JPH044988B2 - - Google Patents
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- JPH044988B2 JPH044988B2 JP58197945A JP19794583A JPH044988B2 JP H044988 B2 JPH044988 B2 JP H044988B2 JP 58197945 A JP58197945 A JP 58197945A JP 19794583 A JP19794583 A JP 19794583A JP H044988 B2 JPH044988 B2 JP H044988B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
- C03B37/027—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
- C03C13/047—Silica-containing oxide glass compositions containing deuterium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/22—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with deuterium
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- Materials Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は通信、画像伝送、エネルギ伝送などに
用いられる光フアイバの製造技術に関し、特に長
波長域での長期信頼性が高く、耐放射線性に優れ
た光フアイバが得られる光フアイバの処理方法に
関する。
用いられる光フアイバの製造技術に関し、特に長
波長域での長期信頼性が高く、耐放射線性に優れ
た光フアイバが得られる光フアイバの処理方法に
関する。
石英ガラスをコアとする光フアイバが適用され
る分野の一つとして、原子力発電所内のような放
射線環境下での用途が急増しつつある。
る分野の一つとして、原子力発電所内のような放
射線環境下での用途が急増しつつある。
これの理由として、通信用の場合は光フアイバ
の軽量、細径、無誘導性が、イメージガイドやラ
イトガイドの場合はその優れた低損失性が大きな
メリツトとなるためである。
の軽量、細径、無誘導性が、イメージガイドやラ
イトガイドの場合はその優れた低損失性が大きな
メリツトとなるためである。
特にイメージガイドの場合、従来多用されてい
た多成分系ガラスに比べ、石英系光フアイバは放
射線照射による損失増がきわめて小さい利点を有
しており、これの実用化が急速に拡がりつつあ
る。
た多成分系ガラスに比べ、石英系光フアイバは放
射線照射による損失増がきわめて小さい利点を有
しており、これの実用化が急速に拡がりつつあ
る。
しかしながら、γ線、中性子線、Ｘ線、電子線
など、高エネルギの放射線環境下では石英系光フ
アイバといえども放射線照射にともなう伝送損失
増を免れることができない。
など、高エネルギの放射線環境下では石英系光フ
アイバといえども放射線照射にともなう伝送損失
増を免れることができない。
この伝送損失の増加を少しでも抑制するため
種々の検討がなされており、例えばコア中のOH
基が多いものは上記損失増が比較的小さいとか、
光フアイバの紡糸条件が上記損失の増加量に大き
な影響をおよぼすことなどが既知の事項となつて
いる。
種々の検討がなされており、例えばコア中のOH
基が多いものは上記損失増が比較的小さいとか、
光フアイバの紡糸条件が上記損失の増加量に大き
な影響をおよぼすことなどが既知の事項となつて
いる。
このような検討結果から、例えば、コア中に
OH基を数100ppm程度含有する、しかも最適の
条件で紡糸された光フアイバが原子力分野での使
用に耐え得ると考えられていたが、放射線照射に
よる伝送増は依然として大きく、更なる特性の改
善が必要となる。
OH基を数100ppm程度含有する、しかも最適の
条件で紡糸された光フアイバが原子力分野での使
用に耐え得ると考えられていたが、放射線照射に
よる伝送増は依然として大きく、更なる特性の改
善が必要となる。
殊に高濃度のOH基を含有した石英系ガラスを
コアとする光フアイバの場合、OH基に起因した
波長0.95μｍ、1.39μｍでの吸収損失があり、波長
0.8μｍでの光伝送はもちろん、波長1.30μｍでの
光伝送は不可能に近いといわれている。
コアとする光フアイバの場合、OH基に起因した
波長0.95μｍ、1.39μｍでの吸収損失があり、波長
0.8μｍでの光伝送はもちろん、波長1.30μｍでの
光伝送は不可能に近いといわれている。
このため、耐放射線性に関してOH基と同等の
効果をもつが、吸収損失が長波長帯にシフトして
いるOD基含有の石英系ガラスが注目されてい
る。
効果をもつが、吸収損失が長波長帯にシフトして
いるOD基含有の石英系ガラスが注目されてい
る。
OD基を含有する石英系ガラスの場合、波長
1.28μｍ（OH基での1.95μｍに対応）、波長1.68μ
ｍ（同1.24μｍに対応）、波長1.87μｍ（同1.39μｍ
