JPH0213A - 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物 - Google Patents
液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物Info
- Publication number
- JPH0213A JPH0213A JP20034088A JP20034088A JPH0213A JP H0213 A JPH0213 A JP H0213A JP 20034088 A JP20034088 A JP 20034088A JP 20034088 A JP20034088 A JP 20034088A JP H0213 A JPH0213 A JP H0213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- composition
- transparent electrode
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 18
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 2
- CTSLUCNDVMMDHG-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-3-(butan-2-yl)-6-methylpyrimidine-2,4(1H,3H)-dione Chemical compound CCC(C)N1C(=O)NC(C)=C(Br)C1=O CTSLUCNDVMMDHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].CCO.CCO.CCO.CCO UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
一本発明は液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成
物に関し、さらＫ詳しくは低温で乾燥硬化することがで
きる液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物およ
びこれを用いた液晶表示素子Ｋ関する。
物に関し、さらＫ詳しくは低温で乾燥硬化することがで
きる液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物およ
びこれを用いた液晶表示素子Ｋ関する。
（従来の技術）
従来、液晶表示素子の製造に際しては、パターニングさ
れた透明電極を有する基板Ｋ、ポリイミド等の有機高分
子からなる配向膜を塗布形成し。
れた透明電極を有する基板Ｋ、ポリイミド等の有機高分
子からなる配向膜を塗布形成し。
配向処理を行なった後、素子を組み立てる方法が用いら
れていた。しかし、近年、液晶表示素子の大型化Ｋ伴い
、配向膜のピンホールや素子のギャップ中に混入した異
物が、配向膜をキズっけたシ。
れていた。しかし、近年、液晶表示素子の大型化Ｋ伴い
、配向膜のピンホールや素子のギャップ中に混入した異
物が、配向膜をキズっけたシ。
つき破ることＫよって起こる上下基板間の導通Ｋよる表
示不良が問題となっている。
示不良が問題となっている。
最近では、これを解決する手段として、透明電極と配向
膜の間ｋ絶縁性の層を形成する方法が検討され、例えば
、（１）スパッタリングＫよる低温で酸化膜を形成する
方法、（２）アルコキシシラン、アルコキシチタンおよ
び増粘剤として有機高分子を含む溶液を印刷法等で塗布
した後、熱処理して酸化膜とする方法等が採用されてい
る。
膜の間ｋ絶縁性の層を形成する方法が検討され、例えば
、（１）スパッタリングＫよる低温で酸化膜を形成する
方法、（２）アルコキシシラン、アルコキシチタンおよ
び増粘剤として有機高分子を含む溶液を印刷法等で塗布
した後、熱処理して酸化膜とする方法等が採用されてい
る。
しかしながら、（ｌ）の方法では、真空系の高価な装置
が必要であシ、パッチ処理の九め生産性が悪く、また【
２）の方法では、酸化膜とするために高温処理が必要で
あり、この高温処理Ｋよって透明電極のシート抵抗値が
上昇してしまう等の欠点があった。
が必要であシ、パッチ処理の九め生産性が悪く、また【
２）の方法では、酸化膜とするために高温処理が必要で
あり、この高温処理Ｋよって透明電極のシート抵抗値が
上昇してしまう等の欠点があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、前記技術の欠点を解決し、低温の熱処
理で硬化し、透明電極のシート抵抗値が上昇しない優れ
た透明電極の保護被膜を形成することができる液晶表示
素子の透明電極保護被膜形成用組成物および透明電極の
保護被膜Ｋこれを用いた液晶表示素子を提供することＫ
ある。
理で硬化し、透明電極のシート抵抗値が上昇しない優れ
た透明電極の保護被膜を形成することができる液晶表示
素子の透明電極保護被膜形成用組成物および透明電極の
保護被膜Ｋこれを用いた液晶表示素子を提供することＫ
ある。
《課題を解決するための手段》
本発明者らは、鋭意検討した結果、＊定の末端ヒドロキ
シラダーポリシロキサンおよび特定の有機金属化合物を
溶剤Ｋ溶解させた組成物が、低温の熱処理で硬化する優
れた透明−電極の保農被膜を形成することを見出し、本
発明に到達した。
