JPH0451974B2 - - Google Patents
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- JPH0451974B2 JPH0451974B2 JP1086909A JP8690989A JPH0451974B2 JP H0451974 B2 JPH0451974 B2 JP H0451974B2 JP 1086909 A JP1086909 A JP 1086909A JP 8690989 A JP8690989 A JP 8690989A JP H0451974 B2 JPH0451974 B2 JP H0451974B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止形半導体装置、特に短絡事
故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装
置の製造方法に関連する。
故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装
置の製造方法に関連する。
従来の技術
従来、一般的な電力用樹脂封止形半導体装置に
おいては、半導体チツプが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間に絶縁シートを介在させな
ければならず、取付作業が煩雑になつた。そこ
で、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が
提案された。このような樹脂封止技術は、例え
ば、特開昭57−178352号公報や特開昭58−143538
号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チツプを
電気伝導可能に接着したのち、半導体チツプは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレ
ームは金型に装着され、キヤビテイ内に融解樹脂
が圧入される。このとき、キヤビテイ内で支持板
が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹
脂が固化したのち、リードフレームが金型から取
外され、リードフレームの所定部分が切断され
る。特開昭57−178352号では、細条を折り曲げて
切断するために、封止樹脂の外面をまたぐように
して細条に小断面部を形成している。
おいては、半導体チツプが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間に絶縁シートを介在させな
ければならず、取付作業が煩雑になつた。そこ
で、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が
提案された。このような樹脂封止技術は、例え
ば、特開昭57−178352号公報や特開昭58−143538
号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チツプを
電気伝導可能に接着したのち、半導体チツプは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレ
ームは金型に装着され、キヤビテイ内に融解樹脂
が圧入される。このとき、キヤビテイ内で支持板
が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹
脂が固化したのち、リードフレームが金型から取
外され、リードフレームの所定部分が切断され
る。特開昭57−178352号では、細条を折り曲げて
切断するために、封止樹脂の外面をまたぐように
して細条に小断面部を形成している。
発明が解決しようとする課題
しかし、細条の切断面が封止樹脂の外面に露出
することには変わりない。そこで、特開昭58−
143538号では、第１５図に示す通り、切断後の封
止樹脂の外面５０から突出した細条端部を化学エ
ツチング等の方法により除去し、封止樹脂の外面
５０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付
加的工程が必要となりコストアツプを招いた。し
かも所望の化学エツチング等を量産的に行うこと
自体に新たな技術を要するので、実用的とは言い
難い。
することには変わりない。そこで、特開昭58−
143538号では、第１５図に示す通り、切断後の封
止樹脂の外面５０から突出した細条端部を化学エ
ツチング等の方法により除去し、封止樹脂の外面
５０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付
加的工程が必要となりコストアツプを招いた。し
かも所望の化学エツチング等を量産的に行うこと
自体に新たな技術を要するので、実用的とは言い
難い。
そこで、本発明では上記問題を解決する樹脂封
止形半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
止形半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法によ
れば、支持板と、支持板の一端に連結された外部
リードと、支持板の他端に連結された細条とを有