に対応）などにおいて吸収がみられる。
1.28μｍ（OH基での1.95μｍに対応）、波長1.68μ
ｍ（同1.24μｍに対応）、波長1.87μｍ（同1.39μｍ
に対応）などにおいて吸収がみられる。
さらにOD基を含有する石英系ガラスの場合、
波長0.8μｍでの低損失化が期待されている。
波長0.8μｍでの低損失化が期待されている。
かかるOD基含有の石英系光フアイバを製造す
る手段としては、特開昭49−9514号のように、火
炎加水分解反応によるスート合成中にD2を用い
る方法やゾルゲル法でつくられたドライゲル
（drygel）を、まずCl2処理し、次にD2O雰囲気中
でCl→OD交換する方法などが知られているが、
これらの方法は高価なD2、D2Oなどを大量に使
用するため工業的に好ましくなく、特にD2O雰囲
気中のスートを処理する方法では、ガラスの失透
を招きやすく、良質の光フアイバ母材が得がた
い。
る手段としては、特開昭49−9514号のように、火
炎加水分解反応によるスート合成中にD2を用い
る方法やゾルゲル法でつくられたドライゲル
（drygel）を、まずCl2処理し、次にD2O雰囲気中
でCl→OD交換する方法などが知られているが、
これらの方法は高価なD2、D2Oなどを大量に使
用するため工業的に好ましくなく、特にD2O雰囲
気中のスートを処理する方法では、ガラスの失透
を招きやすく、良質の光フアイバ母材が得がた
い。
前記問題に鑑み本発明は、OD基を含有する石
英系の光フアイバにつき、より耐放射線性に優れ
たものが得られる処理方法を提供しようとするも
のである。
英系の光フアイバにつき、より耐放射線性に優れ
たものが得られる処理方法を提供しようとするも
のである。
前記目的を達成すべく本発明の処理方法は、光
フアイバ紡糸工程と同期する段階または光フアイ
バに一次被覆が施された段階の少なくとも何れか
一方の段階で光フアイバをD2またはD2化合物含
有雰囲気中にさらして該光フアイバにOD基を含
有させることを特徴とするものである。
フアイバ紡糸工程と同期する段階または光フアイ
バに一次被覆が施された段階の少なくとも何れか
一方の段階で光フアイバをD2またはD2化合物含
有雰囲気中にさらして該光フアイバにOD基を含
有させることを特徴とするものである。
以下、本発明方法の具体的実施例について説明
する。
する。
尚、本発明における光フアイバとは、公知の
MCVD法、PCVD法、VAD法、OVD法、ゾルゲ
ル法などを介して製造された光フアイバ用の透明
ガラス母材を、あるいは必要に応じて前記透明ガ
ラス母材にガラスパイプがジヤケツトされた母材
を加熱延伸、いわゆる紡糸して得られるものをい
う。
MCVD法、PCVD法、VAD法、OVD法、ゾルゲ
ル法などを介して製造された光フアイバ用の透明
ガラス母材を、あるいは必要に応じて前記透明ガ
ラス母材にガラスパイプがジヤケツトされた母材
を加熱延伸、いわゆる紡糸して得られるものをい
う。
また上記光フアイバにはモノコアをもつ単心
型、マルチコアをもつ多心型などがある。
型、マルチコアをもつ多心型などがある。
光フアイバのコア形成するガラスは石英系であ
るが、そのクラツドに関しては石英系のほか、シ
リコーンゴムや弗素系樹脂のごとき低屈折率プラ
スチツク材料からなるときもある。
るが、そのクラツドに関しては石英系のほか、シ
リコーンゴムや弗素系樹脂のごとき低屈折率プラ
スチツク材料からなるときもある。
用途別にいうと、上記光フアイバは通信用、イ
メージガイド用、ライトガイド用としてつくら
れ。
メージガイド用、ライトガイド用としてつくら
れ。
光フアイバのコアは純粋なSiO2であると、放
射線照射により損失増が小さく、好ましい。
射線照射により損失増が小さく、好ましい。
コア中のOH基含有量は、1.3μｍや1.55μｍなど
の長波長域で用いる場合、少ないことが好ましい
が、0.85μｍのごとき短波長域、あるいはイメー
ジガイドのごとき可視光領域で用いるとき、コア
があらかじめ、ある程度のOH基を含有している
と、耐放射線特性上、好結果を得ることが多い。
の長波長域で用いる場合、少ないことが好ましい
が、0.85μｍのごとき短波長域、あるいはイメー
ジガイドのごとき可視光領域で用いるとき、コア
があらかじめ、ある程度のOH基を含有している
と、耐放射線特性上、好結果を得ることが多い。
通信用光フアイバでは広帯域性を要求されるこ
とがあり、このような場合、コアはＦ、Ge、Ｐ
などがドープされたGI型屈折率分布のドープト
石英であつてもよい。
とがあり、このような場合、コアはＦ、Ge、Ｐ
などがドープされたGI型屈折率分布のドープト
石英であつてもよい。
コアが上記ドープト石英であるとき、石英系ク
ラツドとしては純SiO2でもよいが、コアの屈折
率がSiO2と同程度もしくはそれ以下であると、
クラツドはＦ、Ｂなどがドープされたドープト石
英が用いられる。
ラツドとしては純SiO2でもよいが、コアの屈折
率がSiO2と同程度もしくはそれ以下であると、
クラツドはＦ、Ｂなどがドープされたドープト石
英が用いられる。
もちろん光フアイバはSI型の場合もあり、単一
モード伝送型、多モード伝送型のいずれもがあり
得る。
モード伝送型、多モード伝送型のいずれもがあり
得る。