シラダーポリシロキサンおよび特定の有機金属化合物を
溶剤Ｋ溶解させた組成物が、低温の熱処理で硬化する優
れた透明−電極の保農被膜を形成することを見出し、本
発明に到達した。
すなわち、本発明は、（ａ》一般式
％式％（１）
（式中、＆および亀は水素または一価炭化水素基、ｎは
正の整数を表す）で示される数平均分子ｔｚｏｏｏ 〜
５Ｇ（ＬＯＯＯの末端ヒドロキシラダーポリイロキサン
、（ｂ）一般式 ％式％（） （式中、Ｍは金属元素、Ｒ′は水素または一価炭化水素
基、ｍは正の整数を表す）で示される有機金属化合物お
よび（Ｃ）溶媒を含有してなる液晶表示素子の透明電極
保護被膜形成用組成物およびこの組、Ｌｅｅ 成物Ｉ透明電極の保護被膜を形成した液晶表示素子Ｋ関
する。
正の整数を表す）で示される数平均分子ｔｚｏｏｏ 〜
５Ｇ（ＬＯＯＯの末端ヒドロキシラダーポリイロキサン
、（ｂ）一般式 ％式％（） （式中、Ｍは金属元素、Ｒ′は水素または一価炭化水素
基、ｍは正の整数を表す）で示される有機金属化合物お
よび（Ｃ）溶媒を含有してなる液晶表示素子の透明電極
保護被膜形成用組成物およびこの組、Ｌｅｅ 成物Ｉ透明電極の保護被膜を形成した液晶表示素子Ｋ関
する。
本発明Ｋ用いられる前記一般式（１）で示される末端ヒ
ドロキシラダーポリシロ中サンは、例えば特公昭５８−
５０６５７号公報Ｋ示されているようＫフェニルトリク
ロロシランを、多量の水を用いて加水分解した後、得ら
れた加水分解物をトルエン中でカルボジイミド類を触媒
として脱水縮重合させて得られる。この場合は前記一般
式（１）中の也および−がフェニル基の場合であるが、
本発明においてはこれ以外Ｋメチル基、エチル基等のア
ルキル基、クロルフェニル基等のア−リル基、水素など
とすることができ、これらは分子中Ｋ１種または２種以
上を含むことができる。またこれらの末端ヒドロキシラ
ダーボリア０キサンを混合して用いることもできる。
ドロキシラダーポリシロ中サンは、例えば特公昭５８−
５０６５７号公報Ｋ示されているようＫフェニルトリク
ロロシランを、多量の水を用いて加水分解した後、得ら
れた加水分解物をトルエン中でカルボジイミド類を触媒
として脱水縮重合させて得られる。この場合は前記一般
式（１）中の也および−がフェニル基の場合であるが、
本発明においてはこれ以外Ｋメチル基、エチル基等のア
ルキル基、クロルフェニル基等のア−リル基、水素など
とすることができ、これらは分子中Ｋ１種または２種以
上を含むことができる。またこれらの末端ヒドロキシラ
ダーボリア０キサンを混合して用いることもできる。
末端ヒドロキシラダーポリシロキサンの数平均分子量は
、塗布液としての粘度、硬化性等の点からｚｏｏｏ 〜
ｓｏａｏｏｏｏ範囲であ〕、よシ好ましくは１へ０００
〜５へＯＯＯである。また末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンの濃度は、その分子量および塗布膜厚Ｋよって
も異なるが、保護被膜形成用組成物Ｋ対して５〜２０重
量％が好ましい。
、塗布液としての粘度、硬化性等の点からｚｏｏｏ 〜
ｓｏａｏｏｏｏ範囲であ〕、よシ好ましくは１へ０００
〜５へＯＯＯである。また末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンの濃度は、その分子量および塗布膜厚Ｋよって
も異なるが、保護被膜形成用組成物Ｋ対して５〜２０重
量％が好ましい。
本発明Ｋ用いられる前記一般式（Ｉ）で示される有機金
属化合物としては、Ｔｉ（０π）４． Ｚｒ （ＯＲ）
ａ。
属化合物としては、Ｔｉ（０π）４． Ｚｒ （ＯＲ）
ａ。
Ｔａ （０１％）ｓ 、 Ｉｎ （ＯＲ）ｓ 、 ８１
（ＯＲ）ａ等の化合物がアリ、具体的Ｋｌｄテトライ
ソプロポキシチタン。
（ＯＲ）ａ等の化合物がアリ、具体的Ｋｌｄテトライ
ソプロポキシチタン。
テトラブトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニ
ウム、ペンタエトキシタンタル、トリプトキシインジウ
ム、テトラエトキシシラン等が挙けられる。これらの化
合物は、前記末端ヒドロキシラダーポリシロキサンの末
端水酸基と反応して８ｉ−０−Ｍなる結合を形成し、低
温で架橋剤としての作用を有する。またその添加ｆｌＫ
よって、形成される保護被膜の屈折率を制御し、透明電
極パターンが点灯していない状態で透けて見えるいわゆ
るネサ黒等の現象を防ぐことができる。これらの有機金
属化合物の添加量は、主Ｋ架橋剤として用いる場合Ｋは
、末端ヒドロキシラダーポリシロキサンのヒドロキシル
基濃度Ｋ対し１０〜１００モルチが好ましく、また屈折
率の制御を主目的とする場合Ｋけ、チタン、ジルコニウ
ム等の有機金属化合物を用い、Ｓｉ原子Ｋ対して金属原
子として１０〜１００モルチとするのが好ましい。
ウム、ペンタエトキシタンタル、トリプトキシインジウ
ム、テトラエトキシシラン等が挙けられる。これらの化
合物は、前記末端ヒドロキシラダーポリシロキサンの末
端水酸基と反応して８ｉ−０−Ｍなる結合を形成し、低
温で架橋剤としての作用を有する。またその添加ｆｌＫ
よって、形成される保護被膜の屈折率を制御し、透明電
極パターンが点灯していない状態で透けて見えるいわゆ
るネサ黒等の現象を防ぐことができる。これらの有機金
属化合物の添加量は、主Ｋ架橋剤として用いる場合Ｋは
、末端ヒドロキシラダーポリシロキサンのヒドロキシル
基濃度Ｋ対し１０〜１００モルチが好ましく、また屈折
