JPH0213932B2 - - Google Patents
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- JPH0213932B2 JPH0213932B2 JP59257087A JP25708784A JPH0213932B2 JP H0213932 B2 JPH0213932 B2 JP H0213932B2 JP 59257087 A JP59257087 A JP 59257087A JP 25708784 A JP25708784 A JP 25708784A JP H0213932 B2 JPH0213932 B2 JP H0213932B2
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- Japan
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- resin
- support plate
- main surface
- resin body
- chip
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
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- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、電力用ダイオ
ード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
ード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
電力用樹脂封止型半導体装置において、半導体
チツプが固着された支持板の裏面にも成形樹脂層
を形成すれば、半導体装置を外部放熱体に取付け
る際に従来使用していた絶縁薄板が不要になる。
しかし、この構造では、支持板裏面に形成される
成形樹脂層が数百μｍという薄いものであるた
め、この成形樹脂層が支持板から剥離してしまう
ことがある。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半
導体装置がオン・オフ動作を繰り返すことによる
熱ストレスに基づくものと考えられる。上記剥離
が生じると、機械的強度の低下はもとより、放熱
特性や絶縁性の低下などの不都合が起る。
チツプが固着された支持板の裏面にも成形樹脂層
を形成すれば、半導体装置を外部放熱体に取付け
る際に従来使用していた絶縁薄板が不要になる。
しかし、この構造では、支持板裏面に形成される
成形樹脂層が数百μｍという薄いものであるた
め、この成形樹脂層が支持板から剥離してしまう
ことがある。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半
導体装置がオン・オフ動作を繰り返すことによる
熱ストレスに基づくものと考えられる。上記剥離
が生じると、機械的強度の低下はもとより、放熱
特性や絶縁性の低下などの不都合が起る。
樹脂の剥離を防止するために、樹脂を被着させ
る面に凹凸や溝を設けることは公知である。この
種の公知技術をリードフレームに適用することも
例えば実開昭57−175448号公報で知られている。
る面に凹凸や溝を設けることは公知である。この
種の公知技術をリードフレームに適用することも
例えば実開昭57−175448号公報で知られている。
ところで、支持板の裏面側には樹脂体を極めて
薄く形成する場合には、支持板の裏面側における
樹脂の流動性が悪くなる。更に、支持板の裏面に
凹凸や溝を形成すると、樹脂の流動性がますます
悪くなる。そこで、本発明の目的は、支持板の裏
面側に剥離し難い状態に薄い成形樹脂体を形成す
ることが出来る樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供することにある。
薄く形成する場合には、支持板の裏面側における
樹脂の流動性が悪くなる。更に、支持板の裏面に
凹凸や溝を形成すると、樹脂の流動性がますます
悪くなる。そこで、本発明の目的は、支持板の裏
面側に剥離し難い状態に薄い成形樹脂体を形成す
ることが出来る樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、実施例を
示す図面の符号を参照して説明すると、放熱機能
及び電気伝導機能を有する支持板２と、前記支持
板２の一方の主表面２ａ上に装着された半導体チ
ツプ９と、前記支持板２の一方及び他方の主表面
２ａ，２ｂを被覆するように形成され且つ前記支
