JPS6086018A - シリコ−ン樹脂 - Google Patents
シリコ−ン樹脂Info
- Publication number
- JPS6086018A JPS6086018A JP19249283A JP19249283A JPS6086018A JP S6086018 A JPS6086018 A JP S6086018A JP 19249283 A JP19249283 A JP 19249283A JP 19249283 A JP19249283 A JP 19249283A JP S6086018 A JPS6086018 A JP S6086018A
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- JP
- Japan
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- terminated
- weight
- siloxane
- molecular weight
- pdh8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は熱分解によって酸化ケイ素膜を形成するシリコ
ーン樹脂に関する。
ーン樹脂に関する。
技術の背景
シリコーン樹脂を半導体装置の絶縁膜として用いるとき
、シリコーン樹脂を基板に塗布し熱処理して形成する酸
化ケイ素膜に歪が残らず、かつピンホールがなくて緻密
なことが必要である。
、シリコーン樹脂を基板に塗布し熱処理して形成する酸
化ケイ素膜に歪が残らず、かつピンホールがなくて緻密
なことが必要である。
従来技術と問題点
このような酸化ケイ素膜を形ｒｊシするシリコーン樹脂
として、従来はポリジアルコキシシロキサン、タトエば
？リジエトキシシロキサンまたはポリジメトキシシロキ
サンを使用した。これらのシリコーン樹脂は有機基を多
量に含み、これが熱分解されて飛散するので、得られる
酸化ケイ素絶縁膜はピンホールを含み、かつ熱分解後に
膜厚が減少するので、歪みを残す欠点がある。たとえば
塗布膜厚を０３〜０５μｍとして熱分解すると膜厚は３
０〜５０チ減少し、これをを気中で５００℃に加熱する
とクラックを発生する。
として、従来はポリジアルコキシシロキサン、タトエば
？リジエトキシシロキサンまたはポリジメトキシシロキ
サンを使用した。これらのシリコーン樹脂は有機基を多
量に含み、これが熱分解されて飛散するので、得られる
酸化ケイ素絶縁膜はピンホールを含み、かつ熱分解後に
膜厚が減少するので、歪みを残す欠点がある。たとえば
塗布膜厚を０３〜０５μｍとして熱分解すると膜厚は３
０〜５０チ減少し、これをを気中で５００℃に加熱する
とクラックを発生する。
発明の目的
本発明の目的は、加熱時に飛散する有機基を実質的に含
まないシリコーン樹脂を提供することである。
まないシリコーン樹脂を提供することである。
発明の構成
本発明の上記目的は、一般式ＨＯＯＩ２ｓＩｏ九Ｈで表
わ式れる重量平均分子量がｉｏ、ｏｏｏ〜３００．００
０であるシラノール末端ポリジハイドロジエンシロキザ
ンからなる、ケトン、エーテル、芳香族炭化水素まｊｃ
は低級脂肪族アルコールに、温度２０〜２５℃において
少なくとも重量比１：１まで溶解可能なシリコーン樹脂
によって達成きレル・溶剤トしては、ベンゼン、トルエ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、Ｔ
ＨＦ（テトラヒドロフラン）、エチルアルコールまたは
メチルアルコールが代表的なものである。
わ式れる重量平均分子量がｉｏ、ｏｏｏ〜３００．００
０であるシラノール末端ポリジハイドロジエンシロキザ
ンからなる、ケトン、エーテル、芳香族炭化水素まｊｃ
は低級脂肪族アルコールに、温度２０〜２５℃において
少なくとも重量比１：１まで溶解可能なシリコーン樹脂
によって達成きレル・溶剤トしては、ベンゼン、トルエ
ン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、Ｔ
ＨＦ（テトラヒドロフラン）、エチルアルコールまたは
メチルアルコールが代表的なものである。
