JPH0214484A - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0214484A JPH0214484A JP63163613A JP16361388A JPH0214484A JP H0214484 A JPH0214484 A JP H0214484A JP 63163613 A JP63163613 A JP 63163613A JP 16361388 A JP16361388 A JP 16361388A JP H0214484 A JPH0214484 A JP H0214484A
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- JP
- Japan
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- memory element
- bubble memory
- power density
- magnetic bubble
- transfer path
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- Pending
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブルを制御し情報の記憶や転送を行う磁気バブル
メモリ素子の製造方法に関し、パーマロイからなる転送
路を有する磁気バブルメモリ素子の表面に、防湿性に優
れた緻密な保護膜を形成する高周波スパッタ法の確立を
目的とし、軟磁性体転送路を有する磁気バブルメモリ素
子の表面に、高周波スパッタ法によって５ｉ０２からな
る保護膜を形成する際のスパッタ条件が、基板温度２６
５〜３６５℃、電力密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｒ１
、スパッタレート８８〜１３５Å／ｍｉｎに設定される
よう構成する。
メモリ素子の製造方法に関し、パーマロイからなる転送
路を有する磁気バブルメモリ素子の表面に、防湿性に優
れた緻密な保護膜を形成する高周波スパッタ法の確立を
目的とし、軟磁性体転送路を有する磁気バブルメモリ素
子の表面に、高周波スパッタ法によって５ｉ０２からな
る保護膜を形成する際のスパッタ条件が、基板温度２６
５〜３６５℃、電力密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｒ１
、スパッタレート８８〜１３５Å／ｍｉｎに設定される
よう構成する。
本発明は磁気バブルを制御し情報の記憶や転送を行う磁
気バブルメモリ素子の製造に係り、特に高周波スパッタ
法で防湿性に優れた緻密な保護膜を形成する方法に関す
る。
気バブルメモリ素子の製造に係り、特に高周波スパッタ
法で防湿性に優れた緻密な保護膜を形成する方法に関す
る。
第１図は磁気バブルメモリ素子の層構成を示す側断面図
である。
である。
磁気バブルメモリ素子は図示の如く磁性ガーネット等の
磁性薄膜ｌ上に、第１の絶縁層２を介して制御用の導体
パターン３が形成され、導体パターン３による凹凸を第
２の絶縁層４で調整した後、パーマロイ等からなる軟磁
性体転送路５が形成されている。
磁性薄膜ｌ上に、第１の絶縁層２を介して制御用の導体
パターン３が形成され、導体パターン３による凹凸を第
２の絶縁層４で調整した後、パーマロイ等からなる軟磁
性体転送路５が形成されている。
このパーマロイ等からなる軟磁性体転送路５は腐食され
やすく、水分を含んだ雰囲気、中に置くと腐食され特性
が劣化するという問題がある。かかる腐食による特性の
劣化を防止するため磁気バブルメモリ素子、の表面に、
高周波スパッタ法によって５ｉ０２からなる保護膜６を
形成しているが、形成された保護膜６がポーラスな場合
は水蒸気などが侵入しバブル伝播パターンを腐食させる
。
やすく、水分を含んだ雰囲気、中に置くと腐食され特性
が劣化するという問題がある。かかる腐食による特性の
劣化を防止するため磁気バブルメモリ素子、の表面に、
高周波スパッタ法によって５ｉ０２からなる保護膜６を
形成しているが、形成された保護膜６がポーラスな場合
は水蒸気などが侵入しバブル伝播パターンを腐食させる
。
そこでパーマロイ等からなる軟磁性体転送路を有する磁
気バブルメモリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保
護膜を形成できる高周波スパッタ法の確立が要望されて
いる。
気バブルメモリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保
護膜を形成できる高周波スパッタ法の確立が要望されて
いる。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕パーマロ
イを蒸着し軟磁性体転送路を形成するときの基板温度は
３７０℃程度で、その上にＳｉＯ２をスパッタするとき
の基板温度がそれより高くなると転送路の特性が変化す
る。
イを蒸着し軟磁性体転送路を形成するときの基板温度は
３７０℃程度で、その上にＳｉＯ２をスパッタするとき
の基板温度がそれより高くなると転送路の特性が変化す
る。
そこで高周波スパッタ法によって５ｉ０２からなる保護
膜を形成する際の従来のスパッタ条件は、基板温度２０
０℃、電力密度０．８Ｗ／ｃｎ！、スパッタレート５８
Å／ｍｉｎに設定されている。なおそのときのアルゴン
ガス圧力は１．ＯＸ １０’ Ｔｏｒｒである。
膜を形成する際の従来のスパッタ条件は、基板温度２０
０℃、電力密度０．８Ｗ／ｃｎ！、スパッタレート５８
Å／ｍｉｎに設定されている。なおそのときのアルゴン
ガス圧力は１．ＯＸ １０’ Ｔｏｒｒである。
しかしかかる条件で形成された保護膜はポーラスで水蒸
気を通し、高温高温雰囲気中に放置し内部の導体の断線
を検出する高温高温負荷試験において、第６図に示す如
＜ ２００時間放置すると少なくとも導体に５％の劣化
を生じ、劣化が甚だしい場合は導体が断線するという問
題があった。
気を通し、高温高温雰囲気中に放置し内部の導体の断線
を検出する高温高温負荷試験において、第６図に示す如
＜ ２００時間放置すると少なくとも導体に５％の劣化
を生じ、劣化が甚だしい場合は導体が断線するという問
題があった。
本発明の目的はパーマロイ等からなる転送路を有する磁
気バブルメモリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保
護膜を形成できる高周波スパッタ法を確立することにあ
る。
気バブルメモリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保
護膜を形成できる高周波スパッタ法を確立することにあ
る。
上記課題は軟磁性体転送路を有する磁気バブルメモリ素
子の表面に、高周波スパッタ法によってＳｉＯ２からな
る保護膜を形成する際のスパッタ条件が、基板温度２６
５〜３６５℃、電力密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｒＡ
、スパッタレート８８〜１３５Å／ｍｉｎに設定される
、本発明の磁気バブルメモリ素子の製造方法によって達
成される。
子の表面に、高周波スパッタ法によってＳｉＯ２からな
る保護膜を形成する際のスパッタ条件が、基板温度２６
５〜３６５℃、電力密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｒＡ
、スパッタレート８８〜１３５Å／ｍｉｎに設定される
、本発明の磁気バブルメモリ素子の製造方法によって達
成される。
高周波スパッタ法によって保護膜を形成する際のスパッ
タ条件を、基板温度２６５〜３６５℃、電力密度１．１
０〜１．５釦八ｄ、スパッタレート８８〜１３５人／ｌ
１ｌｉｎに設定することによって、高温高温負荷試験に
おいて１０００時間放置しても導体が劣化しない、極め
て優れた防湿性を有する保護膜を形成することができる
。即ちパーマロイ等からなる転送路を有する磁気バブル
メモリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保護膜を形
成できる高周波スパッタ法を確立することができる。
タ条件を、基板温度２６５〜３６５℃、電力密度１．１
０〜１．５釦八ｄ、スパッタレート８８〜１３５人／ｌ
１ｌｉｎに設定することによって、高温高温負荷試験に
おいて１０００時間放置しても導体が劣化しない、極め
て優れた防湿性を有する保護膜を形成することができる
。即ちパーマロイ等からなる転送路を有する磁気バブル
メモリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保護膜を形
成できる高周波スパッタ法を確立することができる。
以下添付図により本発明の実施例について説明する。第
２図乃至第６図は高周波スパッタ法によって形成された
、ＳｉＯ２からなる保護膜の各種特性と電力密度との関
係を示す図で、第２図は電力密度とエンチングレートの
関係を示す図、第３図は電力密度とスパッタレートの関
