JPH02144503A - 光伝送体の処理方法 - Google Patents
光伝送体の処理方法Info
- Publication number
- JPH02144503A JPH02144503A JP63297941A JP29794188A JPH02144503A JP H02144503 A JPH02144503 A JP H02144503A JP 63297941 A JP63297941 A JP 63297941A JP 29794188 A JP29794188 A JP 29794188A JP H02144503 A JPH02144503 A JP H02144503A
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- JP
- Japan
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- transmission body
- light
- optical transmission
- light transmission
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- Pending
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光伝送体の処理方法に関するものである。
周知の通り、光伝送体を応用したシステムは公衆通信の
みならず、各種プラントの計装等を含む広い分野で活用
されるようになってきている。
みならず、各種プラントの計装等を含む広い分野で活用
されるようになってきている。
このうち、離島に渡す海底光通信ケーブル、国境に跨が
る長距離用光通信ケーブル等では、中継間隔を大きくし
たい要望があり、そのため高度に低ＩＩ失化された光伝
送体が希求されるようになってきている。
る長距離用光通信ケーブル等では、中継間隔を大きくし
たい要望があり、そのため高度に低ＩＩ失化された光伝
送体が希求されるようになってきている。
前述した海底光通信ケーブル等の長距離光通信ケーブル
用として使用される光伝送体においては、伝送損失が極
めて低いことという条件に加えて、長期にわたっての高
信頼性もまた極めて重要な条件である。具体的には従来
から度々言われている水素による伝送１１失増加を長期
にわたっていかにして防ぐかが、長朋信転性を確保する
上で大きな鍵になっている。
用として使用される光伝送体においては、伝送損失が極
めて低いことという条件に加えて、長期にわたっての高
信頼性もまた極めて重要な条件である。具体的には従来
から度々言われている水素による伝送１１失増加を長期
にわたっていかにして防ぐかが、長朋信転性を確保する
上で大きな鍵になっている。
そこで種々の検討の末、本発明者らは光伝送体を重水素
を含む雰囲気中に晒すと伝送［ｉ失を下げることができ
、かく長期信顧性をも確保できることを見出している。
を含む雰囲気中に晒すと伝送［ｉ失を下げることができ
、かく長期信顧性をも確保できることを見出している。
（特願昭６３−１９８４６１号）しかしながらこの方法
もかなり有効な手段ではあったが、未だ完全とは言い難
かった。具体的には、より低損失値を求められる光伝送
体にあっては１．５５μ嬌帯での伝送損失値がまだ少し
高過ぎるという問題があった。
もかなり有効な手段ではあったが、未だ完全とは言い難
かった。具体的には、より低損失値を求められる光伝送
体にあっては１．５５μ嬌帯での伝送損失値がまだ少し
高過ぎるという問題があった。
〔発明の目的］
前記問題に鑑み本発明の目的は、１．５５μ論帯での伝
送損失値のより低い光伝送体を得ることにあ（発明の構
成） 前記目的を達成すべく本発明は、光伝送体を重水素を含
む雰囲気に晒しながら、または晒した後、この光伝送体
の中に波長０．６〜１．０μ園の範囲にある光を入射せ
しめることを特徴とするものである。
送損失値のより低い光伝送体を得ることにあ（発明の構
成） 前記目的を達成すべく本発明は、光伝送体を重水素を含
む雰囲気に晒しながら、または晒した後、この光伝送体
の中に波長０．６〜１．０μ園の範囲にある光を入射せ
しめることを特徴とするものである。
（発明の実施例〕
以下に本発明の実施例を図を参照して詳細に説明する。
まず既知の方法、例えばＶＡＤ法により光伝送体用母材
を製造し、これを脱水、透明ガラス化した後紡糸し、第
１図に示すようにコア１およびクラッド２両方にフッ素
を含む単一モード型の光伝送体を作製した。
を製造し、これを脱水、透明ガラス化した後紡糸し、第
１図に示すようにコア１およびクラッド２両方にフッ素
を含む単一モード型の光伝送体を作製した。
この光伝送体の特性は、モードフィード径が１０゜０μ
−１屈折率差Δ０．３８％、カントオフ波長ｌ、４５μ
膳、零分散波長１．２８ＩＩｍ 、伝送ｔｉ失０．１８
６ｄＢ／ｋｍ（１，５５μ−帯において）であった。
−１屈折率差Δ０．３８％、カントオフ波長ｌ、４５μ
膳、零分散波長１．２８ＩＩｍ 、伝送ｔｉ失０．１８
６ｄＢ／ｋｍ（１，５５μ−帯において）であった。
前記光伝送体を１０に一採取し、ＯＸ （重水素）ガ
スの雰囲気に晒した。このときの条件を以下に示す。