持板２の一方の主表面２ａ側が他方の主表面２ｂ
側よりも厚くなるように形成された成形樹脂体１
９とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、前記支持板２の他方の主表面２ｂの少な
くとも一部に粗面１３を形成すること、前記成形
樹脂体１９を形成するための成形空所１７におけ
る前記支持板２の一方の主表面２ａ側の成形空所
に樹脂の流れを抑制するような突出部１５ｃを有
する樹脂成形用型１５，１６を用意すること、前
記チツプ９が固着され且つ前記粗面１３が形成さ
れている支持板２を前記樹脂成形用型１５，１６
の成形空所１７内に配置し、前記成形空所１７の
側面に設けられた注入孔１８から液状の樹脂を注
入して前記成形樹脂体１９を形成することを含む
樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わるもので
ある。
示す図面の符号を参照して説明すると、放熱機能
及び電気伝導機能を有する支持板２と、前記支持
板２の一方の主表面２ａ上に装着された半導体チ
ツプ９と、前記支持板２の一方及び他方の主表面
２ａ，２ｂを被覆するように形成され且つ前記支
持板２の一方の主表面２ａ側が他方の主表面２ｂ
側よりも厚くなるように形成された成形樹脂体１
９とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、前記支持板２の他方の主表面２ｂの少な
くとも一部に粗面１３を形成すること、前記成形
樹脂体１９を形成するための成形空所１７におけ
る前記支持板２の一方の主表面２ａ側の成形空所
に樹脂の流れを抑制するような突出部１５ｃを有
する樹脂成形用型１５，１６を用意すること、前
記チツプ９が固着され且つ前記粗面１３が形成さ
れている支持板２を前記樹脂成形用型１５，１６
の成形空所１７内に配置し、前記成形空所１７の
側面に設けられた注入孔１８から液状の樹脂を注
入して前記成形樹脂体１９を形成することを含む
樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わるもので
ある。
上記発明において、樹脂成形用型１５，１６の
突出部１５ｃは、支持板２の一方の主表面側２ａ
における樹脂の流れを抑制し、相対的に他方の主
表面２ｂ側の樹脂の流れが強くなる。この結果、
支持板２の他方の主表面２ｂに粗面１３を設け且
つここに薄く樹脂体を設ける場合であつても、支
持板２の他方の主表面２ｂ側に樹脂が良好に充填
され、剥離し難く且つ薄い樹脂体を形成すること
が出来る。
突出部１５ｃは、支持板２の一方の主表面側２ａ
における樹脂の流れを抑制し、相対的に他方の主
表面２ｂ側の樹脂の流れが強くなる。この結果、
支持板２の他方の主表面２ｂに粗面１３を設け且
つここに薄く樹脂体を設ける場合であつても、支
持板２の他方の主表面２ｂ側に樹脂が良好に充填
され、剥離し難く且つ薄い樹脂体を形成すること
が出来る。
次に、第１図〜第８図を参照して本発明の実施
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法について述べる。
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法について述べる。
リードフレーム１を示す第１図において、２は
Ni被覆Cu板から成る支持板、４は支持板２の一
端に連結された支持板接続用外部リード、３，５
はチツプ接続用外部リード、６は外部リードを橋
絡するタイバー、７は外部リード端を連結する共
通接続細条、８は成形樹脂体に取付孔を形成する
ためのＵ字状切欠部である。第１図にはトランジ
スタ１個分のリードフレーム１が示されている
が、実際には多数個（例えば10個）分が並列配置
されている。支持板２の一方の主表面２ａ上には
パワートランジスタチツプ９が半田（図示せず）
で固着されている。チツプ９は、上面にベース電
極及びエミツタ電極を有し、下面にコレクタ電極
を有する。従つて、コレクタ電極が支持板２に接
続されている。チツプ９のベース電極と外部リー
ド３の間、及びチツプ９のエミツタ電極と外部リ
ード５の間は、それぞれAl線から成る内部リー
ド１０，１１で接続されている。１２はジヤンク
シヨンコーテイングレジンと呼ばれる例えばシリ
コン樹脂からなる保護用樹脂で、チツプ９を被覆
及び保護している。
Ni被覆Cu板から成る支持板、４は支持板２の一
端に連結された支持板接続用外部リード、３，５
はチツプ接続用外部リード、６は外部リードを橋
絡するタイバー、７は外部リード端を連結する共
通接続細条、８は成形樹脂体に取付孔を形成する
