JPH02194182A - 高リン含有ニツケルメツキ方法 - Google Patents
高リン含有ニツケルメツキ方法Info
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- JPH02194182A JPH02194182A JP29658688A JP29658688A JPH02194182A JP H02194182 A JPH02194182 A JP H02194182A JP 29658688 A JP29658688 A JP 29658688A JP 29658688 A JP29658688 A JP 29658688A JP H02194182 A JPH02194182 A JP H02194182A
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Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は高リン含有ニッケルメッキ法に関するもので、
摺動部を有する電気接点、プリント基板及び半田付部の
ある電気部品、配線部品に利用されるものである。
摺動部を有する電気接点、プリント基板及び半田付部の
ある電気部品、配線部品に利用されるものである。
(従来の技術)
本発明に係る従来技術として特開昭60−248882
号の公報がある。
号の公報がある。
このものはニッケル被膜中に原子比で20〜25%もの
高い比率でリンを含有させることが出来る無電解メツキ
浴で、この方法にて作成された無電解ニッケルメッキリ
ン被膜は、被膜中に20〜25%のリンを含有しており
、耐薬品性及び耐摩耗性に優れている。
高い比率でリンを含有させることが出来る無電解メツキ
浴で、この方法にて作成された無電解ニッケルメッキリ
ン被膜は、被膜中に20〜25%のリンを含有しており
、耐薬品性及び耐摩耗性に優れている。
然し前記高リン含有ニッケルメッキ法を電気部品に応用
した場合には半田濡れ性が悪いために、これの改良のた
めの関連技術として、高い比率でリンを含有した無電解
メツキ浴後、連続して同じメツキ浴に浸漬させて、リン
含有率の低い電気メツキの皮膜を重ね半田濡れ性を良好
にするメツキ方法がある。
した場合には半田濡れ性が悪いために、これの改良のた
めの関連技術として、高い比率でリンを含有した無電解
メツキ浴後、連続して同じメツキ浴に浸漬させて、リン
含有率の低い電気メツキの皮膜を重ね半田濡れ性を良好
にするメツキ方法がある。
(発明が解決しようとする課題)
しかし前記高リン含有ニッケルメッキの表層に低リン含
有の電気メツキを行うことにより、耐薬品性と、耐摩耗
性に優れ更に半田濡れ性の良いメツキ被膜が得られるが
、無電解メツキの層と電気メツキの層は、リン含有率が
大幅に異なり、特性の異なる層で境界がはっきりと確認
でき、そのために電気メツキの層が1μm以上に厚くな
ると熱衝撃あるいは機械的な応力が加わった時に電気メ
ツキの層が剥離したり、半田付後に電気メツキの層もろ
とも剥れてしまうという問題点がある。
有の電気メツキを行うことにより、耐薬品性と、耐摩耗
性に優れ更に半田濡れ性の良いメツキ被膜が得られるが
、無電解メツキの層と電気メツキの層は、リン含有率が
大幅に異なり、特性の異なる層で境界がはっきりと確認
でき、そのために電気メツキの層が1μm以上に厚くな
ると熱衝撃あるいは機械的な応力が加わった時に電気メ
ツキの層が剥離したり、半田付後に電気メツキの層もろ
とも剥れてしまうという問題点がある。
第4図にその状況を示し11は電気メツキ層、12は無
電解メツキ層、13は母材で14は境界面でありこの境
界面より剥離し易いものである。
電解メツキ層、13は母材で14は境界面でありこの境
界面より剥離し易いものである。
本発明は前記電気メツキ層と無電解メツキ層の間に於い
て良好な密着性のあるメツキ方法を技術的課題とするも
のである。
て良好な密着性のあるメツキ方法を技術的課題とするも
のである。
(課題を解決するための手段)
前記技術的課題を解決するための手段は次のようである
。すなわち、 高リン含有の無電解ニッケルメッキ後連続して電気メツ
キの反応を進行させる場合に、電気メツキの電流密度を
Oから開始して10A/dm”以内の電流密度まで連続
的に又はOから10A/dmz以内の最終の電流密度ま
で連続的増加後、更に最終電流密度まで定電流電解を行
い、メツキ皮膜中のリン含有率を、無電解メツキのみで
析出した高リン含有の部分から電気メツキと無電解メツ
キが並行反応している低リン含有の部分まで連続的に変
化させて、リン含有率の不連続な境界が無いメツキ皮膜
を析出するメツキ方法である。