し、外部リード及び細条は支持板よりも肉薄に形
成されており、支持板の下面と細条の下面との間
に、支持板の下面から離間する方向に延びる段差
部が形成され、細条の一部に小断面部が形成され
ると共に、支持板上に半導体チツプが電気的導通
可能に接着されたリードフレームを準備する工程
と、細条の小断面部が金型内のキヤビテイ形成面
から実質的に所定距離だけ内側に配置されるよう
にリードフレームを金型に装着する工程と、金型
のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する工程と、融
解樹脂の固化後、リードフレームを金型から取出
す工程と、細条にその導出方向への引張力を作用
させて、細条の小断面部で細条を切断する工程と
を含む。
れば、支持板と、支持板の一端に連結された外部
リードと、支持板の他端に連結された細条とを有
し、外部リード及び細条は支持板よりも肉薄に形
成されており、支持板の下面と細条の下面との間
に、支持板の下面から離間する方向に延びる段差
部が形成され、細条の一部に小断面部が形成され
ると共に、支持板上に半導体チツプが電気的導通
可能に接着されたリードフレームを準備する工程
と、細条の小断面部が金型内のキヤビテイ形成面
から実質的に所定距離だけ内側に配置されるよう
にリードフレームを金型に装着する工程と、金型
のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する工程と、融
解樹脂の固化後、リードフレームを金型から取出
す工程と、細条にその導出方向への引張力を作用
させて、細条の小断面部で細条を切断する工程と
を含む。
作 用
細条は支持板よりも相対的に肉薄に形成され、
細条を引張りによつて容易に切断することができ
る。また、細条は支持板との間に段差部が形成さ
れて上方に偏位しているので、支持板の下面側の
樹脂を肉薄に形成しても細条の外部放熱体からの
高さを大きくとれる。結果として、細条から外部
放熱体までの沿面距離は長くなり、絶縁不良が防
止される。
細条を引張りによつて容易に切断することができ
る。また、細条は支持板との間に段差部が形成さ
れて上方に偏位しているので、支持板の下面側の
樹脂を肉薄に形成しても細条の外部放熱体からの
高さを大きくとれる。結果として、細条から外部
放熱体までの沿面距離は長くなり、絶縁不良が防
止される。
実施例
以下図面について、本発明の実施例を説明す
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置
は、第１図に示すリードフレーム１から作られ
る。リードフレーム１は、トランジスタチツプ等
の半導体チツプ２がその一方の主面に半田付けさ
れた支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要
に応じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で
被覆される。支持板３には、コレクタリード５が
一体成形される。コレクタリード５は、ベースリ
ード６とエミツタリード７と共に外部リードと総
称され、タイバー８および共通細条９により直角
方向で互いに連結される。ベースリード６とエミ
ツタリード７は、それぞれアルミニウム線１０，
１１により半導体チツプ２の所定位置へ接続され
る。
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置
は、第１図に示すリードフレーム１から作られ
る。リードフレーム１は、トランジスタチツプ等
の半導体チツプ２がその一方の主面に半田付けさ
れた支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要
に応じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で
被覆される。支持板３には、コレクタリード５が
一体成形される。コレクタリード５は、ベースリ
ード６とエミツタリード７と共に外部リードと総
称され、タイバー８および共通細条９により直角
方向で互いに連結される。ベースリード６とエミ
ツタリード７は、それぞれアルミニウム線１０，
１１により半導体チツプ２の所定位置へ接続され
る。
支持板３には、コレクタリード５に対し反対側
へ伸びる一対の細条１２，１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されている。また、細条１２，１
３の下面と支持板３の下面との間には段差部２７
が形成されている。各細条１２，１３の外端は、
共通細条１４により直角方向で互いに連結され
る。後工程で形成される鎖線１５で示す封止樹脂
の端面１６から所定距離だけ内側に離れた位置の
各細条１２，１３には小断面部１７，１８が設け
られる。小断面部１７，１８は、後述の通り、
種々の形状のものを選択することができる。ま
た、小断面部１７，１８には、細条の切断時に引
張応力が集中する最小断面部１７ａ，１８ａが形
成される。
へ伸びる一対の細条１２，１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されている。また、細条１２，１
３の下面と支持板３の下面との間には段差部２７
が形成されている。各細条１２，１３の外端は、