ためのＵ字状切欠部である。第１図にはトランジ
スタ１個分のリードフレーム１が示されている
が、実際には多数個（例えば10個）分が並列配置
されている。支持板２の一方の主表面２ａ上には
パワートランジスタチツプ９が半田（図示せず）
で固着されている。チツプ９は、上面にベース電
極及びエミツタ電極を有し、下面にコレクタ電極
を有する。従つて、コレクタ電極が支持板２に接
続されている。チツプ９のベース電極と外部リー
ド３の間、及びチツプ９のエミツタ電極と外部リ
ード５の間は、それぞれAl線から成る内部リー
ド１０，１１で接続されている。１２はジヤンク
シヨンコーテイングレジンと呼ばれる例えばシリ
コン樹脂からなる保護用樹脂で、チツプ９を被覆
及び保護している。
支持板２の裏面即ち他方の主表面２ｂには第２
図に示す如く帯状に粗面１３が設けられている。
この粗面１３の形成は、リードフレーム１にチツ
プ９を接着する前になされている。即ち、粗面１
３の形成は、板状部材からリードフレーム１を製
作する工程において、例えば放電加工技術によつ
て粗面加工されたプレス型を支持板２の他方の主
表面２ｂに押し当て、粗面形状を転写する圧印加
工することによつてなす。なお、粗面１３は第３
図に示す如く深さ又は高さが約50μｍの微細な凹
凸から成り、面粗度約50μｍに形成されている。
図に示す如く帯状に粗面１３が設けられている。
この粗面１３の形成は、リードフレーム１にチツ
プ９を接着する前になされている。即ち、粗面１
３の形成は、板状部材からリードフレーム１を製
作する工程において、例えば放電加工技術によつ
て粗面加工されたプレス型を支持板２の他方の主
表面２ｂに押し当て、粗面形状を転写する圧印加
工することによつてなす。なお、粗面１３は第３
図に示す如く深さ又は高さが約50μｍの微細な凹
凸から成り、面粗度約50μｍに形成されている。
支持板２の先端部１４は、金型で支持される部
分であり、第１図に示す如く裏面側の高さ位置が
高くなるように薄く形成されている。
分であり、第１図に示す如く裏面側の高さ位置が
高くなるように薄く形成されている。
第１図に示すチツプ・リードフレーム組立体が
完成したら、次に、第４図及び第５図に示す如
く、上部金型１５と下部金型１６とによつて生じ
る成形空所１７内にチツプ９、支持板２、及び外
部リード３〜５の一部を配置し、外部リード３〜
５を上下の金型１５，１６で挾持する。また支持
板２の先端部１４を金型１５，１６から突出する
円柱状ピン１５ａ，１６ａによつて支持する。こ
れにより、支持板２の他方の主表面２ｂと下部金
型１６との間に１mm以内（例えば約0.5mm）の間
隔を安定的に得ることが出来る。なお、ピン１６
ａは沿面距離を長くするために大径部と小径部と
から成り、段部を有している。また、支持板２の
先端部１４は第１図から明らかな如く二叉に分か
れているので、ピン１５ａ，１６ａも２本設けら
れている。１５ｂは取付孔を得るための円筒状ピ
ンであり、上部金型１５から下方に延びて下部金
型１６に当接している。１５ｃは樹脂の流れを抑
制するための仕切状の突出部であり、上部金型１
５から下方に突出している。この突出部１５ｃの
先端と支持板２との間隔は、ピン１５ｂの近傍に
おける支持板２と金型１５との間隔よりも小であ
るので、樹脂の流れがここで制限される。１８は
樹脂注入孔であり、この例では、外部リード３〜
５の導出側と反対側における成形空所１７の側面
に設けられている。
完成したら、次に、第４図及び第５図に示す如
く、上部金型１５と下部金型１６とによつて生じ
る成形空所１７内にチツプ９、支持板２、及び外
部リード３〜５の一部を配置し、外部リード３〜
５を上下の金型１５，１６で挾持する。また支持
板２の先端部１４を金型１５，１６から突出する
円柱状ピン１５ａ，１６ａによつて支持する。こ
れにより、支持板２の他方の主表面２ｂと下部金
型１６との間に１mm以内（例えば約0.5mm）の間
隔を安定的に得ることが出来る。なお、ピン１６
ａは沿面距離を長くするために大径部と小径部と
から成り、段部を有している。また、支持板２の
先端部１４は第１図から明らかな如く二叉に分か
れているので、ピン１５ａ，１６ａも２本設けら
れている。１５ｂは取付孔を得るための円筒状ピ
ンであり、上部金型１５から下方に延びて下部金
型１６に当接している。１５ｃは樹脂の流れを抑
制するための仕切状の突出部であり、上部金型１
５から下方に突出している。この突出部１５ｃの
先端と支持板２との間隔は、ピン１５ｂの近傍に
おける支持板２と金型１５との間隔よりも小であ
るので、樹脂の流れがここで制限される。１８は
