JPH02141283A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPH02141283A JPH02141283A JP63295570A JP29557088A JPH02141283A JP H02141283 A JPH02141283 A JP H02141283A JP 63295570 A JP63295570 A JP 63295570A JP 29557088 A JP29557088 A JP 29557088A JP H02141283 A JPH02141283 A JP H02141283A
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- recording
- recording film
- film
- pit
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光(たとえばレーザ光)を照射することにより
情報の記録および再生を行う光学記録媒体に関する。
情報の記録および再生を行う光学記録媒体に関する。
[従来の技術〕
レーザ光によって情報の記録および再生を行う光学記録
媒体は、半導体レーザ、記録材料および成膜方法などの
基本技術の向上と、大容量記録が可能であるという特徴
により、最近急速に実用化の道が開かれてきた。上記光
学記録媒体の記録方法としては、レーザ光の照射による
熱エネルギーによって、(1)記録膜を変形してビット
(穴または凹部)またはバブル(隆起部)を形成する方
法、(2)記録膜の相変化により反射率等の光学的性質
を変化させる方法などが提案されている。
媒体は、半導体レーザ、記録材料および成膜方法などの
基本技術の向上と、大容量記録が可能であるという特徴
により、最近急速に実用化の道が開かれてきた。上記光
学記録媒体の記録方法としては、レーザ光の照射による
熱エネルギーによって、(1)記録膜を変形してビット
(穴または凹部)またはバブル(隆起部)を形成する方
法、(2)記録膜の相変化により反射率等の光学的性質
を変化させる方法などが提案されている。
略構成を第6図に示す。第6図において、プラスデック
等の基板11の表面に、TeやSe等を主成分とした記
録膜12を設け、集束レーザ光により局部的に上記記録
膜を溶融除去してピット13を形成し、これにより情報
の記録を行い、再生時には、このピットの有無をレーザ
光の反射強度の違いによって検出する。
等の基板11の表面に、TeやSe等を主成分とした記
録膜12を設け、集束レーザ光により局部的に上記記録
膜を溶融除去してピット13を形成し、これにより情報
の記録を行い、再生時には、このピットの有無をレーザ
光の反射強度の違いによって検出する。
ここで、上記集束レーザ光が当たった記録膜のごく一部
に熱運動による穴かあき、表面張力によれて、上記ピッ
トは形成される。
に熱運動による穴かあき、表面張力によれて、上記ピッ
トは形成される。
一方、記録膜が変形してバブルが形成されることにより
記録される光学記録媒体には、(イ)分解ガス発生層を
積層するもの(たとえば特開昭56−127937号)
、(ロ)金属層がガス発生層となるもの(たとえば特開
昭58−71194号、特開昭61−178742号)
、(八)基板がガス発生層となるもの等がある。
記録される光学記録媒体には、(イ)分解ガス発生層を
積層するもの(たとえば特開昭56−127937号)
、(ロ)金属層がガス発生層となるもの(たとえば特開
昭58−71194号、特開昭61−178742号)
、(八)基板がガス発生層となるもの等がある。
特開昭56−127937号の光学記録媒体は、基板上
に有機中間層、金属質光吸収層を順に形成しており、金
属質光吸収層の局部加熱により有機中間層も加熱し、有
機中間層から発生するガスにより金属質光吸収層を隆起
させバブルを形成する。
に有機中間層、金属質光吸収層を順に形成しており、金
属質光吸収層の局部加熱により有機中間層も加熱し、有
機中間層から発生するガスにより金属質光吸収層を隆起
させバブルを形成する。
特開昭58−71194号には、低融点金属を含むエネ
ルギー吸収膜が基板上に設けられており、上記エネルギ
ー吸収膜が記録のための光を吸収して隆起することによ
りバブルか形成される光学記録媒体が示されている。
ルギー吸収膜が基板上に設けられており、上記エネルギ
ー吸収膜が記録のための光を吸収して隆起することによ