共通細条１４により直角方向で互いに連結され
る。後工程で形成される鎖線１５で示す封止樹脂
の端面１６から所定距離だけ内側に離れた位置の
各細条１２，１３には小断面部１７，１８が設け
られる。小断面部１７，１８は、後述の通り、
種々の形状のものを選択することができる。ま
た、小断面部１７，１８には、細条の切断時に引
張応力が集中する最小断面部１７ａ，１８ａが形
成される。
なお、第１図ではトランジスタ１個分の支持板
３、外部リード及び細条１２，１３を有するリー
ドフレーム１を示すが、実際には、多数の支持
板、外部リード及び細条がタイバー８と共通細条
９，１４により並行に支持された金属製リードフ
レームが使用される。
３、外部リード及び細条１２，１３を有するリー
ドフレーム１を示すが、実際には、多数の支持
板、外部リード及び細条がタイバー８と共通細条
９，１４により並行に支持された金属製リードフ
レームが使用される。
リードフレーム１は、第２図及び第３図に示す
金型１９内に装着される。第２図はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、第３図は細条１
３の中心線に沿う断面を示す。金型１９は下型２
０と上型２１とで構成され、リードフレーム１を
収容するキヤビテイ２２を形成する。小断面部の
うちの最小断面部１７ａ，１８ａは金型のキヤビ
テイ形成面からｌだけ内側に配置される。
金型１９内に装着される。第２図はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、第３図は細条１
３の中心線に沿う断面を示す。金型１９は下型２
０と上型２１とで構成され、リードフレーム１を
収容するキヤビテイ２２を形成する。小断面部の
うちの最小断面部１７ａ，１８ａは金型のキヤビ
テイ形成面からｌだけ内側に配置される。
上述の通り金型１９にリードフレーム１を装着
したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性の融解エ
ポキシ樹脂が公知のトランスフアモールド法によ
りゲート（図示せず）から圧入され、支持板３を
含むリードフレーム１の一部分が樹脂１５により
封止される。
したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性の融解エ
ポキシ樹脂が公知のトランスフアモールド法によ
りゲート（図示せず）から圧入され、支持板３を
含むリードフレーム１の一部分が樹脂１５により
封止される。
樹脂１５が固化したのち、第４図に示すリード
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１
５から導出された細条１２，１３を導出方向に引
張ることにより、小断面部１７，１８の最小断面
部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４と細条
１２，１３の一部を除去する。その後、各外部リ
ードを連結するタイバー８と共通細条９もプレス
切断により除去する。このように製造した半導体
装置の１例を第５図に示す。細条１２，１３が導
出されていた樹脂１５に孔２３，２４が形成され
る。本出願人は本発明による製造方法で実際に樹
脂封止形半導体装置を製造したが、孔２３，２４
の形状は細条１２，１３が抜けた後にほぼ等しく
形成された。また、細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されており、最小断面部１７ａ，
１８ａの断面積は十分に小さいから、細条１２，
１３は引張りによつて容易に破断することができ
る。孔２３，２４の周辺の樹脂１５に特性変動ま
たは外観不良の点で実用上問題にすべきクラツ
ク、そり等の異常は全く発生しなかつた。
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１
５から導出された細条１２，１３を導出方向に引
張ることにより、小断面部１７，１８の最小断面
部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４と細条
１２，１３の一部を除去する。その後、各外部リ
ードを連結するタイバー８と共通細条９もプレス
切断により除去する。このように製造した半導体
装置の１例を第５図に示す。細条１２，１３が導
出されていた樹脂１５に孔２３，２４が形成され
る。本出願人は本発明による製造方法で実際に樹
脂封止形半導体装置を製造したが、孔２３，２４
の形状は細条１２，１３が抜けた後にほぼ等しく
形成された。また、細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されており、最小断面部１７ａ，
１８ａの断面積は十分に小さいから、細条１２，
１３は引張りによつて容易に破断することができ
る。孔２３，２４の周辺の樹脂１５に特性変動ま
たは外観不良の点で実用上問題にすべきクラツ
ク、そり等の異常は全く発生しなかつた。
第６図に示すように、細条１３の端面２５は、
樹脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、そこ
に孔２４が形成される。また、細条１２，１３は
支持板３との間に段差部２７が形成されて上方に