率の制御を主目的とする場合Ｋけ、チタン、ジルコニウ
ム等の有機金属化合物を用い、Ｓｉ原子Ｋ対して金属原
子として１０〜１００モルチとするのが好ましい。
本発明の組成物は、前記の末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサンを室温またはそれ以上の温度で溶媒に溶解した
後、所定量の前記の有機金属化合物を添加し、攪拌溶解
することＫよって得られる。
ロキサンを室温またはそれ以上の温度で溶媒に溶解した
後、所定量の前記の有機金属化合物を添加し、攪拌溶解
することＫよって得られる。
この際の溶媒としてＦｌ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンブチルセロソルブ、ヘ
キシレングリコール、ブチルセロソルブ等が用いられる
。
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンブチルセロソルブ、ヘ
キシレングリコール、ブチルセロソルブ等が用いられる
。
本発明の組成物は、透明電極のパターンが形成された基
板上Ｋ、Ｏ−ルコータ等の印刷機、スピナー塗布機など
Ｋよって塗布し、１００〜３００℃、好ましくは１５０
〜２５０℃のオーブン、ホットプレート等で熱処理し、
透明電極の保護被膜とする。熱処理の時間は、オーブン
の場合は３０〜９０分、ホットプレートの場合は１０〜
３０分程度が好ましい。また。形成される保護被膜の膜
厚は絶縁耐圧の点から５００〜２０００λが好ましい。
板上Ｋ、Ｏ−ルコータ等の印刷機、スピナー塗布機など
Ｋよって塗布し、１００〜３００℃、好ましくは１５０
〜２５０℃のオーブン、ホットプレート等で熱処理し、
透明電極の保護被膜とする。熱処理の時間は、オーブン
の場合は３０〜９０分、ホットプレートの場合は１０〜
３０分程度が好ましい。また。形成される保護被膜の膜
厚は絶縁耐圧の点から５００〜２０００λが好ましい。
（実施例）
以下、本発明を実施例Ｋよシ説明する。
実施例１
Ｎ 末端ヒドロキシラダーポリシロキサンの合成フェニ
ルトリクロロシラン（ＣｓＨｓ８ｉＣ／ｓ）１０５．８
１（ａ５モル）をジエチルエーテル２００ｍｌに溶解し
た。一方２１１の四ツロフラスコＫイオン交換水１１！
を入れ、攪拌機、冷却器、温度計を取りつけ、水浴で２
０℃以下Ｋ冷却し、このフラスコ中Ｋ 上記フェニルト
リクロロシランのエーテル混液を滴下ロートより滴下し
加水分解を行なった。反応温度は２０℃以下とし、４時
間で滴下を終了した。攪拌を止め、二層Ｋ分離した反応
液を分液ロートに入れエーテル層を取シ出した。エーテ
ル層は、イオン交換水で中性Ｋなるまで洗浄した後、無
水硫酸ナ） ＩＪウムＫより一昼夜乾燥した。
ルトリクロロシラン（ＣｓＨｓ８ｉＣ／ｓ）１０５．８
１（ａ５モル）をジエチルエーテル２００ｍｌに溶解し
た。一方２１１の四ツロフラスコＫイオン交換水１１！
を入れ、攪拌機、冷却器、温度計を取りつけ、水浴で２
０℃以下Ｋ冷却し、このフラスコ中Ｋ 上記フェニルト
リクロロシランのエーテル混液を滴下ロートより滴下し
加水分解を行なった。反応温度は２０℃以下とし、４時
間で滴下を終了した。攪拌を止め、二層Ｋ分離した反応
液を分液ロートに入れエーテル層を取シ出した。エーテ
ル層は、イオン交換水で中性Ｋなるまで洗浄した後、無
水硫酸ナ） ＩＪウムＫより一昼夜乾燥した。
その後エーテルを除去し、減圧乾燥器Ｋ入れ６０℃で２
時間乾燥した。得られた白色の粉末はＩＲスペクトルで
３５００ｃｍ−Ｋ−ＯＨの吸収。
時間乾燥した。得られた白色の粉末はＩＲスペクトルで
３５００ｃｍ−Ｋ−ＯＨの吸収。
１１３０、１１３５ｃｍ−” Ｋ８ｉ−ＯＳｉの吸収を
示した。その数平均分子量は約１． ｏ ｏ ｏであっ
た。
示した。その数平均分子量は約１． ｏ ｏ ｏであっ
た。
次Ｋ前記白色の粉末の加水分解物を還流冷却管。
攪拌機および温度計を付けた三ツ口フラスコＫ１０９秤
量し、溶媒としてトルエン３０ ｍｌを入れて溶解し、
均一層とした。こ３（Ｃ縮合触媒としてジシクロへキシ
ルカルボジイミド４．１ｇを入れて溶解し、１１０℃で
攪拌還流下Ｋ２時間反応させた。反応容器中Ｋ尿素誘導
体の析出が認められた。反応終了後、反応混合物を放冷
し、尿素誘導体を吸引濾過し、１０体積倍のメタノール
中Ｋ注いでポリマーを析出させた後、濾別し、減圧乾燥
した。得られたポリマーの数平均分子量はｓｏ、ｏｏｏ
であり、またそのＩｎ、スペクトルＫは３５００ｃｍ−
” Ｋ −ＯＨＫよる吸収が見られ、末端ヒドロキシポ
リフェニルラダーポリシロキサンであることを確認した
。
量し、溶媒としてトルエン３０ ｍｌを入れて溶解し、
均一層とした。こ３（Ｃ縮合触媒としてジシクロへキシ
ルカルボジイミド４．１ｇを入れて溶解し、１１０℃で
攪拌還流下Ｋ２時間反応させた。反応容器中Ｋ尿素誘導
体の析出が認められた。反応終了後、反応混合物を放冷
し、尿素誘導体を吸引濾過し、１０体積倍のメタノール
中Ｋ注いでポリマーを析出させた後、濾別し、減圧乾燥
した。得られたポリマーの数平均分子量はｓｏ、ｏｏｏ
であり、またそのＩｎ、スペクトルＫは３５００ｃｍ−
” Ｋ −ＯＨＫよる吸収が見られ、末端ヒドロキシポ
リフェニルラダーポリシロキサンであることを確認した
。
８）保護被膜形成用組成物の作製および評価上記で得ら
れた末端ヒドロキシポリフェニルラダーシロキサン５ｇ
を、還流冷却管、攪拌機、温度系および滴下ロートを付