りバブルか形成される光学記録媒体が示されている。
まr二特開昭61−1787.42号の光学記録媒体は
、基板上に金属炭化物マトリクス中に金属微粒子及び有
機物を分散させた記録膜を有しており、金属微粒子の吸
収熱により有機物が加熱されてガスを発生し、上記記録
膜にバブルが形成される。
、基板上に金属炭化物マトリクス中に金属微粒子及び有
機物を分散させた記録膜を有しており、金属微粒子の吸
収熱により有機物が加熱されてガスを発生し、上記記録
膜にバブルが形成される。
し発明か解決しようとする課題]
ところが、上記ピットを形成する光学記録媒体では、ピ
ットの形成がリムと称されろピット周辺の肉盛り14の
生成を伴い再生信号のCNR(キャリア・ノイズ比)を
低下させる問題がある。しかも上記リム形状は必ずしも
一様ではなく、記録膜が不均一に凝固したiリムか形成
されろとCNRはさらに低下する。このためPb、 B
i等の元素を添カ目してピットの形状を改善する試みが
なされているが、やはりビットエツジは不鮮明になりや
すく、マーク長5己録(こは適さない。
ットの形成がリムと称されろピット周辺の肉盛り14の
生成を伴い再生信号のCNR(キャリア・ノイズ比)を
低下させる問題がある。しかも上記リム形状は必ずしも
一様ではなく、記録膜が不均一に凝固したiリムか形成
されろとCNRはさらに低下する。このためPb、 B
i等の元素を添カ目してピットの形状を改善する試みが
なされているが、やはりビットエツジは不鮮明になりや
すく、マーク長5己録(こは適さない。
一方、上記バブルを形成する光学記録媒体は、ピットを
形成するものに比べて記録部のエツジは安定するが、記
録感度は劣っていた。また記録部の反射率が上昇するも
のが多く、高反射率を有する光学記録媒体に高コントラ
ストで記録ずろことは困難であった。
形成するものに比べて記録部のエツジは安定するが、記
録感度は劣っていた。また記録部の反射率が上昇するも
のが多く、高反射率を有する光学記録媒体に高コントラ
ストで記録ずろことは困難であった。
この発明は、上記課題に鑑みてなされたしので、基板に
記録膜が形成され、所定の波長領域の光を強く吸収して
、該先によって、記録膜に反射率の低いピットを形成す
ることによってデータが書き込まれる光学記録媒体にお
いて、高コントラストの記録が行われ、かつ、ピットエ
ツジが安定しており、マーク長記録の行える光学記録媒
体を提供することを目的としている。
記録膜が形成され、所定の波長領域の光を強く吸収して
、該先によって、記録膜に反射率の低いピットを形成す
ることによってデータが書き込まれる光学記録媒体にお
いて、高コントラストの記録が行われ、かつ、ピットエ
ツジが安定しており、マーク長記録の行える光学記録媒
体を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するために、この出願の請求項(1)
の光学記録媒体は、基板と記録膜とを有し、上記記録膜
に光を照射することによって記録膜を変形して情報を記
録する光学記録媒体において、上記記録膜が延性の大き
な金属あるいは合金を含み、上記光照射によって上記記
録膜は弾性限度を超えて膨張変形し、かつ、変形部の頂
上は破壊限度を超えて欠損することにより情報が記録さ
れていることを特徴とする 請求項(2)の発明は請求項(1)において、上記基板
上にフロロカーボンを含む中間層が形成されており、上
記記録膜は上記フロロカーボン中間層上に形成されてい
ることを特徴とする光学記録媒体である。
の光学記録媒体は、基板と記録膜とを有し、上記記録膜
に光を照射することによって記録膜を変形して情報を記
録する光学記録媒体において、上記記録膜が延性の大き
な金属あるいは合金を含み、上記光照射によって上記記
録膜は弾性限度を超えて膨張変形し、かつ、変形部の頂
上は破壊限度を超えて欠損することにより情報が記録さ
れていることを特徴とする 請求項(2)の発明は請求項(1)において、上記基板
上にフロロカーボンを含む中間層が形成されており、上
記記録膜は上記フロロカーボン中間層上に形成されてい
ることを特徴とする光学記録媒体である。
請求項(3)の光学記録媒体は上記記録膜にAuを含ん
でいろ。
でいろ。
第1図ないし第3図、第4図および第5図はこの発明の
光学記録媒体にピットが形成される様子を示す概略断面
図である。上記光学記録媒体では基板1上に記録膜2が
形成されている。なお、ここではフロロカーボン中間層
5を設けた光学記録媒体を示している。この光学記録媒
