JPH0214201Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0214201Y2 JPH0214201Y2 JP1983195237U JP19523783U JPH0214201Y2 JP H0214201 Y2 JPH0214201 Y2 JP H0214201Y2 JP 1983195237 U JP1983195237 U JP 1983195237U JP 19523783 U JP19523783 U JP 19523783U JP H0214201 Y2 JPH0214201 Y2 JP H0214201Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum layer
- tip
- lead frame
- lead
- top surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体集積回路（以下ICと称す）の
ためのリードフレームであつて、更に言えば高信
頼性のICを供給する事ができるリードフレーム
に関する。
ためのリードフレームであつて、更に言えば高信
頼性のICを供給する事ができるリードフレーム
に関する。
ICリードフレームは42合金（Ni42重量％，Fe
残部）、コバール（Ni29重量％，Co17重量％，
Fe残部）、リン青銅のような高熱伝導性、強度を
有する材料をプレス打抜きあるいは、エツチング
にて所定のパターンに形成させた後、アイランド
部（ICチツプを搭載する部分）にICチツプとの
密着性を高める事、耐食性の付与、リードフレー
ム成分のICチツプへの拡散防止、放熱性及び電
気伝導性の向上等の目的で金あるいは銀などの貴
金属を部分的にめつきを行なう。
残部）、コバール（Ni29重量％，Co17重量％，
Fe残部）、リン青銅のような高熱伝導性、強度を
有する材料をプレス打抜きあるいは、エツチング
にて所定のパターンに形成させた後、アイランド
部（ICチツプを搭載する部分）にICチツプとの
密着性を高める事、耐食性の付与、リードフレー
ム成分のICチツプへの拡散防止、放熱性及び電
気伝導性の向上等の目的で金あるいは銀などの貴
金属を部分的にめつきを行なう。
また、最近はICチツプとインナーリードを接
続するボンデイング用ワイヤーとして、アルミニ
ウム線を用いることが多いことから、インナーリ
ード上に数〜十数ミクロン程度の厚さのアルミニ
ウム層を設け、アルミニウムのボンデイング用ワ
イヤーとインナーリードとの密着性を向上させて
いる。
続するボンデイング用ワイヤーとして、アルミニ
ウム線を用いることが多いことから、インナーリ
ード上に数〜十数ミクロン程度の厚さのアルミニ
ウム層を設け、アルミニウムのボンデイング用ワ
イヤーとインナーリードとの密着性を向上させて
いる。
その後、ICチツプをボンデイングしたリード
フレームを、樹脂で封止しICが完成する。
フレームを、樹脂で封止しICが完成する。
しかし、従来例ではアルミニウム層をインナー
リード上にボンデイング用ワイヤーが接着される
箇所よりもはるかに広く、インナーリード端部を
含む部分に形成するため（第２図参照）、封止に
用いる樹脂（エポキシ樹脂、フエノール樹脂、シ
リコーン樹脂、ポリフエニレンサルフアイド樹脂
等）中に含まれるイオン性不純物（特に塩素、臭
素、フツ素等のハロゲンイオン）によるアルミニ
ウム層の腐食が、特にインナーリード端部より進
行するために、剥離が生じ、ICチツプとリード
フレーム間に断線が生じることがあつた。
リード上にボンデイング用ワイヤーが接着される
箇所よりもはるかに広く、インナーリード端部を
含む部分に形成するため（第２図参照）、封止に
用いる樹脂（エポキシ樹脂、フエノール樹脂、シ
リコーン樹脂、ポリフエニレンサルフアイド樹脂
等）中に含まれるイオン性不純物（特に塩素、臭
素、フツ素等のハロゲンイオン）によるアルミニ
ウム層の腐食が、特にインナーリード端部より進
行するために、剥離が生じ、ICチツプとリード
フレーム間に断線が生じることがあつた。
しかるに、本考案のリードフレームは、インナ
ーリードの先端部の上面に、該先端部の上面の面
積より小さい領域を占めるアルミニウム層を形成
してなり、該アルミニウム層がボンデイング用ワ
イヤーを接着される箇所に相当する事により前記
課題を解決した。
ーリードの先端部の上面に、該先端部の上面の面
積より小さい領域を占めるアルミニウム層を形成
してなり、該アルミニウム層がボンデイング用ワ
イヤーを接着される箇所に相当する事により前記
課題を解決した。
本考案のリードフレームは、インナーリードの
先端部の上面に、該先端部の上面より小さい領域
を占めるアルミニウム層を形成することにより、
インナーリード端部にはアルミニウム層が存在し
ないので腐食が発生しにくく、アルミニウム層の
剥離が起こりにくい。
先端部の上面に、該先端部の上面より小さい領域
を占めるアルミニウム層を形成することにより、
インナーリード端部にはアルミニウム層が存在し
ないので腐食が発生しにくく、アルミニウム層の