スの雰囲気に晒した。このときの条件を以下に示す。
まず、処理容器内に前記採取した１０に−の光伝送体を
入れ、室温でＮ ｚ （窒素）を５２／分流して、各処
理容器内の空気を追い出した。このようにして３０分間
Ｎ８を流した後、このＮよガスを止め、代わってＤ２ガ
スを３０分間流した。これによって容器内をＤ！ガスで
満たした。この状態でさらに約１時間（室温にて）放置
した。
入れ、室温でＮ ｚ （窒素）を５２／分流して、各処
理容器内の空気を追い出した。このようにして３０分間
Ｎ８を流した後、このＮよガスを止め、代わってＤ２ガ
スを３０分間流した。これによって容器内をＤ！ガスで
満たした。この状態でさらに約１時間（室温にて）放置
した。
しかる後、再び容器内にＮ２ガスを５１／分で流し、容
器内のり、ガスを追い出し、続いて容器内から光伝送体
を取り出した。ここで光伝送体内へのり、の拡散を促進
すべく取り出した光伝送体を４５°Ｃの恒温槽内に約３
０間放置した。
器内のり、ガスを追い出し、続いて容器内から光伝送体
を取り出した。ここで光伝送体内へのり、の拡散を促進
すべく取り出した光伝送体を４５°Ｃの恒温槽内に約３
０間放置した。
以上の処理が終了した後、この光伝送体についてロスス
ペクトルを測定した。その結果を第２図に実線で示す、
第２図が示すようにＤ２ガス雰囲気に晒した結果、その
値は１．５５μ−帯で０．１７９ｄＢ／に−で、晒す前
の値（１，５５μ■帯で０．１８６ｄＢ／ｋｍ）よりわ
ずかではあるが伝送損失が減少していた。ここで−点鎖
線はＤ８ガス雰囲気に晒す前のロススペクトルである。
ペクトルを測定した。その結果を第２図に実線で示す、
第２図が示すようにＤ２ガス雰囲気に晒した結果、その
値は１．５５μ−帯で０．１７９ｄＢ／に−で、晒す前
の値（１，５５μ■帯で０．１８６ｄＢ／ｋｍ）よりわ
ずかではあるが伝送損失が減少していた。ここで−点鎖
線はＤ８ガス雰囲気に晒す前のロススペクトルである。
このり、ガスによる処理後、１０に−の光伝送体を５に
園づつの束に分け、その一方の束には更に室温において
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波長０．６３μ−）を前記光伝
送体の端面より入射せしめ、２日間入射した状態で放置
した。しかる後このＩＩｓ−Ｍｅ レーザー光の入射を
停止し、ロススペクトルを測定した。
園づつの束に分け、その一方の束には更に室温において
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波長０．６３μ−）を前記光伝
送体の端面より入射せしめ、２日間入射した状態で放置
した。しかる後このＩＩｓ−Ｍｅ レーザー光の入射を
停止し、ロススペクトルを測定した。
その結果を第２図に点線で示した。この図が示すように
Ｈｅ−Ｎｅ レーザー光を入射したことにより、更に伝
送１員失が低下したことが判る。 （１，５５μ−帯
で０．１７５ｄＢ／ｋｍ） 一方、他方の光伝送体の束についてはＤ８ガスによる処
理後そのまま室温雰囲気に４日間放置した。その後ロス
スペクトルを測定したが、その結果はＤ８ガスによる処
理後の状態となんら変化がなかった。
Ｈｅ−Ｎｅ レーザー光を入射したことにより、更に伝
送１員失が低下したことが判る。 （１，５５μ−帯
で０．１７５ｄＢ／ｋｍ） 一方、他方の光伝送体の束についてはＤ８ガスによる処
理後そのまま室温雰囲気に４日間放置した。その後ロス
スペクトルを測定したが、その結果はＤ８ガスによる処
理後の状態となんら変化がなかった。
以上の結果、Ｈｅ−Ｎｏレーザー光入射の効果は明確で
ある。さてこの現象を以下のように推測してみた。
ある。さてこの現象を以下のように推測してみた。
まずガラス内に侵入したＤ！は、種々の構造欠陥と反応
する。その結果、常温近傍では１．５５μ。
する。その結果、常温近傍では１．５５μ。
付近で光吸収をもたらすある種の構造欠陥が前述Ｄ８と
の反応によって消滅し、伝送損失が低下する。しかしな
がら別種の、１．５５μ−帯で光吸収をもたらす構造欠
陥と光伝送体中に侵入したＤ！とを反応させるにはなん
らかのエネルギーが必要である。ここではＨｅ−Ｎｏ
レーザー光（波長０．６３μ曽）によってこの反応が促
進され、その構造欠陥が消滅し、もって１．５５μｍ帯
での伝送損失が更に低下した、と考えられる。
の反応によって消滅し、伝送損失が低下する。しかしな
がら別種の、１．５５μ−帯で光吸収をもたらす構造欠
陥と光伝送体中に侵入したＤ！とを反応させるにはなん
らかのエネルギーが必要である。ここではＨｅ−Ｎｏ
レーザー光（波長０．６３μ曽）によってこの反応が促
進され、その構造欠陥が消滅し、もって１．５５μｍ帯
での伝送損失が更に低下した、と考えられる。
尚、本実施例ではエネルギー源としてＨｅ−Ｎｅレーザ
ー光を使用したが、これはＬＤやＬＥＤ光であっても良
い、但し問題はその光の波長、すなわち負荷するエネル
ギーにあって、例えば０．４ μ−程度の波長ではり、
との反応をより促進させるが、エネルギーが高過ぎるた
め、逆に別種の構造欠陥を発生させてしまうという問題
を抱えている。また通常光伝送用として使用される１、
３μｍや１．５５μｍ、すなわち１．０μ−以上の波長
を入射しても、今度はエネルギーが小さ過ぎてり、との