体に基板側から記録のための光(レーザ光)を照射する
と記録膜2が加熱されて塑性変形し、第2図または第4
図に示す空隙6が形成される。記録時にさらに加熱され
ると上記空隙6の頂上が吹き飛び、第3図または第5図
に示すようにピット(穴部)7が形成される。
光学記録媒体にピットが形成される様子を示す概略断面
図である。上記光学記録媒体では基板1上に記録膜2が
形成されている。なお、ここではフロロカーボン中間層
5を設けた光学記録媒体を示している。この光学記録媒
体に基板側から記録のための光(レーザ光)を照射する
と記録膜2が加熱されて塑性変形し、第2図または第4
図に示す空隙6が形成される。記録時にさらに加熱され
ると上記空隙6の頂上が吹き飛び、第3図または第5図
に示すようにピット(穴部)7が形成される。
この発明の光学記録媒体において上記記録膜は第1図な
いし第3図の概略断面図に示すように多層膜であってら
、第4図または第5図の概略断面図に示すように単層膜
であっても良い。ここで、記録膜が多層である場合は、
記録のための光の照射側である基板側にある第1の層3
に延性の大きな金属あるいは合金を含むことが好ましい
。この場合、第1の層上に積層された第2の層4は低融
点物質であると書き込み感度が高くなるので好適である
。上記低融点物質としてはTe、 Se等の単金属、T
e−3eまたはこれらとBiとの合金が好ましい。
いし第3図の概略断面図に示すように多層膜であってら
、第4図または第5図の概略断面図に示すように単層膜
であっても良い。ここで、記録膜が多層である場合は、
記録のための光の照射側である基板側にある第1の層3
に延性の大きな金属あるいは合金を含むことが好ましい
。この場合、第1の層上に積層された第2の層4は低融
点物質であると書き込み感度が高くなるので好適である
。上記低融点物質としてはTe、 Se等の単金属、T
e−3eまたはこれらとBiとの合金が好ましい。
なお上記延性の大きな金属としてはAu、 PtSAg
およびCu等が挙げられる。
およびCu等が挙げられる。
一方、記録膜が単層である場合は、上記延性の大きな金
属あるいはその合金からなる記録膜であってら良(、ま
たは上記低融点物質等の膜中に上記延性の大きな金属を
分散させてら良い。この場合は延性の大きな金属の濃度
は記録のための光の照射側である基板側が高く、記録膜
の深さ方向に向かって低くなるような濃度勾配をらっで
分散されていることが好ましい。ここで、上記延性の大
きな金属の濃度は、基板側表面では30原子数パ一セン
ト以上であるのが良い。そして、基板側から記録膜表面
側に向かって膜厚が増加するにつれて上記濃度は急激に
低下し、記録膜の全膜厚の略l/2よりも記録膜表面側
では上記濃度はOであるのが良い。なお、この出願にお
ける濃度とは、ESCA法により上記記録膜の深さ方向
の組成分析を行った結果書られる値である。
属あるいはその合金からなる記録膜であってら良(、ま
たは上記低融点物質等の膜中に上記延性の大きな金属を
分散させてら良い。この場合は延性の大きな金属の濃度
は記録のための光の照射側である基板側が高く、記録膜
の深さ方向に向かって低くなるような濃度勾配をらっで
分散されていることが好ましい。ここで、上記延性の大
きな金属の濃度は、基板側表面では30原子数パ一セン
ト以上であるのが良い。そして、基板側から記録膜表面
側に向かって膜厚が増加するにつれて上記濃度は急激に
低下し、記録膜の全膜厚の略l/2よりも記録膜表面側
では上記濃度はOであるのが良い。なお、この出願にお
ける濃度とは、ESCA法により上記記録膜の深さ方向
の組成分析を行った結果書られる値である。
この出願の光学記録媒体はフロロカーボン中間層5を設
けることができる。上記フロロカーホン中間層を設ける
と記録ピット形状かさらに均一化し、記録の際の高感度
化が達成されろ。ESCA法による分析から得られる、
上記フロロカーホン層におけるFの含有量は、F/(F
十C)X100で表されるFの原子数パーセントか40
%以上65%以下であれば良い。この範囲を越え、Fが
少なすぎると、記録ピットの均一化および記録の際の高
感度化といつに効果が薄れ、逆に多すぎると、中間層と
記録膜との密着性が悪くなり、記録膜がはがれ易く、ま
た記録ピットの形状制御か困難になるといった問題か生
じる。
けることができる。上記フロロカーホン中間層を設ける
と記録ピット形状かさらに均一化し、記録の際の高感度
化が達成されろ。ESCA法による分析から得られる、