上述の光フアイバは、光フアイバ紡糸工程と同
期する段階または光フアイバに一次被覆が施され
た段階の少なくとも何れか一方の段階でD2含有
雰囲気またはD2化合物（D2O）含有雰囲気中に
さらされ、これによりその内部にOD基を含有す
ることとなる。
期する段階または光フアイバに一次被覆が施され
た段階の少なくとも何れか一方の段階でD2含有
雰囲気またはD2化合物（D2O）含有雰囲気中に
さらされ、これによりその内部にOD基を含有す
ることとなる。
この際の処理は、既述のように光フアイバ紡糸
工程と同期する段階、すなわち紡糸タンデムライ
ン中に、または光フアイバに一次被覆が施された
段階、すなわち光フアイバに少なくとも一次被覆
が施され、これがボビン等に巻き取られたり、束
取りされた段階の少なくとも何れか一方の段階で
行われる。
工程と同期する段階、すなわち紡糸タンデムライ
ン中に、または光フアイバに一次被覆が施された
段階、すなわち光フアイバに少なくとも一次被覆
が施され、これがボビン等に巻き取られたり、束
取りされた段階の少なくとも何れか一方の段階で
行われる。
尚、イメージガイドの場合は、透明ガラス母材
をいつたん直径数mm〜0.数mmに加熱延伸し、これ
により得られた細棒を数千〜数万本引きそろえて
溶融一体化して、さらにその一体化物を直径0.数
mm〜数mmのフアイバに加熱延伸する工程をとるの
であり、このようなイメージガイドでは、上述し
たように透明ガラス母材から細棒に加熱延伸する
際、あるいはこれらを溶融一体化し、これを再度
加熱延伸する際等のいずれかにおいてD2含有雰
囲気またはD2化合物（D2O）含有雰囲気中にさ
らすのが好ましい。
をいつたん直径数mm〜0.数mmに加熱延伸し、これ
により得られた細棒を数千〜数万本引きそろえて
溶融一体化して、さらにその一体化物を直径0.数
mm〜数mmのフアイバに加熱延伸する工程をとるの
であり、このようなイメージガイドでは、上述し
たように透明ガラス母材から細棒に加熱延伸する
際、あるいはこれらを溶融一体化し、これを再度
加熱延伸する際等のいずれかにおいてD2含有雰
囲気またはD2化合物（D2O）含有雰囲気中にさ
らすのが好ましい。
前述した光フアイバ紡糸工程と同期する段階に
は、光フアイバ用の透明ガラス母材を紡糸炉内に
挿入して、その先端から光フアイバを紡糸する段
階から、紡糸された光フアイバ上に少なくとも一
次被覆を施し、これを巻き取る段階までが含まれ
るが、最も効率良くOD基を含有させる段階とし
ては、紡糸炉内で光フアイバを紡糸する段階から
一次被覆が施される直前までの段階が上げられ
る。その理由は、紡糸炉内では紡糸炉の温度をそ
のまま利用して高温処理が可能であり、また一次
被覆が施される直前までの間の段階では、光フア
イバ自身、紡糸直後のためまだ充分高い温度を有
しているので、この光フアイバ自身が有する温度
を処理温度として利用できるからである。
は、光フアイバ用の透明ガラス母材を紡糸炉内に
挿入して、その先端から光フアイバを紡糸する段
階から、紡糸された光フアイバ上に少なくとも一
次被覆を施し、これを巻き取る段階までが含まれ
るが、最も効率良くOD基を含有させる段階とし
ては、紡糸炉内で光フアイバを紡糸する段階から
一次被覆が施される直前までの段階が上げられ
る。その理由は、紡糸炉内では紡糸炉の温度をそ
のまま利用して高温処理が可能であり、また一次
被覆が施される直前までの間の段階では、光フア
イバ自身、紡糸直後のためまだ充分高い温度を有
しているので、この光フアイバ自身が有する温度
を処理温度として利用できるからである。
他方、光フアイバに一次被覆が施された段階で
の処理の場合は、例えば巻取りボビンごとD2あ
るいはD2Oの雰囲気中にさらすことになる。この
段階での処理の場合、雰囲気温度を処理温度まで
外部から加温して上げなければならないという不
利はあるものの、雰囲気条件を安定に保持できる
ので、光フアイバを全長にわたつて均一にD2あ
るいはD2O処理できるという利点がある。
の処理の場合は、例えば巻取りボビンごとD2あ
るいはD2Oの雰囲気中にさらすことになる。この
段階での処理の場合、雰囲気温度を処理温度まで
外部から加温して上げなければならないという不
利はあるものの、雰囲気条件を安定に保持できる
ので、光フアイバを全長にわたつて均一にD2あ
るいはD2O処理できるという利点がある。
尚、コア用ガラスがクラツド用ガラスよりも先
行して、あるいはクラツド用ガラスと別工程でつ
くられるような場合とか、クラツドがプラスチツ
ク製である場合は、コア用ガラスをコアとして紡
糸する工程及びこれと同期する工程中に本発明の
処理を施し、少なくともコアのみがこの処理を受
ければよい。
行して、あるいはクラツド用ガラスと別工程でつ
くられるような場合とか、クラツドがプラスチツ
ク製である場合は、コア用ガラスをコアとして紡
糸する工程及びこれと同期する工程中に本発明の
処理を施し、少なくともコアのみがこの処理を受
ければよい。
次に処理温度について述べる。
D2（またはD2O）含有雰囲気中での処理温度は
50℃以上であり、より高温であると、例えば前述
した紡糸工程と同期する段階での処理のごとく処
理温度が高温であると処理時間が短縮できるので
好ましい。
50℃以上であり、より高温であると、例えば前述
