JPH021407B2

JPH021407B2 -

Info

Publication number: JPH021407B2
Application number: JP55035659A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Suetaka
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1980-03-19
Filing date: 1980-03-19
Publication date: 1990-01-11
Also published as: JPS56132027A

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、電子式腕時計、電子式小型計算機
などの外部入力手段として用いられるタツチスイ
ツチ装置に関する。

最近、小型の電子式計算機や電子式腕時計に計
算機を組み込んだカルキユレータウオツチ等が
種々開発されている。この種の小型電子式計算機
やカルキユレータウオツチ等は、数値もしくは計
算命令を入力するために押釦式のテンキー、フア
ンクシヨンキーを備えている。またテンキー、フ
アンクシヨンキーを、いわゆるタツチスイツチで
構成することも考えられている。すなわち、タツ
チスイツチは第１図に示すように、例えば、時計
ガラスなどの絶縁基板１上に一対のタツチ電極２
Ａ，２Ｂを配設し、そして一方の電極２Ａを高電
位V_DD（例えば0V）側に接続し、また他方の電極
２ＢをCMOSインバータ３の入力側に接続する
と共に、抵抗Ｒを介して低電圧V_SS（例えば−
1.5V）側に接続している。

しかして、タツチ電極２Ａ，２Ｂを触れていな
い時には、インバータ３の入力側の電位V_Aは、
抵抗Ｒを介して低電位V_SS側に引張られており、
インバータ３の出力電圧Voutは、高電位レベル
となる。また、一対のタツチ電極２Ａ，２Ｂを図
に示す如く指で触れることにより、これら各電極
相互間には、図中、破線で示すように、人体によ
る接触抵抗Ｚが形成される。従つて、インバータ
３の入力電圧V_Aは、接触抵抗Ｚと引張抵抗Ｒと
による分圧電圧となる。この電圧がインバータ３
のスレツシユホールド電圧以上となるように、抵
抗Ｒの抵抗値を定めておけば、インバータ３の入
力電圧V_Aは高電位レベルとなり、このインバー
タ３の出力信号は低電位レベルとなる。従つて、
インバータ３の出力電圧Voutが低電位レベル、
つまりタツチ電極２Ａ，２Ｂを触れたときをスイ
ツチON、またはインバータ３の出力電圧Voutが
高電位V_DDレベル、つまりタツチ電極２Ａ，２Ｂ
を触れないときをスイツチOFFとすれば、スイ
ツチとしての動作を行うことができるのである。

このようなタイプのタツチスイツチにおいて、
接触抵抗Ｚはタツチ電極２Ａ，２Ｂの表面状態、
ならびに接触する人体の状態、外部雰囲気等によ
つて大きなバラツキが生ずる。このため、抵抗Ｒ
の抵抗値は、接触抵抗Ｚの変動に合わせてあらか
じめ大きなものに設定しなければならない。しか
し、引張抵抗Ｒの抵抗値を大きくすると、スイツ
チの感度は良くなり、スイツチがONし易くなる
反面、インバータ３へのノイズ成分が増加し、誤
動作し易くなる欠点があつた。

また、上述したタツチスイツチ装置とは異なつ
たタイプのタツチスイツチ装置として、例えば特
開昭52−78076号公報の第６図及び第７図或いは
実開昭53−63564号公報に示されている、いわゆ
る容量検出型のタツチスイツチ装置が知られてい
る。

即ち、前者においては、タツチ入力がない時に
は所定周期のパルス信号をタツチ検出用のラツチ
回路に入力してその出力をハイレベルにしてお
き、タツチ入力があつた時には、人体のコンデン
サ成分及び抵抗から成る時定数によつてパルス信
号を歪ませ、スレツシユホールド電圧以下にする
ことによつてラツチ回路で拾わないようにしてタ
ツチ入力を検出するものであり、また、後者にお
いては、同様にパルス信号を歪ませるが、パルス
信号をスレツシユホールドに達する迄に時間遅れ
が生じる程度に歪ませるもので、時間遅れがあつ
た時をタツチ入力有りとするものである。