偏位しているので、支持板３の下面側の樹脂１５
を第３図に示すように肉薄に形成しても細条１
２，１３の外部放熱体からの高さl2を大きくとれ
る。結果として、細条１２，１３から外部放熱体
２６までの沿面距離l0はl0＝l1＋l2と長くなり、絶
縁不良が防止される。更に、孔２３，２４が小さ
いため、他の素子、キヤビネツト又は人体等を含
む周囲と細条１２，１３との接触による短絡事故
も防止される。孔２３，２４には、絶縁不良を完
全に防止するため、樹脂を充填してもよい。しか
し、この樹脂を充填しなくても実用上は問題はな
い。また、放熱性の点においても、支持板３が細
条１２，１３に比べて肉厚に形成されているし、
支持板３の下面側の樹脂１５を肉薄に形成するこ
とができるから、支持板３の下面が露出したタイ
プの半導体装置と同等の放熱効果を期待できる。
樹脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、そこ
に孔２４が形成される。また、細条１２，１３は
支持板３との間に段差部２７が形成されて上方に
偏位しているので、支持板３の下面側の樹脂１５
を第３図に示すように肉薄に形成しても細条１
２，１３の外部放熱体からの高さl2を大きくとれ
る。結果として、細条１２，１３から外部放熱体
２６までの沿面距離l0はl0＝l1＋l2と長くなり、絶
縁不良が防止される。更に、孔２３，２４が小さ
いため、他の素子、キヤビネツト又は人体等を含
む周囲と細条１２，１３との接触による短絡事故
も防止される。孔２３，２４には、絶縁不良を完
全に防止するため、樹脂を充填してもよい。しか
し、この樹脂を充填しなくても実用上は問題はな
い。また、放熱性の点においても、支持板３が細
条１２，１３に比べて肉厚に形成されているし、
支持板３の下面側の樹脂１５を肉薄に形成するこ
とができるから、支持板３の下面が露出したタイ
プの半導体装置と同等の放熱効果を期待できる。
第７図〜第１４図は細条の小断面部の変形例を
示す。第７図の例では、内側に先細のテーパ部３
０を樹脂の端面１６まで細条１３に形成しかつ引
張力に対向する肩部３１が設けられる。第８図は
菱形の孔３２を細条１３に形成した例を示し、第
９図は円形の孔３３を形成した例を示す。第１０
図はテーパ部３０が樹脂外部まで伸びる例を示
す。第１１図は肩部が３１と３４で２段に形成さ
れた例を示し、第１２図は細条１３の厚さを部分
的に薄くして小断面部１８を形成する例を示す。
第１３図は細条１３に加えられる引張力に対向す
る力を更に強化するため、樹脂が充填される孔３
５を小断面部分より支持板側の細条１３に形成す
る例で、第１４図は同様の理由で細条１３にコイ
ニング即ち線状の切込３６を形成した例を示す。
示す。第７図の例では、内側に先細のテーパ部３
０を樹脂の端面１６まで細条１３に形成しかつ引
張力に対向する肩部３１が設けられる。第８図は
菱形の孔３２を細条１３に形成した例を示し、第
９図は円形の孔３３を形成した例を示す。第１０
図はテーパ部３０が樹脂外部まで伸びる例を示
す。第１１図は肩部が３１と３４で２段に形成さ
れた例を示し、第１２図は細条１３の厚さを部分
的に薄くして小断面部１８を形成する例を示す。
第１３図は細条１３に加えられる引張力に対向す
る力を更に強化するため、樹脂が充填される孔３
５を小断面部分より支持板側の細条１３に形成す
る例で、第１４図は同様の理由で細条１３にコイ
ニング即ち線状の切込３６を形成した例を示す。
なお、上記実施例ではトランジスタについて説
明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等
他の半導体装置にも応用できることは明らかであ
る。
明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等
他の半導体装置にも応用できることは明らかであ
る。
発明の効果
上述のように、本発明の樹脂封止形半導体装置
の製造方法によれば、細条の破断部が封止樹脂の
外周面よりも内側に位置する。したがつて、細条
の破断部と外部放熱体との沿面距離が大きくとれ
るので、絶縁耐圧が向上する。また、細条の破断
部の接触による短絡事故が起こり難い。さらに支
持板が細条よりも肉厚であるため、放熱性が良好
な樹脂封止形半導体装置を提供できる。また、細
条が肉薄であるから、細条の引張り破断が容易で
あるし、細条が支持板の下面から離間するように
上方に偏位しているので、絶縁耐圧向上の点で好
都合である。
の製造方法によれば、細条の破断部が封止樹脂の
外周面よりも内側に位置する。したがつて、細条
の破断部と外部放熱体との沿面距離が大きくとれ
るので、絶縁耐圧が向上する。また、細条の破断
部の接触による短絡事故が起こり難い。さらに支
持板が細条よりも肉厚であるため、放熱性が良好
な樹脂封止形半導体装置を提供できる。また、細
条が肉薄であるから、細条の引張り破断が容易で
あるし、細条が支持板の下面から離間するように
上方に偏位しているので、絶縁耐圧向上の点で好
都合である。
第１図は本発明による樹脂封止形半導体装置の
製造方法に使用するリードフレームの平面図、第
２図及び第３図はこのリードフレームを金型に装
着して樹脂封止したときのそれぞれコレクタリー
ド及び細条の中心線に沿う断面図、第４図は金型
から取出されたリードフレームの斜視図、第５図