上記フロロカーホン層におけるFの含有量は、F/(F
十C)X100で表されるFの原子数パーセントか40
%以上65%以下であれば良い。この範囲を越え、Fが
少なすぎると、記録ピットの均一化および記録の際の高
感度化といつに効果が薄れ、逆に多すぎると、中間層と
記録膜との密着性が悪くなり、記録膜がはがれ易く、ま
た記録ピットの形状制御か困難になるといった問題か生
じる。
上記延性の大きな金属としてAu元素を用いると、Au
元素は合成樹脂基板やフロロカーボン中間層との密着性
が低いために、高い記録感度が得られるので好ましい。
元素は合成樹脂基板やフロロカーボン中間層との密着性
が低いために、高い記録感度が得られるので好ましい。
フロロカーボン中間層を設け、上記中間層上にAuを含
む記録膜を設けた場合、フロロカーボン中間層と上記記
録膜との界面部分におけるAuの濃度が30原子数パ一
セント以上、より好ましくは70原子数パ一セント以上
であるのが良い。
む記録膜を設けた場合、フロロカーボン中間層と上記記
録膜との界面部分におけるAuの濃度が30原子数パ一
セント以上、より好ましくは70原子数パ一セント以上
であるのが良い。
上記Auの濃度が30原子数パ一セント未満であると、
記録膜が溶融して表面張力によって広がることにより、
ピットが形成されてしまうので好ましくない。なお上記
Auを含む記録膜は多層記録膜の上記第1の層がAuを
含んでいても良く、Au元素が分散された単層記録膜で
あってもよい。
記録膜が溶融して表面張力によって広がることにより、
ピットが形成されてしまうので好ましくない。なお上記
Auを含む記録膜は多層記録膜の上記第1の層がAuを
含んでいても良く、Au元素が分散された単層記録膜で
あってもよい。
この発明の光学記録媒体の記録膜には上記低融点物質等
を含むことができろが、特に高反射率を資するものがよ
く、レーザ光を入射したときの記録前の反射率が40%
以上であるしのが好ましい。
を含むことができろが、特に高反射率を資するものがよ
く、レーザ光を入射したときの記録前の反射率が40%
以上であるしのが好ましい。
特にコンパクトディスク(CD) 、レーザーディスク
(LD)等のプレーヤーで再生するためには上記反射率
が60%以上であることか好ましい。
(LD)等のプレーヤーで再生するためには上記反射率
が60%以上であることか好ましい。
上記記録膜がこの様な反射率を何するためには元素配合
によって差はあるが、一般に5〜200nmの@厚であ
る。
によって差はあるが、一般に5〜200nmの@厚であ
る。
本発明において記録膜の成膜方法は特に限定されろもの
ではなく、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法等既存の成膜方法で行うことができる。そ
して、真空蒸着法にょぢ成膜時には延性の大きな金属の
蒸着源に印加する直流パワーを徐々に小さくする、また
は、スパッタリング法によるときには延性の大きな金属
のターゲットへの印加電力パワーを徐々に小さくする等
によって、所望の濃度勾配を得ることができる。
ではなく、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法等既存の成膜方法で行うことができる。そ
して、真空蒸着法にょぢ成膜時には延性の大きな金属の
蒸着源に印加する直流パワーを徐々に小さくする、また
は、スパッタリング法によるときには延性の大きな金属
のターゲットへの印加電力パワーを徐々に小さくする等
によって、所望の濃度勾配を得ることができる。
また、上記フロロカーボン中間層はスパッタリング法等
を用いて形成することができる。上記フロロカーホン層
の厚さは5〜loonm/+(適当である。
を用いて形成することができる。上記フロロカーホン層
の厚さは5〜loonm/+(適当である。
用いられる基板としては、レーザ光を透過するのに十分
透明であれば何でも使用できる。例えば、ガラス、ポリ
エステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリカーボネイト樹脂およびポリメタクリル樹脂等の透
明性にすぐれた基板材料が使用できる。上記透明性基板
上に記録膜を形成するか、または中間層を積層して記録
膜を形成し、この記録膜上に任意の不透明性部材を貼り
合わせても良い。また、上記記録膜上に任意の透明保護
層を積層することもできる。基板の影状は円形、方形等
であっても良く、ティスフ状、カード状等であってもよ