しかして、前者においてはタツチ入力有りと無
しとでパルスが変形するようにしなければならな
いので必然的にパルス巾が小さくなりノイズ成分
による影響を受けやすい欠点があつた。

また、後者においてはパルスの遅れがどの程度
あつた時をタツチ有りに設定するかという問題が
ある。即ち、遅れを大きく設定すると、人によつ
て或いは湿気汚れ等によつてタツチ入力が検出さ
れない場合があり、また、遅れを小さく設定する
と、ノイズ成分によつて遅れが生じ、タツチ無し
の場合でもタツチ有りを検出してしまう欠点があ
つた。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、スイツチの感度特
性が良好であり、またノイズ成分に対する影響を
無くして誤動作を確実に防止し得るタツチスイツ
チ装置を提供することにある。

以下、この発明を第２図ないし第７図に示す一
実施例に基づいて説明する。第２図はこの発明を
適用したカルキユレータウオツチのタツチスイツ
チ装置を示す基本構成図である。符号１１は腕時
計ケースであつて、その前面には表面ガラス１２
が一体的に取り付けられている。この表面ガラス
１２の上面には多数の透明タツチ電極（図面には
その一つを示し、他は省略してある）T₁が形成
されている。前記腕時計ケース１１は高電位V_DD
側と接続していて裏蓋を介して人体と接触してお
り多数のタツチ電極T₁に共通する他方のタツチ
電極として併用させている。なお、符号Cxはタ
ツチ電極T₁と時計ケース１１との間に常時存在
している前記タツチ電極配線容量及びCMOSIC
ゲート容量等の浮遊容量であり、また、符号Cy
は時計ケース１１が人体に接触している状態にお
いて、タツチ電極T₁を接触したときに時計ケー
ス１１とタツチ電極T₁との間に生じる人体の接
触容量成分である。

また、前記タツチスイツチ装置の回路構成は次
のように構成されている。すなわち、パルス発生
回路１３は所定周期（例えば32Hz）の矩形波信号
Ａを出力すると共に、所定周期（例えば1024Hz）
のクロツクパルスを出力する。そして、前記矩
形波信号ＡはＮチヤンネルモストランジスタ（以
降、単にＮトランジスタと略称する）１５、Ｐチ
ヤンネルモストランジスタ（以降、単にＰトラン
ジスタと略称する）１６及び引張抵抗１４からな
るインバータ１７に入力されており、各トランジ
スタ１５，１６のスイツチング制御を行う。Ｎト
ランジスタ１５のソース側には低電位V_SSが供給
され、またＰトランジスタ１６のソース側には時
計ケース１１を介して高電位V_DDが供給される。
そして、両トランジスタ１５，１６及び引張抵抗
１４によつて構成されるCMOSインバータ１７
の出力はタツチ電極T₁に接続されている。また、
CMOSインバータ１７の出力信号は他のCMOS
インバータ１８に入力されることによつて反転さ
れる。このインバータ１８の出力信号はパルス発
生回路１３からの矩形波信号Ａおよびクロツクパ
ルスが入力されている判定信号出力回路１９に
送られる。この判定信号出力回路１９はその詳細
な構成について後述するが、タツチ電極T₁に人
体が接触したか否か、つまり、タツチの有無を判
定するための判定信号Ｃを所定のタイミングで出
力するように構成されている。前記判定信号Ｃは
インバータ１８の出力信号が被判定信号Ｂとして
入力されている判定回路２０に送られる。この判
定回路２０は前記判定信号Ｃが入力されたとき、
被判定信号Ｂが２値論理レベルの何れかにあるか
を検出してタツチの有無を判定し、タツチ有りと
判定したときにはタイチキー入力信号TKを出力
するように構成されている。なお、前記タツチキ
ー入力信号TKは図示しないスイツチ入力動作回
路に送られ、そして、タツチキー入力信号が高電
位レベルのときにはスイツチON、また、低電位
レベルのときにはスイツチOFFとなるように動
作させる。