けた四ツロフラスコＫ秤量し、溶媒としてＮ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド６０９とヘキシレングリコール３０９
を加え攪拌溶解した。次ｋテトライソプロポキシチタン
の１０重量％イソプロピルアルコール溶液５ｇを滴下ロ
ートから攪拌下Ｋ滴下したのち、室温で約２時間攪拌混
合し、保護被膜形成用組成物を得た。
れた末端ヒドロキシポリフェニルラダーシロキサン５ｇ
を、還流冷却管、攪拌機、温度系および滴下ロートを付
けた四ツロフラスコＫ秤量し、溶媒としてＮ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド６０９とヘキシレングリコール３０９
を加え攪拌溶解した。次ｋテトライソプロポキシチタン
の１０重量％イソプロピルアルコール溶液５ｇを滴下ロ
ートから攪拌下Ｋ滴下したのち、室温で約２時間攪拌混
合し、保護被膜形成用組成物を得た。
得られた組成物の濃度は５．１重量１（２０ｏ℃／２ｈ
ｒ乾燥）であり、２５℃Ｋおける粘度は４０センチボイ
ズであった。
ｒ乾燥）であり、２５℃Ｋおける粘度は４０センチボイ
ズであった。
得られた組成物をスピンナを用いてシリコンクエーハ上
に塗布し、１５０℃で１時間の熱処理をし、さらに３０
０℃で１時間の熱処理を行ない。
に塗布し、１５０℃で１時間の熱処理をし、さらに３０
０℃で１時間の熱処理を行ない。
厚さ２０００λの被膜を形成した。該被膜ｔｃ Ｚ −
のＡ／［［を蒸着し、絶縁破壊電圧を測定したところ、
約１００Ｖの耐圧を示した。
のＡ／［［を蒸着し、絶縁破壊電圧を測定したところ、
約１００Ｖの耐圧を示した。
次に６４０Ｘ２００ドツトの透明電極パターンを形成し
た３００Ｘ１５Ｇ＋ａｍのガラス基板上に上記組成物を
印刷法で塗布した後、上記同様の熱処理を行ない、厚さ
１０００λの被膜を形成した。
た３００Ｘ１５Ｇ＋ａｍのガラス基板上に上記組成物を
印刷法で塗布した後、上記同様の熱処理を行ない、厚さ
１０００λの被膜を形成した。
該被膜上Ｋ８００λのポリイミド系配向膜を形成し、セ
ルを組み立て、電圧印加時の配向状態を観察した。その
結果上下基板の導通による配向不良およびネサ黒は見ら
れなかった。
ルを組み立て、電圧印加時の配向状態を観察した。その
結果上下基板の導通による配向不良およびネサ黒は見ら
れなかった。
実施例２
メチルトリクロロシラン（ＣＨｓ ８ ｉ Ｃｌｓ ）
を用いて実施例ＩＡ）と同様の方法で数平均分子量２０
．０００の末端ヒドロキシポリメチルラダーシロキサン
を合成し、これを実施例１と同様のフラ子コ中Ｋ５ｇ秤
量し、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン６０９と
ブチルセロソルブ３０ｇを加え攪拌溶解した。さらにテ
トラブトキシジルコニウムのｌＯ重量−ブチルセロソル
ブ溶液５９を滴下ロートから攪拌下に滴下した後、室温
で約２時間攪拌混合して保護被膜形成用組成物を得た。
を用いて実施例ＩＡ）と同様の方法で数平均分子量２０
．０００の末端ヒドロキシポリメチルラダーシロキサン
を合成し、これを実施例１と同様のフラ子コ中Ｋ５ｇ秤
量し、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン６０９と
ブチルセロソルブ３０ｇを加え攪拌溶解した。さらにテ
トラブトキシジルコニウムのｌＯ重量−ブチルセロソル
ブ溶液５９を滴下ロートから攪拌下に滴下した後、室温
で約２時間攪拌混合して保護被膜形成用組成物を得た。
得られた組成物の濃度は４．９重量％（２００℃で２時
間乾燥）であシ、２５℃Ｋおける粘度は２０センチボイ
ズであった。
間乾燥）であシ、２５℃Ｋおける粘度は２０センチボイ
ズであった。
この組成物の膜特性を実施例１ Ｂ）と同様にして評価
したところ、？、縁耐圧は４５Ｖ／１０００λであり、
セルにおける導通不良、ネサ黒は見られなかった。
したところ、？、縁耐圧は４５Ｖ／１０００λであり、
セルにおける導通不良、ネサ黒は見られなかった。
実施例３
メチルトリクロロシラン（ＣＨｓ ８１ Ｃｌｓ ）を
用いて実施例ＩＡ）と同様の方法で該平均分子量２ Ｇ
、００ Ｇの末端ヒドロキシポリメチルラダーシロキサ
ンを合成し、これを実施例１と同様のフラスコ中Ｋ５９
秤量し、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン６０９
とブチルセロソルブ３０１を加え攪拌溶解した。
用いて実施例ＩＡ）と同様の方法で該平均分子量２ Ｇ
、００ Ｇの末端ヒドロキシポリメチルラダーシロキサ
ンを合成し、これを実施例１と同様のフラスコ中Ｋ５９
秤量し、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン６０９
とブチルセロソルブ３０１を加え攪拌溶解した。
この溶液にテトラエトキシシランの２重量％ブチルセロ
ソルブ溶液５ｇを滴下ロートから攪拌下Ｋ滴下した後、
室温で約２時間攪拌混合して保護被膜形成用組成物を得
た。得られた組成物の濃度は４．８重量％（２００℃で
２時間乾燥）であシ。
ソルブ溶液５ｇを滴下ロートから攪拌下Ｋ滴下した後、
室温で約２時間攪拌混合して保護被膜形成用組成物を得
た。得られた組成物の濃度は４．８重量％（２００℃で
２時間乾燥）であシ。
２５℃Ｋおける粘度ｔｉ１８センチボイズであった。
この組成物の膜特性を実施例１ Ｂ）と同様Ｋして評価
−したところ、絶縁耐圧は４５Ｖ／１０００λであり、