い。上記基板は例えばトラッキング等のための案内溝の
ような凹凸を有していても良い。
透明であれば何でも使用できる。例えば、ガラス、ポリ
エステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリカーボネイト樹脂およびポリメタクリル樹脂等の透
明性にすぐれた基板材料が使用できる。上記透明性基板
上に記録膜を形成するか、または中間層を積層して記録
膜を形成し、この記録膜上に任意の不透明性部材を貼り
合わせても良い。また、上記記録膜上に任意の透明保護
層を積層することもできる。基板の影状は円形、方形等
であっても良く、ティスフ状、カード状等であってもよ
い。上記基板は例えばトラッキング等のための案内溝の
ような凹凸を有していても良い。
記録等のために用いるレーザ光の波長は特に限定するも
のではないが、1QQOnI!1以下のものが使用に適
している。したがって現在の半導体レーザで、波長か7
50〜85Qnm領域のものが、有効に使われる。
のではないが、1QQOnI!1以下のものが使用に適
している。したがって現在の半導体レーザで、波長か7
50〜85Qnm領域のものが、有効に使われる。
この場合記録時のパワーとしては、一般に1=15to
w程度の範囲が用いられろ。
w程度の範囲が用いられろ。
[作 用]
この出願の光学記録媒体に記録のためのレーザ光を照射
すると記録膜は加熱されろ。上記記録膜には延性の大き
な金属あるいは合金が含まれているので、加熱による熱
膨張(およびガス発生等)により記録膜は空隙6を形成
して隆起し、弾性限度を越えて塑性変形する。そして、
隆起部の頂上部で記録膜の破壊限界を超えると記録膜が
欠損し、ピット(穴部)7が形成する。ここで上記記録
膜は塑性変形しているので、上記ピットの裾部8(第3
図、第5図)はカルデラ状に残存する。上記により記録
されたピットを基板側から照射する再生レーザ光により
再生するときには、裾部と基板(あるいはフロロカーボ
ン中間層)との接点部9(第3図、第5図)によりピッ
トのエツジが検出されろ。
すると記録膜は加熱されろ。上記記録膜には延性の大き
な金属あるいは合金が含まれているので、加熱による熱
膨張(およびガス発生等)により記録膜は空隙6を形成
して隆起し、弾性限度を越えて塑性変形する。そして、
隆起部の頂上部で記録膜の破壊限界を超えると記録膜が
欠損し、ピット(穴部)7が形成する。ここで上記記録
膜は塑性変形しているので、上記ピットの裾部8(第3
図、第5図)はカルデラ状に残存する。上記により記録
されたピットを基板側から照射する再生レーザ光により
再生するときには、裾部と基板(あるいはフロロカーボ
ン中間層)との接点部9(第3図、第5図)によりピッ
トのエツジが検出されろ。
[実施例]
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。
(実施例1)
記録部であるグループ部およびトラック案内溝てめろラ
ンド部を有するポリカーボネイト製透明円板上にフロロ
カーボン中間層と、Au層とTe−Se合金膜とを積層
した記録膜とをスパッタリング法によって成膜した。以
下にその成膜条件を示す。
ンド部を有するポリカーボネイト製透明円板上にフロロ
カーボン中間層と、Au層とTe−Se合金膜とを積層
した記録膜とをスパッタリング法によって成膜した。以
下にその成膜条件を示す。
チャンバー内を5x 10−’Torrまで真空引きし
、そののちArガスを導入し、Arガス圧を5x to
−’Torrに設定した。ターゲットとしては、ポリテ
トラフロロエチレンのターゲット、Tea。Set。組
成(原子数比)の合金ターゲットおよびAuのターゲッ
トを用いた。まずポリテトラフロロエチレンのターゲッ
トに高周波パワーを印加し、厚さが20nmのフロロカ
ーボン薄膜を形成した。なお同じ条件で成膜したフロロ
カーボン薄膜をES CA法によって組成分析すると、
Fの含有量は、F/(F+−C)xlooで表わされる
Fの原子数パーセントか48%であった。上記70口カ
ーボン中間層を形成したのち、Auターゲットに直流パ
ワーを印加してAu層(膜厚110人)を形成した。さ
らにTe−Se合金ターゲットに高周波パワーを印加し
てTea。Set。組成(原子数比)の合金@(450
人)を積層して光ディスクを得た。
、そののちArガスを導入し、Arガス圧を5x to
−’Torrに設定した。ターゲットとしては、ポリテ
トラフロロエチレンのターゲット、Tea。Set。組
成(原子数比)の合金ターゲットおよびAuのターゲッ
トを用いた。まずポリテトラフロロエチレンのターゲッ
トに高周波パワーを印加し、厚さが20nmのフロロカ
ーボン薄膜を形成した。なお同じ条件で成膜したフロロ
カーボン薄膜をES CA法によって組成分析すると、
Fの含有量は、F/(F+−C)xlooで表わされる
Fの原子数パーセントか48%であった。上記70口カ
ーボン中間層を形成したのち、Auターゲットに直流パ
ワーを印加してAu層(膜厚110人)を形成した。さ
らにTe−Se合金ターゲットに高周波パワーを印加し
てTea。Set。組成(原子数比)の合金@(450
人)を積層して光ディスクを得た。
上述の方法で作成した光ディスクは高反射率を有してお
り、波1780nn+の光で基板側から測定した反射率
はディスクミラ一部で65%であった。そして、5mV
からCNFLが45dBで書き込み可能であり、最高C
NRは50dBに達した。上記ディスクに線速1.4m
/s、書き込みパワー9mWでEF’M変調記録(マー
ク長記録)を行ったところ、ジッターは30nsecで
あり、非常に良好な記録再生特性を得ることができた。
り、波1780nn+の光で基板側から測定した反射率
はディスクミラ一部で65%であった。そして、5mV
からCNFLが45dBで書き込み可能であり、最高C
NRは50dBに達した。上記ディスクに線速1.4m
/s、書き込みパワー9mWでEF’M変調記録(マー
ク長記録)を行ったところ、ジッターは30nsecで
あり、非常に良好な記録再生特性を得ることができた。
この光ディスクは市販のCDプレーヤで再生可能であっ
た。なお、この実施例の光(実施例2) 実施例1と同じポリカーボネイト製透明円板上にフロロ
カーボン中間層とTe−Se合金中にAu元素を濃度勾
配をつけて分散させた記録膜とをスパックリング法によ
って成膜した。以下にその成膜条件を示す。実施例1と
同様にチャンバー内を真空引きし、そののちArガスを
導入し、Arガス圧を5X 10−’Torrに設定し
た。ターゲットとしては、ポリテトラフロロエチレンの
ターゲット、Tea。Se、。
た。なお、この実施例の光(実施例2) 実施例1と同じポリカーボネイト製透明円板上にフロロ
カーボン中間層とTe−Se合金中にAu元素を濃度勾
配をつけて分散させた記録膜とをスパックリング法によ
って成膜した。以下にその成膜条件を示す。実施例1と
同様にチャンバー内を真空引きし、そののちArガスを
導入し、Arガス圧を5X 10−’Torrに設定し
た。ターゲットとしては、ポリテトラフロロエチレンの
ターゲット、Tea。Se、。
組成(原子数比)の合金ターゲットおよびAuのターゲ
ットを用いた。まずポリテトラフロロエチレンのターゲ
ットに高周波パワーを印加し、厚さが20nmのフロロ
カーボン薄膜を形成した。なお同じ条件で成膜したフロ
ロカーボン薄膜では、F/(F+C)XIOIIで表わ
される上記Fの原子数パーセントが57%であった。上
記フロロカーボン中間層を形成したのちTe−5e合金
ターゲットに高周波パワー、Auターゲットに直流パワ
ーをそれぞれ印加してTe−3e層中にAu元素が分散
された記録膜を得た(膜厚50nm)。ここでAuター
ゲットに印加する直流パワーを徐々に小さくする条件で
成膜をで成膜した薄膜をESCA法によって深さ方向の
Au元素の濃度分布を測定したところ、記録再生のため
の先ビーム照射側である基板側表面におけるAu元素の
濃度は90原子数パーセントで、それから膜厚方向に向
かって濃度は急激に減少し、記録膜の膜厚の半分のとこ
ろでAu元素濃度は0%であった。
ットを用いた。まずポリテトラフロロエチレンのターゲ
ットに高周波パワーを印加し、厚さが20nmのフロロ
カーボン薄膜を形成した。なお同じ条件で成膜したフロ
ロカーボン薄膜では、F/(F+C)XIOIIで表わ
される上記Fの原子数パーセントが57%であった。上
記フロロカーボン中間層を形成したのちTe−5e合金
ターゲットに高周波パワー、Auターゲットに直流パワ
ーをそれぞれ印加してTe−3e層中にAu元素が分散
された記録膜を得た(膜厚50nm)。ここでAuター
ゲットに印加する直流パワーを徐々に小さくする条件で
成膜をで成膜した薄膜をESCA法によって深さ方向の
Au元素の濃度分布を測定したところ、記録再生のため
の先ビーム照射側である基板側表面におけるAu元素の
濃度は90原子数パーセントで、それから膜厚方向に向
かって濃度は急激に減少し、記録膜の膜厚の半分のとこ
ろでAu元素濃度は0%であった。
上述の方法で作成した光ディスクら同様に高反射率を有
しており、波長7g0nmの光で基板側から測定した反
射率はディスクミラ一部で71%であった。上記ディス
クに線速1.4m/s、書き込みパワー9aYでEFM
変調記録を行ったところ、CNRは55dB、ジッター
は25ngecであり、非常に良好な記録再生特性を得
ることができた。この光ディスクは市販のCDプレーヤ
で再生可能であった。また上記記録膜上に、ウレタン系
接着剤でPETフィルムを貼り付けて保護層を形成した
。この光ディスクでは書き込みパワーにlo+alを要
するようになったか、その他の特性は特に変化しなかっ
た。なお、この実施例の光ディスクの記録ピットをSE
ピットになっており、ピットエツジの形状は安定(均一
)であった。
しており、波長7g0nmの光で基板側から測定した反
射率はディスクミラ一部で71%であった。上記ディス
クに線速1.4m/s、書き込みパワー9aYでEFM
変調記録を行ったところ、CNRは55dB、ジッター
は25ngecであり、非常に良好な記録再生特性を得
ることができた。この光ディスクは市販のCDプレーヤ
で再生可能であった。また上記記録膜上に、ウレタン系
接着剤でPETフィルムを貼り付けて保護層を形成した
。この光ディスクでは書き込みパワーにlo+alを要
するようになったか、その他の特性は特に変化しなかっ
た。なお、この実施例の光ディスクの記録ピットをSE
ピットになっており、ピットエツジの形状は安定(均一
)であった。
(比較例)
上記実施例のポリカーボネイト製透明円板上に実進例2
と同し条件てフロロカーボン中間層(膜厚20nm)を
成膜し、上記フロロカーボン層上にTe−5e−Pb合
金からなる記録膜(膜厚50nm)を形成した。上記各
層の成膜は、ポリテトラフロロエチレンのターゲットお
よびTea。5e1spbs (原子数比)の合金ター
ゲットを用いたスパッタリング法により行った。なお上
記記録膜の組成比も原子数でTegoSe+5Pbsで
あった。
と同し条件てフロロカーボン中間層(膜厚20nm)を
成膜し、上記フロロカーボン層上にTe−5e−Pb合
金からなる記録膜(膜厚50nm)を形成した。上記各
層の成膜は、ポリテトラフロロエチレンのターゲットお
よびTea。5e1spbs (原子数比)の合金ター
ゲットを用いたスパッタリング法により行った。なお上
記記録膜の組成比も原子数でTegoSe+5Pbsで
あった。
上記方法で作成した光ディスクの反射率は上記実施例よ
りも低く、波長780naの光で基板側から測定した反
射率はディスクミラ一部で45%であった。また上記光
ディスクの記録感度は高(,3mlから書き込みが可能
であった。この光ディスクの記録部をSEM観察すると
、第6図に示すようなリムを有するピットが形成されて
おり、ピット形状は不均一であった。そして線速1.4
鳳/S、書き込みパワー9mWでEPM変調記録を行っ
たところ、ジッターは50nsecであり上記実施例に
比べて劣っていた。
りも低く、波長780naの光で基板側から測定した反
射率はディスクミラ一部で45%であった。また上記光
ディスクの記録感度は高(,3mlから書き込みが可能
であった。この光ディスクの記録部をSEM観察すると
、第6図に示すようなリムを有するピットが形成されて
おり、ピット形状は不均一であった。そして線速1.4
鳳/S、書き込みパワー9mWでEPM変調記録を行っ
たところ、ジッターは50nsecであり上記実施例に
比べて劣っていた。
[発明の効果]
この出願の請求項(1)の光学記録媒体は、基板上に延
性の大きな金属または合金を含む記録膜が形成されてお
り、上記記録膜は弾性限度を超えて膨張変形し、変形部
の頂上は破壊されてピット(穴部)が形成されているの
で、高コントラストで記録が行われる。上記ピットを基
板側から照射する再生レーザ光で再生するときは、カル
デラ状に形成されたピットの裾部と基板との接点部でピ
ットエツジが検出されるので、ピットエツジが安定し、
良好なジッター値が得られる。
性の大きな金属または合金を含む記録膜が形成されてお
り、上記記録膜は弾性限度を超えて膨張変形し、変形部
の頂上は破壊されてピット(穴部)が形成されているの
で、高コントラストで記録が行われる。上記ピットを基
板側から照射する再生レーザ光で再生するときは、カル
デラ状に形成されたピットの裾部と基板との接点部でピ
ットエツジが検出されるので、ピットエツジが安定し、
良好なジッター値が得られる。
請求項(2)の発明では請求項(1)においてフロロカ
ーボン中間層を設けているので、記録ピット形状をさら
に均一化し、また高感度化が達成される。
ーボン中間層を設けているので、記録ピット形状をさら
に均一化し、また高感度化が達成される。
請求項(3)の光学記録媒体では、上記延性の大きな金
属として、基板あるいはフロロカーボン中間層との密着
性の低いAu元素を用いているので、記録のための光ビ
ームを照射した際、空隙が形成されやすく、ピットが容
易に形成され、記録感度がより高い光学記録媒体が得ら
れる。
属として、基板あるいはフロロカーボン中間層との密着
性の低いAu元素を用いているので、記録のための光ビ
ームを照射した際、空隙が形成されやすく、ピットが容
易に形成され、記録感度がより高い光学記録媒体が得ら
れる。
第1図ないし第3図はこの発明の1つの実施例の光学記
録媒体の概略断面図、第4図または第5図はこの発明の
他の実施例の光学記録媒体の概略断面図、第6図はピッ
ト形成により記録される従来の光学記録媒体の概略断面
図である。 ■・・・・・基 坂、 2・・・・・記録膜、5・
・・・・フロロカーボン中間層、 6・・・・・空 隙、 7・・・・・ピット。 特許出願人 株式会社 り ラ し
録媒体の概略断面図、第4図または第5図はこの発明の
他の実施例の光学記録媒体の概略断面図、第6図はピッ
ト形成により記録される従来の光学記録媒体の概略断面
図である。 ■・・・・・基 坂、 2・・・・・記録膜、5・
・・・・フロロカーボン中間層、 6・・・・・空 隙、 7・・・・・ピット。 特許出願人 株式会社 り ラ し
Claims (2)
- (1)基板と記録膜とを有し、上記記録膜に光を照射す
ることによつて記録膜を変形して情報を記録する光学記
録媒体において、上記記録膜が延性の大きな金属あるい
は合金を含み、上記光照射によつて上記記録膜は弾性限
度を超えて膨張変形し、かつ、変形部の頂上は破壊限度
を超えて欠損することにより情報が記録されていること
を特徴とする光学記録媒体。 - (2)上記基板上にフロロカーボンを含む中間層が形成
されており、上記記録膜は上記フロロカーボン中間層上
に形成されていることを特徴とする請求項1記載の光学
記録媒体。(3)上記記録膜がAuを含むことを特徴と
する請求項1または2記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295570A JPH02141283A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295570A JPH02141283A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141283A true JPH02141283A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17822350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63295570A Pending JPH02141283A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02141283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028604A1 (en) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Pacific Solar Pty. Limited | Indirect laser patterning of resist |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295570A patent/JPH02141283A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028604A1 (en) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Pacific Solar Pty. Limited | Indirect laser patterning of resist |
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