ここで、第２図に示したタツチスイツチ装置の
基本動作について説明する。まず、タツチ電極
T₁に人体が接触していない状態において、パル
ス発生回路１３から矩形波信号Ａが第３図(1)に示
すように出力されると、CMOSインバータ１７
の出力は矩形波信号Ａの反転信号が出力されるも
のであるが、この反転信号はタツチ電極T₁と時
計ケース１１との間にある浮遊容量Cxの影響を
受けるので矩形波信号Ａと全く正反対の反転信号
にはならず、その為にインバータ１８のスレツシ
ユホールドのタイミングが遅れ、インバータ１８
の出力信号は浮遊容量成分Cxの影響のために第
３図(2)に示すように、矩形波信号Ａに対して浮遊
容量成分Cxに対する時間Dxだけ遅れて出力され
る。

しかして、タツチ電極T₁に人体が接触した状
態においては、タツチ電極T₁と時計ケース１１
との間に人体による接触容量成分Cyが形成され
る。そして、この接触容量成分Cyは浮遊容量成
分Cxに対して並列接続された状態にあるので、
インバータ１８の出力信号は第３図３に示すよう
に、矩形波信号Ａに対して浮遊容量成分Cxと接
触容量成分Cyとの合成容量に対する時間（Dx＋
Dy）だけ遅れて出力される。

従つて、浮遊容量成分Cxに対応する遅れの時
間Dxを予め記憶させておき、そして、第３図(4)
に示すように、時間Dxより少し時間が過ぎた頃
に判定信号Ｃが出力されるように、判定信号出力
回路１９を構成すれば、判定回路２０において
は、判定信号Ｃが立ち上がつたとき、被判定信号
Ｂが高電位レベルか低電位レベルかによつて人体
の接触の有無を判定することができるのである。

このような理由から前記判定信号出力回路１９
および判定回路２０は第４図に示すように構成さ
れている。すなわち、判定信号出力回路１９にお
いて、前記入力端子Ｓは浮遊容量Cxを記憶する
ためのテスト端子であり、例えば押釦式のスイツ
チで構成されているクリアキーを操作したとき
に、“１”信号が入力されるようになつている。
この入力端子Ｓからの信号はナンドゲート２１に
送られる。このナンドゲート２１には被判定信号
Ｂも入力されており、そして、入力端子Ｓからの
信号が低電位レベルのときには被判定信号Ｂの電
位レベルにかかわらず、ナンドゲート２１からは
高電位レベルの出力信号が得られ、アンドゲート
２２に入力される。このアンドゲート２２はナン
ドゲート２１からの出力信号および矩形波信号Ａ
が高電位レベルのときに規制解除され、クロツク
パルスを出力してカウンタ２３に入力する。こ
のカウンタ２３は矩形波信号Ａの立ち上がりでリ
セツトされ、そしてアンドゲート２２の出力信号
Ｅ（クロツクパルス）を計数する動作を行う。
また、ナンドゲート２１の出力信号はインバータ
２４を介して記憶用カウンタ２５のクロツク入力
端子CKに書き込み指令信号として入力される。
このため、記憶用カウンタ２５にはナンドゲート
２１からの出力信号が得られたとき、カウンタ２
３の内容が書き込まれる。そして、通常の使用時
にはクロツクパルスによつて順次カウントアツ
プされるカウンタ２３の内容ｎと記憶用カウンタ
２５に既にプリセツトされた内容ｍとが比較回路
２６に送られて大小の比較がなされる。この比較
回路２６はカウンタ２３の内容ｎがカウントアツ
プされる毎に、カウンタ２３，２５の内容がｎ＞
ｍになつたか否かを検出し、そして、ｎ＞ｍなる
関係にあることを検出した時に、判定信号Ｃを出
力するように構成されている。他方、判定回路２
０はフリツプフロツプ２７によつて構成されてな
るもので、フリツプフロツプ２７のセツト入力端
子Ｓには被判定信号Ｂが入力され、また、そのク
ロツク入力端子CKには判定信号Ｃが入力されて
いる。そして、フリツプフロツプ２７の側出力
端子から前記タツチキーT₁の操作信号TKが取り
出される。

次に、前記実施例の動作について第５図ないし
第７図を参照して説明する。まず、使用にあたつ
てはクリアキーを操作して第３図(2)で示した浮遊
容量Cxによる遅れ時間Dxを求める。