。すなわち、 高リン含有の無電解ニッケルメッキ後連続して電気メツ
キの反応を進行させる場合に、電気メツキの電流密度を
Oから開始して10A/dm”以内の電流密度まで連続
的に又はOから10A/dmz以内の最終の電流密度ま
で連続的増加後、更に最終電流密度まで定電流電解を行
い、メツキ皮膜中のリン含有率を、無電解メツキのみで
析出した高リン含有の部分から電気メツキと無電解メツ
キが並行反応している低リン含有の部分まで連続的に変
化させて、リン含有率の不連続な境界が無いメツキ皮膜
を析出するメツキ方法である。
(作用)
リン含有率の高い部分から、リン含有率の低い部分(皮
膜表層部)まで連続的にリン含有率を変え(M成に勾配
をもたせて)第5図に示す母材13の表面に境界の無い
メツキ皮膜lOを形成するもので、境界がないメツキ被
膜10には応力が加わっても、応力が集中する境界が無
いので剥離しにくい、そのために熱衝撃、折曲げ等の機
械的な外力に強い構造が形成される。
膜表層部)まで連続的にリン含有率を変え(M成に勾配
をもたせて)第5図に示す母材13の表面に境界の無い
メツキ皮膜lOを形成するもので、境界がないメツキ被
膜10には応力が加わっても、応力が集中する境界が無
いので剥離しにくい、そのために熱衝撃、折曲げ等の機
械的な外力に強い構造が形成される。
前記メツキ方法に於いて電気メツキを行っている間にも
無電解メツキの応力は進行しているので電流密度の大小
によって被膜中のリン含有率が変化するものである。
無電解メツキの応力は進行しているので電流密度の大小
によって被膜中のリン含有率が変化するものである。
(A)無電解メツキ Ni”−*Ni’ −2e3 P
O”−P’ + 2 PO”−+ 2 e−CB)電気
メツキ Ni”−NiO−2e−すなわち、電流密度
が大きい程(B)電気メツキ反応の割合が増大し、リン
の析出よりもニッケルの析出の方が相対的に増大するの
で、リン含有率としては減少し、メツキ析出速度は増大
する。
O”−P’ + 2 PO”−+ 2 e−CB)電気
メツキ Ni”−NiO−2e−すなわち、電流密度
が大きい程(B)電気メツキ反応の割合が増大し、リン
の析出よりもニッケルの析出の方が相対的に増大するの
で、リン含有率としては減少し、メツキ析出速度は増大
する。
又電流密度を変化させて、好みのリン含有率に制御する
ことも可能であり、電流密度を10A/dm”以上にし
ないのはヤケ防止のためである。
ことも可能であり、電流密度を10A/dm”以上にし
ないのはヤケ防止のためである。
(実施例)
以下実施例について説明する。
第1図に於いてAは摺動部5を有する電気接点で、1は
ガラスエボキン基板、2は銅箔パターンで、3はメツキ
被膜、4はブラシである。
ガラスエボキン基板、2は銅箔パターンで、3はメツキ
被膜、4はブラシである。
実施例1 (第3図A)
ガラスエポキン銅張り積層板1 (OEM−31Pl
箔厚さ35μm)に所定形状のパターン2がエツチング
法により形成された基板の銅箔部に(アモルファス)高
リン含有無電解ニッケルメッキ3を施す。メツキの目的
はブラシ4が摺動する摺動部5の耐薬品性向上、耐摩耗
性向上のためである。
箔厚さ35μm)に所定形状のパターン2がエツチング
法により形成された基板の銅箔部に(アモルファス)高
リン含有無電解ニッケルメッキ3を施す。メツキの目的
はブラシ4が摺動する摺動部5の耐薬品性向上、耐摩耗
性向上のためである。
メツキの前処理として(1)脱脂・・・OPCクリーン
91 (奥野製薬)50cc/J、30℃2分浸漬。(
2)ソフトエツチング・・・過硫酸ナトリウム(Nag
St Os )100g/130℃2分浸漬。(3)
酸洗・・・硫酸100 g/4130℃、1分浸漬の3
工程を処理した。すなわち脱脂→水洗→ソフトエツチグ
→水洗−酸洗→水洗と行うものである。
91 (奥野製薬)50cc/J、30℃2分浸漬。(
2)ソフトエツチング・・・過硫酸ナトリウム(Nag
St Os )100g/130℃2分浸漬。(3)
酸洗・・・硫酸100 g/4130℃、1分浸漬の3
工程を処理した。すなわち脱脂→水洗→ソフトエツチグ
→水洗−酸洗→水洗と行うものである。
次に高リン含有ニッケルメッキについては特願昭60−
248882号公報にて記載の如く、メツキ液は90℃
に保持し、PHは4.8に調整した後、前処理の終了し
た基板6を第2図に示すメツキ工程を行うもので、メツ
キ液7に浸漬し、1分間1■通電しメツキ開始する、(
イ)メツキスタート、(ロ)は無電解メツキのみ、(ハ
)は電気メツキで、8は陽極でニッケル板よりなり、9
は電流調整機である。上記条件では80分で7μmの無
電解メツキ析出速度である。