なお、このシリコーン樹脂はシラノール末端をシリル化
して安定性の良好な樹脂とすることができる。末端のシ
リル基（Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３−）Ｓｌ−はＲ４゜Ｒ２’
Ｒ５を水素原子または低級アルキル基たとえばメチルま
たはエチルとする。このシリル末端ポリハイドロジエン
シロキサンはケトン、エーテルまたは芳香族炭化水素に
、温度２０〜２５℃において少なくとも重量比１：１ま
で溶解可能である。
して安定性の良好な樹脂とすることができる。末端のシ
リル基（Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３−）Ｓｌ−はＲ４゜Ｒ２’
Ｒ５を水素原子または低級アルキル基たとえばメチルま
たはエチルとする。このシリル末端ポリハイドロジエン
シロキサンはケトン、エーテルまたは芳香族炭化水素に
、温度２０〜２５℃において少なくとも重量比１：１ま
で溶解可能である。
浴剤としてはベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケ
トン１だけメチルエチルケトン、ＴＨＦが代表的なもの
である。
トン１だけメチルエチルケトン、ＴＨＦが代表的なもの
である。
製法および性質
一般式Ｈ２ｓｔ（ｏＲ）２ （式中、Ｒは一価の脂肪族
炭化水素を示すンで表わされるジアルコキシシランを出
発原料とし、次式に示すように、加水分解してジヒドロ
キシシランを生成し、引続いて縮重合させてシラノール
末端ジハイドロジエンシロキサン（以下ＰＤＨ８という
ンを生成する。
炭化水素を示すンで表わされるジアルコキシシランを出
発原料とし、次式に示すように、加水分解してジヒドロ
キシシランを生成し、引続いて縮重合させてシラノール
末端ジハイドロジエンシロキサン（以下ＰＤＨ８という
ンを生成する。
Ｈ２８１（ＯＲ）２＋２Ｈ２０→Ｈ２Ｓ１（ＯＨ）２＋
２ＲＯＨ、Ｈ このとき、６くＰ！Ｉ〈７とすることによって、ＧＰＣ
で測定したポリスチレン換算による重量平均分子量をｔ
ｏ、ｏｏｏ〜３００，０００とすることができ、かつケ
トン、エーテル、芳香族炭化水素または低級脂肪族アル
コールに温度２０〜２５℃において少なくとも重量比１
：１まで溶解する。もし声〈６のときは５Ｌ−Ｈ結合が
分解して、三次元架橋しグル化し、ｐＨ＝７では縮重合
反応が進行せず、ｐｉ（〉７のときはｐＨ（６のときと
同様にグル化するので溶剤に溶解しなくなる。
２ＲＯＨ、Ｈ このとき、６くＰ！Ｉ〈７とすることによって、ＧＰＣ
で測定したポリスチレン換算による重量平均分子量をｔ
ｏ、ｏｏｏ〜３００，０００とすることができ、かつケ
トン、エーテル、芳香族炭化水素または低級脂肪族アル
コールに温度２０〜２５℃において少なくとも重量比１
：１まで溶解する。もし声〈６のときは５Ｌ−Ｈ結合が
分解して、三次元架橋しグル化し、ｐＨ＝７では縮重合
反応が進行せず、ｐｉ（〉７のときはｐＨ（６のときと
同様にグル化するので溶剤に溶解しなくなる。
出発原料はジメトキシシラン（ｂ、ｐ３８℃）またけジ
ェトキシシラン（ｂ、ｐ、 ｓ ｏ〜８１℃）カ適当で
あり、これらの単量体よシ高い沸点を有する溶剤、たと
えばメチルイソブチルケトン（ｂ、ｐ。
ェトキシシラン（ｂ、ｐ、 ｓ ｏ〜８１℃）カ適当で
あり、これらの単量体よシ高い沸点を有する溶剤、たと
えばメチルイソブチルケトン（ｂ、ｐ。
１１７℃）に溶解し、単量体旋度３〜７重量％として反
応させる。この両度が３に量チよシ低いと反応が遅くて
収率が少なく、７重量％より高いと、三次元架橋してグ
ル化し、溶媒に不溶となる。また加水分解および重縮合
の反応温度は５０℃を超え々いように制御する。５０℃
よシ高いとグル化し易く寿る。
応させる。この両度が３に量チよシ低いと反応が遅くて
収率が少なく、７重量％より高いと、三次元架橋してグ
ル化し、溶媒に不溶となる。また加水分解および重縮合
の反応温度は５０℃を超え々いように制御する。５０℃
よシ高いとグル化し易く寿る。
本発明のＰＤＨ８は重合構造が単純と考えられ、粘稠な
液体または固体であシ、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、ＴＨＦ、エチル