即ち、クリアキーを操作すると入力端子Ｓを介
して判定信号出力回路１９のナンドゲート２１に
は第５図(1)に示すように、高電位レベルが与えら
れる。この高電位レベルによつて、ナンドゲート
２１の出力信号は、被判定信号Ｂが立ち上がるま
で高電位レベルとなつている。そして、矩形波信
号Ａが第５図(2)に示すように立ち上がると、これ
と同時に、カウンタ２３はリセツトされると共
に、第５図(3)に示すクロツクパルスを計数し始
める。そして、被判定信号Ｂが第５図(4)に示すよ
うに矩形波信号Ａが立上つてからDxの時間遅れ
て立ち上がると、ナンドゲート２１の出力信号が
低電位レベルとなるので、カウンタ２３の計数動
作は停止すると共に、インバータ２４の出力信号
が高電位レベルとなる。このため、記憶用カウン
タ２５には被判定信号Ｂの立ち上がり時点でのカ
ウンタ２３の内容が書き込まれる。すなわち、カ
ウンタ２３は、第５図(5)に示すように、アンドゲ
ート２２の出力信号Ｅを計数するので、被判定信
号Ｂの立ち上がり時点でのカウンタ２３の内容は
「Ｋ」となつており、この値「Ｋ」が記憶用カウ
ンタ２５に書き込まれるのである。なお、記憶用
カウンタ２５に書き込まれた内容「Ｋ」は、浮遊
容量成分Cxの影響による矩形波信号Ａに対する
被判定信号Ｂの遅れ時間Dxに対応する値である。

次に、タツチ有無検出動作について説明する。
第６図はタツチ電極T₁に人体が接触していない
場合の各種信号の出力波形図である。ここでは、
スイツチ端子Ｓからの信号は、第６図１に示すよ
うに、低電位レベルとなつており、クリアキーが
操作されていないことを示している。そして、タ
ツチ電極T₁に人体が接触していない状態におい
ては、矩形波信号Ａに対する被判定信号Ｂの遅れ
時間Dxは、浮遊容量成分Cxに対応するものであ
る。この状態において、比較回路２６はカウンタ
２３の内容が記憶用カウンタ２５の内容を越えた
時点、すなわち、カウンタ２３にＫ＋１発目のク
ロツクパルスが計数され、記憶用カウンタ２５
の内容「Ｋ」に対してカウンタ２３の内容が「Ｋ
＋１」となつたとき、第６図５に示すように、判
定信号Ｃが出力される。この判定信号Ｃの立ち上
がり時においては、第６図４に示すように、被判
定信号Ｂはすでに立ち上がつているので、フリツ
プフロツプ２７のセツト入力端子Ｓには、高電位
レベルの被判定信号が入力されてフリツプフロツ
プ２７はセツト状態となる。このため、フリツプ
フロツプ２７の側出力端子からは、それ以前が
第６図６のａの如く高電位であつても又ｂの如く
低電位レベルであつても確実に低電位レベルのタ
ツチキー入力信号TKが取り出される。従つて、
タツチ電極T₁に人体が触れていないときには、
スイツチOFFの状態が検出される。

また、第７図はタツチ電極T₁に人体が接触し
た場合の出力波形図である。時計を腕に装着した
状態のように、時計ケース１１に人体が接触して
いる場合において、タツチ電極T₁を指等で触れ
ると、時計ケース１１とタツチ電極T₁との間に
は人体による接触容量成分Cyが形成されるので、
矩形波信号Ａに対する被判定信号Ｂの遅れ量は、
浮遊容量成分Cxと接触容量成分Ｃなどの合成容
量に対応するものである（第７図２，４）。そし
て、前述と同様に、記憶用カウンタ２５の内容
「Ｋ」に対してカウンタ２３の内容が「Ｋ＋１」
になつたとき、比較回路２６からは第７図５に示
すように、判定信号Ｃが出力される。この判定信
号Ｃの立ち上がり時点においては、第７図(4)に示
すように、被判定信号Ｂは立ち上がつておらず、
低電位レベルにある。このため、フリツプフロツ
プ２７はリセツト状態となり、第７図６に示すよ
うに、その側出力端子からは確実に高電位レベ
ルのタツチキー入力信号TKが取り出される。従
つて、タツチ電極T₁に人体が接触したときには、
スイツチONの状態が検出される。