248882号公報にて記載の如く、メツキ液は90℃
に保持し、PHは4.8に調整した後、前処理の終了し
た基板6を第2図に示すメツキ工程を行うもので、メツ
キ液7に浸漬し、1分間1■通電しメツキ開始する、(
イ)メツキスタート、(ロ)は無電解メツキのみ、(ハ
)は電気メツキで、8は陽極でニッケル板よりなり、9
は電流調整機である。上記条件では80分で7μmの無
電解メツキ析出速度である。
メツキ開始後80分で基板を引上げることなく、メツキ
部6に再び電源を接続し、5分間にわたって電流密度が
OA/dm”から5A/dm”まで徐々に上昇する様に
通電し、電気メツキを実施した。
部6に再び電源を接続し、5分間にわたって電流密度が
OA/dm”から5A/dm”まで徐々に上昇する様に
通電し、電気メツキを実施した。
この場合第3図のAに示すように電流密度を変化させ、
メツキの完了した基板は水洗後、乾燥し使用する。
メツキの完了した基板は水洗後、乾燥し使用する。
このように作製したメツキ被膜の半田濡れ性は、メツキ
終了時の電気メツキ処理をしないものに比較してはるか
に良好で、半田濡れ性の評価として以下のような比較試
験を行った。
終了時の電気メツキ処理をしないものに比較してはるか
に良好で、半田濡れ性の評価として以下のような比較試
験を行った。
ニッケルメッキしたテストピースをレジン系のフラック
スに浸漬し、乾燥させ230±3℃に温度調整された共
晶半田の槽へ5±0.5秒浸漬した、その結果を第1表
に示す。
スに浸漬し、乾燥させ230±3℃に温度調整された共
晶半田の槽へ5±0.5秒浸漬した、その結果を第1表
に示す。
第
■
表
*1 塩化第2鉄 300g/l 30℃1分間浸漬
*2 基板もろとも折曲げて、メツキ皮膜のはがれの有
無を拡大鏡で観察する。
無を拡大鏡で観察する。
第1表より半田濡れ性は自動半田工程が可能なレベルに
まで向上し、他のメツキ皮膜物性(耐薬品性、密着性)
は損なわれていないことがわかった。
まで向上し、他のメツキ皮膜物性(耐薬品性、密着性)
は損なわれていないことがわかった。
実施例2(第3図B)
実施例1に於いて電気メツキ工程の電流密度及びその増
加曲線を第3図のBに示すように5分間にわたッテ、O
A/dmzから2.5 A/dm!マ”??直線的に変
化させた。
加曲線を第3図のBに示すように5分間にわたッテ、O
A/dmzから2.5 A/dm!マ”??直線的に変
化させた。
実施例3(第3図C)
実施例1に於いて第3図のCに示すように5分間にわた
ってOA/dIll”から10A/drszまで電流を
直線的に増加させた。
ってOA/dIll”から10A/drszまで電流を
直線的に増加させた。
実施例4(第3図D)
実施例1に於いて第3図りに示すように2.5分間、O
A/dm”から5A/dm”まで電流密度を直線的に増
加させ、その後、5A/dm2のままで、更に2.5分
間定電流密度で電気メツキを行った。
A/dm”から5A/dm”まで電流密度を直線的に増
加させ、その後、5A/dm2のままで、更に2.5分
間定電流密度で電気メツキを行った。
以上の実施2〜4の比較を第2表に示す。
第 2 表
第2表より実施例2は半田濡れ性が電気メツキなしのサ
ンプルと比較すれば良いものの、実施例3及び4に比べ
て劣る。他のメツキ被膜物性は問題が無く、密着性も充
分であった。
ンプルと比較すれば良いものの、実施例3及び4に比べ
て劣る。他のメツキ被膜物性は問題が無く、密着性も充
分であった。
次にサンプルの表面のリン含有率をEPMAで分析する
と第3表のようになる。
と第3表のようになる。
測定誤差、深さ方向の分布を考慮しても、電流密度が大
きい程、電気メツキの時間が長い程、ニッケルメッキ被
膜のリン含有率が小さいことがわかった。
きい程、電気メツキの時間が長い程、ニッケルメッキ被
膜のリン含有率が小さいことがわかった。
本発明は次の効果を有する。すなわち、半田付をする際
に、半田と合金層を作るメツキ被膜表面の近くだけ、リ
ン含有率を小さくして、半田濡れ性を良くし、更に実使
用状態で想定される熱応力、機械的応力に対し強い密着
性をもつものである。
に、半田と合金層を作るメツキ被膜表面の近くだけ、リ
ン含有率を小さくして、半田濡れ性を良くし、更に実使
用状態で想定される熱応力、機械的応力に対し強い密着
性をもつものである。
表面近くのリン含有率を制御できるので、メツキ被膜性
、例えば耐薬品性を変化でき、メツキ被膜の深さも制御
できるものである。
、例えば耐薬品性を変化でき、メツキ被膜の深さも制御
できるものである。
第1図は摺動部を有する電気接点で(イ)は平面図、(
ロ)は要部の断面図、第2図の(イ)〜(ハ)はメツキ