セルＫおける導通不良は見られなかった。 − （発明の効果） 本発明の液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物
によれば、簡便な塗布法で、しかも低温の熱処理によっ
て硬化し、透明電極のシート抵抗値が上昇−しない優れ
た透明電極保護被膜を形成でき、上下基板の導通Ｋよる
配向不良やネサ黒等を防止できる。
−したところ、絶縁耐圧は４５Ｖ／１０００λであり、
セルＫおける導通不良は見られなかった。 − （発明の効果） 本発明の液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物
によれば、簡便な塗布法で、しかも低温の熱処理によっ
て硬化し、透明電極のシート抵抗値が上昇−しない優れ
た透明電極保護被膜を形成でき、上下基板の導通Ｋよる
配向不良やネサ黒等を防止できる。
＝％
−，−＼き
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１およびＲ＿２は水素または一価炭化水素
基、ｎは正の整数を表す）で示される数平均分子量２，
０００〜５００，０００の末端ヒドロキシラダーポリシ
ロキサン、 （ｂ）一般式 Ｍ（ＯＲ′）ｍ（II） （式中、Ｍは金属元素、Ｒ′は水素または一価炭化水素
基、ｍは正の整数を表す）で示される有機金属化合物お
よび （ｃ）溶媒 を含有してなる液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用
組成物。 ２、請求項１記載の組成物で透明電極の保護被膜を形成
した液晶表示素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20034088A JPH0213A (ja) | 1987-10-13 | 1988-08-11 | 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物 |
| EP88309467A EP0312280A3 (en) | 1987-10-13 | 1988-10-11 | A composition for forming a coat for protecting transparent electrodes for liquid crystal display elements |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25752787 | 1987-10-13 | ||
| JP62-257527 | 1987-10-13 | ||
| JP20034088A JPH0213A (ja) | 1987-10-13 | 1988-08-11 | 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0213A true JPH0213A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=26512121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20034088A Pending JPH0213A (ja) | 1987-10-13 | 1988-08-11 | 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0312280A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0213A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296839A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Toshiyuki Oota | 容器入りケーキの製法 |
| US5245457A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
| US5608362A (en) * | 1993-04-15 | 1997-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter using LiTaO3 substrate |
| KR100715681B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-05-09 | 한국전자통신연구원 | 센서 네트워크 기반 유비쿼터스 상황인지 에이전트 장치 및그 상황인지 방법 |
| EP3009886A1 (en) | 2014-10-17 | 2016-04-20 | Ricoh Company, Ltd. | Illumination apparatus, pattern irradiation device, and 3d measurement system |
| EP3112981A1 (en) | 2015-06-30 | 2017-01-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Power supply control mechanism, electronic device including the same, hearing aid, and power supply control method |