このように、前記実施例は浮遊容量成分による
影響を受けることによつて生ずる矩形波信号Ａに
対する被判定信号Ｂの遅れ量、即ち、タツチ電極
に対して非タツチ時の遅れ量をクリアキーのスイ
ツチ操作で予め記憶させておき、この遅れ量より
も被判定信号Ｂが遅れているか否かを判定してス
イツチのON，OFFを検出するようにしたから、
浮遊容量成分が変動した場合であつても、タツチ
入力を行なう直前にクリアキーを操作すれば、そ
の時の浮遊容量成分が記憶され、その後のタツチ
入力は上記記憶された浮遊容量成分に人体の容量
成分が加わるので、スイツチ検出動作は浮遊容量
成分Cxの影響を受けることなく確実に行うこと
ができる。

次に、この発明の他の実施例について第８図を
参照して説明する。なお、第２図および第４図と
同一の構成部には同一符号をもつて示し、その詳
細な説明については省略する。この実施例は前記
実施例と同様に、人体の接触容量検出式のタツチ
スイツチ装置に適用したものであると共にカルキ
ユレータウオツチに適用したものであるが、前記
実施例と異なるところは、複数のタツチ電極に関
する浮遊容量成分を検出し得る点、および複数の
タツチ電極のそれぞれに対して単一の抵抗成分を
時分割で接続させ、それぞれのタツチ電極と単一
の抵抗成分との直列回路を時分割で形成させる点
にあるものである。

すなわち、符号T₁〜Tnは時計表面ガラス上に
配設されたｎ個のタツチ電極であり、これら各タ
ツチ電極T₁〜Tnは、対応するトランスミツシヨ
ンゲートG₁〜Gnの入力側に接続されている。各
トランスミツシヨンゲートG₁〜Gnは、概知のよ
うに、一対のＰおよびトランジスタとインバータ
とを組み合せて構成され、そして、ｎ個のタツチ
電極T₁〜Tnと、Ｐトランジスタ１６と引張抵抗
１４との接続点とを時分割に接続させるものであ
る。

また、ｎ個のタツチ電極T₁〜Tnに対応するｎ
進のカウンタ２８は、パルス発生回路１３からの
矩形波形信号Ａを計数するものであり、このｎ進
カウンタ２８の計数値（０〜ｎ−１）はデコーダ
２９に入力されると共に、第４図に示した記憶用
カウンタ２５の代わりに設けられたRAM（ラン
ダム・アクセス・メモリ）３０にアドレス指定信
号として入力される。デコーダ２９はｎ進カウン
タ２８の計数値に対応するデコード出力a₁〜an
を、対応するトランスミツシヨンゲートG₁〜Gn
に入力することによつてトランスミツシヨンゲー
トG₁〜GnのON・OFF動作を制御する。すなわ
ち、トランスミツシヨンゲートG₁〜Gnは、対応
するデコード出力a₁〜anが高電位レベルのとき
にはON、また、低電位レベルのときにはOFFさ
れるものである。

他方、RAM３０はｎ進カウンタ２８の計数値
に対応するｎ個の記憶領域を有していてこれら各
記憶領域はｎ進カウンタ２８の内容に従つてアド
レス指定されると共に、スイツチ端子Ｓからの信
号が読み出し／書き込み指令信号Ｒ／Ｗとして入
力されることによつて読み出し／書き込みの指定
を受ける。また、RAM３０にはカウンタ２３の
内容が書き込まれると共に、カウンタ２３及び
RAM３０の記憶内容は比較回路２６で比較さ
れ、この比較回路２６からはｎ＞ｍの時比較信号
Ｃが出力される。

また、前記判定回路２０を構成するフリツプフ
ロツプ２７の側出力端子から出力されるタツチ
キー入力信号TSは、デコーダ２９から対応する
デコード出力a₁〜anがゲート解除信号として入
力されているアンドゲートAN₁〜ANnを介して
取り出され、ｎ個のタツチ電極T₁〜Tnに対応す
るラツチ回路R₁〜Rnに書き込まれる。