係を示す図、第４図は電力密度と基板温度の関係を示す
図、第５図は電力密度と動作マージン幅の関係を示す図
、第６図は高温高温負荷試験の結果を示す図である。
２図乃至第６図は高周波スパッタ法によって形成された
、ＳｉＯ２からなる保護膜の各種特性と電力密度との関
係を示す図で、第２図は電力密度とエンチングレートの
関係を示す図、第３図は電力密度とスパッタレートの関
係を示す図、第４図は電力密度と基板温度の関係を示す
図、第５図は電力密度と動作マージン幅の関係を示す図
、第６図は高温高温負荷試験の結果を示す図である。
なお高周波スパッタ時のアルゴンガス圧力は１．ＯＸ
１０’ Ｔｏｒｒである。
１０’ Ｔｏｒｒである。
高周波スパッタ法によって形成された５ｉ０２膜を化学
エツチング法でエツチングすると、第２図に示す如く成
膜時の電力密度によってエツチングレートが異なり、成
膜時の電力密度が従来の０．８Ｗ／−の場合はエツチン
グレートが１ｏｏｏｏÅ／ｍｉｎで、非常に太きくＳｉ
Ｏ２膜がポーラスであることを示している。
エツチング法でエツチングすると、第２図に示す如く成
膜時の電力密度によってエツチングレートが異なり、成
膜時の電力密度が従来の０．８Ｗ／−の場合はエツチン
グレートが１ｏｏｏｏÅ／ｍｉｎで、非常に太きくＳｉ
Ｏ２膜がポーラスであることを示している。
しかし成膜時の電力密度が高くなるに伴ってエツチング
レートが急激に減少し、電力密度が１．ＩＷ／ｃＪの場
合はエツチングレートが３００人／ｍｉれになる。即ち
成膜時の電力密度が闇値を越えて高くなると５ｉ０２膜
が急激に緻密になる。
レートが急激に減少し、電力密度が１．ＩＷ／ｃＪの場
合はエツチングレートが３００人／ｍｉれになる。即ち
成膜時の電力密度が闇値を越えて高くなると５ｉ０２膜
が急激に緻密になる。
一方スバッタレートは第３図に示す如く成膜時の電力密
度に比例し、成膜時の電力密度が従来の０．８Ｗ／ｃｆ
１の場合は５８Å／ｍｉｎであるが、電力密度が１．１
Ｗ／ｃｎ！の場合は８８Å／ｍｉｎ、電力密度が１．５
５Ｗ／ｃｎｆの場合は１３５Å／ｍｉｎに増大し成膜能
率が向上する。
度に比例し、成膜時の電力密度が従来の０．８Ｗ／ｃｆ
１の場合は５８Å／ｍｉｎであるが、電力密度が１．１
Ｗ／ｃｎ！の場合は８８Å／ｍｉｎ、電力密度が１．５
５Ｗ／ｃｎｆの場合は１３５Å／ｍｉｎに増大し成膜能
率が向上する。
ただし第４図において成膜時の電力密度が従来の０．８
Ｗ／ａａの場合は基板温度が２００℃であるが、電力密
度が１．ＩＷ／ｃＪの場合は２６５℃、電力密度が１．
５５Ｗ／ａａの場合は３６５℃まで上昇する。
Ｗ／ａａの場合は基板温度が２００℃であるが、電力密
度が１．ＩＷ／ｃＪの場合は２６５℃、電力密度が１．
５５Ｗ／ａａの場合は３６５℃まで上昇する。
また常温において５０ （Ｏｅ）の駆動磁界を印加した
磁気バブルメモリ素子の動作マージン幅は、第５図に示
す如く、成膜時の電力密度の影響が少なく１．５５Ｗ／
ｃＩａ以下であればほぼ一定している。しかし１．５舗
八ｄを超すと基板温度がパーマロイを蒸着するときの温
度εこ近くなり、転送路の特性が変化して動作マージン
幅が急速に減少する。
磁気バブルメモリ素子の動作マージン幅は、第５図に示
す如く、成膜時の電力密度の影響が少なく１．５５Ｗ／
ｃＩａ以下であればほぼ一定している。しかし１．５舗
八ｄを超すと基板温度がパーマロイを蒸着するときの温
度εこ近くなり、転送路の特性が変化して動作マージン
幅が急速に減少する。
このように高周波スパッタ法によって保護膜を形成する
際のスパッタ条件を、基板温度２６５〜３６５℃、電力
密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｍ２、スパッタレート８
８〜１３５Å／ｍｉｎに設定することによって、第６図
に示す如く高温高温負荷試験において１０００時間放置
しても導体が劣化しない、極めて優れた防湿性を有する
保護膜を形成することができる。
際のスパッタ条件を、基板温度２６５〜３６５℃、電力
密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｍ２、スパッタレート８
８〜１３５Å／ｍｉｎに設定することによって、第６図
に示す如く高温高温負荷試験において１０００時間放置
しても導体が劣化しない、極めて優れた防湿性を有する
保護膜を形成することができる。
即ちパーマロイ等からなる転送路を有する磁気バブルメ
モリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保護膜を形成
