらに、このパターンの形成されたウェハーをドライエ
ツチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ　（日型アネルバ社製）
を用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ、ガス
ＣＦ’４／Ｈ＝３０／１０、周波数１３．５６ＭＨｚで
エツチングしたところパターンのなかったところのみエ
ツチングされていることが観察された。

尖施貞） 実施例１のレジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナ
ーで塗布した後、８０°Ｃで１０分間ベータし、厚さ１
．０μｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをクリ
プトン／フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置
Ｃ２９２６（浜松ホトニクス社製）とテスト用マスクを
用いて露光を行った。

次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
２３°Ｃ１１分間、浸漬法により現像し、ポジ型パター
ンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９μｍであった。

実画１１尖 水素添加したＰＶＰ　１００部、参考例２のｍ　−ＮＶ
Ｋのエステル４５部をエチルセロソルブアセテート４０
０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィルターで濾過
しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、７５°Ｃで１０分間ベータし、厚さ１．０μ
ｍのレジスト膜を形成した。このウェハーを用いて実施
例１と同様の方法でポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、ハイコントラストのパターンが解像
していた。

災施尉土 実施例３のレジストを用いて実施例２と同様の方法でポ
ジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．８５μｍであった。

実施ｍ 参考例１のＰＶＰのエステル１００部、トリブロモメチ
ルフェニルスルホン５部、フッ素系界面活性剤０．０２
部をシクロへキサノン４００部に溶解し、０．１μｍの
テトロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液を用いて実施例２と同様の方法でポジ
型パターンを得た。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。

夫詣尉旦 実施例５のトリブロモメチルフェニルスルホンの代わり
に、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−フェニル
−５−）リアジン７部を配合して、レジスト溶液を調製
した。

上記レジスト溶液を用いて実施例２と同様の方法でポジ
型パターンを得た。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．５０μｍのライン＆スペースが
解像していた。

裏胤旌工 実施例５のトリブロモメチルフェニルスルホンの代わり
に、ジフェニールヨードニウムフロロボレート４部を配
合して、レジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液を用いて実施例１と同様の方法でポジ
型パターンを得た。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．５０μｍのライン＆スペースが
解像していた。

実施例ｌ 実施例５のトリブロモメチルフェニルスルホンの代わり
に、トリフェニールスルホニウムフロロボレート４部を
配合して、レジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液を用いて実施例３と同様の方法でポジ
型パターンを得た。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．５０μＩのライン＆スペースが
解像していた。

土較皿よ 水素添加してないＰＶＰとベンゼンスルホン酸クロライ
ドを参考例１の方法で反応させ、ＰＶＰのエステルを合
成した。

これを実施例１のレジストと同一配合として、実施例２
と同様の評価を行ったところパターンが抜けなかった。

止較孤Ｉ 通常のノボラック系ポジ型レジストをシリコンウェハー
上にスピナーで塗布した後、７５°Ｃで１０分間ベータ
し、厚さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウェ
ハーを実施例１と同様の方法で評価したところパターン
が抜けなかった。

（発明の効果） 本発明によれば、感度、解像度、耐エツチング性、保存
安定性などのバランスの優れたレジスト組成物が得られ
る。このものは特に短波長光を用いるリソグラフィーに
適したパターン形成材料として有用である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）水素添加したアルカリ可溶性フェノール樹脂の有
   機酸エステルを含有することを特徴とするレジスト組成
   物。
2. （２）水素添加したアルカリ可溶性フェノール樹脂の有
   機酸エステル及びアルカリ可溶性樹脂を含有することを
   特徴とするレジスト組成物
3. （３）請求項（１）項或いは（２）項記載のレジスト組
   成物に、露光時に酸を分離する化合物を添加してなるこ
   とを特徴とするレジスト組成物。