JPH02138484A - 高リン含有ニツケルメツキ方法 - Google Patents
高リン含有ニツケルメツキ方法Info
- Publication number
- JPH02138484A JPH02138484A JP28848088A JP28848088A JPH02138484A JP H02138484 A JPH02138484 A JP H02138484A JP 28848088 A JP28848088 A JP 28848088A JP 28848088 A JP28848088 A JP 28848088A JP H02138484 A JPH02138484 A JP H02138484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- film
- bath
- electroless
- phosphorus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的、〕
（産業上の利用分野）
本発明は高リン含有ニッケルメッキ法に関するもので、
摺動部を有する電気接点、プリント基板及び半田付部の
ある電気部品、配線部品に利用されるものである。
摺動部を有する電気接点、プリント基板及び半田付部の
ある電気部品、配線部品に利用されるものである。
（従来の技術）
本発明に係る従来の技術としては特開昭６０２４８８８
２号の公報がある。
２号の公報がある。
このものは、ニッケル膜中に原子比で２０〜２５％もの
高い比率でリンを含有させることが可能な無電解メッキ
浴で、この方法に作成された無電解ニッケルリン被膜は
、被膜中に２０〜２５％のリンを含有しており、耐薬品
性、耐摩耗性に優れている。
高い比率でリンを含有させることが可能な無電解メッキ
浴で、この方法に作成された無電解ニッケルリン被膜は
、被膜中に２０〜２５％のリンを含有しており、耐薬品
性、耐摩耗性に優れている。
（発明が解決しようとする課り
しかし前記高リン含有ニッケルメッキ法によるメッキ被
膜は摺動部を有する電気接点等の電気部品に応用した場
合に、必ず半田付工程があり、この半田濡れ性が悪いた
めに、電気接点を有する電気部品の製品に使用されない
という問題点がある。
膜は摺動部を有する電気接点等の電気部品に応用した場
合に、必ず半田付工程があり、この半田濡れ性が悪いた
めに、電気接点を有する電気部品の製品に使用されない
という問題点がある。
本発明は前記高リン含有ニッケルメッキ法によるメッキ
被膜に於いて、半田濡れ性の優れた無電解メッキ方法を
技術的課題とするもである。
被膜に於いて、半田濡れ性の優れた無電解メッキ方法を
技術的課題とするもである。
（課題を解決するための手段）
前記技術的課題を解決するために講じた技術的手段は次
のようである。すなわち、 被メッキ物のメッキ膜中に原子比２０〜２５％の高い比
率でリンを含有することが可能な無電解メッキ浴でメッ
キ後、被メッキ物を前記メッキ浴から出すことなく、連
続に同じメッキ浴に浸漬させたまま、１〜ＩＯＡ／ｄｍ
”の電流密度の電流を１−１０分又はそれ以上の間流し
、被メッキ物の表面上に電気メッキ層を薄く積層する高
リン含有ニッケルメッキ無電解メッキ方法である。
のようである。すなわち、 被メッキ物のメッキ膜中に原子比２０〜２５％の高い比
率でリンを含有することが可能な無電解メッキ浴でメッ
キ後、被メッキ物を前記メッキ浴から出すことなく、連
続に同じメッキ浴に浸漬させたまま、１〜ＩＯＡ／ｄｍ
”の電流密度の電流を１−１０分又はそれ以上の間流し
、被メッキ物の表面上に電気メッキ層を薄く積層する高
リン含有ニッケルメッキ無電解メッキ方法である。
耐薬品性１、耐摩耗性に優れた無電解ニッケルリン被膜
上に、電気メッキにより被膜の最上部のみにリン含有率
を強制的に低下させたメッキ膜を設けたもので、半田濡
れ性が大幅に向上するものである。
上に、電気メッキにより被膜の最上部のみにリン含有率
を強制的に低下させたメッキ膜を設けたもので、半田濡
れ性が大幅に向上するものである。
無電解メッキと電解メッキについては、（１）Ｎｔ”→
Ｎｉ’ −２ｅ−、（２）３ＰＯ”→Ｐ０＋２ＰＯ！−
＋２ｅ−で、無電解メッキ、電気メッキ共メッキ浴中に
て上記（１）、 （２）の反応が起こっているが、電
気メッキの場合前記（１）の反応は電流密度の大きさに
支配されており、それに比べ（２）の反応はほとんど一
定である。
Ｎｉ’ −２ｅ−、（２）３ＰＯ”→Ｐ０＋２ＰＯ！−
＋２ｅ−で、無電解メッキ、電気メッキ共メッキ浴中に
て上記（１）、 （２）の反応が起こっているが、電
気メッキの場合前記（１）の反応は電流密度の大きさに
支配されており、それに比べ（２）の反応はほとんど一
定である。
従って、電流密度をかえることにより被膜中のリン含有
率をコントロールすることが可能である。
率をコントロールすることが可能である。
本発明は高リン含有の無電解メッキ膜の最上部層に原子
比で最大２５％までの範囲でリン含有率を制御したニッ
ケル膜を積層させることにより耐薬品性、耐摩耗性の特
性にさらに半田濡れ性を向上したものである。