樹脂注入孔であり、この例では、外部リード３〜
５の導出側と反対側における成形空所１７の側面
に設けられている。
次に、公知のトランスフアモールド法に基づい
て、加熱されて粘液状となつた熱硬化性エポキシ
樹脂を注入孔１８を通して空所１６に圧入・充填
する。金型１５，１６はこの樹脂の熱硬化可能温
度例えば180℃に加熱されており、圧入・充填さ
れた樹脂は短時間（数分以内）の内に熱硬化し、
第６図及び第７図に示す如く成形樹脂体１９が形
成される。しかる後、金型１５，１６の型締めを
解いて、リードフレームを金型１５，１６から取
り外し、成形樹脂体１９を完全に熱硬化させるた
めに更に長時間の熱処理を行い、その後タイバー
６と共通接続細条７をプレス加工で切断除去し
て、第８図に示すパワートランジスタを完成させ
る。第８図において、２０，２１はピン１５ａに
対応して形成された凹部、２２は突出部１５ｃに
対応して形成された溝状の凹部である。２３はピ
ン１５ｂに対応する取付孔であり、このパワート
ランジスタを外部放熱体等に取付けるときにネジ
を通すためのものである。なお、第８図には示さ
れていないが、第７図から明らかな如く、下側の
ピン１６ａに対応した凹部が樹脂体１９に生じ
る。このピン１６ａに対応する凹部は段部を有し
且つ高い位置の支持板先端部１４に至つているの
で、樹脂体１９の下面から支持板２の露出面まで
の沿面距離は比較的大きい。
て、加熱されて粘液状となつた熱硬化性エポキシ
樹脂を注入孔１８を通して空所１６に圧入・充填
する。金型１５，１６はこの樹脂の熱硬化可能温
度例えば180℃に加熱されており、圧入・充填さ
れた樹脂は短時間（数分以内）の内に熱硬化し、
第６図及び第７図に示す如く成形樹脂体１９が形
成される。しかる後、金型１５，１６の型締めを
解いて、リードフレームを金型１５，１６から取
り外し、成形樹脂体１９を完全に熱硬化させるた
めに更に長時間の熱処理を行い、その後タイバー
６と共通接続細条７をプレス加工で切断除去し
て、第８図に示すパワートランジスタを完成させ
る。第８図において、２０，２１はピン１５ａに
対応して形成された凹部、２２は突出部１５ｃに
対応して形成された溝状の凹部である。２３はピ
ン１５ｂに対応する取付孔であり、このパワート
ランジスタを外部放熱体等に取付けるときにネジ
を通すためのものである。なお、第８図には示さ
れていないが、第７図から明らかな如く、下側の
ピン１６ａに対応した凹部が樹脂体１９に生じ
る。このピン１６ａに対応する凹部は段部を有し
且つ高い位置の支持板先端部１４に至つているの
で、樹脂体１９の下面から支持板２の露出面まで
の沿面距離は比較的大きい。
この実施例には次の作用効果がある。
(a) 支持板２の他方の主表面２ａに粗面１３を形
成するために樹脂の流動性が悪くなるが、成形
空所１７の上側に突出部１５ｃを設けて上側の
樹脂の流れを制限しているので、粗面１３を有
する下側にも比較的良好に樹脂が流入し、樹脂
の充填圧力の不足や樹脂の未充填が起らず、ピ
ンホール様のものが発生して絶縁耐圧の低い樹
脂層となることが防止される。即ち、粗面１３
は支持板２の裏面と金型１６の間の高さ0.5mm
という狭い空間に流れ込もうとする粘液状の樹
脂に対してその流動性を妨げるように作用する
が、金型１５の仕切状突出部１５ｃが、支持板
２の上面側の向い空間への樹脂の流れを抑制
し、支持板２の裏面側の狭い空間への樹脂の流
れを増強し、支持板２の上面側と裏面側での樹
脂の流れのバランスを取り、支持板２の上面側
を流れる樹脂と裏面側を流れる樹脂とが支持板
２の右側部近傍（外部リード導出側）でぶつか
るようになり、樹脂が良好に充填される。
成するために樹脂の流動性が悪くなるが、成形
空所１７の上側に突出部１５ｃを設けて上側の
樹脂の流れを制限しているので、粗面１３を有
する下側にも比較的良好に樹脂が流入し、樹脂
の充填圧力の不足や樹脂の未充填が起らず、ピ
ンホール様のものが発生して絶縁耐圧の低い樹
脂層となることが防止される。即ち、粗面１３
は支持板２の裏面と金型１６の間の高さ0.5mm
という狭い空間に流れ込もうとする粘液状の樹
脂に対してその流動性を妨げるように作用する
が、金型１５の仕切状突出部１５ｃが、支持板
２の上面側の向い空間への樹脂の流れを抑制
し、支持板２の裏面側の狭い空間への樹脂の流
れを増強し、支持板２の上面側と裏面側での樹
脂の流れのバランスを取り、支持板２の上面側
を流れる樹脂と裏面側を流れる樹脂とが支持板
２の右側部近傍（外部リード導出側）でぶつか
るようになり、樹脂が良好に充填される。
(b) 粗面１３を形成したことにより、支持板２の
裏面の表面積が大きく増加し、支持板２の裏面