できる高周波スパッタ法を確立することができる。
モリ素子の表面に、防湿性に優れた緻密な保護膜を形成
できる高周波スパッタ法を確立することができる。
上述の如く本発明によれば磁気バブルメモリ素子の表面
に、防湿性に優れた緻密な保護膜を形成できる高周波ス
パッタ法を提供することができる。
に、防湿性に優れた緻密な保護膜を形成できる高周波ス
パッタ法を提供することができる。
第１図は磁気バブルメモリ素子の層構成を示す側断面図
、 第２図は電力密度とエンチングレートの関係を示す図、 第３図は電力密度とスパッタレートの関係を示す図、 第４図は電力密度と基板温度の関係を示す図、第５図は
電力密度と動作マージン幅の関係を示す図、 第６図は高温高温負荷試験の結果を示す図、である。図
において １は磁性薄膜、 ２は第１の絶縁層、３は導体パ
ターン、 ４は第２の絶縁層、５は軟磁性体転送路、
６は保護膜、 をそれぞれ表す。 石大気バアルメ七り系チの層構成【示す今ｌｊ断面図＄
１ 図 電η本度と工・ソチ″−７しｌ−／’）贋冥東１示す図
第 ２ 図 電 力 友 重ン九名度とスへ°ヅタＬ−）の間係り省Ｔ図電力充友 電力尤度α抜遣しヴの廖ト疾εにす図 電力北度と重力作マージ〉幅の関孫乏示す２第 ５ 図 軽正時間 高温高温貴＃ｔべ駿の結果り示１コ 電１ 乙 ロ］
、 第２図は電力密度とエンチングレートの関係を示す図、 第３図は電力密度とスパッタレートの関係を示す図、 第４図は電力密度と基板温度の関係を示す図、第５図は
電力密度と動作マージン幅の関係を示す図、 第６図は高温高温負荷試験の結果を示す図、である。図
において １は磁性薄膜、 ２は第１の絶縁層、３は導体パ
ターン、 ４は第２の絶縁層、５は軟磁性体転送路、
６は保護膜、 をそれぞれ表す。 石大気バアルメ七り系チの層構成【示す今ｌｊ断面図＄
１ 図 電η本度と工・ソチ″−７しｌ−／’）贋冥東１示す図
第 ２ 図 電 力 友 重ン九名度とスへ°ヅタＬ−）の間係り省Ｔ図電力充友 電力尤度α抜遣しヴの廖ト疾εにす図 電力北度と重力作マージ〉幅の関孫乏示す２第 ５ 図 軽正時間 高温高温貴＃ｔべ駿の結果り示１コ 電１ 乙 ロ］
Claims (1)
- 軟磁性体転送路を有する磁気バブルメモリ素子の表面
に、高周波スパッタ法によってＳｉＯ＿２からなる保護
膜を形成する際のスパッタ条件が、基板温度２６５〜３
６５℃、電力密度１．１０〜１．５５Ｗ／ｃｍ＾２、ス
パッタレート８８〜１３５Å／ｍｉｎに、設定されてい
ることを特徴とする磁気バブルメモリ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163613A JPH0214484A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63163613A JPH0214484A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214484A true JPH0214484A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15777255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63163613A Pending JPH0214484A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5078314A (en) * | 1989-07-21 | 1992-01-07 | Kabushiki Kaisha Challenge Five | Two-way communication medium in the form of double post card or the like |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63163613A patent/JPH0214484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5078314A (en) * | 1989-07-21 | 1992-01-07 | Kabushiki Kaisha Challenge Five | Two-way communication medium in the form of double post card or the like |
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