した紡糸工程と同期する段階での処理のごとく処
理温度が高温であると処理時間が短縮できるので
好ましい。
但し、光フアイバに一次被覆が施された段階、
すわち被覆が施された光フアイバについては、一
次被覆材料の劣化を防ぐ上で処理温度を100〜250
℃程度とするのがよい。
すわち被覆が施された光フアイバについては、一
次被覆材料の劣化を防ぐ上で処理温度を100〜250
℃程度とするのがよい。
尚、この処理温度を室温程度とすると、D2な
どが光フアイバの中に入るだけでOD基は生成さ
れがたい。したがつてその処理温度を室温よりも
高くすることが大切である。
どが光フアイバの中に入るだけでOD基は生成さ
れがたい。したがつてその処理温度を室温よりも
高くすることが大切である。
一方、比較的低温にて光フアイバをD2などと
接触させ、これによりそのD2などを光フアイバ
中に含浸させた後、該光フアイバを高温に加熱す
ることも有効である。
接触させ、これによりそのD2などを光フアイバ
中に含浸させた後、該光フアイバを高温に加熱す
ることも有効である。
この場合は、光フアイバの中心にまでD2など
が一様に含浸できるので、これを加熱して例えば
OH基本＋D2OD基＋HD交換を行わせると、コ
ア中のOD基濃度がOH基濃度よりも多くなるの
で好ましい。
が一様に含浸できるので、これを加熱して例えば
OH基本＋D2OD基＋HD交換を行わせると、コ
ア中のOD基濃度がOH基濃度よりも多くなるの
で好ましい。
D2などの圧力は特に限定しないが、高圧であ
るほど処理時間を短縮できる利点が得られる。
るほど処理時間を短縮できる利点が得られる。
OH基が100ppm以上、好ましくは1000ppm程
度になると損失が徐々に減少することも知られて
いる。それ故このような光フアイバを得ようとす
る場合は、D2（またはD2O）処理前にあらかじめ
OH基を多量に含有させておけばよい。
度になると損失が徐々に減少することも知られて
いる。それ故このような光フアイバを得ようとす
る場合は、D2（またはD2O）処理前にあらかじめ
OH基を多量に含有させておけばよい。
また光フアイバに分子構造上の欠陥があると都
合がよい場合があり、このような場合、D2（また
はD2O）処理前に、例えば紡糸工程前の光フアイ
バ母材を加熱延伸するとか、放射線を照射するな
どしてあらかじめ欠陥の多い母材をつくつておけ
ばよい。このような構造欠陥の多い光フアイバ母
材から光フアイバを紡糸する工程と同期する段階
あるいは一次被覆を施した段階で、D2または
D2O）処理を施せば、結果的に構造欠陥のある光
フアイバにD2（またはD2O）処理できることにな
り、好ましい場合がある。
合がよい場合があり、このような場合、D2（また
はD2O）処理前に、例えば紡糸工程前の光フアイ
バ母材を加熱延伸するとか、放射線を照射するな
どしてあらかじめ欠陥の多い母材をつくつておけ
ばよい。このような構造欠陥の多い光フアイバ母
材から光フアイバを紡糸する工程と同期する段階
あるいは一次被覆を施した段階で、D2または
D2O）処理を施せば、結果的に構造欠陥のある光
フアイバにD2（またはD2O）処理できることにな
り、好ましい場合がある。
次に本発明の具体例とその比較例について説明
する。
する。
具体例 １
純粋SiO2からなるコア用多孔質ガラス母材を
VAD法により作製し、これを常法により透明ガ
ラス化する一方、Ｂ及びＦをドープしたドープト
石英をMCVD法により石英管の内周に堆積させ
てクラツド用ガラスをつくり、この石英管を上記
コア用透明ガラス母材の外周にジヤケツトした
後、当該母材を紡糸するとともに一次被覆してコ
ア直径50μｍ、外径125μｍ、シリコーンゴムによ
る被覆外径400μｍの一次被覆付き光フアイバを
得た。
VAD法により作製し、これを常法により透明ガ
ラス化する一方、Ｂ及びＦをドープしたドープト
石英をMCVD法により石英管の内周に堆積させ
てクラツド用ガラスをつくり、この石英管を上記
コア用透明ガラス母材の外周にジヤケツトした
後、当該母材を紡糸するとともに一次被覆してコ
ア直径50μｍ、外径125μｍ、シリコーンゴムによ
る被覆外径400μｍの一次被覆付き光フアイバを
得た。
この光フアイバは比屈折率が0.75％、コア中の
OH基含有量が0.1ppm程度である。
OH基含有量が0.1ppm程度である。
つぎに上記一次被覆付き光フアイバを、200℃、
１Kg／cm2のD2含有雰囲気にて24時間処理したと
ころ、内部に約30ppmのOD基を含有した。
１Kg／cm2のD2含有雰囲気にて24時間処理したと
ころ、内部に約30ppmのOD基を含有した。
その後、上記光フアイバにγ線（CO60、
106rad／hr）を照射したところ、１時間後の損失
増加は20dB／Kmであつた（使用波長0.85μｍ）。
106rad／hr）を照射したところ、１時間後の損失
増加は20dB／Kmであつた（使用波長0.85μｍ）。
比較例 １
具体例１と同様の一次被覆付き光フアイバをつ
くり、これをD2処理することなく上記と同様の
放射線照射を行つたところ、１時間後の損失増が
200dB／Kmにもなつた。
くり、これをD2処理することなく上記と同様の
放射線照射を行つたところ、１時間後の損失増が
200dB／Kmにもなつた。
具体例 ２