アルコールまタハメチルアルコールに温度２０〜２５℃
において少なくとも重量比１．１まで溶解する。
液体または固体であシ、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルエチルケトン、ＴＨＦ、エチル
アルコールまタハメチルアルコールに温度２０〜２５℃
において少なくとも重量比１．１まで溶解する。
もしジクロルシランを出発原料とすれは、加水分解によ
多塩酸を生成して強酸性となるので、Ｐ１］の制御が困
難であって、生成する縮重合体は平均重合度ｎ≦６と低
いのにも拘らず、ベンゼンに不溶であシ、塗布溶液とす
ることができないので、酸化ケイ素膜形成に利用するこ
とができない。
多塩酸を生成して強酸性となるので、Ｐ１］の制御が困
難であって、生成する縮重合体は平均重合度ｎ≦６と低
いのにも拘らず、ベンゼンに不溶であシ、塗布溶液とす
ることができないので、酸化ケイ素膜形成に利用するこ
とができない。
ＰＤＨ８のシリル化剤としては、分子量の小さい有機基
を有するクロルシランを使用する。たとえは、ジメチル
クロルシランをシリル化剤とするときは次式に示すジメ
チルシリル末端ＰＤＨ８を生成する。
を有するクロルシランを使用する。たとえは、ジメチル
クロルシランをシリル化剤とするときは次式に示すジメ
チルシリル末端ＰＤＨ８を生成する。
このシリル末端ＰＤＨ８はケトンまたは芳香族炭化水素
たとえばベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトン
またはメチルエチルケトン、ＴＨＦに、温度２０〜２５
℃において、少なくとも重量比１：１まで溶解する。
たとえばベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトン
またはメチルエチルケトン、ＴＨＦに、温度２０〜２５
℃において、少なくとも重量比１：１まで溶解する。
本発明のＰＤＨ８およびシリル末端ＰＤＨ８は熱分解に
おいて有機基の抜穴が小さいと考えられ、熱分解によシ
発生する歪やピンホールが極めて少々い。
おいて有機基の抜穴が小さいと考えられ、熱分解によシ
発生する歪やピンホールが極めて少々い。
本発明のジアルコキシシランを出発原料として調製した
ＰＤＨ８の重量平均分子量および溶解度、さらにこれを
シリル化したシリル末端ＰＤＨ８の赤外吸収スペクトル
、重量平均分子量、および熱重量分析は次のとおシであ
る。
ＰＤＨ８の重量平均分子量および溶解度、さらにこれを
シリル化したシリル末端ＰＤＨ８の赤外吸収スペクトル
、重量平均分子量、および熱重量分析は次のとおシであ
る。
第１図はジメチルシリル末端ＰＤＨ８の赤外吸収スペク
トルである。波数２１００〜２２５０ｃｍ−’に５ｔ−
）Ｔ、２９ｆｆＯｃｍ にＣ−Ｈ３，１２６０１ 工 に８ｌ−ＣＨ３，１００（１〜１１５０ｃｍ に８
１−〇にもとづく特性成敗が認められ、シロキサン結合
を主骨格とし、ケイ素原子に２個の水素原子が結合し、
末端に５ｉ−ｃｕ、結合を有する下記の構造であること
がわかった。
トルである。波数２１００〜２２５０ｃｍ−’に５ｔ−
）Ｔ、２９ｆｆＯｃｍ にＣ−Ｈ３，１２６０１ 工 に８ｌ−ＣＨ３，１００（１〜１１５０ｃｍ に８
１−〇にもとづく特性成敗が認められ、シロキサン結合
を主骨格とし、ケイ素原子に２個の水素原子が結合し、
末端に５ｉ−ｃｕ、結合を有する下記の構造であること
がわかった。
ＣＨ３ＨＣＨ３
ＰＤＨ８の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によるポリスチ
レン換算値で、１０，０００から３００，０００の範囲
にあった。
レン換算値で、１０，０００から３００，０００の範囲
にあった。
ル量平均分−ｉ′量が１０，０００より小さいと、熱処
理の際低分子量体が揮発してしまうため重量減少が大き
くなシ、膜に歪が入シやずくなるので不適当であシ、３
００，０００より太きいと、三次元架橋を起こしケ゛ル
化し易くなり溶媒に不溶となるので不適当である。
理の際低分子量体が揮発してしまうため重量減少が大き