| TWI683039B (zh) * | 2014-08-13 | 2020-01-21 | 韓商東進世美肯股份有限公司 | 透明電極之形成方法及透明電極層壓體 |
| DE202014011523U1 (de) | 2013-02-15 | 2021-10-20 | Nissin Chemical Industry Co., Ltd | Aushärtbare antistatische Organopolysiloxanzusammensetzung und antistatischer Film |
| DE112017007916B4 (de) | 2017-10-11 | 2021-11-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Bedienungseingabevorrichtung |
| DE102021108696A1 (de) | 2020-05-11 | 2021-11-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Brennstoffzellensystem und Verfahren zum Steuern des Brennstoffzellensystems |
| DE102017117667B4 (de) | 2017-08-03 | 2021-11-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkenden Druckeinrichtung |
| DE102021108994A1 (de) | 2020-05-22 | 2021-11-25 | Makita Corporation | Tragbares bearbeitungsgerät |
| DE112014003540B4 (de) | 2013-08-01 | 2021-12-02 | Denso Corporation | Head-Up-Display-Vorrichtung |
| DE112015004884B4 (de) | 2014-10-28 | 2021-12-02 | Denso Corporation | Wärmetauscher |
| DE112018000271B4 (de) | 2017-01-20 | 2021-12-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Abbildungsvorrichtung |
| DE112017002564B4 (de) | 2016-05-17 | 2021-12-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und zugehöriges herstellungsverfahren |
| DE112016002980B4 (de) | 2015-06-30 | 2021-12-16 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Federungssystem |
| DE102015203379B4 (de) | 2014-02-27 | 2021-12-23 | Mando Corporation | Vertikale Ausrichtvorrichtung und Verfahren für Fahrzeugradar |
| DE112017007352B4 (de) | 2017-03-29 | 2021-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Antriebssteuervorrichtung |
| DE112016005483B4 (de) | 2015-12-01 | 2021-12-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Head-Up-Display |
| DE112015006678B4 (de) | 2015-07-09 | 2021-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Aufzugsteuervorrichtung und Verfahren für Aufzugsevakuierungsbetrieb während eines Unglücks |
| DE112015001648B4 (de) | 2014-04-04 | 2021-12-23 | Suzuki Motor Corporation | Befestigungsstruktur für eine Hilfseinrichtung in einem Verbrennungsmotor |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095086A (en) * | 1990-08-08 | 1992-03-10 | General Electric Company | Scuff-masking coatings for glass articles |
