JPH0214519A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0214519A JPH0214519A JP16562788A JP16562788A JPH0214519A JP H0214519 A JPH0214519 A JP H0214519A JP 16562788 A JP16562788 A JP 16562788A JP 16562788 A JP16562788 A JP 16562788A JP H0214519 A JPH0214519 A JP H0214519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- mask layer
- protective film
- processed surface
- resist layer
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
第２図は従来のマスク層除去法を示す断面図である。図
において、（１）は被加工物、（２）は被加工物（１）
の加工に用いたマスク層、（４）は加工表面、（９）は
マスク層（２）除去に用いるプラズマあるいはイオンビ
ーム、ラジカル等を示す。
において、（１）は被加工物、（２）は被加工物（１）
の加工に用いたマスク層、（４）は加工表面、（９）は
マスク層（２）除去に用いるプラズマあるいはイオンビ
ーム、ラジカル等を示す。
次に製造方法について説明する。
従来、マスク層（２）は、被加工物（１）のエツチング
等の加工に耐えるよう、高温で長時間ベークされたレジ
スト膜が用いられ、通常のレジスト剥離液では除去され
ないため、プラズマ、あるいはイオンビーム、ラジカル
等（９）を用いたドライエツチングで除去される。この
とき、加工表面（４）もプラズマ、あるいはイオンビー
ム、ラジカル等（９）にさらされるため、表面に酸化や
損傷が生じ、また、除去されたマスク層（２）や装置に
より汚染されてしまう。
等の加工に耐えるよう、高温で長時間ベークされたレジ
スト膜が用いられ、通常のレジスト剥離液では除去され
ないため、プラズマ、あるいはイオンビーム、ラジカル
等（９）を用いたドライエツチングで除去される。この
とき、加工表面（４）もプラズマ、あるいはイオンビー
ム、ラジカル等（９）にさらされるため、表面に酸化や
損傷が生じ、また、除去されたマスク層（２）や装置に
より汚染されてしまう。
従来のマスク層除去では、加工表面がプラズマ、あるい
はイオンビーム、ラジカル等にさらされていたため、加
工表面が酸化したり、損傷を生じる上、マスク除去中、
装置内で加工表面が汚染されるといった問題があり、そ
の対策が課題であった。
はイオンビーム、ラジカル等にさらされていたため、加
工表面が酸化したり、損傷を生じる上、マスク除去中、
装置内で加工表面が汚染されるといった問題があり、そ
の対策が課題であった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、加工表面を清浄に保ったままマスク層除去を行
なうことを目的とする。
もので、加工表面を清浄に保ったままマスク層除去を行
なうことを目的とする。
この発明は、加工表面を保護材でおおうことにより、加
工表面を清浄に保ったままマスク層除去を可能にしたも
のである。
工表面を清浄に保ったままマスク層除去を可能にしたも
のである。
この発明におけるマスク層除去法では、加工表面を保護
材でおおうことで・加工表面をプラズマ、あるいはイオ
ンビーム、ラジカル等による酸化、損傷及び除去された
マスク材や装置内での汚染から保護することができる。
材でおおうことで・加工表面をプラズマ、あるいはイオ
ンビーム、ラジカル等による酸化、損傷及び除去された
マスク材や装置内での汚染から保護することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（ｅ）はこの発明におけるマスク除去の工
程を示す断面図である。第１図において、（１）は被加
工物、（２）は加工に用いられたマスク層、（３）はり
フトオフ用のレジスト層、（４）は加工表面、（５）は
加工表面保護のために蒸着された絶縁膜、（６）は絶縁
膜（５）の蒸着される保護膜材料、（７）はもう一方の
デポされた保護膜、（８）は保護膜（７）の蒸着される
保護膜材料を示す。
図（ａ）〜（ｅ）はこの発明におけるマスク除去の工
程を示す断面図である。第１図において、（１）は被加
工物、（２）は加工に用いられたマスク層、（３）はり
フトオフ用のレジスト層、（４）は加工表面、（５）は
加工表面保護のために蒸着された絶縁膜、（６）は絶縁
膜（５）の蒸着される保護膜材料、（７）はもう一方の
デポされた保護膜、（８）は保護膜（７）の蒸着される
保護膜材料を示す。
次に製造方法を説明する。
まず第１図（ａ）に示したように、マスク層（２）のつ
いた被加工物（１）にリソグラフィでパターンニングを
行ない、レジスト層（３）を形成する。次に、第１図（
ｂ） 、 （Ｃ）に示したように加工表面（４）に保護
膜（５）。
いた被加工物（１）にリソグラフィでパターンニングを
行ない、レジスト層（３）を形成する。次に、第１図（
ｂ） 、 （Ｃ）に示したように加工表面（４）に保護
膜（５）。
（７）としてＳｉｎ！を蒸着する。この時、蒸着材料を
斜めから入射させ、加工表面（４）の側面にも充分保護
膜（５） 、 （７）を蒸着させる。蒸着終了後、第１
図（ｄ）に示すようにレジスト層（３）を有機溶剤、水
スプレー等で除去し、レジスト層（３）上の保護膜（５
） ｊ （７）も共にリフトオフして、除去するマスク
層（２）を露出させる。次ζこ、０２アッシャ−あるい
はＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃ ｔ １ｖｅＩｏｎｅ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ ）等で、マスク層（２）が除去され、第１図
（ｅ）に示すように、加工表面（４）はなんら汚染、損
傷は受けない。また、保護膜（５） ＃ （７）の５ｉ
ｎｔ膜もＨＦ等で容易に除去されるし、あるいは保護膜
としてそのまま残しても差しつかえない。
斜めから入射させ、加工表面（４）の側面にも充分保護
膜（５） 、 （７）を蒸着させる。蒸着終了後、第１
図（ｄ）に示すようにレジスト層（３）を有機溶剤、水
スプレー等で除去し、レジスト層（３）上の保護膜（５
） ｊ （７）も共にリフトオフして、除去するマスク
層（２）を露出させる。次ζこ、０２アッシャ−あるい
はＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃ ｔ １ｖｅＩｏｎｅ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ ）等で、マスク層（２）が除去され、第１図
（ｅ）に示すように、加工表面（４）はなんら汚染、損
傷は受けない。また、保護膜（５） ＃ （７）の５ｉ
ｎｔ膜もＨＦ等で容易に除去されるし、あるいは保護膜
としてそのまま残しても差しつかえない。
なお、上記実施例では、保護膜として５ｉｎｔを例示し
ているが、保護膜としてはＳｉ、Ｎ、 、 ＡＩ、Ｏ５
等の絶縁性の膜、Ｔｉ 、 Ａｕ等の金属膜を用いても
同様な効果が得られる・ また、上記実施例では０鵞アッシャ−、ＲＩＥでマスク
層を除去しているが、除去にはスパッタ装置、ＲＩＢＥ
等でも差しつかえないし、あるいは硫酸、塩酸等の薬品
を用いてマスク層を除去しても同様である。
ているが、保護膜としてはＳｉ、Ｎ、 、 ＡＩ、Ｏ５
等の絶縁性の膜、Ｔｉ 、 Ａｕ等の金属膜を用いても
同様な効果が得られる・ また、上記実施例では０鵞アッシャ−、ＲＩＥでマスク
層を除去しているが、除去にはスパッタ装置、ＲＩＢＥ
等でも差しつかえないし、あるいは硫酸、塩酸等の薬品
を用いてマスク層を除去しても同様である。
また、上記実施例は加工表面を保護してマスク材を除去
する方法について記したが、半導体レーザ端面のコーテ
イング膜形成法としても同様な効果を奏する。
する方法について記したが、半導体レーザ端面のコーテ
イング膜形成法としても同様な効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、加工表面に保護膜を
付着させた上で加工に用いたマスク層の除去を行なうの
で、加工表面は酸化、損傷、汚染が生ずることがなく、
清浄な状態を保つことが可能という効果がある。
付着させた上で加工に用いたマスク層の除去を行なうの
で、加工表面は酸化、損傷、汚染が生ずることがなく、
清浄な状態を保つことが可能という効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例によるマス
ク除去の工程を示す断面図、第２図は従来のマスク層除
去法を示す断面図である。図中、（１）は被加工物、（
２）はマスク層、（３）はレジスト層、（４）は加工表
面、（５） ＃ （７）は保護膜、（６） ｊ （８）
は蒸着される保護膜材料、（９）はプラズマあるいはイ
オンビーム、ラジカル等を示す。 なお、 図中同一符号は同一、 又 は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 手 続 補 正 書（自発）
ク除去の工程を示す断面図、第２図は従来のマスク層除
去法を示す断面図である。図中、（１）は被加工物、（
２）はマスク層、（３）はレジスト層、（４）は加工表
面、（５） ＃ （７）は保護膜、（６） ｊ （８）
は蒸着される保護膜材料、（９）はプラズマあるいはイ
オンビーム、ラジカル等を示す。 なお、 図中同一符号は同一、 又 は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 手 続 補 正 書（自発）
Claims (1)
- マスク材を用いて半導体装置を選択的に加工する工程と
、その加工された部位に選択的に保護膜を形成した上で
選択加工用マスク材の除去を行なうことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16562788A JPH0214519A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16562788A JPH0214519A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214519A true JPH0214519A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15815957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16562788A Pending JPH0214519A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214519A (ja) |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16562788A patent/JPH0214519A/ja active Pending
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