JPH0678172B2 - 光フアイバ−の製造方法 - Google Patents
光フアイバ−の製造方法Info
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- JPH0678172B2 JPH0678172B2 JP19741983A JP19741983A JPH0678172B2 JP H0678172 B2 JPH0678172 B2 JP H0678172B2 JP 19741983 A JP19741983 A JP 19741983A JP 19741983 A JP19741983 A JP 19741983A JP H0678172 B2 JPH0678172 B2 JP H0678172B2
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- soot
- radiation
- sio
- furnace
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/22—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with deuterium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は，放射線を受けても伝送損失が増加することが
ない耐放射線特性を有する光フアイバーの製造方法に関
するものである。
ない耐放射線特性を有する光フアイバーの製造方法に関
するものである。
近年，原子力発電所内で原子炉の制御その他各種情報の
伝送に光フアイバーケーブルが導入することが検討され
実験されている。このように原子力発電所内で使用され
る光フアイバーは耐放射線特性を有することが要求され
ているのでその開発が行なわれている。一般に，光フア
イバーの耐放射線特性を増大するためにはOHドープが有
効であることが知られているが，最近ではOD（Ｄは重水
素）をドープした光フアイバーが更に有効であることが
報告されている。この光フアイバーはOHをドープした光
フアイバーに比べて吸収ピークが長波長側へシフトする
ため固有（初期）損失を小さくすることができる。即
ち,OHをドープした光フアイバーでは吸収ピークが0.95
μｍであるの対しODをドープした光フアイバーは吸収ピ
ークが1.28μｍとなり0.85μｍでの固有損失を小さくす
ることができる。光フアイバー中に数百乃至数千ppmの
多量のOHをドープすると，固有損失が0.85μｍで2db/km
から10乃至20db/kmに増大するので好ましくない。一方,
ODをドープした光フアイバーは既にのべたように固有損
失の増大が僅かであるのでODを数百乃至数千ppmと多量
にドープするのが好ましいが，従来技術ではこのODを多
量にドープすることができなかった。
伝送に光フアイバーケーブルが導入することが検討され
実験されている。このように原子力発電所内で使用され
る光フアイバーは耐放射線特性を有することが要求され
ているのでその開発が行なわれている。一般に，光フア
イバーの耐放射線特性を増大するためにはOHドープが有
効であることが知られているが，最近ではOD（Ｄは重水
素）をドープした光フアイバーが更に有効であることが
報告されている。この光フアイバーはOHをドープした光
フアイバーに比べて吸収ピークが長波長側へシフトする
ため固有（初期）損失を小さくすることができる。即
ち,OHをドープした光フアイバーでは吸収ピークが0.95
μｍであるの対しODをドープした光フアイバーは吸収ピ
ークが1.28μｍとなり0.85μｍでの固有損失を小さくす
ることができる。光フアイバー中に数百乃至数千ppmの
多量のOHをドープすると，固有損失が0.85μｍで2db/km
から10乃至20db/kmに増大するので好ましくない。一方,
ODをドープした光フアイバーは既にのべたように固有損
失の増大が僅かであるのでODを数百乃至数千ppmと多量
にドープするのが好ましいが，従来技術ではこのODを多
量にドープすることができなかった。
本発明の目的は光フアイバーの中に多量のODをドープせ
しめて固有損失を小さくし且つ耐放射線特性を有する光
フアイバーを製造する方法を提供することにある。
しめて固有損失を小さくし且つ耐放射線特性を有する光
フアイバーを製造する方法を提供することにある。
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると，図
面は本発明の方法を実施する装置の一例を示し，図示の
実施例では本発明の方法はVAD法によって得られた高純
度のSiO2１成分系のスート10を透明ガラス化する炉12内
で実施するのを示す。尚，このスートはSiO2-GeO2の２
成分系でもよい。VAD法によって高純度のSiO2のスート1
0を作ると，極めて良質の合成石英ガラスが得られる。
ここでいう『良質』とは不純物濃度が非常に小さいこと
及び構造欠陥数が小さいことを意味する。Ｄ（重水素）
はＨの同位体であり，その化学的性質はＨとほとんど同
一とみなしてよい。H2はガラス中に拡散して構造欠陥に
捕らえられSi-OHという構造となる。ＤもＨと同じ挙動
を示し,Si-ODとなる。従って,Dをガラス中に多量にドー
プするにはガラス中の構造欠陥数を多くすればよいこと
が解る。尚,VAD法によって得られたスートは小さいガラ