くなシ、膜に歪が入シやずくなるので不適当であシ、３
００，０００より太きいと、三次元架橋を起こしケ゛ル
化し易くなり溶媒に不溶となるので不適当である。
シリル末端ＰＤＨ８の分子ｉはＰＤＨ８の分子量と実質
的に同一と考えられる。
的に同一と考えられる。
このＰＤＨ８のベンゼン、トルエン、メチルアルコール
およびエチルアルコールに対する温度２０〜２５℃の溶
が「度は、いずれも少なくとも重量比１：１才で溶解し
、ｉ！たトリエチルシリル末端ＰＤＨ８はベンゼン、ト
ルエン、メチルイソブチルケトンおよびメチルエチルケ
トンに対する温度２０〜２５℃の溶解度は、いずれも少
なくとも重量比１：１まで溶解した。
およびエチルアルコールに対する温度２０〜２５℃の溶
が「度は、いずれも少なくとも重量比１：１才で溶解し
、ｉ！たトリエチルシリル末端ＰＤＨ８はベンゼン、ト
ルエン、メチルイソブチルケトンおよびメチルエチルケ
トンに対する温度２０〜２５℃の溶解度は、いずれも少
なくとも重量比１：１まで溶解した。
熱１量分析は、ジメチルシリル末端ＰＤＨ８の未硬化の
ものの重量を１００係とし、昇温速度５℃／ｍ ｉ ｎ
で９００℃壕で加熱した。重量の変化は２５０℃から始
まって４５０℃では約１１０％に達した。これはＳｔ
−Ｈが分解して酸素が伺加したためと考えられ、酸化は
４５０℃でｔ′、８ぼ完了し、その後は８００℃を超え
るまで変化のないことがわかった（第２図）。
ものの重量を１００係とし、昇温速度５℃／ｍ ｉ ｎ
で９００℃壕で加熱した。重量の変化は２５０℃から始
まって４５０℃では約１１０％に達した。これはＳｔ
−Ｈが分解して酸素が伺加したためと考えられ、酸化は
４５０℃でｔ′、８ぼ完了し、その後は８００℃を超え
るまで変化のないことがわかった（第２図）。
絶縁膜への使用
ジメチルシリル末端ＰＤＨ８２０重量％を溶解したメチ
ルイソブチルケトン溶液をシリコンウエノ１上に３００
Ｏｒｐｍ 、３０ ｉり の条件で塗布し、１００℃
で３０分間加熱して溶剤を遅出した後、空気中で４５０
℃で１時間加熱した。塗布膜厚を０．６〜０７μｍとし
たとき、膜厚の変化は約１０チ沖少したに過ぎなかった
。なお５００℃に加熱してもクラックを発生せず、さら
に７５０℃においても安定であった。
ルイソブチルケトン溶液をシリコンウエノ１上に３００
Ｏｒｐｍ 、３０ ｉり の条件で塗布し、１００℃
で３０分間加熱して溶剤を遅出した後、空気中で４５０
℃で１時間加熱した。塗布膜厚を０．６〜０７μｍとし
たとき、膜厚の変化は約１０チ沖少したに過ぎなかった
。なお５００℃に加熱してもクラックを発生せず、さら
に７５０℃においても安定であった。
実施例
市販のジェトキシシラン１０Ｉに純水１００ｇを加え、
よく振盪した。分取した水層の−は５．８であったので
、精密蒸留し、得た沸点８０．０〜８０．５℃の留分の
中の１０ｇを再び１００．９の純水で水洗したものは−
＝６．６であった。
よく振盪した。分取した水層の−は５．８であったので
、精密蒸留し、得た沸点８０．０〜８０．５℃の留分の
中の１０ｇを再び１００．９の純水で水洗したものは−
＝６．６であった。
こうしてＡＩ’ｉ ’Ｈしたジェトキシシラン５０．９
に精製したメチルイソブチルケトン９５０１１を加え、
氷冷して）ｈ拝しながら蒸留水７５．９を５秒に１滴ず
つの割合で滴下して加水分解脱アルコールし、さらに約
３０分間水冷を続けた後、徐々に温度を昇けて３５℃と
して２時間この温度で攪拌を続けて加水分解し縮重合さ
せた。この間５〇−向減圧として生成したアルコールと
水とを除き反応を促進した。残留液はＰＤＨ８を約３重
′Ｍ： ％含むジメチルイソブチルケトン溶液５５０ｇ
であった。
に精製したメチルイソブチルケトン９５０１１を加え、
氷冷して）ｈ拝しながら蒸留水７５．９を５秒に１滴ず
つの割合で滴下して加水分解脱アルコールし、さらに約
３０分間水冷を続けた後、徐々に温度を昇けて３５℃と
して２時間この温度で攪拌を続けて加水分解し縮重合さ
せた。この間５〇−向減圧として生成したアルコールと
水とを除き反応を促進した。残留液はＰＤＨ８を約３重
′Ｍ： ％含むジメチルイソブチルケトン溶液５５０ｇ
であった。
このＰＤＨ８溶液にジェトキシランと同当量のジメチル