MCVD法により、GeO2−P2O5−SiO2（Δ＝１
％）のGI型屈折率分布をもつコア用ガラスと、
P2O5−Ｆ−−SiO2からなるクラツド用ガラスと
をもつ透明ガラス母材をつくり、これを常法によ
り紡糸してコア直径50μｍ、クラツド外径56μｍ、
一次被覆外径125μｍの光フアイバを得た。
％）のGI型屈折率分布をもつコア用ガラスと、
P2O5−Ｆ−−SiO2からなるクラツド用ガラスと
をもつ透明ガラス母材をつくり、これを常法によ
り紡糸してコア直径50μｍ、クラツド外径56μｍ、
一次被覆外径125μｍの光フアイバを得た。
この一次被覆付きの光フアイバを100℃、１
Kg／cm2のD2含有雰囲気（気流中）に８時間処理
したところ、当該処理後の損失増は1.0dB／Kmで
あつた（使用波長1.3μｍ）。
Kg／cm2のD2含有雰囲気（気流中）に８時間処理
したところ、当該処理後の損失増は1.0dB／Kmで
あつた（使用波長1.3μｍ）。
つぎに上記処理後の一次被覆付き光フアイバを
H2雰囲気中（100℃、１Kg／cm2）に24時間保持
し、その伝送特性の安定性を上記と同じ波長で測
定したところ、損失増は0.6dB／Kmであつた。
H2雰囲気中（100℃、１Kg／cm2）に24時間保持
し、その伝送特性の安定性を上記と同じ波長で測
定したところ、損失増は0.6dB／Kmであつた。
比較例 ２
具体例２と同じ一次被覆付き光フアイバをつく
り、これをD2処理することなく上記と同じ測定
を行つたところ、損失増が2.4dB／Kmにもなつ
た。
り、これをD2処理することなく上記と同じ測定
を行つたところ、損失増が2.4dB／Kmにもなつ
た。
なお、波長0.95μｍでの吸収ピークに関して、
具体例２では0.3dB／Kmの損失増であつたのに対
して、比較例２では1.3dB／Kmの損失増となつ
た。
具体例２では0.3dB／Kmの損失増であつたのに対
して、比較例２では1.3dB／Kmの損失増となつ
た。
なお、上記実施例では、一次被覆付き光フアイ
バの段階についての処理のみ示しているが、紡糸
工程と同期する段階についても同様の効果が得ら
れる。
バの段階についての処理のみ示しているが、紡糸
工程と同期する段階についても同様の効果が得ら
れる。
以上説明した通り、本発明の処理方法によると
きは、光フアイバ中に充分かつ効果的にOD基を
含有させることができ、これにより光フアイバの
耐放射線性、長期にわたる伝送特性の信頼性など
が確保できるとともに処理も容易であるので、容
易にこの種の光フアイバを製造することができ
る。
きは、光フアイバ中に充分かつ効果的にOD基を
含有させることができ、これにより光フアイバの
耐放射線性、長期にわたる伝送特性の信頼性など
が確保できるとともに処理も容易であるので、容
易にこの種の光フアイバを製造することができ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光フアイバ紡糸工程と同期する段階または光
フアイバに一次被覆が施された段階の少なくとも
何れか一方の段階で光フアイバをD2またはD2化
合物含有雰囲気中にさらして該光フアイバにOD
基を含有させることを特徴とする光フアイバの処
理方法。 ２ 前記D2またはD2化合物含有雰囲気が室温よ
りも高い温度を有していることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光フアイバの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197945A JPS6090852A (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 光ファイバの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197945A JPS6090852A (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 光ファイバの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090852A JPS6090852A (ja) | 1985-05-22 |
| JPH044988B2 true JPH044988B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=16382908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58197945A Granted JPS6090852A (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 光ファイバの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090852A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5269825A (en) * | 1989-04-28 | 1993-12-14 | Fujikura, Ltd. | Method of manufacturing radiation-resistant optical fiber |