は本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
で作られた半導体装置の斜視図、第６図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第７図、第８図、第９
図、第１０図、第１１図、第１２図、第１３図及
び第１４図は細条の小断面部に関する種々の形状
を示す断面図、第１５図は従来の樹脂封止形半導
体装置の例を示す破砕断面図である。 １……リードフレーム、２……半導体チツプ、
３……支持板、５，６，７……外部リード、１
２，１３……細条、１５……封止樹脂、１７，１
８……小断面部、１７ａ，１８ａ……小断面部の
うちの最小断面部、１９……金型、２２……キヤ
ビテイ、２７……段差部。
製造方法に使用するリードフレームの平面図、第
２図及び第３図はこのリードフレームを金型に装
着して樹脂封止したときのそれぞれコレクタリー
ド及び細条の中心線に沿う断面図、第４図は金型
から取出されたリードフレームの斜視図、第５図
は本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
で作られた半導体装置の斜視図、第６図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第７図、第８図、第９
図、第１０図、第１１図、第１２図、第１３図及
び第１４図は細条の小断面部に関する種々の形状
を示す断面図、第１５図は従来の樹脂封止形半導
体装置の例を示す破砕断面図である。 １……リードフレーム、２……半導体チツプ、
３……支持板、５，６，７……外部リード、１
２，１３……細条、１５……封止樹脂、１７，１
８……小断面部、１７ａ，１８ａ……小断面部の
うちの最小断面部、１９……金型、２２……キヤ
ビテイ、２７……段差部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持板と、前記支持板の一端に連結された外
部リードと、前記支持板の他端に連結された細条
とを有し、前記外部リード及び前記細条は前記支
持板よりも肉薄に形成されており、前記支持板の
下面と前記細条の下面との間に、前記支持板の下
面から離間する方向に延びる段差部が形成され、
前記細条の一部に小断面部が形成されると共に、
前記支持板上に半導体チツプが電気的導通可能に
接着されたリードフレームを準備する工程と、 前記細条の小断面部が金型内のキヤビテイ形成
面から実質的に所定距離だけ内側に配置されるよ
うに前記リードフレームを金型に装着する工程
と、 前記金型のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する
工程と、 前記融解樹脂の固化後、前記リードフレームを
前記金型から取出す工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させ
て、前記細条の小断面部で前記細条を切断する工
程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
製造方法。 ２ 前記細条の小断面部は前記金型内のキヤビテ
イ形成面から所定距離だけ内側の位置に置かれる
最小断面部を有し、該最小断面部において前記細
条が切断される特許請求の範囲第１項記載の樹脂
封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086909A JPH01309338A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086909A JPH01309338A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59159047A Division JPS6156420A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3042377A Division JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309338A JPH01309338A (ja) | 1989-12-13 |
| JPH0451974B2 true JPH0451974B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=13899969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086909A Granted JPH01309338A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309338A (ja) |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1086909A patent/JPH01309338A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01309338A (ja) | 1989-12-13 |
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