反応促進にあまり役立たない。従って０．６３〜０．８
５μ−の波長の光が最も好ましく、実験によればその上
限は１．０μｍ程度であった。
ー光を使用したが、これはＬＤやＬＥＤ光であっても良
い、但し問題はその光の波長、すなわち負荷するエネル
ギーにあって、例えば０．４ μ−程度の波長ではり、
との反応をより促進させるが、エネルギーが高過ぎるた
め、逆に別種の構造欠陥を発生させてしまうという問題
を抱えている。また通常光伝送用として使用される１、
３μｍや１．５５μｍ、すなわち１．０μ−以上の波長
を入射しても、今度はエネルギーが小さ過ぎてり、との
反応促進にあまり役立たない。従って０．６３〜０．８
５μ−の波長の光が最も好ましく、実験によればその上
限は１．０μｍ程度であった。
更に本実施例では光伝送体として単一モード光伝送体を
使用しているが、当然のことであるが種々の構造あるい
は構成材料からなる光伝送体にも本発明が適用できるこ
とは言うまでもない。
使用しているが、当然のことであるが種々の構造あるい
は構成材料からなる光伝送体にも本発明が適用できるこ
とは言うまでもない。
加えてり、ガス処理に使用されるＤよガスの濃度として
は０．１〜１００νｏ１％の広い範囲の濃度で適用可能
である。
は０．１〜１００νｏ１％の広い範囲の濃度で適用可能
である。
また本実施例ではレーザー光による効果を明確にするた
め、この処理をＤ８ガス処理後に行ったが、処理時間を
短縮すべく、画処理を同時に施してもよい。
め、この処理をＤ８ガス処理後に行ったが、処理時間を
短縮すべく、画処理を同時に施してもよい。
（発明の効果〕
前述の如く本発明の方法によれば、光伝送体の伝送！員
失をより一層低下させることができる。
失をより一層低下させることができる。
第１図は本発明の実験に使用した光伝送体の屈折率分布
の一例を示す図、第２図は前記第１図に示す光伝送体に
本発明の処理方法を採用した場合と従来の処理方法を採
用した場合の処理前後の伝送損失の状態を示す概略図で
ある。 １〜コア ２〜クラツド
の一例を示す図、第２図は前記第１図に示す光伝送体に
本発明の処理方法を採用した場合と従来の処理方法を採
用した場合の処理前後の伝送損失の状態を示す概略図で
ある。 １〜コア ２〜クラツド
Claims (1)
- 光伝送体を重水素を含む雰囲気に晒しながら、または晒
した後、この光伝送体の中に波長０．６〜１．０μｍの
範囲にある光を入射せしめることを特徴とする光伝送体
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297941A JPH02144503A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 光伝送体の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297941A JPH02144503A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 光伝送体の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144503A true JPH02144503A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17853078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297941A Pending JPH02144503A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 光伝送体の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120098415A (ko) * | 2011-02-28 | 2012-09-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리카 유리의 처리 방법 및 광섬유 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63297941A patent/JPH02144503A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120098415A (ko) * | 2011-02-28 | 2012-09-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리카 유리의 처리 방법 및 광섬유 |
| JP2012193102A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | シリカガラスの処理方法及び光ファイバ |
| US9025922B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical fiber and method for manufacturing silica glass |
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