JPS61194861A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61194861A JPS61194861A JP60034488A JP3448885A JPS61194861A JP S61194861 A JPS61194861 A JP S61194861A JP 60034488 A JP60034488 A JP 60034488A JP 3448885 A JP3448885 A JP 3448885A JP S61194861 A JPS61194861 A JP S61194861A
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- Japan
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- resin
- die pad
- die
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
- H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/737—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a laterally-adjacent lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、放熱板内蔵の樹脂封止型半導体装置に関する
ものである。
ものである。
(従来の技術)
一般に、樹脂封止型半導体装置は、第2図に示したよう
に構成されている。即ち、半導体素子1をリードフレー
ムの半導体素子装着部(以下ダイパッドという)2にダ
イボンディングし、半導体素子1の電極と、外部リード
3につながる内部リードとをAuあるいはAIl等の細
線4でワイヤボンディング接続した後、成形用樹脂5に
より封止した構造を有する。
に構成されている。即ち、半導体素子1をリードフレー
ムの半導体素子装着部(以下ダイパッドという)2にダ
イボンディングし、半導体素子1の電極と、外部リード
3につながる内部リードとをAuあるいはAIl等の細
線4でワイヤボンディング接続した後、成形用樹脂5に
より封止した構造を有する。
しかし、高消費電力用の半導体装置の場合、第2図のよ
うな構成では、放熱性が悪く、誤動作を誘発したり、長
期的な信頼性が得られないといった問題点があった。
うな構成では、放熱性が悪く、誤動作を誘発したり、長
期的な信頼性が得られないといった問題点があった。
そこで近年、第3図に示したように、ダイパッド2の下
面にAJやCuを材質とした放熱板6を接触させ、全体
を成形用樹脂5で一体的に封止して放熱特性を向上させ
た樹脂封止型半導体装置が使用されるようになった。
面にAJやCuを材質とした放熱板6を接触させ、全体
を成形用樹脂5で一体的に封止して放熱特性を向上させ
た樹脂封止型半導体装置が使用されるようになった。
(発明が解決しようとする問題点)
ところが、このような放熱板内蔵型の半導体装置では、
樹脂封止工程において、放熱板を成形金型の下金型内に
配置し、その上に、半導体素子をダイパッドに装着した
リードフレームを配置し、その上に上金型を置いて樹脂
を注入し、一体的に樹脂封止するが、このとき放熱板は
、上側ではダイパッドの下面との当接と、下側では下金
型との4接点とで支持される。しかしこれでは十分な支
゛ 持方が得られないため、金型ゲート部より注入
された樹脂の流れで放熱板が正規の位置よりズレを生ず
る。このズレは、リードフレームの内部リードと放熱板
との間の片側の隙間を狭くシ、その結果、樹脂の円滑な
流れの妨げとなり、樹脂内部に空洞が発生する。さらに
この空洞部を含むその近傍において、位置ズレを生じた
放熱板と内部リードの一部とが接触し、電気的に短絡す
るという問題点があった。
樹脂封止工程において、放熱板を成形金型の下金型内に
配置し、その上に、半導体素子をダイパッドに装着した
リードフレームを配置し、その上に上金型を置いて樹脂
を注入し、一体的に樹脂封止するが、このとき放熱板は
、上側ではダイパッドの下面との当接と、下側では下金
型との4接点とで支持される。しかしこれでは十分な支
゛ 持方が得られないため、金型ゲート部より注入
された樹脂の流れで放熱板が正規の位置よりズレを生ず
る。このズレは、リードフレームの内部リードと放熱板
との間の片側の隙間を狭くシ、その結果、樹脂の円滑な
流れの妨げとなり、樹脂内部に空洞が発生する。さらに
この空洞部を含むその近傍において、位置ズレを生じた
放熱板と内部リードの一部とが接触し、電気的に短絡す
るという問題点があった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、リードフレー
ムのダイパッドの端部付近あるいはダイパッドにつなが
るダイパッド保持用の導体部に複数の突出部を設け、リ
ードフレームのダイパッドの下面と突出部とが放熱板の
上面に当接した状態で一体的に樹脂封止して構成される
。
ムのダイパッドの端部付近あるいはダイパッドにつなが
るダイパッド保持用の導体部に複数の突出部を設け、リ
ードフレームのダイパッドの下面と突出部とが放熱板の
上面に当接した状態で一体的に樹脂封止して構成される
。
(作 用)
樹脂封止工程において、下金型内に配置された放熱板が
、リードフレームのダイパッドの下面と、ダイパッド保
持用の導体部等に設けられた突出部によって抑圧され、
確実に固定された状態で樹脂が注入されるので、放熱板
の位置ズレは生じない。
、リードフレームのダイパッドの下面と、ダイパッド保
持用の導体部等に設けられた突出部によって抑圧され、
確実に固定された状態で樹脂が注入されるので、放熱板
の位置ズレは生じない。
その結果、樹脂内部における空洞の発生もなく、放熱板
と内部リードとの接触も起きない。
と内部リードとの接触も起きない。
(実施例)
以下、図面に基づいて実施例を詳細に説明する。
第1図は1本発明の一実施例を示したもので、第3図と
同一名称の部分には同一符号を付してあり、また7はダ
イパッド2につながるダイパッド保持用の導体部の一部
を折り曲げて形成した突出部である。この突出部7は、
リードフレームをプレス加工により製作する際、打ち抜
きと同時に曲げ成形して形成することができる。半導体
素子1は、リードフレームのダイパッド2にAu−5i
共晶法か銀ペーストを用いたブルーイング法などで固着
し、半導体素子1の電極と外部リード3につながる内部
リードとをAu又はAi+からなる細線4でワイヤボン
ディング接続する。
同一名称の部分には同一符号を付してあり、また7はダ
イパッド2につながるダイパッド保持用の導体部の一部
を折り曲げて形成した突出部である。この突出部7は、
リードフレームをプレス加工により製作する際、打ち抜
きと同時に曲げ成形して形成することができる。半導体
素子1は、リードフレームのダイパッド2にAu−5i
共晶法か銀ペーストを用いたブルーイング法などで固着
し、半導体素子1の電極と外部リード3につながる内部