| DE19804388C1 (de) * | 1998-02-04 | 1999-05-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Beschichtungsmaterial auf der Basis von flüssigkristallinen anorganisch-organischen Hybridpolymeren |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP20034088A patent/JPH0213A/ja active Pending
- 1988-10-11 EP EP88309467A patent/EP0312280A3/en not_active Withdrawn
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62296839A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Toshiyuki Oota | 容器入りケーキの製法 |
| US5245457A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
| US5608362A (en) * | 1993-04-15 | 1997-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter using LiTaO3 substrate |
| KR100715681B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-05-09 | 한국전자통신연구원 | 센서 네트워크 기반 유비쿼터스 상황인지 에이전트 장치 및그 상황인지 방법 |
| DE202014011523U1 (de) | 2013-02-15 | 2021-10-20 | Nissin Chemical Industry Co., Ltd | Aushärtbare antistatische Organopolysiloxanzusammensetzung und antistatischer Film |
| DE112014003540B4 (de) | 2013-08-01 | 2021-12-02 | Denso Corporation | Head-Up-Display-Vorrichtung |
| DE102015203379B4 (de) | 2014-02-27 | 2021-12-23 | Mando Corporation | Vertikale Ausrichtvorrichtung und Verfahren für Fahrzeugradar |
| DE112015001648B4 (de) | 2014-04-04 | 2021-12-23 | Suzuki Motor Corporation | Befestigungsstruktur für eine Hilfseinrichtung in einem Verbrennungsmotor |
| TWI683039B (zh) * | 2014-08-13 | 2020-01-21 | 韓商東進世美肯股份有限公司 | 透明電極之形成方法及透明電極層壓體 |
| EP3009886A1 (en) | 2014-10-17 | 2016-04-20 | Ricoh Company, Ltd. | Illumination apparatus, pattern irradiation device, and 3d measurement system |
| DE112015004884B4 (de) | 2014-10-28 | 2021-12-02 | Denso Corporation | Wärmetauscher |
| EP3112981A1 (en) | 2015-06-30 | 2017-01-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Power supply control mechanism, electronic device including the same, hearing aid, and power supply control method |
| DE112016002980B4 (de) | 2015-06-30 | 2021-12-16 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Federungssystem |
| DE112015006678B4 (de) | 2015-07-09 | 2021-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Aufzugsteuervorrichtung und Verfahren für Aufzugsevakuierungsbetrieb während eines Unglücks |
| DE112016005483B4 (de) | 2015-12-01 | 2021-12-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Head-Up-Display |
| DE112017002564B4 (de) | 2016-05-17 | 2021-12-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und zugehöriges herstellungsverfahren |