比で最大２５％までの範囲でリン含有率を制御したニッ
ケル膜を積層させることにより耐薬品性、耐摩耗性の特
性にさらに半田濡れ性を向上したものである。
（実施例）
以下実施例について説明する。
第１図は摺動部Ａをする電気接点で、１はエポキシ板で
、前記摺動部は銅箔２及びメッキ膜３よりなり、４は６
元系元金ブラシである。
、前記摺動部は銅箔２及びメッキ膜３よりなり、４は６
元系元金ブラシである。
ガラスエボキン銅張り積層板（ＣＥＭ３．銅箔厚み３５
μｍ）に所定形状パターンがエツチング法により形成さ
れた基板１の銅箔部２に高リン含有無電解ニッケルメッ
キ３ くアモルファスメッキ）を施すものである。
μｍ）に所定形状パターンがエツチング法により形成さ
れた基板１の銅箔部２に高リン含有無電解ニッケルメッ
キ３ くアモルファスメッキ）を施すものである。
メッキの前処理としては、
（１）脱脂・・・ｏｐｃクリーン９１ （奥野製薬）、
５０ｃｃ／ｌ （イオン交換水）３０℃、２分浸漬、 （２）ソフトエツチング・・・渦流酸ナトリウム（Ｎａ
ｚ ｓｚ ｏｌ ）１００ｇ／Ｉ！ （イオン交換水３
０℃２分、 （３）酸洗・・・硫酸１００”／ｊ’ （イオン交換水
）３０℃１分浸漬、 の３工程で処理した。
５０ｃｃ／ｌ （イオン交換水）３０℃、２分浸漬、 （２）ソフトエツチング・・・渦流酸ナトリウム（Ｎａ
ｚ ｓｚ ｏｌ ）１００ｇ／Ｉ！ （イオン交換水３
０℃２分、 （３）酸洗・・・硫酸１００”／ｊ’ （イオン交換水
）３０℃１分浸漬、 の３工程で処理した。
次に高リンニッケルメッキについては特願昭６０−２４
８８８２号公報に記載のように、塩化ニッケル・・・２
０ｇ／Ｉ！、次亜リン酸ナトリウム・・・１００ｇ／ｌ
、 リエン酸３ナトリウム・・・５０ｇ／ｊ！、 サ
ッカリンナトリウム・・・２ｇＩＣ硫酸リチウム・・・
２５ｇ／１．※Ｃ３゜Ｈ１ｓＮａ３０．・・・３ｇ／Ｌ ※（Ｎ−２ヒドロキシエチルエチレンジアミンＮＮ’
Ｎ”酢酸３ナトリウム） よりなるメ・ンキン夜にて行う。
８８８２号公報に記載のように、塩化ニッケル・・・２
０ｇ／Ｉ！、次亜リン酸ナトリウム・・・１００ｇ／ｌ
、 リエン酸３ナトリウム・・・５０ｇ／ｊ！、 サ
ッカリンナトリウム・・・２ｇＩＣ硫酸リチウム・・・
２５ｇ／１．※Ｃ３゜Ｈ１ｓＮａ３０．・・・３ｇ／Ｌ ※（Ｎ−２ヒドロキシエチルエチレンジアミンＮＮ’
Ｎ”酢酸３ナトリウム） よりなるメ・ンキン夜にて行う。
メッキ液は９０℃、ＰＨは４．６に調整し、前処理の終
了した基板をこのメッキ液に浸漬し、１分間、１■の通
電を行う。
了した基板をこのメッキ液に浸漬し、１分間、１■の通
電を行う。
このとき基板は陰極であり、陽極としてステンレス板又
はニッケル板を使用してもよい。
はニッケル板を使用してもよい。
１分後通電をやめ８０分無電解メッキを行うと、約７μ
ｍのメッキ膜が形成される。
ｍのメッキ膜が形成される。
その後前記基板をメッキ沿から出さすに、２．５Ａ／ｄ
ｍ”の大きさの電流を流すと（このとき基板は陰極、陽
極はニッケル板）、５分で約１．５μｍの電気メッキ被
膜が無電解被膜に形成される。このときの最表面のリン
含有率はＥＰＭＡ分析により、原子比で１０％である。
ｍ”の大きさの電流を流すと（このとき基板は陰極、陽
極はニッケル板）、５分で約１．５μｍの電気メッキ被
膜が無電解被膜に形成される。このときの最表面のリン
含有率はＥＰＭＡ分析により、原子比で１０％である。
次に第２図〜第４図にメッキ被膜の断面を示す、第３図
に示す高すン含有無電解＋低リン含有電解によるニッケ
ルメッキ被膜と、第２図に示す従来の高リン含有無電解
ニッケル被膜及び第４図に示す電気メッキのみのニッケ
ル被膜との半田濡れ性、耐薬品性、耐摩耗性についての
比較を第１表に示す、第２図〜第４図に於いて５はガラ
スエボキン６は銅箔、７は無電解メッキ膜、８は電解メ
ッキ膜である。
に示す高すン含有無電解＋低リン含有電解によるニッケ
ルメッキ被膜と、第２図に示す従来の高リン含有無電解
ニッケル被膜及び第４図に示す電気メッキのみのニッケ
ル被膜との半田濡れ性、耐薬品性、耐摩耗性についての
比較を第１表に示す、第２図〜第４図に於いて５はガラ
スエボキン６は銅箔、７は無電解メッキ膜、８は電解メ
ッキ膜である。
注１．濡れ面積において、テストピースにレジン系フラ
ックスを塗布後乾燥させ、２３０±３℃に温調された共
晶半田の槽へ５±０．５秒浸漬、注２．耐薬品性につい
ては塩化第２鉄３００ｇ／ｌ、３０℃、１分間浸漬、 注３．耐摩耗性について６元素合金（Ｐｔ、 Ａｕ。
ックスを塗布後乾燥させ、２３０±３℃に温調された共
晶半田の槽へ５±０．５秒浸漬、注２．耐薬品性につい
ては塩化第２鉄３００ｇ／ｌ、３０℃、１分間浸漬、 注３．耐摩耗性について６元素合金（Ｐｔ、 Ａｕ。
Ｐｄ、他元素）ブラシにて、テストピースに９ｇの荷重
を加え２００万回往復、 上記の結果より、従来の優れた特性（耐薬品性、耐摩耗
性）を損なうことなく、又欠点とされていた半田１濡れ
性を大きく向上させることができた。
を加え２００万回往復、 上記の結果より、従来の優れた特性（耐薬品性、耐摩耗
性）を損なうことなく、又欠点とされていた半田１濡れ