剥離が起こりにくい。
本考案のリードフレームの一実施例を第１図を
用いて説明する。すなわち、エツチングやプレス
打抜きにより所定のパターンが形成されたリード
フレーム１において、アイランド部２には従来ど
おり、貴金属めつき３を施し、インナーリード先
端部４の上面に、該先端部４の上面の面積より小
さい領域を占めるアルミニウム層５を形成して、
該アルミニウム層５にボンデイング用ワイヤーを
接着する。
用いて説明する。すなわち、エツチングやプレス
打抜きにより所定のパターンが形成されたリード
フレーム１において、アイランド部２には従来ど
おり、貴金属めつき３を施し、インナーリード先
端部４の上面に、該先端部４の上面の面積より小
さい領域を占めるアルミニウム層５を形成して、
該アルミニウム層５にボンデイング用ワイヤーを
接着する。
なお、本考案でアルミニウム層を設ける箇所
は、自由形状で良く、円形が一番良いが、インナ
ーリード先部６から0.5mmのところを中心にして
半径0.3mm以内の領域に形成されておればワイヤ
ーボンデイングの接合箇所になりうるのであり、
楕円、長方形、三角形など形状は特に選ばない。
また、リードフレームの吊りリード部７にアルミ
ニウム層が必要な場合は、他のインナーリードと
ほぼ同じ箇所に行なえば良い。
は、自由形状で良く、円形が一番良いが、インナ
ーリード先部６から0.5mmのところを中心にして
半径0.3mm以内の領域に形成されておればワイヤ
ーボンデイングの接合箇所になりうるのであり、
楕円、長方形、三角形など形状は特に選ばない。
また、リードフレームの吊りリード部７にアルミ
ニウム層が必要な場合は、他のインナーリードと
ほぼ同じ箇所に行なえば良い。
本考案のリードフレームは、インナーリードの
先端部の上面に、該先端部の上面より小さい領域
を占めるアルミニウム層を形成することにより、
インナーリード端部にはアルミニウム層が存在し
ないので腐食が発生しにくく、剥離が起こりにく
いために、従来より信頼性の高いICが得られた。
先端部の上面に、該先端部の上面より小さい領域
を占めるアルミニウム層を形成することにより、
インナーリード端部にはアルミニウム層が存在し
ないので腐食が発生しにくく、剥離が起こりにく
いために、従来より信頼性の高いICが得られた。
第１図は、本考案のリードフレームの一実施例
を示す部分拡大斜視図である。第２図は、従来の
リードフレームの一実施例を示す部分拡大斜視図
である。 １……リードフレーム、２……アイランド部、
３……貴金属めつき層、４……インナーリード先
端部、５……アルミニウム層、６……インナーリ
ード先部、７……吊りリード、８……インナーリ
ード端部。
を示す部分拡大斜視図である。第２図は、従来の
リードフレームの一実施例を示す部分拡大斜視図
である。 １……リードフレーム、２……アイランド部、
３……貴金属めつき層、４……インナーリード先
端部、５……アルミニウム層、６……インナーリ
ード先部、７……吊りリード、８……インナーリ
ード端部。
Claims (1)
- インナーリードの先端部の上面に、該先端部の
上面の面積より小さい領域を占めるアルミニウム
層を形成してなり、該アルミニウム層がボンデイ
ング用ワイヤーを接着される箇所に相当する事を
特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19523783U JPS60103833U (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19523783U JPS60103833U (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103833U JPS60103833U (ja) | 1985-07-15 |
| JPH0214201Y2 true JPH0214201Y2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=30419392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19523783U Granted JPS60103833U (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103833U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940487A (ja) * | 1972-08-22 | 1974-04-16 | ||
| JPS5619052U (ja) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP19523783U patent/JPS60103833U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60103833U (ja) | 1985-07-15 |
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