JPH02140965A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH02140965A
JPH02140965A JP63295092A JP29509288A JPH02140965A JP H02140965 A JPH02140965 A JP H02140965A JP 63295092 A JP63295092 A JP 63295092A JP 29509288 A JP29509288 A JP 29509288A JP H02140965 A JPH02140965 A JP H02140965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
frame
inner leads
island
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP63295092A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Shiozaki
塩崎 章雄
Hideaki Takano
英明 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02140965A publication Critical patent/JPH02140965A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームに半導体素子を搭載した後に樹
脂封止する半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素
子を搭載する前の処理工程に関する。
〔従来の技術〕
従来、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置で
は、リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボ
ンディング法により搭載した後、インナーリードと半導
体素子とをボンディングワイヤで相互に電気接続し、し
かる上で半導体素子。
インナーリード、ボンディングワイヤ等をエポキシ樹脂
等でモールド封止する製造方法がとられている。
〔発明が解決しようとする課題] ところで、上述した製造方法においては、クワッド・フ
ラット・パッケージ(QFP)のようにリードフレーム
のインナーリードか細くて長い多ビンの半導体装置では
、半導体素子の搭載時の熱や搬送時の振動や衝撃等が影
響してインナーリードや、これに支持されるアイランド
に変形が生じ易い、このため、従来方法では、半導体素
子を搭載する際のダイボンディング不良が発生し、或い
はワイヤボンディング不良が発生し易いという問題があ
る。
また、その後の工程における樹脂封止時に、封止樹脂の
流勢によりインナーリードやボンディングワイヤに変形
が生じ易く、これらの断線、短絡等による不良が発生す
るという問題もある。
本発明は上述したインナーリードやボンディングワイヤ
の変形が原因とされる不良発生を防止した樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の製造方法は、リードフレームのアイランドに半
導体素子をダイボンディングする前に、アイランドを包
囲する位置に樹脂枠を設け、この樹脂枠により複数本の
インナーリードを一体的に固定する工程を含んでいる。
〔作用〕
上述した方法では、樹脂枠によりインナーリードを固定
させ、振動、衝撃によるインナーリードやアイランドの
変形を防止する。また、樹脂枠により樹脂モールド時に
おける樹脂の流勢を抑制し、ボンディングワイヤ等の変
形を防止する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例における製造工程途中の状
態を示す平面図であり、第2図は完成された樹脂封止型
半導体装置の断面図である。なお、第2図は第1図のA
−A線に相当する箇所の断面図である。
第1図に示すように、リードフレーム1は例えば板厚が
0.15Mの金属板を打抜き形成しており、フレーム部
2.アウターリード3.インナーリード4.アイランド
5.吊りリード6.タイバー7等を形成している。ここ
で、インナーリード4は長さが12nn、先端幅が0.
12+nmに形成している。
そして、このリードフレーム1に対して、アイランド5
に半導体素子をダイボンディングする前に、このアイラ
ンド5及びインナーリード4の先端部を包囲するように
、枠状の樹脂枠11を形成する。この樹脂枠11は、樹
脂モールド法によって形成でき、この樹脂枠IIにより
全てのインナーリード4と吊りリード6を一体的に固定
し、インナーリード4と吊りリード6の変形を防止する
しかる上で、アイランド5に半導体素子をダイボンディ
ングし、該半導体素子とインナーリード4の先端部とを
ボンディングワイヤにより電気接続し、その上で全体を
エポキシ樹脂等で樹脂モールドすることで、第2図に示
す構成が完成される。
12はその封止用のエポキシ樹脂である。
したがって、この方法では、樹脂枠11でインナーリー
ド4.吊りリード6を一体に固定しているため、搬送時
における振動や衝撃でインナーリード4や吊りリード6
及びアイランド5が変形されることはなく、好適なダイ
ボンディングやワイヤボンディングが実行でき、その不
良の発生を防止する。また、樹脂封止時においては、樹
脂がインナーリード4の先端部やアイランド5に流れ込
む際の流勢を樹脂枠11で抑えることが可能となり、樹
脂流勢によるインナーリード4やボンディングワイヤの
変形を防止し、これらの断線や短絡を防止することもで
きる。
なお、樹脂枠11は封止用のエポキシ樹脂12と同じ樹
脂、或いは他の樹脂のいずれでもよい。
第3図は本発明の第2実施例の製造工程途中における斜
視図である。
この実施例では、樹脂枠11Aを比較的厚く、即ち第2
図に示した封止樹脂12の厚さに略等しく形成する一方
、樹脂枠11Aの周囲複数箇所に切欠きllaを形成し
ている。
このように樹脂枠11Aを設けることにより、半導体素
子のダイボンディング前におけるインナーリード4やア
イランド5の変形を防止できるのは勿論である。これに
加えて、この構成の樹脂枠11Aでは、封止樹脂のモー
ルド時における樹脂の流れ込みを樹脂枠11Aで制限す
る一方、樹脂を切欠きllaを通して内方に流入させる
ことができ、この切欠きllaの位置や大きさで樹脂流
入状態を制御することが可能となる。これにより、イン
ナーリード4やボンディングワイヤの変形を更に好適に
防止することが可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、アイランドに半導体素子
をダイボンディングする前に、アイランドを包囲する位
置に樹脂枠を設けて複数本のインナーリードを一体的に
固定しているので、樹脂枠によりインナーリードを固定
させ、振動、衝撃によるインナーリードやアイランドの
変形を防止する。また、樹脂枠により樹脂モールド時に
おける樹脂の流勢を抑制し、ボンディングワイヤ等の変
形を防止する。これにより、好適なダイボンディング、
ワイヤボンディング及び樹脂封止を実行でき、半導体装
置の製造不良を抑制することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の製造工程途中の状態の平
面図、第2図は完成した状態の第1図A−A線に相当す
る箇所の断面図、第3図は本発明の第2実施例の製造工
程途中の斜視図である。 1・・・リードフレーム、2・・・フレーム部、3・・
・アウターリード、4・・・インナーリード、5・・・
アイランド、6・・・吊りリード、7・・・タイバー 
11.IIA・・・樹脂枠、lla・・・切欠き、12
・・・封止樹脂。 第2

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボ
    ンディングし、該半導体素子と複数本のインナーリード
    とをボンディングワイヤで電気接続し、その後にこれら
    半導体素子やインナーリード等を樹脂でモールド封止し
    てなる樹脂封止型半導体装置の製造に際し、前記半導体
    素子のダイボンディング前に、前記アイランドを包囲す
    る位置に樹脂枠を設け、この樹脂枠により前記複数本の
    インナーリードを一体的に固定する工程を含むことを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP63295092A 1988-11-22 1988-11-22 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH02140965A (ja)

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ID=17816203

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JP63295092A Pending JPH02140965A (ja) 1988-11-22 1988-11-22 樹脂封止型半導体装置の製造方法

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