| JP2000258810A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 二次光非線形性ガラス材料及びその製造方法 |
| DE60039600D1 (de) * | 2000-08-25 | 2008-09-04 | Draka Comteq Bv | Verfahren zur Verringerung der Wasserstoffempfindlichkeit von Glasfasern bei 1380-1410 nm |
| JP2002187733A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-07-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法 |
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| AU2002351376A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-07-09 | Corning Incorporated | Isotopically altered optical fiber |
| JP2003335540A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| JP3960896B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2007-08-15 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバの製造方法 |
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| NL1021992C2 (nl) * | 2002-11-26 | 2004-05-27 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze ter vervaardiging van een vormdeel. |
| JP3847269B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2006-11-22 | 信越化学工業株式会社 | 耐水素特性に優れた光ファイバの製造方法 |
| JP2005134469A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ処理装置、処理方法及び光ファイバ |
| US20050252246A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Shirley Arthur I | Method for manufacturing optical fiber |
| DE102007057486A1 (de) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Corning Inc. | Aus OD-dotiertem Quarzglas bestehendes optisches Element |
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| US8445059B2 (en) | 2008-02-26 | 2013-05-21 | Ofs Fitel, Llc | Accelerated aging of phosphorus-doped optical fibers |
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| US10228510B2 (en) | 2014-12-18 | 2019-03-12 | Nkt Photonics A/S | Photonic crystal fiber, a method of production thereof and a supercontinuum light source |
| CN112094052B (zh) * | 2019-09-16 | 2022-01-28 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种耐辐射石英光纤预制棒芯棒及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6051625A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 透明ガラス体の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-22 JP JP58197945A patent/JPS6090852A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6090852A (ja) | 1985-05-22 |
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