クロルシラン３９ｇを掬：拌しながら加え、３０℃で３
０分間攪拌し続けてシリル化を完了した。蒸留水２！を
１秒に１滴ずつの削合で滴下して、過剰のジメチルクロ
ルシランを分解し、さらに水洗し、減圧濃縮した。得だ
有機層に５倍容量のアセトニトリルを加えてシリル末端
ＰＤＨ８を沈殿させ、アセトニトリルによる傾斜洗浄を
３回反復して、白色粉末のジメチルシリル末端ＰＤＩＩ
Ｓ１８Ｎを得た。
クロルシラン３９ｇを掬：拌しながら加え、３０℃で３
０分間攪拌し続けてシリル化を完了した。蒸留水２！を
１秒に１滴ずつの削合で滴下して、過剰のジメチルクロ
ルシランを分解し、さらに水洗し、減圧濃縮した。得だ
有機層に５倍容量のアセトニトリルを加えてシリル末端
ＰＤＨ８を沈殿させ、アセトニトリルによる傾斜洗浄を
３回反復して、白色粉末のジメチルシリル末端ＰＤＩＩ
Ｓ１８Ｎを得た。
このシリル末端ＰＤＨ８の重量平均分子量は、次のよう
に測定した。
に測定した。
ジメチルシリル末端ＰＤＨ８の０．１ｇを１０１１のテ
トラヒドロフランに溶解し１ｗｔ％テトラヒドロフラン
溶液とした。この溶液を用いてＧＰＣ法（グルパーミエ
ータ１ンクロマトクラフイー）ＫＪ：υ分子量測定した
。この結果、重量平均分子量Ｍｗ＝１５８，０００、数
平均分子量ＭＮ ＝ ３０．２００−分散度ＭＷ／ＭＮ
＝ ５．２７であることがわかった。
トラヒドロフランに溶解し１ｗｔ％テトラヒドロフラン
溶液とした。この溶液を用いてＧＰＣ法（グルパーミエ
ータ１ンクロマトクラフイー）ＫＪ：υ分子量測定した
。この結果、重量平均分子量Ｍｗ＝１５８，０００、数
平均分子量ＭＮ ＝ ３０．２００−分散度ＭＷ／ＭＮ
＝ ５．２７であることがわかった。
ＰＤＨ８自身の平均分子量はシリル化ＰＤＨ８と同一と
考えられる。々おこのＰＤＨ８は室温（２５℃）におい
てベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メチルアルコー
ル、エチルアルコールニ少なくとも重量比１：１まで溶
解した。またジメチルシリル未＃ ＰＤＨ８は室温（２
５℃）においてベンゼン、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランに少
なくとも重量比１：１まで溶解した。
考えられる。々おこのＰＤＨ８は室温（２５℃）におい
てベンゼン、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メチルアルコー
ル、エチルアルコールニ少なくとも重量比１：１まで溶
解した。またジメチルシリル未＃ ＰＤＨ８は室温（２
５℃）においてベンゼン、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランに少
なくとも重量比１：１まで溶解した。
次に精製ジメチルシリル末端ＰＤＨ８５、Ｓ’をトルエ
ン２０．９に俗解した２０重量％浴液を、シリコンウェ
ハ上Ｋ ３０００ ｒｙｎでスビンコー） Ｌ、テ塗腕
を形成し、これを１００℃で３０分間、次いで４５０℃
で１時間熱処理して酸化ケイ素膜とした。
ン２０．９に俗解した２０重量％浴液を、シリコンウェ
ハ上Ｋ ３０００ ｒｙｎでスビンコー） Ｌ、テ塗腕
を形成し、これを１００℃で３０分間、次いで４５０℃
で１時間熱処理して酸化ケイ素膜とした。
この熱処理の前後の膜厚の変化は、硬化前の０．７５μ
ｍが硬化後の０．７０μｍとなった程度であシ、さらに
空気中で５００℃で２時間放置したが、膜に異常は認め
られなかった。このように酸化ケイ素膜はクラックも発
生せず、また微少なピンホールも視覚できないばかシで
なく、電気抵抗が５×１０”Ｑ−ｃｍであシ、絶縁性は
良好であった。
ｍが硬化後の０．７０μｍとなった程度であシ、さらに
空気中で５００℃で２時間放置したが、膜に異常は認め
られなかった。このように酸化ケイ素膜はクラックも発
生せず、また微少なピンホールも視覚できないばかシで
なく、電気抵抗が５×１０”Ｑ−ｃｍであシ、絶縁性は
良好であった。
またこの硬化膜は下地基板との密着性が良好であって、
ケイ素、酸化ケイ素、通常のガラス、リンケイ酸ガラス
、アルミナおよびアルミニウムなど、多様な基板と対し