次に、前記実施例の動作について説明する。ま
ず、各タツチ電極T₁〜Tnにおける矩形波信号Ａ
に対する被判定信号Ｂの遅れ量をRAM３０に記
憶させる場合には、クリアキーを操作してスイツ
チ端子Ｓからの入力信号を高電位レベルにする。
これによつてRAM３０は書き込みの指定を受け
る。そして、ｎ進カウンタ２８の内容が「０」の
状態では、デコーダ２９からのデコード出力a₁に
よつてトランスミツシヨンゲートG₁がONされ
る。このため、タツチ電極T₁とインバータ１７
とが直列接続されるので、インバータ１８から出
力される被判定信号Ｂの遅れ量は時計ケース１１
とタツチ電極T₁との浮遊容量に基づいたものと
なる。そしてタツチ電極T₁に関する被判定信号
Ｂの遅れ量は、カウンタ２３によつて計数され
る。他方、ｎ進カウンタ２８の内容「０」によつ
て、RAM３０の各記憶領域のうち「０」アドレ
スに対応する記憶領域がアドレス指定されるの
で、カウンタ２３によつて計数されたタツチ電極
T₁に関する被判定信号Ｂの遅れ量は、RAM３０
の「０」アドレスに対応する記憶領域に書き込ま
れる。そして矩形波信号Ａを計数してｎ進カウン
タ２８の内容が「１」になるとトランスミツシヨ
ンゲートG₂がONされると共に、RAM３０の
「１」アドレスに対応する記憶領域がアドレス指
定される。従つて、RAM３０の「１」アドレス
に対応する記憶領域には、タツチ電極B₂に関す
る被判定信号Ｂの遅れ量が書き込まれるのであ
る。このようにして、ｎ進カウンタ２８の内容が
順次カウントアツプされるに従つて、RAM３０
の各部記憶領域には各タツチ電極に関する被判定
信号Ｂの遅れ時間が書き込まれる。

このようにして各タツチ電極の浮遊容量による
遅れ時間が設定された後タツチ電極T₁〜Tnのい
ずれも人体が接触していない状態においては、ｎ
進カウンタ２８の内容が「０」の時RAM３０の
「０」アドレスの記憶領域がアドレス指定され、
この記憶領域に書き込まれているタツチ電極T₁
に関する被判定信号Ｂの遅れ時間が読み出されて
比較回路２６に与えられ、また、デコーダ２９か
らのデコード出力a₁によつてトランスミツシヨン
ゲートG₁がONされてタツチ電極T₁とインバータ
１８とが直列接続され、インバータ１８からはタ
ツチ電極T₁の浮遊容量分だけおくれて被判定信
号Ｂが立上がる。そのため比較回路２６において
は、カウンタ２３の内容が被判定信号Ｂの遅れ時
間を越えた時点、すなわち、被判定信号Ｂがすで
に立ち上がつているとき、判定信号Ｃを出力する
ので、フリツプフロツプ２７はセツト状態とな
り、タツチキー入力信号TKは低電位レベルとな
る。従つて、アンドゲートAN₁は閉成されたま
まとなり、ラツチ回路R₁からは低電位レベルの
出力信号が得られる。これと同様にして、ｎ進カ
ウンタ２８の内容が順次カウントアツプされるに
従つて各タツチ電極T₂〜Tnに対する人体の接触
有無が判定され、そして、接触無しと判定された
ときには、各ラツチ回路R₂〜Rnの内容は論理値
“０”のままとなり、スイツチOFF状態が検出さ
れる。