| DE112018000271B4 (de) | 2017-01-20 | 2021-12-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Abbildungsvorrichtung |
| DE112017007352B4 (de) | 2017-03-29 | 2021-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Antriebssteuervorrichtung |
| DE102017117667B4 (de) | 2017-08-03 | 2021-11-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer auf eine Schalteinrichtung einwirkenden Druckeinrichtung |
| DE112017007916B4 (de) | 2017-10-11 | 2021-11-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Bedienungseingabevorrichtung |
| DE102021108696A1 (de) | 2020-05-11 | 2021-11-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Brennstoffzellensystem und Verfahren zum Steuern des Brennstoffzellensystems |
| DE102021108994A1 (de) | 2020-05-22 | 2021-11-25 | Makita Corporation | Tragbares bearbeitungsgerät |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0312280A3 (en) | 1990-05-09 |
| EP0312280A2 (en) | 1989-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0213A (ja) | 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物 | |
| KR101437664B1 (ko) | 규소함유 화합물, 경화성 조성물 및 경화물 | |
| CN104045831B (zh) | 一种硅氧烷桥基梯形聚硅氧烷及其制备方法 | |
| US4694040A (en) | Liquid composition for forming a coating film of organopolysiloxane and method for the preparation thereof | |
| JPWO2008102890A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 | |
| CN101855598A (zh) | 正型感光性组合物、正型永久抗蚀膜及正型永久抗蚀膜的制造方法 | |
| JP2008266483A (ja) | ケイ素含有化合物、硬化性組成物及び硬化物 | |
| WO2002088267A1 (fr) | Procede pour produire un film epais a base de silice | |
| CN102399372B (zh) | 硅氧烷树脂组合物的固化覆膜形成方法 | |
| JPH04213364A (ja) | シリコーン樹脂組成物 | |
| JP2007111645A5 (ja) | ||
| EP0552131B1 (en) | Liquid coating composition forming a liquid crystal display element insulating film | |
| JP3801208B2 (ja) | 硬化性ポリメチルシルセスキオキサン組成物 | |
| JPH03275726A (ja) | シリコーン系ブロックポリマーの製造方法 | |
| JPH06346025A (ja) | コーティング用組成物 | |
| CN115246930B (zh) | 一种新型聚酰亚胺树脂、感光聚酰亚胺树脂组合物及其制备方法和应用 | |
| JPH07331172A (ja) | カラーフィルタ保護膜形成用塗液組成物 | |
| JPH02105881A (ja) | 液晶挾持基板絶縁用組成物，液晶挾持基板，液晶挾持基板の製造法および液晶表示素子 | |
| CN111909527A (zh) | 可交联的有机硅组合物及反应产物及制备方法和应用 | |
| JPH04265939A (ja) | 液晶表示素子用透明電極の保護被膜形成法、透明電極保護被膜および液晶表示素子 | |
| JPH08245880A (ja) | 耐熱性フィルム及びその製造方法 | |
| JP3519871B2 (ja) | 硬化性組成物、及びその製造方法 | |
| JPS6086018A (ja) | シリコ−ン樹脂 | |
| JPH02221923A (ja) | 液晶表示素子の透明電極保護被膜形成用組成物および液晶表示素子 | |
| KR20080111944A (ko) | 다관능성 실리콘 전구체를 이용한 내용제성이 우수한전도성 고분자 코팅 조성물 |