ス微粒子の集合体であり表面の活性が大きい。従って,D
のスート中における拡散はこの段階が最も大きいと考え
らえる。
面は本発明の方法を実施する装置の一例を示し，図示の
実施例では本発明の方法はVAD法によって得られた高純
度のSiO2１成分系のスート10を透明ガラス化する炉12内
で実施するのを示す。尚，このスートはSiO2-GeO2の２
成分系でもよい。VAD法によって高純度のSiO2のスート1
0を作ると，極めて良質の合成石英ガラスが得られる。
ここでいう『良質』とは不純物濃度が非常に小さいこと
及び構造欠陥数が小さいことを意味する。Ｄ（重水素）
はＨの同位体であり，その化学的性質はＨとほとんど同
一とみなしてよい。H2はガラス中に拡散して構造欠陥に
捕らえられSi-OHという構造となる。ＤもＨと同じ挙動
を示し,Si-ODとなる。従って,Dをガラス中に多量にドー
プするにはガラス中の構造欠陥数を多くすればよいこと
が解る。尚,VAD法によって得られたスートは小さいガラ
ス微粒子の集合体であり表面の活性が大きい。従って,D
のスート中における拡散はこの段階が最も大きいと考え
らえる。
本発明の方法はこれに鑑みてVAD法によって得られた光
フアイバーの原料であるSiO2のスート10に放射線または
紫外線を照射してスートのガラス微粒子中の構造欠陥数
を増大せしめ，この構造欠陥の中に多量のOD基を捕らえ
るようにしたものである。図面ではSiO2スート10を透明
ガラス化する炉12内に鉛遮蔽管14によって遮蔽されたγ
線源16を配置しこのγ線源16から放射されるγ線によっ
てスート10のガラス微粒子中に多数の構造欠陥を生ぜし
めている。炉12内の炉心管12a内にはＤとHeとが導入さ
れているのでこの構造欠陥内にＤが捕らえられSi-ODの
反応が発生してOD基がガラス中に導入される。
フアイバーの原料であるSiO2のスート10に放射線または
紫外線を照射してスートのガラス微粒子中の構造欠陥数
を増大せしめ，この構造欠陥の中に多量のOD基を捕らえ
るようにしたものである。図面ではSiO2スート10を透明
ガラス化する炉12内に鉛遮蔽管14によって遮蔽されたγ
線源16を配置しこのγ線源16から放射されるγ線によっ
てスート10のガラス微粒子中に多数の構造欠陥を生ぜし
めている。炉12内の炉心管12a内にはＤとHeとが導入さ
れているのでこの構造欠陥内にＤが捕らえられSi-ODの
反応が発生してOD基がガラス中に導入される。
本発明の一実施例では，炉心管12a中にD2を２リットル
／分,Heを15リットル／分の流速で導入し，SiO2スート
を120mm/時の速度で炉心管12a内に引き下げ，γ線の線
量は102乃至104rad/時とした。このようにしてスート10
内にＤを1000ppm以上ドープすることができた。γ線を
照射しないで前記と同様に行なったところＤのドープ量
は100ppm以下であった。尚，このスート10は炉12内最高
温度領域（1500℃）を通過することによって透明となる
が，透明化する際には炉心管12a内へHeを導入するのを
止めD2のみを２リットル／分導入する。Heの導入を止め
るのはHeによって部分的にSi-ODのＤが飛散するためで
ある。尚，放射線の線量は多い程スートのガラス微粒子
中に構造欠陥を発生させることができるが，線量が多す
ぎると，安全上取扱が問題となるのでこの面を考慮しな
ければならない。また，スート中に発生した構造欠陥は
数分乃至数時間で消滅することが知られているが，本実
施例のように構造欠陥が発生しているとき既にガラス微
粒子中にD2が充分に拡散しているので欠陥の消滅前にSi
-OD反応が起る。
／分,Heを15リットル／分の流速で導入し，SiO2スート
を120mm/時の速度で炉心管12a内に引き下げ，γ線の線
量は102乃至104rad/時とした。このようにしてスート10
内にＤを1000ppm以上ドープすることができた。γ線を
照射しないで前記と同様に行なったところＤのドープ量
は100ppm以下であった。尚，このスート10は炉12内最高
温度領域（1500℃）を通過することによって透明となる
が，透明化する際には炉心管12a内へHeを導入するのを
止めD2のみを２リットル／分導入する。Heの導入を止め
るのはHeによって部分的にSi-ODのＤが飛散するためで
ある。尚，放射線の線量は多い程スートのガラス微粒子
中に構造欠陥を発生させることができるが，線量が多す
ぎると，安全上取扱が問題となるのでこの面を考慮しな
ければならない。また，スート中に発生した構造欠陥は
数分乃至数時間で消滅することが知られているが，本実
施例のように構造欠陥が発生しているとき既にガラス微
粒子中にD2が充分に拡散しているので欠陥の消滅前にSi
-OD反応が起る。
上記実施例ではγ線を用いたが，γ線以外にＸ線や電子
線を用いることができる。また，図示の実施例では，放
射線照射後直ちにスートを透明化したが，スートに放射
線を照射し数時間経過したのちにＤを導入してもよい。
しかし，既にのべたように構造欠陥は時間と共に消滅す
るのでこの場合にはドープすることができる量は減少す
る。更に，炉心管12aに導入するのはＤ以外にD2Oであっ
てもよい。
線を用いることができる。また，図示の実施例では，放
射線照射後直ちにスートを透明化したが，スートに放射
線を照射し数時間経過したのちにＤを導入してもよい。
しかし，既にのべたように構造欠陥は時間と共に消滅す
るのでこの場合にはドープすることができる量は減少す