性を大きく向上させることができた。
第５図は本実施例の場合の無電解メッキ膜＋電気メッキ
膜の厚み方向のリン含有率を表したもので、第６図は本
実施例の電流と時間との関係を表したものである。
膜の厚み方向のリン含有率を表したもので、第６図は本
実施例の電流と時間との関係を表したものである。
本発明は次の効果を有する。すなわち、従来技術に比較
して半田濡れ性が良く、半田付作業についてロボット等
により自動化する場合には極めて有効なものである。
して半田濡れ性が良く、半田付作業についてロボット等
により自動化する場合には極めて有効なものである。
第１図の（イ）は摺動部を有する電気接点の説明図、（
ロ）は（イ）の要部の断面図、第２図〜ヰ 第９図は各メッキ層の断面説明図、第５図はメッキ層の
厚みとリン含有率との関係図、第６図は本実施例の電流
と時間の関係図である。 Ａ・・・電気的摺動部。 ■・・・基板。 ２．６・・・銅箔。 ３・・・メッキ膜。 ７・・・無電解メッキ膜 ８・・・電解メッキ膜。
ロ）は（イ）の要部の断面図、第２図〜ヰ 第９図は各メッキ層の断面説明図、第５図はメッキ層の
厚みとリン含有率との関係図、第６図は本実施例の電流
と時間の関係図である。 Ａ・・・電気的摺動部。 ■・・・基板。 ２．６・・・銅箔。 ３・・・メッキ膜。 ７・・・無電解メッキ膜 ８・・・電解メッキ膜。
Claims (1)
- 被メッキ物のメッキ膜中に原子比で２０〜２５％の高い
比率でリンを含有することが可能な無電解メッキ浴でメ
ッキ後、前記被メッキ物を前記メッキ浴から出すことな
く、連続的にメッキ浴中に浸漬させたまま、１〜１０Ａ
／ｄｍ＾２の電流密度の電流を１〜１０分又はそれ以上
の間流し、被メッキ物の表面上に電気メッキ層を薄く積
層する高リン含有ニッケルメッキ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28848088A JPH02138484A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 高リン含有ニツケルメツキ方法 |
| US07/436,647 US4994329A (en) | 1988-11-15 | 1989-11-15 | Article having nickel plated film comprising a varying content of phosphorus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28848088A JPH02138484A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 高リン含有ニツケルメツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138484A true JPH02138484A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17730753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28848088A Pending JPH02138484A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 高リン含有ニツケルメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015876A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Metal material |
| JP2015170575A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | セイコーインスツル株式会社 | 基板ユニット、電気化学セルユニットおよび電気化学セルユニット製造方法 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP28848088A patent/JPH02138484A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015876A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Metal material |
| US6613451B1 (en) | 1998-09-11 | 2003-09-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Metallic material |
| JP2015170575A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | セイコーインスツル株式会社 | 基板ユニット、電気化学セルユニットおよび電気化学セルユニット製造方法 |
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