リードとをAu又はAi+からなる細線4でワイヤボン
ディング接続する。
このようにして組み立てられた組立体を樹脂成形により
封止する場合は、成形金型の下金型に放熱板6を配置し
、その上に前記組立体を配置してさらにその上から上金
型を載せる。この状態で放熱板6はリードフレームのダ
イパッド2の下面と突出部7の先端とに押圧された形に
なり、放熱板6はその押圧力により十分固定される。そ
こで金型ゲート部から樹脂を注入し1組、立体と放熱板
を樹脂により一体的に封止する。
封止する場合は、成形金型の下金型に放熱板6を配置し
、その上に前記組立体を配置してさらにその上から上金
型を載せる。この状態で放熱板6はリードフレームのダ
イパッド2の下面と突出部7の先端とに押圧された形に
なり、放熱板6はその押圧力により十分固定される。そ
こで金型ゲート部から樹脂を注入し1組、立体と放熱板
を樹脂により一体的に封止する。
なお、実施例では、突出部をダイパッドにつながる保持
用導体の部分に設けたものについて示したが、ダイパッ
ドの端部付近を折り曲げ成形して突出部を設けてもよい
。またDIP型について述べたが、フラットパッケージ
、SOパッケージ型においても適用することができる。
用導体の部分に設けたものについて示したが、ダイパッ
ドの端部付近を折り曲げ成形して突出部を設けてもよい
。またDIP型について述べたが、フラットパッケージ
、SOパッケージ型においても適用することができる。
(発−明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、放熱板がダイパ
ッドの下面と突出部によって押圧された状態で樹脂封止
されるので、樹脂の流れにより放熱板が位置ズレを生ず
ることなく、従って樹脂がスムーズに全型内全体に行き
渡り、空洞の発生や、放熱板と内部リードとの接触によ
る電気的短絡等の不良の発生を防止することができる。
ッドの下面と突出部によって押圧された状態で樹脂封止
されるので、樹脂の流れにより放熱板が位置ズレを生ず
ることなく、従って樹脂がスムーズに全型内全体に行き
渡り、空洞の発生や、放熱板と内部リードとの接触によ
る電気的短絡等の不良の発生を防止することができる。
さらに、放熱板に対してダイパッドの下面のみでなく複
数の突出部が接しているため、半導体素子から発せられ
た熱は従来のものに比べて速やかに伝達され、放熱性が
著しく向上する。例えば本発明になる樹脂封止型半導体
装置の熱抵抗は、放熱板を内蔵していない装置の40%
以下に下げることができる。
数の突出部が接しているため、半導体素子から発せられ
た熱は従来のものに比べて速やかに伝達され、放熱性が
著しく向上する。例えば本発明になる樹脂封止型半導体
装置の熱抵抗は、放熱板を内蔵していない装置の40%
以下に下げることができる。
第1図は、本発明の一実施例の断面図、第2図は、放熱
板を内蔵していない従来例の断面図、第3図は、放熱板
を内蔵した従来例の断面図である。 ■ ・・・半導体素子、 2・・・ダイパッド、3 ・
・・外部リード、 4 ・・・細線。 5・・・樹脂、 6・・・放熱板、 7・・・突出部。
板を内蔵していない従来例の断面図、第3図は、放熱板
を内蔵した従来例の断面図である。 ■ ・・・半導体素子、 2・・・ダイパッド、3 ・
・・外部リード、 4 ・・・細線。 5・・・樹脂、 6・・・放熱板、 7・・・突出部。
Claims (1)
- 放熱板を内蔵する樹脂封止型半導体装置において、リ
ードフレームの半導体素子装着部の端部付近又は装着部
につながる装着部保持用導体部に複数の突出部を設け、
前記半導体素子装着部の下面及び前記突出部が放熱板の
上面にそれぞれ当接して樹脂封止されてなることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034488A JPS61194861A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034488A JPS61194861A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194861A true JPS61194861A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12415621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60034488A Pending JPS61194861A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194861A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373541A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 放熱ブロツク付樹脂封止形半導体装置 |
| US6444498B1 (en) * | 2001-08-08 | 2002-09-03 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd | Method of making semiconductor package with heat spreader |
| JP2010090931A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Seikosha:Kk | 弁装置 |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60034488A patent/JPS61194861A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373541A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 放熱ブロツク付樹脂封止形半導体装置 |
| US6444498B1 (en) * | 2001-08-08 | 2002-09-03 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd | Method of making semiconductor package with heat spreader |
| USRE39957E1 (en) * | 2001-08-08 | 2007-12-25 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Method of making semiconductor package with heat spreader |
| JP2010090931A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Seikosha:Kk | 弁装置 |
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