る。更に，炉心管12aに導入するのはＤ以外にD2Oであっ
てもよい。
本発明によれば，上記のように，光フアイバー中にＤま
たはODを多量にドープすることができるので固有損失を
小さくし，しかも耐放射線特性を向上することができる
実益がある。
たはODを多量にドープすることができるので固有損失を
小さくし，しかも耐放射線特性を向上することができる
実益がある。
図面は本発明の方法を実施する装置の一例を示す縦断面
図である。 10……SiO2スート,12……炉,16……放射線源。
図である。 10……SiO2スート,12……炉,16……放射線源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 和昭 千葉県市原市八幡海岸通６ 古河電気工業 株式会社千葉電線製造所内 (72)発明者 西村 真雄 千葉県市原市八幡海岸通６ 古河電気工業 株式会社千葉電線製造所内 (72)発明者 中原 基博 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話公社茨城電気通信研究所 内 (72)発明者 稲垣 伸夫 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話公社茨城電気通信研究所 内
Claims (2)
- 【請求項１】VAD法によって得られた光フアイバーの原
料であるSiO2１成分系またはSiO2-GeO2２成分系スート
に放射線または紫外線を照射してガラス微粒子中の欠陥
数を増加しつつ多量のOD基を前記スートに導入して得ら
れることを特徴とする光フアイバーの製造方法。 - 【請求項２】前記放射線の照射は前記スートを透明ガラ
ス化する炉内で行なうことを特徴とする光フアイバーの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19741983A JPH0678172B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光フアイバ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19741983A JPH0678172B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光フアイバ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090845A JPS6090845A (ja) | 1985-05-22 |
| JPH0678172B2 true JPH0678172B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16374200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19741983A Expired - Lifetime JPH0678172B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 光フアイバ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678172B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19716869A1 (de) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Deutsche Telekom Ag | Glas für Lichtwellenleiter oder dergleichen |
| US6130981A (en) * | 1998-03-20 | 2000-10-10 | Polymicro Technologies, Llc | Gamma radiation sterilized fiber optic UV delivery systems |
| US7635658B2 (en) * | 2005-11-07 | 2009-12-22 | Corning Inc | Deuteroxyl-doped silica glass, optical member and lithographic system comprising same and method of making same |
| JP2013075827A (ja) * | 2005-11-07 | 2013-04-25 | Corning Inc | デューテロキシルドープ石英ガラス、このガラスを有する光学部材及びリソグラフィシステム並びにこのガラスの作成方法 |
| AU2012363075C1 (en) * | 2011-12-30 | 2015-07-30 | James Dalton Bell | Isotopically altered optical fiber |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19741983A patent/JPH0678172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6090845A (ja) | 1985-05-22 |
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