における成形樹脂体１９の剥離が生じ難くな
る。粗面１３を半球状の突起と半球状のへこみ
の集合体（球の半径：ｒ）であると仮定する
と、粗面の場合の表面積と完全な平滑面の場合
の表面積との比は、2πr2／πr2＝２となる。即
ち、平滑面を粗面とすることにより、表面積を
約２倍（100％増加）にすることが出来る。こ
れは、前記公開公報における20％増加という数
値例を大きく上回わるものである。なお、支持
板２を完全な平滑面とすることは不可能である
ので、本実施例における表面積の増加は100％
よりも小さくなるが、これを考慮しても、20％
よりは大幅に大きくなる。
裏面の表面積が大きく増加し、支持板２の裏面
における成形樹脂体１９の剥離が生じ難くな
る。粗面１３を半球状の突起と半球状のへこみ
の集合体（球の半径：ｒ）であると仮定する
と、粗面の場合の表面積と完全な平滑面の場合
の表面積との比は、2πr2／πr2＝２となる。即
ち、平滑面を粗面とすることにより、表面積を
約２倍（100％増加）にすることが出来る。こ
れは、前記公開公報における20％増加という数
値例を大きく上回わるものである。なお、支持
板２を完全な平滑面とすることは不可能である
ので、本実施例における表面積の増加は100％
よりも小さくなるが、これを考慮しても、20％
よりは大幅に大きくなる。
(c) 取付孔２３の周辺の成形樹脂体１９の支持板
２の上側の厚みは十分に確保されており、取付
ネジの頭部で押圧されても損傷を受け難い。即
ち、取付孔２３の近傍がチツプ９近傍よりも薄
く形成されているのは、取付ネジの頭の突出を
防ぐためである。この部分を更に薄くすれば、
結果として樹脂の流動を抑制することが出来
る。しかし、取付孔２３の部分をあまり薄くす
ると、取付ネジで損傷し易くなり、且つ絶縁上
の問題も生じる。これに対して、本実施例で
は、独立に凹部２２を設けて樹脂の流れを制御
しているので、上述の如き問題は生じない。
２の上側の厚みは十分に確保されており、取付
ネジの頭部で押圧されても損傷を受け難い。即
ち、取付孔２３の近傍がチツプ９近傍よりも薄
く形成されているのは、取付ネジの頭の突出を
防ぐためである。この部分を更に薄くすれば、
結果として樹脂の流動を抑制することが出来
る。しかし、取付孔２３の部分をあまり薄くす
ると、取付ネジで損傷し易くなり、且つ絶縁上
の問題も生じる。これに対して、本実施例で
は、独立に凹部２２を設けて樹脂の流れを制御
しているので、上述の如き問題は生じない。
本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形例が可能なものである。
く、例えば次の変形例が可能なものである。
(イ) 粗面１３を支持板２の他方の主表面２ａの実
質的に全体に形成せずに一部に形成してもよ
い。この際、粗面１３を樹脂の流動方向に沿つ
て複数本の帯状に形成してもよい。
質的に全体に形成せずに一部に形成してもよ
い。この際、粗面１３を樹脂の流動方向に沿つ
て複数本の帯状に形成してもよい。
(ロ) 面粗度を、好ましくは15〜100μｍ（凹凸の
深さ又は高さの平均値が15〜100μｍ）の範囲
で種々変えてもよい。
深さ又は高さの平均値が15〜100μｍ）の範囲
で種々変えてもよい。
(ハ) 突出部１５ｃの位置及び形状を種々変えても
よい。例えば、ピン１５ｂも樹脂の流動を抑制
する働きがあるので、これとチツプ９とを結ぶ
直線上には突出部１５ｃを設けないようにして
もよい。
よい。例えば、ピン１５ｂも樹脂の流動を抑制
する働きがあるので、これとチツプ９とを結ぶ
直線上には突出部１５ｃを設けないようにして
もよい。
(ニ) 支持板２が完全に露出しない製品を希望する
場合には、凹部２０，２１及びピン１６ａに対
応する凹部に樹脂を注入してもよい。また、支
持板２の金型のピン１５ａ，１６ａと当接する
部分にあらかじめポリイミド系樹脂層のような
絶縁層を形成しておいてもよい。
場合には、凹部２０，２１及びピン１６ａに対
応する凹部に樹脂を注入してもよい。また、支
持板２の金型のピン１５ａ，１６ａと当接する
部分にあらかじめポリイミド系樹脂層のような
絶縁層を形成しておいてもよい。
(ホ) ピン１５ａ，１６ａの一方又は両方を省いて
金型１５，１６で片持ち支持する場合にも適用
可能である。
金型１５，１６で片持ち支持する場合にも適用
可能である。
(ヘ) 金型を上部及び下部金型１５，１６に２分割
にせずに３分割又は４分割等としてもよい。
にせずに３分割又は４分割等としてもよい。
〔発明の効果〕
上述から明らかな如く、本発明によれば、粗面
を有する支持板の他方の主表面（裏面）側に薄く