しかして、例えばタツチ電極T₁を人体が接触
した場合においては、ｎ進カウンタ２８の内容
「０」のタイミングで出力されるインバータ１８
からの被判定信号Ｂの遅れ量は、浮遊容量成分
Cxと接触容量成分Cyとの合成容量となるので、
比較回路２６から判定信号Ｃが出力される時点に
おいては、被判定信号Ｂはまだ立ち上がつていな
い。従つて、フリツプフロツプ２７はリセツト状
態となり、その側出力端子から高電位レベルの
タツチキー入力信号TKが出力されるので、デコ
ーダ２９からデコード出力a₁が入力されているア
ンドゲートAN₁が規制解除され、ラツチ回路R₁
の内容は論理値“１”となる。このため、タツチ
電極T₁が接触されたことが検出され、タツチ電
極T₁に関するスイツチON動作が実行される。こ
れと同様にしてｎ進カウンタ２８の内容が順次カ
ウントアツプされるに従つて各タツチ電極T₂〜
Tnに対する人体の接触有無が判定され、そして
接触有りと判定されたときには各ラツチ回路R₂
〜Rnの内容が論理値“１”となり、スイツチの
ON状態が検出される。

このように、上記実施例においては、各タツチ
電極T₁〜Tnに関する浮遊容量成分が製品（タツ
チ電極）毎にバラツキがあつたとしても、各タツ
チ電極T₁〜Tmに関するスイツチのON、OFFを
確実に行うことができる。また、引張抵抗１４は
各タツチ電極T₁〜Tnに対応して設ける必要がな
く、単一の引張抵抗１４を設けるだけでよい。

また、クリアキーの操作毎に浮遊容量の書き換
えを行なわせるようにしたから、常に最新の浮遊
容量を記憶させておくことができ、確実なスイツ
チ入力が行なえるものである。

なお、前記各実施例においては、時計ケースを
タツチ電極の一方としたが、この発明はこれに限
らず、例えば、腕時計のガラス板に一対のタツチ
電極を形成し、これら一対のタツチ電極を同時に
触れるように構成してもよい。

さらに、この発明はカルキユレータウオツチに
限らず、小型電子計算機等スイツチを有するあら
ゆる小型電子機器にも適用できることは勿論可能
である。

この発明は、以上詳細に説明したように、スイ
ツチ操作毎に、浮遊容量成分によるパルスの遅れ
量を常に書き換えるようにし、浮遊容量成分の影
響を受けることなくタツチスイツチのON・OFF
動作を検出するように構成したから、スイツチ検
出動作を確実に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のタツチスイツチ装置を示した回
路構成図、第２図はこの発明の一実施例を示した
タツチスイツチ装置の回路構成図、第３図は同実
施例の基本動作を示す各種信号の出力波形図、第
４図は同実施例に適用した判定信号出力回路１９
および判定回路２０の詳細な回路構成図、第５図
１〜５、第６図１〜６、第７図１〜６は、第２図
及び第４図に示した実施例の動作を示す各種信号
の出力波形図、第８図はこの発明の他の実施例を
示した回路構成図である。１３……パルス発生回路、１７，１８……イン
バータ、１９……判定信号出力回路、２０……判
定回路、T₁〜Tn……タツチ電極。

Claims

【特許請求の範囲】

１所定周期のパルス信号及びこのパルス信号よ
りはやい周期のクロツクパルスを出力するパルス
信号出力手段と、このパルス信号出力手段からの
前記所定周期のパルス信号が供給され非タツチ状
態の時には前記パルス信号の遅延信号を出力し、
タツチ状態の時には前記遅延信号より遅れ量が更
に大きい遅延信号を出力するタツチ電極と、前記
タツチ電極に対して前記遅延信号の遅延量を前記
クロツクパルスを計数することによつて得るカウ
ンタ手段と、外部操作スイツチ手段と、この外部
操作スイツチ手段の操作により非タツチ状態の時
の前記カウンタ手段によつて得られた遅延量を記
憶する遅延量記憶手段と、この遅延量記憶手段に
記憶された遅延量と前記カウンタ手段によつて得
られる遅延量とを比較して前記カウンタ手段によ
つて得られる遅延量が前記遅延量記憶手段に記憶
された遅延量を越えた際に判定信号を出力する比
較手段と、この比較手段からの判定信号により前
記タツチ電極に対してタツチ状態の時の遅れ量が
更に大きい遅延信号の有無を判定する判定手段
と、を具備したことを特徴とするタツチスイツチ
装置。