てすぐれた密着性を示した。
ケイ素、酸化ケイ素、通常のガラス、リンケイ酸ガラス
、アルミナおよびアルミニウムなど、多様な基板と対し
てすぐれた密着性を示した。
発明の効果
本発明のシリコーン樹脂の溶液を種々な基板に塗布し、
熱処理して形成した酸化ケイ素絶縁膜は基板との＠着性
が良好てあり、電気抵抗も高く、かつ高温に加熱しても
クラックの入らない利点を有する。
熱処理して形成した酸化ケイ素絶縁膜は基板との＠着性
が良好てあり、電気抵抗も高く、かつ高温に加熱しても
クラックの入らない利点を有する。
第１図は本発明の実施態様であるジメチルシリル末端Ｐ
ＤＨ８の赤外吸収スペクトル曲線であシ、第２図は本発
明の実施態様であるジメチルシリル末端ＰＤＨ８の熱重
量分析曲線である。
ＤＨ８の赤外吸収スペクトル曲線であシ、第２図は本発
明の実施態様であるジメチルシリル末端ＰＤＨ８の熱重
量分析曲線である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ％式％ で表わされる重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜３０
０．０００であるシラノール末端ポリジハイドロジエン
シロキサンからなる、ケトン、エーテル、芳香族炭化水
素または低級脂肪族アルコールに温度２０〜２５℃にお
いて少なくとも重量比１：１まで溶解可能なシリコーン
樹脂。 ２、一般式 （式中、Ｒ１，Ｒ２＋ Ｒ３は水素原子または低級アル
キル基）で表わされる重量平均分子量が１０，０００〜
３００，０００であるシリル末端ポリジハイドロジエン
シロキサンからなる、ケトン、エーテルまたは芳香族炭
化水素に温度２０〜２５℃において少なくとも重量比１
：１まで溶解可能なシリコーン樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19249283A JPS6086018A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | シリコ−ン樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19249283A JPS6086018A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | シリコ−ン樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086018A true JPS6086018A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16292203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19249283A Pending JPS6086018A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | シリコ−ン樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086018A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5942802A (en) * | 1995-10-09 | 1999-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing the same |
| WO2008035820A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Jsr Corporation | Silicone resin composition and method for forming trench isolation |
| JP2008101206A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
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