工程の説明図、第3図は各実施例の電流密度変化曲線図
、第4図は従来技術によるメツキ皮膜の断面図、第5図
の(イ)は本実施例の断面図、(ロ)はリン含有率変化
曲線図である。 A・・・摺動部を有する電気接点部品。 1・・・基板。 3・・・メツキ被膜。 5・・・摺動部。
ロ)は要部の断面図、第2図の(イ)〜(ハ)はメツキ
工程の説明図、第3図は各実施例の電流密度変化曲線図
、第4図は従来技術によるメツキ皮膜の断面図、第5図
の(イ)は本実施例の断面図、(ロ)はリン含有率変化
曲線図である。 A・・・摺動部を有する電気接点部品。 1・・・基板。 3・・・メツキ被膜。 5・・・摺動部。
Claims (2)
- (1)被メツキ物を高リン含有の無電解ニツケルメツキ
浴にてメツキ後、前記被メツキ物をメツキ浴から出すこ
となく、連続的に前記メツキ浴中に浸漬して電気メツキ
を行い、電気メツキの電流密度を0から10A/dm^
2以内の電流密度まで連続的に増加させ、メツキ被膜を
高リン含有部分から低リン含有部分まで連続的に変化さ
せる高リン含有リンニツケルメツキ方法。 - (2)請求項(1)の電流密度の変化に於いて、電流密
度を0から10A/dm^2以内の最終電流密度まで連
続的に増加させ、更に最終電流密度で定電流電解メツキ
を行う、高リン含有ニツケルメツキ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29658688A JPH02194182A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 高リン含有ニツケルメツキ方法 |
| US07/436,647 US4994329A (en) | 1988-11-15 | 1989-11-15 | Article having nickel plated film comprising a varying content of phosphorus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29658688A JPH02194182A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 高リン含有ニツケルメツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194182A true JPH02194182A (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=17835464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29658688A Pending JPH02194182A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-24 | 高リン含有ニツケルメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194182A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009102674A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Ebara Corp | めっき方法及びめっき装置 |
| JP2010176863A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Alps Electric Co Ltd | 電気接点及びその製造方法 |
| CN111354626A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
| JPWO2022158188A1 (ja) * | 2021-01-20 | 2022-07-28 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5844738A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-15 | Toshiba Corp | サフアイヤ基板のスクライビング方法 |
| JPS6263677A (ja) * | 1985-09-16 | 1987-03-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 無電解ニツケルメツキ方法 |
-
1988
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