且つ剥離し難い樹脂体を容易且つ良好に形成する
ことが出来る。
を有する支持板の他方の主表面（裏面）側に薄く
且つ剥離し難い樹脂体を容易且つ良好に形成する
ことが出来る。
第１図は本発明の実施例に係わるパワートラン
ジスタのリードフレームにチツプを接着し、内部
リードを接続した組立体を示す斜視図、第２図は
第１図のリードフレームの底面図、第３図は支持
板の一部拡大断面図、第４図は金型に第１図の組
立体を収容した状態を外部リード４に沿う断面で
示す断面図、第５図は金型と第１図の組立体とを
外部リード５に沿う断面で示す断面図、第６図及
び第７図は第４図及び第５図の空所に樹脂体を設
けたものを示す断面図、第８図は完成したトラン
ジスタの斜視図である。 １……リードフレーム、２……支持板、３，５
……チツプ接続用外部リード、４……支持板接続
用外部リード、９……チツプ、１０，１１……内
部リード、１３……粗面、１５，１６……金型、
１５ｃ……突出部、１７……成形空所、１９……
成形樹脂体。
ジスタのリードフレームにチツプを接着し、内部
リードを接続した組立体を示す斜視図、第２図は
第１図のリードフレームの底面図、第３図は支持
板の一部拡大断面図、第４図は金型に第１図の組
立体を収容した状態を外部リード４に沿う断面で
示す断面図、第５図は金型と第１図の組立体とを
外部リード５に沿う断面で示す断面図、第６図及
び第７図は第４図及び第５図の空所に樹脂体を設
けたものを示す断面図、第８図は完成したトラン
ジスタの斜視図である。 １……リードフレーム、２……支持板、３，５
……チツプ接続用外部リード、４……支持板接続
用外部リード、９……チツプ、１０，１１……内
部リード、１３……粗面、１５，１６……金型、
１５ｃ……突出部、１７……成形空所、１９……
成形樹脂体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱機能及び電気伝導機能を有する支持板２
と、前記支持板２の一方の主表面２ａ上に装着さ
れた半導体チツプ９と、前記支持板２の一方及び
他方の主表面２ａ，２ｂを被覆するように形成さ
れ且つ前記支持板２の一方の主表面２ａ側が他方
の主表面２ｂ側よりも厚くなるように形成された
成形樹脂体１９とを有する樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、 前記支持板２の他方の主表面２ｂの少なくとも
一部に粗面１３を形成すること、 前記成形樹脂体１９を形成するための成形空所
１７における前記支持板２の一方の主表面２ａ側
の成形空所に樹脂の流れを抑制するような突出部
１５ｃを有する樹脂成形用型１５，１６を用意す
ること、 前記チツプ９が固着され且つ前記粗面１３が形
成されている支持板２を前記樹脂成形用型１５，
１６の成形空所１７内に配置し、前記成形空所１
７の側面に設けられた注入孔１８から液状の樹脂
を注入して前記成形樹脂体１９を形成すること を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59257087A JPS61135129A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59257087A JPS61135129A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61135129A JPS61135129A (ja) | 1986-06-23 |
| JPH0213932B2 true JPH0213932B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17301560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59257087A Granted JPS61135129A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61135129A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0394432A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59257087A patent/JPS61135129A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61135129A (ja) | 1986-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |