JPH02141404A - 水素ガスの精製装置 - Google Patents
水素ガスの精製装置Info
- Publication number
- JPH02141404A JPH02141404A JP63293518A JP29351888A JPH02141404A JP H02141404 A JPH02141404 A JP H02141404A JP 63293518 A JP63293518 A JP 63293518A JP 29351888 A JP29351888 A JP 29351888A JP H02141404 A JPH02141404 A JP H02141404A
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- JP
- Japan
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- gas
- hydrogen gas
- purification
- catalyst
- adsorption
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- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水素ガスの精製装置に関し、さらに詳細には水
素ガス中に含有される酸素、水および炭酸ガスなどの不
純物を除去することによって高純度の精製水素ガスを得
るための水素ガスの精製装置に関する。
素ガス中に含有される酸素、水および炭酸ガスなどの不
純物を除去することによって高純度の精製水素ガスを得
るための水素ガスの精製装置に関する。
半導体プロセスなどでは水素ガスが多量に使用されてい
るが、最近の半導体の高度集積化の急速な進展と共に水
素ガスも極めて高純度のものが要求されている。
るが、最近の半導体の高度集積化の急速な進展と共に水
素ガスも極めて高純度のものが要求されている。
水素ガス中に不純物として含有される少量の酸素、水分
および炭酸ガスなどを除去して精製ガスを得るための装
置としてＮｉ、 Ｃｕなとの触媒により酸素を水に転換
する反応筒と合成ゼオライトなどの吸着剤により水分お
よび炭酸ガスなどを吸着除去するための吸着筒とを組合
わせた装置があり、水素ガスを常温で精製できることな
どから比較的多く用いられている。この場合には吸着剤
については不純物の吸着量が増加すると吸着剤の再生が
必要となるため、ガスの精製を連続的におこなうには吸
着筒は２筒とし、これらを交互に切替えて使用される。
および炭酸ガスなどを除去して精製ガスを得るための装
置としてＮｉ、 Ｃｕなとの触媒により酸素を水に転換
する反応筒と合成ゼオライトなどの吸着剤により水分お
よび炭酸ガスなどを吸着除去するための吸着筒とを組合
わせた装置があり、水素ガスを常温で精製できることな
どから比較的多く用いられている。この場合には吸着剤
については不純物の吸着量が増加すると吸着剤の再生が
必要となるため、ガスの精製を連続的におこなうには吸
着筒は２筒とし、これらを交互に切替えて使用される。
一方、反応筒については触媒が水素ガス雰囲気下にあり
、常に活性が維持され再生処理は不要とされて１簡のみ
で複数の吸着筒に共通使用され、例えば第２図に示すよ
うなフローシートの装置とされている。
、常に活性が維持され再生処理は不要とされて１簡のみ
で複数の吸着筒に共通使用され、例えば第２図に示すよ
うなフローシートの装置とされている。
第２図において、Ｎｉ、 Ｃｕなとの触媒が充填された
反応筒１１の入口および出口は原料ガスの供給路１４お
よび反応ガスの流路とそれぞれ接続されている。一方、
合成ゼオライトなどの吸着剤が充填され、かつヒーター
Ｈが取付けられた吸着筒１２および１２の入口はそれぞ
れ流路１３ａおよび１３ｂと接続され、流路１３ａおよ
び１３ｂは分岐してその一方は弁ＶｌｌａおよびＶｌｌ
ｂをそれぞれ介して反応ガスの流路と、また、他方は弁
Ｖ１２ａおよびＶ１２ｂを介して再生排ガスの排出路１
５と接続されている。さらに、吸着筒１２および１２の
出口は流路１６ａおよび１６ｂと接続され、流路１６ａ
および１６ｂは分岐してその一方は弁Ｖ１３ａおよび■
１３ｂを介して精製ガスの抜出し路１７に、また、他方
は弁Ｖ１４ａおよびＶ１４ｂを介して再生用の精製自己
ガスの供給路１８に接続されている。
反応筒１１の入口および出口は原料ガスの供給路１４お
よび反応ガスの流路とそれぞれ接続されている。一方、
合成ゼオライトなどの吸着剤が充填され、かつヒーター
Ｈが取付けられた吸着筒１２および１２の入口はそれぞ
れ流路１３ａおよび１３ｂと接続され、流路１３ａおよ
び１３ｂは分岐してその一方は弁ＶｌｌａおよびＶｌｌ
ｂをそれぞれ介して反応ガスの流路と、また、他方は弁
Ｖ１２ａおよびＶ１２ｂを介して再生排ガスの排出路１
５と接続されている。さらに、吸着筒１２および１２の
出口は流路１６ａおよび１６ｂと接続され、流路１６ａ
および１６ｂは分岐してその一方は弁Ｖ１３ａおよび■
１３ｂを介して精製ガスの抜出し路１７に、また、他方
は弁Ｖ１４ａおよびＶ１４ｂを介して再生用の精製自己
ガスの供給路１８に接続されている。
供給路１４から反応筒１１に入った原料水素ガスは触媒
と接触することにより水素ガス中に含有される酸素ガス
が水素ガスと反応して水に転換され、接触後の水素ガス
は出口から反応ガスの流路にでる。反応筒から出たガス
の吸着精製は吸着筒１２および１２を交互に切替えて使
用することにより連続的におこなわれる。例えば左側の
吸着筒１２が精製工程のときには弁Ｖｌｌａおよびｖ１
３ａが開かれて反応筒１１を出たガスは弁Ｖｌｌａおよ
び流路１３ａを経て左側の吸着筒１２に入り、吸着剤と
接触することにより、水分、炭酸ガスなどの不純物が吸
着除去されて精製され、流路１６ａ、弁Ｖ１３ａおよび
抜出し路１７を経て抜き出される。この間右側の吸着筒
１２では吸着剤の再生がおこなわれるが、まず、ヒータ
ーＨにより吸着剤が加熱された状態で弁Ｖ１２ｂおよび
Ｖ１４ｂが開かれることにより再生用の精製自己ガス（
精製水素ガスの一部）は供給路１８から弁Ｖ１４ｂおよ
び流路１６ｂを経て、右側の吸着筒１２に入る。ここで
吸着剤に吸着されていた水分および炭酸ガスなどの不純
物は加熱によって脱着し、吸着剤は再生される。吸着剤
から脱着した不純物は精製自己ガスとともに流路１３ｂ
および弁Ｖ１２ｂを経て再生排ガスとして排出路１５か
ら排出される。このようにして吸着剤の再生がおこなわ
れる一方、反応筒１１では吸着筒１２および１２間での
交互の切替えには関係なく常に連続的に原料ガスが流さ
れて転換反応が続けられる。
と接触することにより水素ガス中に含有される酸素ガス
が水素ガスと反応して水に転換され、接触後の水素ガス
は出口から反応ガスの流路にでる。反応筒から出たガス
の吸着精製は吸着筒１２および１２を交互に切替えて使
用することにより連続的におこなわれる。例えば左側の
吸着筒１２が精製工程のときには弁Ｖｌｌａおよびｖ１
３ａが開かれて反応筒１１を出たガスは弁Ｖｌｌａおよ
び流路１３ａを経て左側の吸着筒１２に入り、吸着剤と
接触することにより、水分、炭酸ガスなどの不純物が吸
着除去されて精製され、流路１６ａ、弁Ｖ１３ａおよび
抜出し路１７を経て抜き出される。この間右側の吸着筒
１２では吸着剤の再生がおこなわれるが、まず、ヒータ
ーＨにより吸着剤が加熱された状態で弁Ｖ１２ｂおよび
Ｖ１４ｂが開かれることにより再生用の精製自己ガス（
精製水素ガスの一部）は供給路１８から弁Ｖ１４ｂおよ
び流路１６ｂを経て、右側の吸着筒１２に入る。ここで
吸着剤に吸着されていた水分および炭酸ガスなどの不純
物は加熱によって脱着し、吸着剤は再生される。吸着剤
から脱着した不純物は精製自己ガスとともに流路１３ｂ
および弁Ｖ１２ｂを経て再生排ガスとして排出路１５か
ら排出される。このようにして吸着剤の再生がおこなわ
れる一方、反応筒１１では吸着筒１２および１２間での
交互の切替えには関係なく常に連続的に原料ガスが流さ
れて転換反応が続けられる。
半導体の高度集積化が進み、サブミクロン級の超ＬＳＩ
の製造プロセスなどに対し、さらに精製ガスの純度向上
に対する要求が高まるにつれ、このような精製装置を用
いても時間経過と共に精製ガスの純度が徐々に低下して
くるため、高純度の精製ガスが連続的に安定して得られ
ないということが判明してきた。
の製造プロセスなどに対し、さらに精製ガスの純度向上
に対する要求が高まるにつれ、このような精製装置を用
いても時間経過と共に精製ガスの純度が徐々に低下して
くるため、高純度の精製ガスが連続的に安定して得られ
ないということが判明してきた。
本発明者らは、これらの純度低下の原因を究明し、水素
ガスを常に高純度状態で精製しうる装置を得るべく鋭意
研究を進めた結果、Ｎｉ、 Ｃｕなとの触媒を常温で用
いた場合に基本的には酸素は水素と反応して水に転換さ
れるが、同時に酸素、−酸化炭素などの不純成分が触媒
の表面で固定されて活性が徐々に低下することおよびこ
のような状態となった触媒は水素雰囲気下で加熱するこ
とによって元の活性化状態に再生しうろことを見いだし
、本発明に到達した。
ガスを常に高純度状態で精製しうる装置を得るべく鋭意
研究を進めた結果、Ｎｉ、 Ｃｕなとの触媒を常温で用
いた場合に基本的には酸素は水素と反応して水に転換さ
れるが、同時に酸素、−酸化炭素などの不純成分が触媒
の表面で固定されて活性が徐々に低下することおよびこ
のような状態となった触媒は水素雰囲気下で加熱するこ
とによって元の活性化状態に再生しうろことを見いだし
、本発明に到達した。
すなわち本発明は、水素ガス中に不純物として含有され
る酸素ガスを水に転換するための触媒が充填された反応
筒と、該反応筒から導かれた水素ガス中に含有される水
分および炭酸ガスなどの不純物を吸着除去するための吸
着筒とを備えてなる水素ガスの精製装置において、該反
応筒と吸着筒とが直列に接続された精製部を少なくとも
２系列備えてなることを特徴とする水素ガスの精製装置
である。
る酸素ガスを水に転換するための触媒が充填された反応
筒と、該反応筒から導かれた水素ガス中に含有される水
分および炭酸ガスなどの不純物を吸着除去するための吸
着筒とを備えてなる水素ガスの精製装置において、該反
応筒と吸着筒とが直列に接続された精製部を少なくとも
２系列備えてなることを特徴とする水素ガスの精製装置
である。
本発明は不純物として酸素、−酸化炭素、炭酸ガスおよ
び水などを含有する水素ガスの高純度精製に使用される
。
び水などを含有する水素ガスの高純度精製に使用される
。
本発明を図面によって例示し具体的に説明する。
第１図は本発明の水素ガス精製装置のフロー一
シートである。
第１図においてＮｉ、 Ｃｕなどの触媒が充填された反
応筒１と合成ゼオライトなどの吸着剤が充填された吸着
筒２とが直列に接続され、かつ、それぞれの筒にヒータ
ーＨが配設されてなる２系列の精製部ＡおよびＢが設け
られている。精製部ＡおよびＢそれぞれの反応筒１およ
び１は流路３ａおよび３ｂと接続され、流路３ａおよび
３ｂのは分岐してその一方は弁ＶｉａおよびＶｌｂを介
して原料ガスの供給路４に、他方は弁Ｖ２ａおよびＶ２
ｂを介してそれぞれ再生排ガスの排出路５に接続されて
いる。
応筒１と合成ゼオライトなどの吸着剤が充填された吸着
筒２とが直列に接続され、かつ、それぞれの筒にヒータ
ーＨが配設されてなる２系列の精製部ＡおよびＢが設け
られている。精製部ＡおよびＢそれぞれの反応筒１およ
び１は流路３ａおよび３ｂと接続され、流路３ａおよび
３ｂのは分岐してその一方は弁ＶｉａおよびＶｌｂを介
して原料ガスの供給路４に、他方は弁Ｖ２ａおよびＶ２
ｂを介してそれぞれ再生排ガスの排出路５に接続されて
いる。
また、精製部ＡおよびＢそれぞれの吸着筒２および２は
流路６ａおよび６ｂと接続され、流路６ａおよび６ｂは
分岐してその一方は弁Ｖ３ａおよびＶ３ｂを介して精製
ガスの抜出し路７に、他方は弁Ｖ４ａおよびＶ４ｂを介
して抜出し路７から分岐した再生用自己ガス（精製水素
ガスの一部）の供給路８にそれぞれ接続されている。
流路６ａおよび６ｂと接続され、流路６ａおよび６ｂは
分岐してその一方は弁Ｖ３ａおよびＶ３ｂを介して精製
ガスの抜出し路７に、他方は弁Ｖ４ａおよびＶ４ｂを介
して抜出し路７から分岐した再生用自己ガス（精製水素
ガスの一部）の供給路８にそれぞれ接続されている。
水素ガスの精製は２系列の精製部ＡおよびＢを交互に切
替えて使用することにより連続的におこなわれる。
替えて使用することにより連続的におこなわれる。
例えば精製部Ａが精製工程のときには弁ＶｉａおよびＶ
３ａが開かれることによって酸素、−酸化炭素、炭酸ガ
スなどの不純物を含有する原料水素ガスは供給路４から
弁Ｖｉａおよび流路３ａを経て精製部Ａの反応筒１に入
り、Ｎｉ、 Ｃｕなとの触媒と接触して水素ガス中に含
有される酸素のほとんどは水素と反応して水に転換され
るが、このとき少量の酸素および一酸化炭素などの不純
物は触媒表面に捕捉されてガス中から除去される。次い
でガスは吸着筒２に入り、合成ゼオライトなどの吸着剤
と接触して炭酸ガスおよび水分などの不純物が吸着除去
され、高純度に精製される。吸着筒１から出た精製ガス
は流路６ａ、弁Ｖ３ａおよび精製ガスの抜出し路７を経
て抜出される。
３ａが開かれることによって酸素、−酸化炭素、炭酸ガ
スなどの不純物を含有する原料水素ガスは供給路４から
弁Ｖｉａおよび流路３ａを経て精製部Ａの反応筒１に入
り、Ｎｉ、 Ｃｕなとの触媒と接触して水素ガス中に含
有される酸素のほとんどは水素と反応して水に転換され
るが、このとき少量の酸素および一酸化炭素などの不純
物は触媒表面に捕捉されてガス中から除去される。次い
でガスは吸着筒２に入り、合成ゼオライトなどの吸着剤
と接触して炭酸ガスおよび水分などの不純物が吸着除去
され、高純度に精製される。吸着筒１から出た精製ガス
は流路６ａ、弁Ｖ３ａおよび精製ガスの抜出し路７を経
て抜出される。
この状態で長時間精製を続けると吸着剤に吸着された水
分および炭酸ガスなどの不純物が増加して吸着能力が低
下するばかりでなく、触媒についてもその表面で捕捉さ
れた酸素、−酸化炭素などの不純物が蓄積し、−酸化炭
素が除去できなくなる他、酸素を水に転換する触媒活性
も徐々に低下する傾向が出てくる。そのため、このよう
な影響が生ずる以前に精製は精製部Ｂに切替えられ、精
製部Ａは触媒および吸着剤の再生工程に入る。
分および炭酸ガスなどの不純物が増加して吸着能力が低
下するばかりでなく、触媒についてもその表面で捕捉さ
れた酸素、−酸化炭素などの不純物が蓄積し、−酸化炭
素が除去できなくなる他、酸素を水に転換する触媒活性
も徐々に低下する傾向が出てくる。そのため、このよう
な影響が生ずる以前に精製は精製部Ｂに切替えられ、精
製部Ａは触媒および吸着剤の再生工程に入る。
弁ＶｌｂおよびＶ３ｂを開くと同時に弁ＶｉａおよびＶ
３ａを閉じることによって原料水素ガスは精製部Ｂの系
列に流れて精製がおこなわれる。次いで精製部Ａの反応
筒１および吸着筒２をヒーターＨおよびＨで触媒および
吸着剤を加熱しながら弁Ｖ２ａおよびＶ４ａを開くこと
により精製水素ガスの一部は再生用ガスとして精製自己
ガスの供給路８から弁Ｖ４ａおよび流路６ａを経て精製
部Ａの吸着筒２に入る。ここで吸着剤に吸着されていた
炭酸ガスおよび水などの不純物は加熱によって脱着し、
再生用ガスとともに反応筒１に入るが、ここでは触媒に
捕捉されていた微量の酸素が加熱状態で水素と反応して
水に転換されると同時に一酸化炭素などの微量不純物も
離脱し、−酸化炭素および炭酸ガスはＮｉ触媒により水
素と反応してメタンに転換され、再生用ガスとともに流
路３ａおよび弁Ｖ２ａを経て再生排ガスの排出路５から
排出される。これによって吸着剤は再生され、かつ触媒
表面は高温水素還元によって活性化され次の精製工程に
備えられる。
３ａを閉じることによって原料水素ガスは精製部Ｂの系
列に流れて精製がおこなわれる。次いで精製部Ａの反応
筒１および吸着筒２をヒーターＨおよびＨで触媒および
吸着剤を加熱しながら弁Ｖ２ａおよびＶ４ａを開くこと
により精製水素ガスの一部は再生用ガスとして精製自己
ガスの供給路８から弁Ｖ４ａおよび流路６ａを経て精製
部Ａの吸着筒２に入る。ここで吸着剤に吸着されていた
炭酸ガスおよび水などの不純物は加熱によって脱着し、
再生用ガスとともに反応筒１に入るが、ここでは触媒に
捕捉されていた微量の酸素が加熱状態で水素と反応して
水に転換されると同時に一酸化炭素などの微量不純物も
離脱し、−酸化炭素および炭酸ガスはＮｉ触媒により水
素と反応してメタンに転換され、再生用ガスとともに流
路３ａおよび弁Ｖ２ａを経て再生排ガスの排出路５から
排出される。これによって吸着剤は再生され、かつ触媒
表面は高温水素還元によって活性化され次の精製工程に
備えられる。
このように吸着剤と同時に触媒についても加熱再生をお
こなうことにより活性が維持され、水素ガスは常に安定
した状態で高純度に精製される。
こなうことにより活性が維持され、水素ガスは常に安定
した状態で高純度に精製される。
本発明において、精製部となる反応筒および吸着筒は必
ずしも個々の筒とする必要はなく、両者を合わせて１つ
の筒とし、これに触媒および吸着剤が充填された形態で
あってもよい。また、精製部は、通常は２系列とされる
が、所望により３系列以上としてもよい。反応筒の再生
は吸着筒と同じ周期でおこなわれるため、その大きさな
どは再生サイクルの時間などに応じて定められる。
ずしも個々の筒とする必要はなく、両者を合わせて１つ
の筒とし、これに触媒および吸着剤が充填された形態で
あってもよい。また、精製部は、通常は２系列とされる
が、所望により３系列以上としてもよい。反応筒の再生
は吸着筒と同じ周期でおこなわれるため、その大きさな
どは再生サイクルの時間などに応じて定められる。
本発明の水素ガス精製装置は従来１簡のみであった反応
筒を吸着筒と同様に少なくとも２筒とし吸着剤の再生と
同時に触媒の再生をおこなうようにしたものであり、こ
れによって従来技術では把握し得なかった長時間使用に
おける触媒の活性低下による精製ガスの僅かな純度低下
をも防止できると同時に一酸化炭素の除去も確実におこ
なうことができ、半導体プロセスなどに連続的に供給さ
れる水素ガスを常に高純度状態で安定して精製すること
が可能となった。しかも再生を繰り返しておこなうこと
ができるため、反応筒についても小型のものでよく、装
置は全体としてコンパクト化され、より狭いスペースで
の設置も可能となった。
筒を吸着筒と同様に少なくとも２筒とし吸着剤の再生と
同時に触媒の再生をおこなうようにしたものであり、こ
れによって従来技術では把握し得なかった長時間使用に
おける触媒の活性低下による精製ガスの僅かな純度低下
をも防止できると同時に一酸化炭素の除去も確実におこ
なうことができ、半導体プロセスなどに連続的に供給さ
れる水素ガスを常に高純度状態で安定して精製すること
が可能となった。しかも再生を繰り返しておこなうこと
ができるため、反応筒についても小型のものでよく、装
置は全体としてコンパクト化され、より狭いスペースで
の設置も可能となった。
第１図に示したと同様の構成の精製装置で、Ｎｉ系触媒
６１０ｇを充填した内径４３ｆｆｌＩＩ＋の反応筒と、
モレキュラーシーブ５Ａを１９０ｇ充填した内径２８．
４闘の吸着筒を直列に接続してなる精製部を２系列有す
る精製装置を用いて水素ガスの精製をおこなった。
６１０ｇを充填した内径４３ｆｆｌＩＩ＋の反応筒と、
モレキュラーシーブ５Ａを１９０ｇ充填した内径２８．
４闘の吸着筒を直列に接続してなる精製部を２系列有す
る精製装置を用いて水素ガスの精製をおこなった。
原料ガスとして水素ガスにマスフローコントローラーを
用いて酸素、−酸化炭素および炭酸ガスがそれぞれ１０
ｐｐｍとなるように添加しながら圧力５Ｋｇｆ／ｃボＧ
、精製流量２．７Ｎｎ（／ｈで供給し１、精製部各系列
の切替え周期を８時間毎として連続精製をおこない、そ
の精製ガス純度を分析した。酸素については微量酸素分
析計（富士電気製造■製）、−酸化炭素および炭酸ガス
についてはＦＩＤガスクロマトグラフを用いて分離カラ
ム出口のガスを水素の存在下に６００℃でＮｉ触媒上で
接触させ、−酸化炭素および炭酸ガスをメタンに変換し
た後、ＦＩＤ （水素炎イオン化検出器〉に導いて分析
した。結果を第１表に示す。
用いて酸素、−酸化炭素および炭酸ガスがそれぞれ１０
ｐｐｍとなるように添加しながら圧力５Ｋｇｆ／ｃボＧ
、精製流量２．７Ｎｎ（／ｈで供給し１、精製部各系列
の切替え周期を８時間毎として連続精製をおこない、そ
の精製ガス純度を分析した。酸素については微量酸素分
析計（富士電気製造■製）、−酸化炭素および炭酸ガス
についてはＦＩＤガスクロマトグラフを用いて分離カラ
ム出口のガスを水素の存在下に６００℃でＮｉ触媒上で
接触させ、−酸化炭素および炭酸ガスをメタンに変換し
た後、ＦＩＤ （水素炎イオン化検出器〉に導いて分析
した。結果を第１表に示す。
第１表
１サイクル（８時間）毎における原料ガス中に添加され
た一酸化炭素および炭酸ガスの合計量と再生排ガス中の
メタンの合計量の関係を第２表に示す。
た一酸化炭素および炭酸ガスの合計量と再生排ガス中の
メタンの合計量の関係を第２表に示す。
第２表
一方の系列の精製部で精製をおこなう間に、他方の系列
の精製部では反応筒を２００℃、吸着筒を３５０°Ｃに
それぞれ加熱しながら精製ガスの一部を用い、常圧下に
て７ＯＮＩ／ｈの流量で、３時間加熱再生処理をおこな
った後、ヒーターをＯＦＦとして、さらに、４．５時間
精製水素ガスを流して冷却し次回の精製に備えた。
の精製部では反応筒を２００℃、吸着筒を３５０°Ｃに
それぞれ加熱しながら精製ガスの一部を用い、常圧下に
て７ＯＮＩ／ｈの流量で、３時間加熱再生処理をおこな
った後、ヒーターをＯＦＦとして、さらに、４．５時間
精製水素ガスを流して冷却し次回の精製に備えた。
この再生処理時におけるＮｉ系触媒および吸着剤からの
一酸化炭素および炭酸ガスの脱着を確認するため、８時
間再生サイクル毎の再生排ガス中のメタンの排出量の分
析をおこなった。
一酸化炭素および炭酸ガスの脱着を確認するため、８時
間再生サイクル毎の再生排ガス中のメタンの排出量の分
析をおこなった。
第２表に示した如（Ｎｉ触媒および吸着剤で除去された
一酸化炭素および炭酸ガスのほとんど全量が再生時に触
媒および吸着剤から脱着すると同時に水素と反応してメ
タンに転換されて排出され、触媒および吸着剤が確実に
再生されていることが分かった。
一酸化炭素および炭酸ガスのほとんど全量が再生時に触
媒および吸着剤から脱着すると同時に水素と反応してメ
タンに転換されて排出され、触媒および吸着剤が確実に
再生されていることが分かった。
第１図は本発明の水素ガスの精製装置の一例を示すフロ
ーシートであり、第２図は従来の水素ガスの精製装置の
フローシートである。 図面の各番号は以下の通りである。 １および１１３反応筒 ２および１２．吸着筒Ａおよび
Ｂ、精製部 ３ａ、３ｂ；６ａ、６ｂ、１３ａ、１３ｂ
。 １６ａＪ６ｂ 、流路 ４，８，１４．および１８供
給路５および１５．排出路 ７および１７．抜出し路特
許出願人 日本バイオニクス株式会社代理人 弁理士
小 堀 貞 文
ーシートであり、第２図は従来の水素ガスの精製装置の
フローシートである。 図面の各番号は以下の通りである。 １および１１３反応筒 ２および１２．吸着筒Ａおよび
Ｂ、精製部 ３ａ、３ｂ；６ａ、６ｂ、１３ａ、１３ｂ
。 １６ａＪ６ｂ 、流路 ４，８，１４．および１８供
給路５および１５．排出路 ７および１７．抜出し路特
許出願人 日本バイオニクス株式会社代理人 弁理士
小 堀 貞 文
Claims (1)
- 水素ガス中に不純物として含有される酸素ガスを水に転
換するための触媒が充填された反応筒と、該反応筒から
導かれた水素ガス中に含有される水分および炭酸ガスな
どの不純物を吸着除去するための吸着筒とを備えてなる
水素ガスの精製装置において、該反応筒と吸着筒とが直
列に接続された精製部を少なくとも２系列備えてなるこ
とを特徴とする水素ガスの精製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293518A JP2627792B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 水素ガスの精製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293518A JP2627792B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 水素ガスの精製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141404A true JPH02141404A (ja) | 1990-05-30 |
| JP2627792B2 JP2627792B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17795778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63293518A Expired - Lifetime JP2627792B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 水素ガスの精製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2627792B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0441716U (ja) * | 1990-07-31 | 1992-04-09 | ||
| JPH06199513A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-07-19 | Cvd Inc | 高研磨性と高熱伝導率を有する炭化ケイ素の製造方法とその用途 |
| JP2007223861A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Kobe Steel Ltd | 水素圧縮装置 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63293518A patent/JP2627792B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0441716U (ja) * | 1990-07-31 | 1992-04-09 | ||
| JPH06199513A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-07-19 | Cvd Inc | 高研磨性と高熱伝導率を有する炭化ケイ素の製造方法とその用途 |
| JP2007223861A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Kobe Steel Ltd | 水素圧縮装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2627792B2 (ja) | 1997-07-09 |
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